JP2948848B2 - Dither circuit - Google Patents

Dither circuit

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、信号のA/D変換時等に発生する量子化雑音
を抑制するために用いられるディザ回路に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dither circuit used to suppress quantization noise generated at the time of A / D conversion of a signal.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

DAT(ディジタル・オーディオ・テープレコーダ)な
どのPCM(Pulse Code Modulation)録音装置では、入力
アナログ信号をディジタル信号に変換するために、A/D
変換回路が用いられる。A/D変換回路では量子化雑音の
発生が問題となる。量子化雑音は、入力アナログ信号と
強い相関をもち、入力アナログ信号の高次高調波ひずみ
を発生させる。このひずみは記録信号に混入し、その記
録信号の再生時に耳障りな不快音となって現われる。こ
の量子化雑音の抑制にはディザ回路が用いられる。ディ
ザ回路はA/D変換回路の入力段において入力アナログ信
号にランダムノイズであるディザ信号を加算し、周期性
をもつ量子化雑音を白色化するものである。
A PCM (Pulse Code Modulation) recording device such as a DAT (Digital Audio Tape Recorder) uses an A / D converter to convert an input analog signal into a digital signal.
A conversion circuit is used. In the A / D conversion circuit, generation of quantization noise poses a problem. The quantization noise has a strong correlation with the input analog signal, and causes high-order harmonic distortion of the input analog signal. This distortion is mixed in the recorded signal and appears as an unpleasant unpleasant sound when the recorded signal is reproduced. A dither circuit is used to suppress the quantization noise. The dither circuit adds a random noise dither signal to an input analog signal at an input stage of the A / D conversion circuit to whiten quantization noise having periodicity.

第5図に、従来のディザ回路を示す。第5図におい
て、入力端子1には図示しないラインアンプからの入力
アナログ信号SINが入力される。入力アナログ信号SIN
加算器2に与えられ、加算器2では入力アナログ信号S
INにディザ発生回路7からのディザ信号SDを加算する。
ディザ発生回路7はディザ信号SD発生源としてのツェナ
ーダイオードZDを有する。このツェナーダイオードZDに
抵抗R3を介して電流を流すことにより発生した熱雑音が
カップリングコンデンサC1を介してオペアンプA1の非反
転入力端子に与えられる。オペアンプA1は、入力された
雑音をゲイン設定抵抗R4で定まるゲインで増幅し、その
増幅した雑音信号をディザ信号SDとしてカップリングコ
ンデンサC2を介してバンドパスフィルタ8に出力する。
バンドパスフィルタ8はディザ信号SDに対して帯域制限
を行なって加算器2にディザ信号SDを出力する。加算器
2においてディザ信号SDが加えられた入力アナログ信号
SINはローパスフィルタ3に入力される。ローパスフィ
ルタ3は入力アナログ信号SINの再生周波数帯域の上限
以上の不要な信号を除去し、サンプルホールド回路4に
送る。サンプルホールド回路4は、連続的に変化する入
力アナログ信号SINを所定のサンプリング周波数fSでサ
ンプリングし、A/D変換回路5において量子化するのに
必要な時間だけ入力アナログ信号SINの標本値をホール
ドする。その標本化された入力アナログ信号SINはA/D変
換回路5に入力される。A/D変換回路5は入力アナログ
信号SINの各標本値をその値に応じて量子化してディジ
タル信号に変換し、ディジタルフィルタ6に出力する。
ディジタルフィルタ6は、ディジタルデータをフィルタ
リングし、ディザ信号SDを含む不要成分を除去して出力
する。
FIG. 5 shows a conventional dither circuit. In FIG. 5, an input analog signal S IN from a line amplifier (not shown) is input to an input terminal 1. The input analog signal S IN is given to the adder 2, where the input analog signal S
The dither signal SD from the dither generation circuit 7 is added to IN .
The dither generation circuit 7 has a Zener diode ZD as a dither signal SD generation source. It applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier A 1 thermal noise generated by passing a current through the resistor R 3 in the zener diode ZD via a coupling capacitor C 1. Operational amplifier A 1 is amplified by a gain determined the input noise by gain setting resistors R 4, and outputs the band-pass filter 8 via a coupling capacitor C 2 noise signal amplified as a dither signal S D.
The band-pass filter 8 performs a band limitation outputs a dither signal S D to the adder 2 for the dither signal S D. Input analog signal to which the dither signal SD is added in the adder 2
S IN is input to the low-pass filter 3. The low-pass filter 3 removes unnecessary signals above the upper limit of the reproduction frequency band of the input analog signal SIN and sends the same to the sample-and-hold circuit 4. Sample-and-hold circuit 4, the sample of the input analog signal S IN was sampled at a predetermined sampling frequency f S, A / D in the conversion circuit 5 by the time required to quantize the input analog signal S IN that varies continuously Hold the value. The sampled input analog signal S IN is input to the A / D conversion circuit 5. The A / D conversion circuit 5 quantizes each sample value of the input analog signal S IN according to the value, converts it into a digital signal, and outputs it to the digital filter 6.
The digital filter 6 filters digital data, removes unnecessary components including the dither signal SD , and outputs the result.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記従来のディザ回路において、ディザ発生回路7は
ツェナーダイオードZDを用い、そのツェナーダイオード
ZDから発生する熱雑音をオペアンプA1により増幅出力す
る構成となっている。ところが、ツェナーダイオードZD
の特性は必ずしも一様なものではなく、バラツキがあ
る。したがって、そのバラツキに応じてディザ信号SD
信号レベルの調整が必要となる。また、オペアンプA1
使用するため、コストアップする等の問題点があった。
In the above conventional dither circuit, the dither generation circuit 7 uses a Zener diode ZD,
The thermal noise generated from ZD has a structure for amplifying output by the operational amplifier A 1. However, Zener diode ZD
Are not necessarily uniform and vary. Therefore, it is necessary to adjust the signal level of the dither signal SD according to the variation. Further, in order to use an operational amplifier A 1, a problem such as increasing costs.

本発明の目的は、比較的簡単な構成でディザ信号を発
生しうるディザ回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a dither circuit that can generate a dither signal with a relatively simple configuration.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

上記課題を解決するために、本発明は、A/D変換回路
の入力信号にディザ信号を加算するディザ回路におい
て、入力端子が交流的に低電位電源電圧に接続されると
共に、そのバイアス点がリニア動作領域に設定され、か
つ、出力端子が前記A/D変換回路の入力段に接続されるC
MOSトランジスタインバータからなるディザ発生回路を
備えて構成した。
In order to solve the above problem, the present invention provides a dither circuit for adding a dither signal to an input signal of an A / D conversion circuit. C that is set in the linear operation area and whose output terminal is connected to the input stage of the A / D conversion circuit
A dither generation circuit composed of a MOS transistor inverter is provided.

〔作用〕[Action]

本発明によれば、CMOSトランジスタインバータの入力
端子が交流的に接地され、バイアス点がリニア動作領域
に設定されているため、CMOSトランジスタインバータ自
身が発生する白色雑音が当該CMOSトランジスタインバー
タ自身の増幅作用により所定電圧レベルに増幅される。
その増幅された雑音信号がディザ信号として出力され、
A/D変換回路の入力信号である入力アナログ信号に加算
される。すなわち、CMOSトランジスタインバータはその
リニア動作領域においてハイ・インピーダンスのリニア
・アンプとしいて作用することを利用したものであり、
デバイス相互間での特性のバラツキが少ないCMOS−ICと
することにより、均一なディザ信号SDを得ることが可能
であり、装置の小型化が可能となる。
According to the present invention, since the input terminal of the CMOS transistor inverter is AC grounded and the bias point is set in the linear operation region, the white noise generated by the CMOS transistor inverter itself causes the amplification effect of the CMOS transistor inverter itself. To a predetermined voltage level.
The amplified noise signal is output as a dither signal,
It is added to the input analog signal that is the input signal of the A / D conversion circuit. In other words, the CMOS transistor inverter utilizes the fact that it operates as a high-impedance linear amplifier in its linear operation region.
By using a CMOS-IC with little variation in characteristics between devices, it is possible to obtain a uniform dither signal SD and to reduce the size of the device.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明す
る。
Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図に本発明の実施例を示す。第1図において、図
示しないラインアンプからの入力アナログ信号SINは入
力端子1に入力される。加算器2では、入力アナログ信
号SINにディザ発生回路9からのディザ信号SDを加算す
る。加算器2はオペアンプ等を用いて構成される。ディ
ザ信号SDが加算された入力アナログ信号SINはローパス
フィルタ3に入力される。ローパスフィルタ3はオペア
ンプを利用したアクティブ形のアナログローパスフィル
タで構成され、第4図に示すような減衰特性を有して不
要な高域周波数成分を除去する。ローパスフィルタ3か
ら出力された入力アナログ信号SINはサンプルホールド
回路4に入力される。サンプルホールド回路4は入力ア
ナログ信号SINを所定のサンプリング周波数fS(例え
ば、48KHz)のn倍(例えば、2倍)のオーバーサンプ
リングによって標本化し、その標本値をA/D変換回路5
のA/D変換時間に必要な時間だけホールドしてA/D変換回
路5に与える。A/D変換回路5は入力された標本値を量
子化し、ディジタル信号に変換して出力する。変換され
たディジタル信号は、サンプリング周波数fSまたはオー
バーサンプリング周波数nfSにて取出され、不要成分が
除去されて出力される。その出力ディジタル信号SOUT
DATの記録部等に送られる。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In Figure 1, the input analog signal S IN from the line amplifier (not shown) is inputted to the input terminal 1. The adder 2 adds the dither signal S D from the dither generating circuit 9 to the input analog signal S IN. The adder 2 is configured using an operational amplifier or the like. The input analog signal S IN to which the dither signal SD has been added is input to the low-pass filter 3. The low-pass filter 3 is composed of an active analog low-pass filter using an operational amplifier, and has an attenuation characteristic as shown in FIG. 4 to remove unnecessary high frequency components. The input analog signal S IN output from the low-pass filter 3 is input to the sample and hold circuit 4. Sample-and-hold circuit 4 is input analog signal S IN to a predetermined sampling frequency f S (e.g., 48KHz) n times (e.g., twice) of sampled by the over-sampling, the sample value A / D converter circuit 5
And hold it for the time required for the A / D conversion time and give it to the A / D conversion circuit 5. The A / D conversion circuit 5 quantizes the input sample value, converts it into a digital signal, and outputs it. Converted digital signal is taken out at the sampling frequency f S or oversampling frequency nf S, unnecessary components are output are removed. The output digital signal S OUT is
It is sent to the DAT recording unit.

第2図に示すように、ディザ発生回路9は、2段のCM
OSトランジスタインバータA2、CMOSトランジスタインバ
ータA3を用いて構成される。初段のCMOSトランジスタイ
ンバータA2は白色雑音の発生源および増幅器として作用
し、CMOSトランジスタインバータA3は発生された白色雑
音をさらに所定レベルにまで増幅し、その増幅信号をデ
ィザ信号SDとしてバンドパスフィルタ8に出力する増幅
器として作用する。CMOSトランジスタインバータA2の入
力端子aはカップリングコンデンサC3を介して低電位側
電源VSS(または、GND)に接続されており、CMOSトラン
ジスタインバータA2の出力端子bはCMOSトランジスタイ
ンバータA3の入力端子cに接続されている。CMOSトラン
ジスタインバータA3の出力端子dはバンドパスフィルタ
8の入力端子に接続されている。入力端子aと出力端子
bとの間には高抵抗のフィードバック抵抗R5が、入力端
子cと出力端子dとの間にも同様に高抵抗のフィードバ
ック抵抗R6がそれぞれ接続されている。
As shown in FIG. 2, the dither generation circuit 9 has two stages of CMs.
It is configured using an OS transistor inverter A 2 and a CMOS transistor inverter A 3 . CMOS transistor inverter A 2 of the first stage acts as a white noise source and an amplifier, a CMOS transistor inverter A 3 is amplified to a further predetermined level the generated white noise, band-pass the amplified signal as the dither signal S D It functions as an amplifier that outputs to the filter 8. CMOS transistor input terminal a of the inverter A 2 is the low potential side power source V SS via the coupling capacitor C 3 (or, GND) is connected to the output terminal b of a CMOS transistor inverter A 2 are CMOS transistor inverter A 3 Is connected to the input terminal c. Output terminal d of the CMOS transistor inverter A 3 is connected to the input terminal of the bandpass filter 8. Between the input terminal a and the output terminal b is feedback resistor R 5 of the high resistance, the feedback resistor R 6 is similarly high resistance between the input terminal c to the output terminal d are connected.

CMOSトランジスタインバータA2は、PMOSトランジスタ
QP1とNMOSトランジスタQN1からなる。同様に、CMOSトラ
ンジスタインバータA3はPMOSトランジスタQP2とNMOSト
ランジスタQN2からなる。PMOSトランジスタQP1のゲート
GとNMOSトランジスタQN1のゲートGは互に共通接続さ
れ、入力端子aを形成している。出力端子bはPMOSトラ
ンジスタQP1のソースSとNMOSトランジスタQN1のDとの
接続点に設けられている。入力端子cはPMOSトランジス
タQP2のゲートGとNMOSトランジスタQN2のゲートGの共
通接続点に設けられている。出力端子dはPMOSトランジ
スタQP2のソースSとNMOSトランジスタQN2のドレインD
との接続点に設けられている。PMOSトランジスタQP1
ドレインDには高電位側電源VDD、同じくPMOSトランジ
スタQP2のドレインDにも高電位側電源VDDが与えられ
る。NMOSトランジスタQN1のソースS低電位側電源V
SS(または、GND)、NMOSトランジスタQN2のソースSも
低電位側電源VSS(GND)に接続されている。
CMOS transistor inverter A 2 is, PMOS transistor
QP1 and an NMOS transistor QN1 . Similarly, CMOS transistor inverter A 3 is a PMOS transistor Q P2 and the NMOS transistor Q N2. The gate G of the gate G of the NMOS transistor Q N1 of the PMOS transistor Q P1 is mutually connected together to form an input terminal a. The output terminal b is provided to the connection point of the D source S of the NMOS transistor Q N1 of the PMOS transistor Q P1. The input terminal c is provided at a common connection point between the gate G of the PMOS transistor QP2 and the gate G of the NMOS transistor QN2 . Drain D of the source S and the NMOS transistor Q N2 of the output terminal d is PMOS transistor Q P2
Is provided at the connection point. The drain D of the PMOS transistor Q P1 higher voltage power supply V DD, higher voltage power supply V DD is applied also similarly to the drain D of the PMOS transistor Q P2. Source S of NMOS transistor Q N1 Low-side power supply V
SS (or GND) and the source S of the NMOS transistor QN2 are also connected to the low-potential-side power supply V SS (GND).

以上のCMOSトランジスタインバータA2、A3は、通常、
論理ゲートとして用いられるが、本実施例ではハイ・イ
ンピーダンスのリニア・アンプとして用いている。第3
図に、CMOSトランジスタインバータA2、CMOSトランジス
タインバータA3のトランスファ・カーブを示す。第3図
からわかるように、CMOSトランジスタインバータA2、A3
はそれぞれ論理出力が“H"レベルから“L"レベルに転移
する領域に、リニア領域を有している。このリニア領域
におけるVDD/2の点Bにバイアス点を設定することによ
りCMOSトランジスタインバータA2、CMOSトランジスタイ
ンバータA3はリニア・アンプとして動作する。そして、
CMOSトランジスタインバータA2の入力端子aをカップリ
ングコンデンサC3を介して低電位側電源VSS(または、G
ND)に接続することにより、CMOSトランジスタインバー
タA2の入力電圧は交流的に0Vとなり、このときCMOSトラ
ンジスタインバータA2自身から発生される内部雑音(白
色雑音)のみがCMOSトランジスタインバータA2により増
幅される。この増幅利得はVDD=5Vのとき、およそ20dB
である。増幅された白色雑音は出力端子bから入力端子
cに出力される。
The above CMOS transistor inverters A 2 and A 3 are usually
Although used as a logic gate, this embodiment uses it as a high impedance linear amplifier. Third
The figure shows the transfer curves of the CMOS transistor inverter A 2 and the CMOS transistor inverter A 3 . As can be seen from FIG. 3, the CMOS transistor inverters A 2 and A 3
Each has a linear region in a region where the logical output transitions from the “H” level to the “L” level. By setting a bias point at point B of V DD / 2 in this linear region, CMOS transistor inverters A 2 and A 3 operate as linear amplifiers. And
An input terminal a of the CMOS transistor inverter A 2 via the coupling capacitor C 3 low potential side power supply V SS (or, G
By connecting to the ND) amplification, CMOS transistor input voltage of the inverter A 2 are AC-0V, and only this time the internal noise generated from the CMOS transistor inverter A 2 itself (white noise) by CMOS transistors inverter A 2 Is done. This amplification gain is approximately 20dB when V DD = 5V
It is. The amplified white noise is output from the output terminal b to the input terminal c.

CMOSトランジスタインバータA3は入力された白色雑音
をさらに増幅し(20dB)、出力端子dから出力する。こ
の増幅された白色雑音がディザ信号SDとしてバンドパス
フィルタ8に送られる。
CMOS transistor inverter A 3 is further amplifies the inputted white noise (20 dB), output from the output terminal d. The amplified white noise is sent to the band pass filter 8 as a dither signal SD .

バンドパスフィルタ8の存在理由は、ローパスフィル
タ3の減衰特性との関係に基づいている。すなわち、バ
ンドパスフィルタ8はその中心周波数で決まる通過帯域
を有してディザ信号SDの周波数帯域制限を行うのである
が、その中心周波数f0はサンプリング周波数fSとの関係
において、 の範囲とするが好ましい。ところが、中心周波数f0を高
域側に設定すると、ローパスフィルタ3の減衰特性によ
りディザ信号SDの信号レベルが低下してしまう。これを
防止するためには、再度増幅する必要が生じる。しか
し、ディザ信号SDの信号レベルを過度に上げることはビ
ート等の問題を引き起すことになる。そこで、第4図に
示すように、通過帯域レベルLより40dB減衰したレベル
LMの点に該当する周波数をfMとし、中心周波数f0の範囲に設定するようにする。このようにすることによ
り、適度な減衰量で必要な通過帯域の特性を得ることが
できる。
The reason for the existence of the bandpass filter 8 is based on the relationship with the attenuation characteristics of the lowpass filter 3. That is, the band-pass filter 8 has a pass band determined by the center frequency thereof and limits the frequency band of the dither signal SD . The center frequency f 0 has a relationship with the sampling frequency f S. Is preferably in the range. However, if the center frequency f 0 is set to the higher frequency side, the signal level of the dither signal SD will decrease due to the attenuation characteristics of the low-pass filter 3. In order to prevent this, it is necessary to re-amplify. However, excessively increasing the signal level of the dither signal SD causes problems such as beats. Therefore, as shown in FIG. 4, the level attenuated by 40 dB from the passband level L
Let the frequency corresponding to the point of L M be f M and the center frequency f 0 be To be set in the range. By doing so, it is possible to obtain necessary passband characteristics with an appropriate amount of attenuation.

なお、以上の実施例では、A/D変換においてサンプリ
ング周波数fSの2倍の速度で動作するものとして説明し
たが、変換速度を4倍等、すなわちfSの2n(n=1、
2、…)倍で動作するものであってもよい。
In the above embodiment has been described as operating at twice the speed of the sampling frequency f S in the A / D converter, 4 times, etc. The conversion rate, i.e. the f S 2n (n = 1,
2,...).

また、ディザ発生回路9はCMOSトランジスタインバー
タA2、CMOSトランジスタインバータA3の2段で説明した
が、CMOSトランジスタインバータの増幅度に応じて1個
もしくは複数個としてもよい。
Further, the dither generation circuit 9 has been described as having two stages of the CMOS transistor inverter A 2 and the CMOS transistor inverter A 3. However, one or a plurality of dither generation circuits 9 may be provided according to the amplification degree of the CMOS transistor inverter.

さらに、サンプリング周波数fSは上述の48KHZのみな
らず、32KHZ、44.1KHZを用いても本発明の効果に変りは
ない。
Further, the sampling frequency f S is not above 48KH Z only, 32KH Z, no changes to the effect of the invention to use a 44.1KH Z.

加えて、本発明は、A/D変換のみでなく、D/A変換に際
して生ずる量子化雑音の低減に用いることが可能であ
る。その場合は、D/A変換器の前段に本発明に係るディ
ザ発生回路9のディザ信号SD(アナログディザ)をA/D
変換して入力するよう構成すればよい。
In addition, the present invention can be used not only for A / D conversion, but also for reducing quantization noise generated during D / A conversion. In that case, the dither signal S D (analog dither) of the dither generation circuit 9 according to the present invention is supplied to the A / D converter before the D / A converter.
What is necessary is just to comprise so that it may convert and input.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上の通り本発明によれば、CMOSトランジスタインバ
ータを利用してディザ信号を発生するように構成したの
で、ディザ信号の信号レベルの調整手間が簡単になり、
装置の小型化が可能になる。
As described above, according to the present invention, since the dither signal is generated by using the CMOS transistor inverter, the trouble of adjusting the signal level of the dither signal is simplified,
The size of the device can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施例を示すブロック図、 第2図はディザ発生回路の電気回路図、 第3図はCMOSトランジスタインバータの増幅作用の説明
図、 第4図は各フィルタの特性図、 第5図は従来のディザ回路の例を示すブロック図であ
る。 1……入力端子 2……加算器 3……ローパスフィルタ 4……サンプルホールド回路 5……A/D変換回路 6……ディジタルフィルタ 7……ディザ発生回路 8……バンドパスフィルタ 9……ディザ発生回路 A1……オペアンプ A2……CMOSトランジスタインバータ A3……CMOSトランジスタインバータ C1、C2、C3……カップリングコンデンサ R3……抵抗 R2、R5、R6……フィードバック抵抗 R4……ゲイン設定抵抗 ZD……ツェナーダイオード SIN……入力アナログ信号 SOUT……出力ディジタル信号 SD……ディザ信号 QP1……PMOSトランジスタ QN1……NMOSトランジスタ QP2……PMOSトランジスタ QN2……NMOSトランジスタ D……ドレイン S……ソース G……ゲート VDD……高電位側電源 VSS……低電位側電源 a、c……入力端子 b、d……出力端子
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an electric circuit diagram of a dither generation circuit, FIG. 3 is an explanatory diagram of an amplifying operation of a CMOS transistor inverter, FIG. FIG. 5 is a block diagram showing an example of a conventional dither circuit. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Input terminal 2 ... Adder 3 ... Low pass filter 4 ... Sample hold circuit 5 ... A / D conversion circuit 6 ... Digital filter 7 ... Dither generation circuit 8 ... Band pass filter 9 ... Dither Generating circuit A 1 …… Op amp A 2 …… CMOS transistor inverter A 3 …… CMOS transistor inverter C 1 , C 2 , C 3 … Coupling capacitor R 3 …… Resistance R 2 , R 5 , R 6 …… Feedback Resistance R 4 … Gain setting resistance ZD… Zener diode S IN … Input analog signal S OUT … Output digital signal S D … Dither signal Q P1 … PMOS transistor Q N1 … NMOS transistor Q P2 … PMOS Transistor Q N2 … NMOS transistor D… Drain S… Source G… Gate V DD … High-potential power supply V SS … Low-potential power supply a, c… Input terminals b, d… Output Terminal

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】A/D変換回路の入力信号にディザ信号を加
算するディザ回路において、 入力端子が交流的に低電位電源電圧に接続されると共
に、そのバイアス点がリニア動作領域に設定され、か
つ、出力端子が前記A/D変換回路の入力段に接続されるC
MOSトランジスタインバータからなるディザ発生回路を
備えたことを特徴とするディザ回路。
In a dither circuit for adding a dither signal to an input signal of an A / D conversion circuit, an input terminal is AC-connected to a low-potential power supply voltage, and a bias point thereof is set in a linear operation region. And an output terminal connected to the input stage of the A / D conversion circuit.
A dither circuit comprising a dither generation circuit comprising a MOS transistor inverter.
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