JPH03195095A - 回路装置のシールド形成方法 - Google Patents
回路装置のシールド形成方法Info
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- JPH03195095A JPH03195095A JP33607289A JP33607289A JPH03195095A JP H03195095 A JPH03195095 A JP H03195095A JP 33607289 A JP33607289 A JP 33607289A JP 33607289 A JP33607289 A JP 33607289A JP H03195095 A JPH03195095 A JP H03195095A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、回路基板に複数の電子部品が実装される混
成集積回路等に用いられる回路装置のシールド形成方法
に関する。
成集積回路等に用いられる回路装置のシールド形成方法
に関する。
従来、混成集積回路等の回路装置では、実装される回路
に応じてシールドが必要となるが、そのシールドにはシ
ールドケース等が用いられ、例えば、金属ケースに回路
装置を収容して外部回路と静電的又は磁気的に遮断する
方法が取られている。
に応じてシールドが必要となるが、そのシールドにはシ
ールドケース等が用いられ、例えば、金属ケースに回路
装置を収容して外部回路と静電的又は磁気的に遮断する
方法が取られている。
ところで、金属ケースでは、金属板で内蔵すべき回路装
置に対応する形状や容積等を持つ形態に金型等を用いて
成形加工するため、製造コストが高くなる。また、金属
ケースを用いた場合には、内蔵される回路装置の部品と
の絶縁間隔が必要となるので、その体積が大きくなり、
装置全体の小型化を妨げる。そして、金属ケースを回路
基板に取り付ける場合には、金属ケースに形成した接続
爪を回路基板に貫通させた後、回路基板上の導体パター
ンに半田付けして固定する等の手数があった。
置に対応する形状や容積等を持つ形態に金型等を用いて
成形加工するため、製造コストが高くなる。また、金属
ケースを用いた場合には、内蔵される回路装置の部品と
の絶縁間隔が必要となるので、その体積が大きくなり、
装置全体の小型化を妨げる。そして、金属ケースを回路
基板に取り付ける場合には、金属ケースに形成した接続
爪を回路基板に貫通させた後、回路基板上の導体パター
ンに半田付けして固定する等の手数があった。
このため、シールドケースに代わる導電性皮膜を回路装
置の外面を被覆する絶縁被覆層上に形成することにより
構造を簡略化した回路装置のシールド構造が提案されて
いる。
置の外面を被覆する絶縁被覆層上に形成することにより
構造を簡略化した回路装置のシールド構造が提案されて
いる。
そこで、この発明は、導電性皮膜と端子リードとの絶縁
性を高めた回路装置のシールド形成方法の提供を目的と
する。
性を高めた回路装置のシールド形成方法の提供を目的と
する。
即ち、この発明の回路装置のシールド形成方法は、回路
基板（４）に複数の電子部品（８１，８２，８３・・・
８Ｎ）を実装するとともに端子リード（１０）を設置し
た回路装置（２）の周面に前記端子リードを露出させて
絶縁被覆層（１６）を形成し、この絶縁被覆層から露出
する前記端子リードの前記絶縁被覆層側をマスキングキ
ャップ（１８）によって選択的に覆う工程と、前記絶縁
被覆層の表面に導電性皮膜（２０）を形成した後、前記
マスキングキャップを前記回路装置から取り外す工程と
からなることを特徴とするものである。
基板（４）に複数の電子部品（８１，８２，８３・・・
８Ｎ）を実装するとともに端子リード（１０）を設置し
た回路装置（２）の周面に前記端子リードを露出させて
絶縁被覆層（１６）を形成し、この絶縁被覆層から露出
する前記端子リードの前記絶縁被覆層側をマスキングキ
ャップ（１８）によって選択的に覆う工程と、前記絶縁
被覆層の表面に導電性皮膜（２０）を形成した後、前記
マスキングキャップを前記回路装置から取り外す工程と
からなることを特徴とするものである。
導電性皮膜を形成すべき絶縁被覆層を延長する形で端子
リードの一部をマスキングキャップで被覆したので、そ
の上から絶縁被覆層に導電性皮膜を形成できる。このた
め、導電性皮膜を十分にかつ容易に形成でき、導電性が
高い導電性皮膜が形成される。
リードの一部をマスキングキャップで被覆したので、そ
の上から絶縁被覆層に導電性皮膜を形成できる。このた
め、導電性皮膜を十分にかつ容易に形成でき、導電性が
高い導電性皮膜が形成される。
そして、マスキングキャップを取り外せば、その上に付
着している導電性皮膜も併せて除去でき、必要とすべき
導電性皮膜が高精度に絶縁被覆層上に形成される。
着している導電性皮膜も併せて除去でき、必要とすべき
導電性皮膜が高精度に絶縁被覆層上に形成される。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１Ａ図及び第１Ｂ図は、この発明の回路装置のシール
ド形成方法の一実施例を示す。
ド形成方法の一実施例を示す。
第１Ａ図の（Ａ）に示すように、回路装置２には、任意
の電子部品８１，８２．８３・・・８Ｎを実装すべき回
路基板４が設けられ、この回路基板４０表面に形成され
ている導体パターン６における所定の実装位置にコンデ
ンサやＩＣ等の複数の電子部品８Ｌ８２．８３・・・８
Ｎを実装するとともに、端子リード１０を取り付け、半
田１２で固定することによって回路装置２が形成される
。なお、半田Ｉ２のデイツプ処理にあたっては、回路基
Ｆｉ４の導体パターン６に選択的にソルダーレジスト１
４を印刷し、適正な半田デイツプ部分を特定する。
の電子部品８１，８２．８３・・・８Ｎを実装すべき回
路基板４が設けられ、この回路基板４０表面に形成され
ている導体パターン６における所定の実装位置にコンデ
ンサやＩＣ等の複数の電子部品８Ｌ８２．８３・・・８
Ｎを実装するとともに、端子リード１０を取り付け、半
田１２で固定することによって回路装置２が形成される
。なお、半田Ｉ２のデイツプ処理にあたっては、回路基
Ｆｉ４の導体パターン６に選択的にソルダーレジスト１
４を印刷し、適正な半田デイツプ部分を特定する。
次に、第１Ａ図のＣＢ）に示すように、端子リード１０
の一部を包含して回路装置２の表面部分に絶縁性樹脂に
よって樹脂モールドを施し、絶縁被覆層１６を形成する
。この絶縁被覆層１６を構成するモールド用樹脂には、
例えば、エポキシ変性フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン、ポリビニル、ポリブタジェン等の何れか又
はそれらの２以上を組み合わせたものが用いられる。こ
れらの樹脂は、常温で液状を成して適当な粘性を持ち、
加熱等の手段により硬化する特性を持っているので、こ
の特性を利用して回路装置２の周面に信顛性の高い絶縁
被覆層１６を形成することができる。そして、絶縁被覆
層１６は、デイツプ槽内に液状を成すモールド用樹脂を
溜め、その中に端子リード１０側を上にして回路装置２
の本体部分である回路基板４及びその上に実装されてい
る電子部品８１．８２．８３・・・８Ｎを浸して形成す
る。
の一部を包含して回路装置２の表面部分に絶縁性樹脂に
よって樹脂モールドを施し、絶縁被覆層１６を形成する
。この絶縁被覆層１６を構成するモールド用樹脂には、
例えば、エポキシ変性フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン、ポリビニル、ポリブタジェン等の何れか又
はそれらの２以上を組み合わせたものが用いられる。こ
れらの樹脂は、常温で液状を成して適当な粘性を持ち、
加熱等の手段により硬化する特性を持っているので、こ
の特性を利用して回路装置２の周面に信顛性の高い絶縁
被覆層１６を形成することができる。そして、絶縁被覆
層１６は、デイツプ槽内に液状を成すモールド用樹脂を
溜め、その中に端子リード１０側を上にして回路装置２
の本体部分である回路基板４及びその上に実装されてい
る電子部品８１．８２．８３・・・８Ｎを浸して形成す
る。
次に、第１Ａ図の（Ｃ）に示すように、絶縁被覆層１６
から露出している端子リードｌＯに、その絶縁被覆層１
６の近傍部分を覆う被覆手段としてマスキングキャップ
１８を被せて端子リード１０を選択的に覆った後、導電
性皮１２０を形成する。マスキングキャップ１８は、例
えば、第２図の（Ｃ）に示すように、絶縁被覆層１６の
一部を含んで各端子リードｌＯの付は根部分を覆う弾力
性のある合成樹脂で形成されている。
から露出している端子リードｌＯに、その絶縁被覆層１
６の近傍部分を覆う被覆手段としてマスキングキャップ
１８を被せて端子リード１０を選択的に覆った後、導電
性皮１２０を形成する。マスキングキャップ１８は、例
えば、第２図の（Ｃ）に示すように、絶縁被覆層１６の
一部を含んで各端子リードｌＯの付は根部分を覆う弾力
性のある合成樹脂で形成されている。
次に、第１Ｂ図の（Ｄ）及び第２図の（Ｄ）に示すよう
に、絶縁被覆層１６上にマスキングキャップ１８の一部
とともに絶縁被覆層１６の周面を全面的に覆って導電性
皮膜２０を形成し、絶縁被覆層１６の周面を導電性皮膜
２０でコーティング処理する。この導電性皮膜２０には
、導体ペーストとしてＣｕペースト等を用いることがで
きる。
に、絶縁被覆層１６上にマスキングキャップ１８の一部
とともに絶縁被覆層１６の周面を全面的に覆って導電性
皮膜２０を形成し、絶縁被覆層１６の周面を導電性皮膜
２０でコーティング処理する。この導電性皮膜２０には
、導体ペーストとしてＣｕペースト等を用いることがで
きる。
例えば、Ｃｕペーストを用いた場合には、デイツプ槽に
溜めたＣｕペーストに絶縁被覆層１６を形成した回路装
置２を浸し、厚さＩＩＩＩＩ１１程度の膜厚にＣｕペー
ストを付着させた後、硬化条件として、３０〜６０分間
、１５０°Ｃの雰囲気温度に設定すれば、適当な硬化状
態が得られる。
溜めたＣｕペーストに絶縁被覆層１６を形成した回路装
置２を浸し、厚さＩＩＩＩＩ１１程度の膜厚にＣｕペー
ストを付着させた後、硬化条件として、３０〜６０分間
、１５０°Ｃの雰囲気温度に設定すれば、適当な硬化状
態が得られる。
次に、第１Ｂ図の（Ｅ）及び第２図の（Ｅ）に示すよう
に、マスキングキャップ１８を取り除くと、その上に付
着している導電性皮膜２０も同時に除去されて回路装置
２のシールド構造が実現できる。
に、マスキングキャップ１８を取り除くと、その上に付
着している導電性皮膜２０も同時に除去されて回路装置
２のシールド構造が実現できる。
以上の形成方法によれば、回路装置２にシールド効果の
高いシールド構造を極めて簡単に実現することができる
とともに、絶縁被覆層１６の表面のみを選択的に覆う導
電性皮膜２０が形成でき、導電性皮膜２０と端子リード
１０との電気的な短絡を防止でき、信軌性の高いシール
ド構造が得られる。
高いシールド構造を極めて簡単に実現することができる
とともに、絶縁被覆層１６の表面のみを選択的に覆う導
電性皮膜２０が形成でき、導電性皮膜２０と端子リード
１０との電気的な短絡を防止でき、信軌性の高いシール
ド構造が得られる。
次に、第３図は、この発明の回路装置のシールド形成方
法の他の実施例を示す。
法の他の実施例を示す。
前記実施例では、導電性皮膜２０をＣｕペースト等の液
状導体で形成した場合を例に取ったが、この発明は、導
電性皮膜２０を無電解メツキ処理によって形成する場合
にも適用できる。
状導体で形成した場合を例に取ったが、この発明は、導
電性皮膜２０を無電解メツキ処理によって形成する場合
にも適用できる。
即ち、第３図の（Ａ）に示すように、回路装置２の回路
基板４側に絶縁被覆層１６を設置して端子リード１０を
選択的に覆うマスキングキャップ１８を取り付けた後、
無電解メツキ処理のための触媒２２を付与する。
基板４側に絶縁被覆層１６を設置して端子リード１０を
選択的に覆うマスキングキャップ１８を取り付けた後、
無電解メツキ処理のための触媒２２を付与する。
そして、無電解メツキ処理では、マスキングキャップ１
８が設置された回路装置２の絶縁被覆層１６に無電解メ
ツキ処理の前処理として、脱脂処理を施した後、エツチ
ング処理、表面の活性化及び洗浄処理を行い、触媒２２
を設置する。即ち、脱脂処理を行った回路装置２をキシ
レン中に１分程度浸し、次に、メタノール中に１分程度
浸し、５％程度のＨＣ１液中に浸した後、水で洗浄を行
い、１分程度のセンシタイザ−処理を行う。センシタイ
ザ−には、例えば、 Ｓ ｎ Ｃｌｚ ・２１（ｚ Ｏ：２０〜４０ｇ／
４２、ＨＣｌ ： １０〜２０ｍ １ ／ １を用いる
。
８が設置された回路装置２の絶縁被覆層１６に無電解メ
ツキ処理の前処理として、脱脂処理を施した後、エツチ
ング処理、表面の活性化及び洗浄処理を行い、触媒２２
を設置する。即ち、脱脂処理を行った回路装置２をキシ
レン中に１分程度浸し、次に、メタノール中に１分程度
浸し、５％程度のＨＣ１液中に浸した後、水で洗浄を行
い、１分程度のセンシタイザ−処理を行う。センシタイ
ザ−には、例えば、 Ｓ ｎ Ｃｌｚ ・２１（ｚ Ｏ：２０〜４０ｇ／
４２、ＨＣｌ ： １０〜２０ｍ １ ／ １を用いる
。
センシタイザ−処理の後、回路装置２の絶縁被覆層１６
を水で洗浄し、次に、１分程度のアクチベータ処理を行
う。アクチベータには、例えば、ＰｄＣｌ２ ・２Ｈｚ
Ｏ：０．１〜０．３ｇ／ｆ、ＨＣｌ： ３〜５ｍｆ／ｆ を用いる。
を水で洗浄し、次に、１分程度のアクチベータ処理を行
う。アクチベータには、例えば、ＰｄＣｌ２ ・２Ｈｚ
Ｏ：０．１〜０．３ｇ／ｆ、ＨＣｌ： ３〜５ｍｆ／ｆ を用いる。
次に、このセンシタイザ−処理を絶縁被覆層１６を水で
洗浄した後、第３図の（Ｂ）に示すように、マスキング
キャップ１８を前記実施例と同様に取り外し、選択的に
触媒２２を除いて無電解メツキ処理を行う。そして、第
３図の（Ｃ）に示すように、無電解メツキ処理用のメツ
キ液に回路装置２を漬け、触媒２２としてＰｄが付着し
ている部分に無電解メツキ処理を行って導電性皮膜２０
を形成する。導電性皮膜２０は、例えば、４μｍ／ｈ程
度の無電解メツキ処理によって形成し、その無電解メツ
キ処理には、例えば、Ｃｕ Ｓ Ｏａ ：０．０４Ｍ
、ＥＤＴＡ−４Ｈ：０．０９Ｍ、ＨＣＨＯ：０．０６Ｍ
、その他部加物からなる組成で、ｐＨ＝１２．２に設定
されたメツキ液を用いてその温度を７０°Ｃに設定し、
その処理の後、回路装置２を水にて洗浄すれば、無電解
メツキ処理によって前記実施例と同様に回路装置２のシ
ールド構造が実現できる。
洗浄した後、第３図の（Ｂ）に示すように、マスキング
キャップ１８を前記実施例と同様に取り外し、選択的に
触媒２２を除いて無電解メツキ処理を行う。そして、第
３図の（Ｃ）に示すように、無電解メツキ処理用のメツ
キ液に回路装置２を漬け、触媒２２としてＰｄが付着し
ている部分に無電解メツキ処理を行って導電性皮膜２０
を形成する。導電性皮膜２０は、例えば、４μｍ／ｈ程
度の無電解メツキ処理によって形成し、その無電解メツ
キ処理には、例えば、Ｃｕ Ｓ Ｏａ ：０．０４Ｍ
、ＥＤＴＡ−４Ｈ：０．０９Ｍ、ＨＣＨＯ：０．０６Ｍ
、その他部加物からなる組成で、ｐＨ＝１２．２に設定
されたメツキ液を用いてその温度を７０°Ｃに設定し、
その処理の後、回路装置２を水にて洗浄すれば、無電解
メツキ処理によって前記実施例と同様に回路装置２のシ
ールド構造が実現できる。
以上の形成方法によれば、マスキングキャップ１８によ
って触媒２２を選択的に取り除くことができるので、無
電解メツキ処理により、絶縁被覆層１６の表面に必要な
導電性皮膜２０が、例えば、５〜２５μｍのＣｕ層を以
て形成され、回路装置２にシールド効果の高いシールド
構造を極めて簡単に実現できる。
って触媒２２を選択的に取り除くことができるので、無
電解メツキ処理により、絶縁被覆層１６の表面に必要な
導電性皮膜２０が、例えば、５〜２５μｍのＣｕ層を以
て形成され、回路装置２にシールド効果の高いシールド
構造を極めて簡単に実現できる。
なお、実施例では、絶縁被覆層１６の表面に選択的に付
着させる触媒としてＰｄを用いた場合を例に取って説明
したが、Ａｇ、Ａｕ、ＰＬ等を用いてもシールドに適し
た金属層、即ち、導電性皮膜を形成することができる。
着させる触媒としてＰｄを用いた場合を例に取って説明
したが、Ａｇ、Ａｕ、ＰＬ等を用いてもシールドに適し
た金属層、即ち、導電性皮膜を形成することができる。
以上説明したように、この発明によれば、端子リードの
部分を確実に除いて回路装置の絶縁被覆層の表面にマス
キングキャップによって導電性皮膜を選択的に形成でき
、この導電性皮膜によってシールド効果が高く、信顛性
の高いシールド構造を得ることができる。
部分を確実に除いて回路装置の絶縁被覆層の表面にマス
キングキャップによって導電性皮膜を選択的に形成でき
、この導電性皮膜によってシールド効果が高く、信顛性
の高いシールド構造を得ることができる。
第１Ａ図及び第１Ｂ図はこの発明の回路装置のシールド
形成方法の一実施例を示す断面図、第２図はこの発明の
回路装置のシールド形成方法の一実施例を示す部分平面
図、 第３図はこの発明の回路装置のシールド形成方法の他の
実施例を示す断面図である。 ２・・・回路装置 ４・・・回路基板 ８１．８２．８３・・・８Ｎ・・・電子部品１０・・・
端子リード １６・・・絶縁被覆層 １日・・・マスキングキャップ ２０・・・導電性皮膜
形成方法の一実施例を示す断面図、第２図はこの発明の
回路装置のシールド形成方法の一実施例を示す部分平面
図、 第３図はこの発明の回路装置のシールド形成方法の他の
実施例を示す断面図である。 ２・・・回路装置 ４・・・回路基板 ８１．８２．８３・・・８Ｎ・・・電子部品１０・・・
端子リード １６・・・絶縁被覆層 １日・・・マスキングキャップ ２０・・・導電性皮膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 回路基板に複数の電子部品を実装するとともに端子リ
ードを設置した回路装置の周面に前記端子リードを露出
させて絶縁被覆層を形成し、この絶縁被覆層から露出す
る前記端子リードの前記絶縁被覆層側をマスキングキャ
ップによって選択的に覆う工程と、 前記絶縁被覆層の表面に導電性皮膜を形成した後、前記
回路装置から前記マスキングキャップを取り外す工程と
、 からなることを特徴とする回路装置のシールド形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33607289A JPH03195095A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 回路装置のシールド形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33607289A JPH03195095A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 回路装置のシールド形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03195095A true JPH03195095A (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=18295407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33607289A Pending JPH03195095A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 回路装置のシールド形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03195095A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002096176A3 (de) * | 2001-05-21 | 2003-02-20 | Siemens Ag | Verfahren zur abschirmung einer auf einer leiterplatte realisierten elektrischen schaltung und eine entsprechende kombination einer leiterplatte mit einer abschirmung |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP33607289A patent/JPH03195095A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002096176A3 (de) * | 2001-05-21 | 2003-02-20 | Siemens Ag | Verfahren zur abschirmung einer auf einer leiterplatte realisierten elektrischen schaltung und eine entsprechende kombination einer leiterplatte mit einer abschirmung |
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