JPH03185813A - 半導体単結晶膜の形成方法 - Google Patents
半導体単結晶膜の形成方法Info
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- JPH03185813A JPH03185813A JP32503289A JP32503289A JPH03185813A JP H03185813 A JPH03185813 A JP H03185813A JP 32503289 A JP32503289 A JP 32503289A JP 32503289 A JP32503289 A JP 32503289A JP H03185813 A JPH03185813 A JP H03185813A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は絶縁基板上の単結晶膜の形成方法に関し、とり
わけ半導体単結晶膜の形成方法に関する［従来の技術］ 従来、５ｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ （Ｓ
ＯＳ ）に代表される如く、単結晶絶縁基板上に単結
晶膜を形成する方法はあった。
わけ半導体単結晶膜の形成方法に関する［従来の技術］ 従来、５ｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ （Ｓ
ＯＳ ）に代表される如く、単結晶絶縁基板上に単結
晶膜を形成する方法はあった。
［発明が解決しようとする！１題コ
しかし、上記従来技術によると、石英やパイレックス、
ガラス等のアモルファス絶縁基板上に単結晶膜を形成す
る方法がなかった。
ガラス等のアモルファス絶縁基板上に単結晶膜を形成す
る方法がなかった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、アモルファ
ス絶縁基板上に単結晶膜を形成する新しい方法を提供す
る事を目的とする。
ス絶縁基板上に単結晶膜を形成する新しい方法を提供す
る事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明は、半導体単結晶膜
の形成方法に関し、絶縁基板端部上に単結晶から成る育
成種を貼付け、該育成種を含む前記絶縁基板表面にアモ
ルファス又は多結晶の半導体膜を形成し、前記育成棟表
面から熱線を走査させて、前記半導体膜を融解し、冷却
させて単結晶半導体膜となす手段を取る。
の形成方法に関し、絶縁基板端部上に単結晶から成る育
成種を貼付け、該育成種を含む前記絶縁基板表面にアモ
ルファス又は多結晶の半導体膜を形成し、前記育成棟表
面から熱線を走査させて、前記半導体膜を融解し、冷却
させて単結晶半導体膜となす手段を取る。
［実施例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例゛を示す単結晶膜形成法を示
す工程順の断面図である。すなわち、（Ａ）石英、パイ
レックス、ガラス等あるいはその他の絶縁体から戊る絶
縁基板１の端部表面には水ガラス等を用いてＳｉ単結晶
半導体等から成る単結晶種２を貼付け、（Ｂ）該単結晶
種２を含む前記絶縁基板１０表面にＯＶＤ法やスパッタ
法等によりアモルファス状又は多結晶状Ｓｉ等の半導体
膜３を形成後、（０）前記絶縁基板１の裏面から基板ヒ
ーター４によりバック・アップ加熱をしながら、前記単
結晶種２の表面の半導体膜３からストライプ・ヒーター
で融解な開始し、該ストライプ・ヒーターを走査させる
ことによりストライプ・ヒータ一定量５を前記半導体膜
３の端部から内部方向に向かって融解と冷却を連続して
走査することにより単結晶半導体１１１ｆ６’＆育成し
て行く。
す工程順の断面図である。すなわち、（Ａ）石英、パイ
レックス、ガラス等あるいはその他の絶縁体から戊る絶
縁基板１の端部表面には水ガラス等を用いてＳｉ単結晶
半導体等から成る単結晶種２を貼付け、（Ｂ）該単結晶
種２を含む前記絶縁基板１０表面にＯＶＤ法やスパッタ
法等によりアモルファス状又は多結晶状Ｓｉ等の半導体
膜３を形成後、（０）前記絶縁基板１の裏面から基板ヒ
ーター４によりバック・アップ加熱をしながら、前記単
結晶種２の表面の半導体膜３からストライプ・ヒーター
で融解な開始し、該ストライプ・ヒーターを走査させる
ことによりストライプ・ヒータ一定量５を前記半導体膜
３の端部から内部方向に向かって融解と冷却を連続して
走査することにより単結晶半導体１１１ｆ６’＆育成し
て行く。
更に、Ｂ工程で半導体膜３０表面に予じめ絶縁膜を形成
後（０）の単結晶育成工程を施しても良い。
後（０）の単結晶育成工程を施しても良い。
尚、前記実施例では単結晶種２をＳｉ単結晶。
半導体膜５を８１半導体膜となしたが、単結晶種２はＧ
ｏ、ＧａＡｓ、Ｓｅ、Ｔｏ等の他の半導体単結晶種や化
合物半導体結晶種であっても良く、半導体膜３は、Ｓｌ
の他のｏｅ、ｃｉａＡｅ、ｓｅ、Ｔｅ等の他の半導体膜
あるいは化合物半導体膜であっても良い。
ｏ、ＧａＡｓ、Ｓｅ、Ｔｏ等の他の半導体単結晶種や化
合物半導体結晶種であっても良く、半導体膜３は、Ｓｌ
の他のｏｅ、ｃｉａＡｅ、ｓｅ、Ｔｅ等の他の半導体膜
あるいは化合物半導体膜であっても良い。
更に、単結晶種２と半導体膜３は同一材料である必要は
なく、単結晶種２がＳｌで半導体膜３がＧｅかＧａＡｅ
の如く異種の半導体材を用いたヘテロジニアスな単結晶
半導体膜６の形成であっても良く、育戒種は、単結晶Ｍ
Ｏの如く金属体であっても良い。
なく、単結晶種２がＳｌで半導体膜３がＧｅかＧａＡｅ
の如く異種の半導体材を用いたヘテロジニアスな単結晶
半導体膜６の形成であっても良く、育戒種は、単結晶Ｍ
Ｏの如く金属体であっても良い。
更に、単結晶種２や半導体膜５はＡｔ等の金属体や超電
導体であっても良く、その場合には、単結晶半導体膜６
は単結晶金属膜や単結晶超電導体膜となることとなる。
導体であっても良く、その場合には、単結晶半導体膜６
は単結晶金属膜や単結晶超電導体膜となることとなる。
［発明の効果］
本発明により、アモルファス状の絶縁基板上に単結晶半
導体膜が容易に形成することができる効果がある。
導体膜が容易に形成することができる効果がある。
第１図は不発明の一実施例を示す単結晶膜形成法を示す
工程順の断面図である。 １・・・・・・・・・絶縁基板 ２・・・・・・・・・単結晶種 ５・・・・・・・・・半導体膜 ４・・−・・・・・・基板ヒーター ５・・・・・・・・・ストライプ・ヒーター走査６・・
・・・・・・・単結晶半導体膜 以上
工程順の断面図である。 １・・・・・・・・・絶縁基板 ２・・・・・・・・・単結晶種 ５・・・・・・・・・半導体膜 ４・・−・・・・・・基板ヒーター ５・・・・・・・・・ストライプ・ヒーター走査６・・
・・・・・・・単結晶半導体膜 以上
Claims (1)
- 絶縁基板端部上に単結晶から成る育成種を貼付け、該
育成種を含む前記絶縁基板表面にアモルファス又は多結
晶の半導体膜を形成し、前記育成種表面から熱を走査さ
せて、前記半導体膜を融解し、冷却させて単結晶半導体
膜となす事を特徴とする半導体単結晶膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32503289A JPH03185813A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体単結晶膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32503289A JPH03185813A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体単結晶膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185813A true JPH03185813A (ja) | 1991-08-13 |
Family
ID=18172390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32503289A Pending JPH03185813A (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 半導体単結晶膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03185813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011216760A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Seiko Epson Corp | 結晶化シリコン層の製造方法、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-15 JP JP32503289A patent/JPH03185813A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011216760A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Seiko Epson Corp | 結晶化シリコン層の製造方法、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法 |
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