JPH03185776A - レーザ加工機 - Google Patents

レーザ加工機

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JPH03185776A
JPH03185776A JP1324380A JP32438089A JPH03185776A JP H03185776 A JPH03185776 A JP H03185776A JP 1324380 A JP1324380 A JP 1324380A JP 32438089 A JP32438089 A JP 32438089A JP H03185776 A JPH03185776 A JP H03185776A
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JP
Japan
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hollow waveguide
waveguide
laser
processing machine
laser processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP1324380A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Shioda
塩田 恒夫
Akishi Hongo
晃史 本郷
Kenichi Morosawa
諸沢 健一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP1324380A priority Critical patent/JPH03185776A/ja
Publication of JPH03185776A publication Critical patent/JPH03185776A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明はレーザ加工機、特にカライドスコープを加工ヘ
ッドにもつレーザ加工機に関するものである。
[従来の技術] 大電力のレーザエネルギを高効率かつ連続的に発生可能
な炭酸ガスレーザを使用した加工機は、金属の切断や溶
接用に導入され、実用化されている。そして、今後レー
ザ自体の大出力化にともなって、金属の焼き入れ、合金
化等といった表面処理への応用が益々増大すると予想さ
れている。
しかし、従来の加工機はその大部分の用途が金属切断で
あったため、炭酸ガスレーザの出力ビームは、中心で最
も高くかつ径方向に指数関数的にエネルギ密度が減少す
る、いわゆるガウス型分布のものがほとんどであった(
第3図(a))。これに対し表面処理用のエネルギ分布
はビーム内でほぼ一定のエネルギ密度をもつ、いわゆる
台形分布のものが適している(第3図(b))。従って
、切断と表面処理を一台の加工機の機能として両立させ
るにはエネルギ分布の変換を行なうことが必要となる。
このエネルギ分布の変換手段として、現在加工機で使用
されている技術には、次の4つがあり、いずれも一長一
短がある。
(1)焦点外し法は、ビームをレンズで集光し、焦点よ
り外れたビーム径の大きい所を使用するもので、微小面
積では有効であるものの、面積が広くなると効率が悪い
(2)ビーム振動法は、集光ミラーで集めた焦点外しビ
ームをオシレータに当てて振動させるもので、広い面積
にわたって効率よく照射できるものの、可動部分を持つ
ため光学部品のアラインメントが狂いやすい。
(3)ビーム細分重量法は、セグメントミラーに当てて
ビームを細分化し、重ね合わせるもので、原理的には最
良のビームが得られるものの、セグメントミラーの製作
が困難で、高価となる。
(4)円筒面鏡法は、ビームを円筒面鏡に当てて幾何学
的に焼込れに適した線状ビームにするもので、セグメン
トミラーに比較して製作は容!ではあるものの、製作技
術は高度であり、かつ高価である。
このように(1)〜(4)の技術はいずれも無視できな
い欠点があり、これらの欠点と共にレーザの出力不足が
表面処理用レーザ加工機の産業分野への普及速度を鈍い
ものにしているのが現状である。
一方、光エネルギ分布の変換素子として重要なものにカ
ライドスコープがある。これは熱伝導率の高い銅等の金
属表面を鏡面化し、その表面に金蒸着を施し、これによ
り矩形断面の導波管を形成して、カライドスコープとす
る。第4図に示す如く、このカライドスコープ8はレー
ザ光を励振用レンズ2により集束し、カライドスコープ
壁面で多数回反射させるよう入射させる。このとき出射
光のエネルギ分布はカライドスコープ内壁面で多数回反
射を繰り返した結果、カライドスコープ断面内でほぼ一
定のエネルギ密度を持つ分布に変換される。このカライ
ドスコープ8は原理的には、−様なエネルギ密度の光ビ
ームに容易に変換できる素子である。しかし、内壁面で
の反射率が低いため、カライドスコープ内部で入射パワ
ーの約50%が熱損となって失われるる。このため極め
て効率が悪く、また、この焦損が原因で温度上昇を招く
ため、熱処理に必要なエネルギを伝送できないといった
欠点があり、はとんど実用には供されていないのが現状
である。
[発明が解決しようとする課題] 上述したように、ガウス型分布を示すレーザビームを、
表面処理に必要な一定のエネルギ密度をもつ台形型分布
に変換するための従来の技術のうち、焦点外し法では面
積が広くできず、ビーム振動法では光学部品のアライン
メントが狂いやすく、また、ビーム細分重量法や円筒面
鏡法では製作上難点があり、しかも高価になるという欠
点があった。
また、光エネルギ分布変換素子である矩形断面形状のカ
ライドスコープは、熱損失が大きく実用にはならなかっ
た。
本発明の目的は、ビーム伝送手段として誘電体薄膜を内
装した金属中空導波路を用いると共に、その導波路への
入射ビームの結合条件を適正に設定して、中空導波路を
カライドスコープとして機能させることによって、前記
した従来技術の欠点を解消し、レーザビームのエネルギ
分布を容易に変換することができる簡易で効率のよいレ
ーザ加工機を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、大出力のCO,レーザ光源と、このレーザ光
源から出射したレーザビームをレーザ加工機の加工部位
まで導く複数の反射鏡及びレンズからなるビームガイド
と、このレーザビームを集光してアシストガスと共に被
加工物に照射するための加工ヘッドとから構成されるレ
ーザ加工機である。
前記加工ヘッドは、さらに金属膜に誘電体薄膜を内装し
た誘電体内装金属中空導波路と、レーザビームを中空導
波路に結合させる少なくとも1枚−以上の励振用レンズ
と、中空導波路から出射したレーザビームを集光し、被
加工物に照射する少なくとも1枚以上の集光用レンズと
から構成される。
そして、このように構成された加工ヘッドにおいて、中
空導波路の内径2aと、励振用レンズにて集光されたレ
ーザビームの導波路入射端でのスポットサイズ2wとの
比W/aの値を0.4以下に設定したものである。
また、励振モードの数を増加させるために、前記中空導
波路の最も近傍に位置する励振用レンズからレーザビー
ムの集光点までの距離は、励振用レンズから導波路入射
端までの距離に比べ大きくすることが好ましい。
また、励振モードの数を更に増加させるために、前記レ
ーザビームの光軸と前記中空導波路の光軸は横方向軸ず
れ、あるいは角度折れ、または両者が同時に存在する位
置に設定することもできる。
さらに、大出力のCO,レーザを伝送するために、前記
中空導波路は、これに内装する誘電体薄膜を波長10.
6μmで低損失となるGe、Zn5eSZnS等の誘電
体材料で構成し、中空導波路の中空内部に冷却ガスを流
入させ、金属外表面を液体冷媒と接触させて冷却するよ
うにしてもよい。
[作用] 本発明において使用する誘電体内装金属中空導波路は、
本来、CO,レーザ光の低損失伝送を目的として開発さ
れたものである。この目的に対しては導波路の最低損失
モードであるH E 11モードを励振すべきであり、
その場合、第5図に示すように中空導波路内径2aと、
ビームのスポットサイズ2wの比を約w/a=0.64
に選ぶことで最大効率が得られる。
一方、伝送距離が短距離であり、エネルギ伝送効率を最
重点課題とした場合には、励振条件は上記した条件とは
幾分変わり、w/a=0.4〜0゜6の間に遺んで約2
〜3個程度の高次モードを励振する。一般に高次のモー
ドは基本モード(HE11)に比べ導波損失が大きい。
しかし伝送距離が短ければこの損失は十分中さいため、
励振の不整合による結合損失が全伝送損失を決める。従
って短距離の場合、基本モード励振とは異なる条件で最
大の伝送効率が得られる。これは第5図の結果でも理解
される。さらに第5図の結果からはW/aの値が0.4
以下の領域でも、短距離であれば十分高効率のマルチモ
ード伝送が可能であることが分る。またW/aの比が小
さくなるに従って励振されるモードの数が多くなること
も分る。
ところで、レーザ加工機のビーム伝送路は、光源から加
工ヘッドまでの伝送距離は比較的長いが、加工ヘッドか
らの伝送距離は短い。
従って、CO,レーザ光の低損失伝送や、短距離のエネ
ルギ伝送効率を目的とするのではなく、均一なエネルギ
密度分布に変換するために短距離のマルチモード伝送を
目的とする本発明の場合では、W/aの値が0.4以下
の領域が最適となる。
また、W / aの比が小さくなるに従って励振される
モードの数が多くなることから、その比が小さい程、よ
り均一なエネルギを出射することができる。
[実施例] 以下、本発明の実施例を第1図を用いて説明する。
金属膜に誘電体薄膜を内装した金属中空導波路lへの入
射ビームは、レーザ発振器(レーザ光源)により異なる
が、通常の加工用に使用されているものは、ビーム拡り
角2θの値が1.5ないし2gmradのほぼ平行ビー
ムであり、また断面内エネルギ分布は、第1図中右上に
図示するごとくガウス型分布である。この入射ビームを
励振用レンズ2で集光すると、その集光点Cの位置での
ビームのスポットサイズ2Wはw=fθの関係式より算
出される。
励振用レンズ2によって集光された入射ビームは誘電体
内装金属中空導波路1の内部に入る。このとき誘電体内
装金属中空導波路1の内径2aとスポットサイズ2Wの
比W/aは0.4以下の値、例えばO,1程度に選ぶ。
第5図の数値例でも分るように、この場合、導波路内に
は10個程度のモードが励振される。
これ以上に励振モードの数を増加させるにはW/aの値
を更に小さくすると共に、励振用レンズ2と誘電体内装
金属中空導波路lの入射6m l 0間の距離dを励振
用レンズ2の焦点距離rより短くすることが有効である
さらにモードの数を増加させるには、入射ビームの光軸
と中空導波路lの軸を意図的にオフセット、即ち横方向
に軸ずれさせるか、または角度折れさせて配置するか、
さらには両者が同時に存在するように配置することも効
果がある。但し、この場合、ビームのエネルギ分布に非
対象が生ずるので用途を考慮して適用する必要がある。
このような手法で励振された数多くのモードは中空導波
路1の内部を極めて低損失で伝搬し、出射端11に至る
。この出射端面内のエネルギ分布は導波路l内を伝搬し
たマルチモードの重量となるので、第1図中の右下に図
示する如く矩形状の分布となり、表面処理に適したもの
となる。
特にモードの数が多いほど、また中空導波路長が長いほ
ど矩形分布に漸近するといえるが、実際にはモードの数
は10個以上あれば十分であり、導波路長は波長(10
,6μm)の2000倍、即ち2cm以上あればモード
間の干渉に相関性がなくなるのに十分な長さである。
ところで、金属表面の熱処理、あるいは合金化に必要な
照射パワー密度は約103〜105w/cm”である。
例えば内径1.5mmの中空導波路出射端で、このパワ
ー密度を実現しようとすると、中空導波路lは約20w
から2kWのパワ伝送可能なものでなければならず、こ
の意味でも中空導波路1は損失の少ないものが有利であ
る。
中空導波路lを被加工物4に近接させ、直接出射ビーム
を照射すると反射及び被加工物4からの輻射熱により中
空導波路lが焼損する。そこで実際には第1図の如く導
波路出射ビームを集光用レンズ3により適当なビーム径
に変換し、被加工物4に照射する方法が取られることに
なる。
中空導波路lは、誘電体を内装した金属中空導波路を用
いているため、CO,レーザにとって導波損失0.1d
B/m以下と極めて低損失なものであるが、kw級のパ
ワ伝送時には、このわずかな損失も発熱の原因となる。
しかし第2図に示す如く、励振用レンズ2と中空導波路
1の入射端10との間に冷却ガス導入ロアを設けたチャ
ンバ9を形成することにより、中空導波路1内部に例え
ば不活性冷却ガスを吹き流すようにする。さらに、中空
導波路1およびチャンバ9の外周に冷却水導入口6を設
けた水冷用外装管5を取付け、外装管5内に冷却水を流
して中空導波路1の外表面を水冷するようにする。この
ような中空導波路内外を冷却する冷却方式を採用するこ
とで極めて効率よく温度上昇を防止できる。これまで内
径2+11111、長さ10cmの中空導波路lを使用
して、金属表面の熱処理あるいは合金化に必要とされる
パワを大きく超える3kwの伝送が十分可能であること
を確認している。
以上述べたように本実施例によれば、波長10゜6μm
で低損失となる誘電体内装金属中空導波路lを使用し、
導波路入射端への入射ビームスポットサイズ2Wを導波
路内径2aの0.4倍以下と小さくしてカライドスコー
プ用導波管として機能させたので、ガウス分布型を示す
レーザビームが中空導波路lへ入射しても、おおきな焦
損を伴うことなく高次モードを励振することとなり、し
たがって、−様なエネルギ密度分布を示す台形分布に効
率よく変換されたレーザビームが出射端より出射される
特に、導波路1とビームの軸を意図的にミスアライメン
トすることで導波路l内に多数の高次伝搬モードを発生
させ、これらモード間の干渉を平均化することによって
、さらに−様のエネルギ密度分布の光ビームを実現させ
ることができる。
このように本実施例では、導波路として損失の少ない誘
電体内装金属中空先導波路を用い、かつこの中空導波路
への光結合条件を最適に設定するだけでエネルギ分布の
変換を行うようにしたので、既に実用化され、広〈産業
分野に普及しているレーザ加工機に交換用加工ヘッドの
みを準備するというセグメントミラ方式等に比べると極
めて簡単な変更で、切断専用であったレーザ加工機で表
面処理を行なうことが可能になる。それゆえ加工機の利
用効率を大福に改善すると共に、経済性の面で大きなメ
リットが得られることになる。
従って一台のレーザ加工機で切断と表面処理の加工が可
能となる。また、特に本実施例によれば導波路長が短い
ものでも十分適用可能なため、従来の切断用加工ヘッド
とほぼ同一の寸法で表面処理用加工ヘッドを構成するこ
とができる。
[発明の効果] 本発明によれば、導波路に誘電体内装金属中空光導波路
を用い、かつ導波路への入射ビームスポットサイズを導
波路内径の0.4倍以下と小さくして、中空導波路をカ
ライドスコープとして機能させるようにしたので、はと
んどエネルギロスを発生させることなく、簡易で極めて
高い効率でエネルギ分布の変換が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のレーザ加工機の実施例を示す構成図、
第2図は空冷及び水冷を実施した本実施例による加工ヘ
ッドの入力結合部を示す断面図、第3図はレーザビーム
の断面内エネルギ分布を示す図、第4図は矩形金属管を
使用したカライドスコープを示す構成図、第5図はガウ
ス型ビームと中空導波路内HE 1mモードとの結合効
率を示す特性図である。 1は誘電体内装金属中空導波路、2は励振用レンズ、3
は集光用レンズ、4は被加工物、10は入射端、2aは
中空導波路の内径、2wは入射ビームのスポットサイズ
、Cは集光点、dは励振用励振から入射端までの距離、
fは励振用レンズから集光点までの距離である。 第 図 第2図 (a) tJ’ウス分布 (b)台形分布 レー号°ヒ゛−ムの断面内エネ鮪゛−分布第3図 省を調陛のカライドスコー7゜ 第4図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザ光源から導かれてきた入射ビームを励振用
    レンズにより集光して中空導波路に結合させ、該中空導
    波路を通って出射した出射ビームを集光用レンズで集光
    して被加工物に照射するレーザ加工機において、 前記中空導波路を金属膜に誘電体薄膜を内装した誘電体
    内装金属中空導波路で構成し、 この中空導波路の内径2aと、前記励振用レンズにより
    集光された入射ビームの前記中空導波路入射端でのスポ
    ットサイズ2wとの比w/aの値を0.4以下に設定し
    た ことを特徴とするレーザ加工機。
  2. (2)前記中空導波路の近傍に位置する励振用レンズか
    ら入射ビームの集光点までの距離は、該励振用レンズか
    ら中空導波路入射端までの距離に比べ大なることを特徴
    とする請求項1記載のレーザ加工機。
  3. (3)前記入射ビームの光軸と前記中空導波路の光軸は
    横方向軸ずれ、あるいは角度折れ、または両者が同時に
    存在する位置に設定されていることを特徴とする請求項
    1または2記載のレーザ加工機。
  4. (4)前記中空導波路は、これに内装される誘電体薄膜
    は、波長10.6μmで低損失なGe、ZnSe、Zn
    S等の誘電体材料で構成され、 中空導波路の中空内部に冷却ガスを流入させ、金属外表
    面を液体冷媒と接触させて冷却するように構成されてい
    る ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の
    レーザ加工機。
JP1324380A 1989-12-14 1989-12-14 レーザ加工機 Pending JPH03185776A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7285744B2 (en) * 2003-08-21 2007-10-23 Leister Process Technologies Method and apparatus for simultaneously heating materials
JP2008287280A (ja) * 2008-07-28 2008-11-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 光伝送モジュール
US8623675B2 (en) 2003-09-30 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

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