JPH03184238A - 負イオン源 - Google Patents

負イオン源

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Publication number
JPH03184238A
JPH03184238A JP1323017A JP32301789A JPH03184238A JP H03184238 A JPH03184238 A JP H03184238A JP 1323017 A JP1323017 A JP 1323017A JP 32301789 A JP32301789 A JP 32301789A JP H03184238 A JPH03184238 A JP H03184238A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
beam line
opened
vacuum container
exhaust hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1323017A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Baba
隆 馬場
Kunihiko Takeyama
武山 邦彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin High Voltage Co Ltd
Original Assignee
Nissin High Voltage Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nissin High Voltage Co Ltd filed Critical Nissin High Voltage Co Ltd
Priority to JP1323017A priority Critical patent/JPH03184238A/ja
Publication of JPH03184238A publication Critical patent/JPH03184238A/ja
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は負イオン源に関する。
(従来の技術) 負イオン源たとえばプラズマスパッタ型負イオン源は、
第4図に示すような構成のものが従来より使用されてい
る。同図において、1は負イオンとして引出される元素
を供給するスパッタ・ターゲット、2はセシウム蒸気を
供給するセシウム・リザーバー、3はスパッタ・ターゲ
ット1をスパッタするプラズマを作るフィラメントであ
る。
4はこれらを収納する真空容器5とフィラメント3との
間を絶縁する絶縁物、6は発生したプラズマを閉じ込め
る磁場を構成する永久磁石、7はスパッタ・ターゲット
1と真空容器5との間を絶縁する絶縁物である。
8はスパッタ・ターゲット1を支持し、冷却を行なう冷
却軸、9は引出電極10と真空容器5との間を絶縁する
絶縁リング、工1はプラズマとするアルゴン、キセノン
等の希ガスを真空容器5内に導入する導入口、12は真
空ポンプに通ずる通路である。
導入口11から真空容器5内に導入された希ガスは、フ
ィラメント3によりイオン化され、プラズマとなる。こ
のプラズマのうち、イオンは、スパッタ・ターゲット1
と真空容器5との間に印加された電場により加速され、
スパッタ・ターゲット1をスパッタする。
セシウム・リザーバー2で生成されたセシウム蒸気のう
ち、一部はイオン化し、プラズマ中に取り込まれ、他の
一部はスパッタ・ターゲット1の表面に付着する。
イオンによりスパッタされたスパッタ粒子には、スパッ
タ・ターゲットlの表面に付着したセシウムより電子が
供給され、負イオンが生成する。この負イオンは、真空
容器5と引出電極10との間に形成されている電場によ
り、引出口13を通ってビームライン14側に1図中の
矢印15のように引出される。
引出口13は、真空容器5内のガスが逃げにくいように
するために、その口径を小さく形成するのを普通として
いる。
ところでこのような構成の負イオン源において、真空容
器内をクリーニングした後、イオン源を動作させるため
には、内部を排気して高真空とする必要がある。
このために従来では、ビームライン14側にある通路1
2に連なっている真空ポンプを稼働させて真空化を図っ
ていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしこのような手段による高真空化の作業は、引出口
13の口径が小さいため、その真空コンダクタンスが小
さく、したがって真空化のための排気に長時間を要して
いた。
この発明は、内部にスパッタ・ターゲットなどを収納し
ている真空容器を、高真空化するにあたり、それに要す
る時間を短縮することを目的とする。
(課題を解決するための手段) この発明は、スパッタ・ターゲットなどを収納している
真空容器とビームラインとの間に、開閉自在の排気孔を
設けたことを特徴とする。
(作用) 排気孔は常時は閉塞されている。したがって真空容器内
で生成された負イオンは、引出口を経てビームライン側
に引出される6真空容器を真空排気するときに排気孔を
開放する。
排気はビームライン側にある通路に連なっている真空ポ
ンプによって行なわれる。このとき排気孔が開放されて
いるので、真空容器の真空コンダクタンスが大きくなり
、短時間のうちに真空排気される。
しかも真空容器のための専用の真空ポンプを必要とせず
、しかも開閉自在の排気孔を設けるだけの簡単な構成で
足りるようになる。
(実施例) この発明の実施例を第1図によって説明する。
なお第4図と同じ符号を付した部分は、同一または対応
する部分を示す。
この発明にしたがい、真空容器5とビームライン側4と
の間に開閉自在の排気孔16を設ける。
第1図に示す例は、第2図の正面図から理解されるよう
に、排気孔16が引出口13を取りまくように複数形成
されである。
また外部から回転操作される閉塞用の回転板17が真空
容器5に設置されている。回転板17には貫通孔18が
形成されである。
したがって第2図に示すように、排気孔16に対して貫
通孔18の位置がずれているときは、回転板17の貫通
孔18間の部分によって、排気孔16は閉塞されるよう
になる。
また回転板17を回転させて、第1図に示すように1貫
通孔18と排気孔16とを向かい合わすと、排気孔16
は開放されるようになる。
したがって真空容器5内を真空排気するときは、前記の
ように排気孔16を開放させる。すると通路12に連な
る真空ポンプの稼働によって、真空容器5内は、引出口
13からのみではなく、排気孔16を介して、ビームラ
イン側からも排気される。
したがって真空容器5の真空コンダクタンスは大きくな
り、真空排気に要する時間は、引出口13のみから行な
われる場合よりも、短縮されるようになる。イオン源を
動作させる場合は1回転板17を回転させて排気孔16
を閉塞すればよい。
第3図はゲートバルブを使用した他の例を示すもので、
真空容器5とビームライン14とをゲートバルブ20で
仕切っておく。ゲートバルブ20には引出口13を形成
しておく。
真空排気するときは、ゲートバルブ20を操作棒21に
よって引き上げる。すると真空容器5とビームライン1
4との間は開放されて排気孔16となる。これによって
高速排気が可能となる。22は操作棒21の操作部分を
気密に維持するベローズである。
その他のこの種の構成としては、カメラ用の絞り機構が
利用できる。これはその開口部分の開放。
閉塞が自在であるからである。
(発明の効果) 以上詳述したようにこの発明によれば、負イオンを発生
する真空容器の真空排気を、ビームライン側からの排気
によって、短時間で実行することができ、しかもそのた
めの構成として、開閉自在の排気孔を設置するだけでよ
いため、簡単な構成で足りるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例による。断面図、第2図は第
1図の正面図、第3図は他の例を示す部分断面図、第4
図は従来例の断面図である。 5・・・真空容器、12・・・真空ポンプに至る通路、
13・・・引出口、14・・・ビームライン、16・・
・排気孔。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 内部で負イオンを生成する真空容器と、前記真空容器内
    で発生した負イオンが、引出口を介して引出されるビー
    ムラインとを備えてなる負イオン源において、 前記真空容器とビームラインとの間に、開閉自在の排気
    孔を設け、常時は閉塞されている前記排気孔を、前記ビ
    ームライン側に設けた真空ポンプによって前記真空容器
    内を真空排気する際に開放するようにした 負イオン源。
JP1323017A 1989-12-13 1989-12-13 負イオン源 Pending JPH03184238A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1323017A JPH03184238A (ja) 1989-12-13 1989-12-13 負イオン源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1323017A JPH03184238A (ja) 1989-12-13 1989-12-13 負イオン源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03184238A true JPH03184238A (ja) 1991-08-12

Family

ID=18150199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1323017A Pending JPH03184238A (ja) 1989-12-13 1989-12-13 負イオン源

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JP (1) JPH03184238A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63318063A (ja) * 1987-06-19 1988-12-26 Jeol Ltd 荷電粒子線装置のイオン源

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63318063A (ja) * 1987-06-19 1988-12-26 Jeol Ltd 荷電粒子線装置のイオン源

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