JPH03181488A - 有機ケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
有機ケイ素化合物の製造方法Info
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- JPH03181488A JPH03181488A JP1318824A JP31882489A JPH03181488A JP H03181488 A JPH03181488 A JP H03181488A JP 1318824 A JP1318824 A JP 1318824A JP 31882489 A JP31882489 A JP 31882489A JP H03181488 A JPH03181488 A JP H03181488A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は有機ケイ素化合物の製造方法に関する。
更に詳しくは、本発明は、SiH4とオレフィンまたは
アルキンとを触媒の存在下で反応(付加反応)させ、ア
ルキルシラン類を製造する新規な方法に関する。
アルキンとを触媒の存在下で反応(付加反応)させ、ア
ルキルシラン類を製造する新規な方法に関する。
(従来の技術)
アルキルシラン類またはアルケニルシラン類(RSiH
s、RtSiHz、R35iHまたはRn5i)の製造
方法としては主に2種類ある。
s、RtSiHz、R35iHまたはRn5i)の製造
方法としては主に2種類ある。
第一の方法は、クロロシラン類を、例えば、HsS:C
I、H,5iC1,、H3iCb、5iCInとRMg
X (Xはハロゲン)とのグリニヤール反応によりそれ
ぞれR31)13、R25iHt、R,5iHSR,S
iを得るものである。
I、H,5iC1,、H3iCb、5iCInとRMg
X (Xはハロゲン)とのグリニヤール反応によりそれ
ぞれR31)13、R25iHt、R,5iHSR,S
iを得るものである。
しかし、この方法は工程が?j!雑なこと、エーテルな
どの溶剤を使用するため危険性があることなどの難点が
ある。
どの溶剤を使用するため危険性があることなどの難点が
ある。
第二の方法は、白金、ロジウムなどの遷移金属触媒の存
在下に、H3iC1,、HSiRCh、HS i Rz
C15H3ilhとオレフィンとを反応させ、それぞ
れR31C1s、RzSiClt、 R5SiC[、R
aSiを得た後、更にR5jCI*、RtSiCI□、
1hsicIにおいては、LiAlH4、NaAIHa
、LiHなどの金属水素化物によって塩素を水素で置換
してR31Hs、1hsiHt、R15il(を得る方
法である。しかしこの方法においても、2段階反応であ
り工程が複雑なこと、エーテルなどの溶剤を使用するた
め危険性があること、高価な遷移金属触媒、多量の金属
水素化物を使用することなどの欠点がある。
在下に、H3iC1,、HSiRCh、HS i Rz
C15H3ilhとオレフィンとを反応させ、それぞ
れR31C1s、RzSiClt、 R5SiC[、R
aSiを得た後、更にR5jCI*、RtSiCI□、
1hsicIにおいては、LiAlH4、NaAIHa
、LiHなどの金属水素化物によって塩素を水素で置換
してR31Hs、1hsiHt、R15il(を得る方
法である。しかしこの方法においても、2段階反応であ
り工程が複雑なこと、エーテルなどの溶剤を使用するた
め危険性があること、高価な遷移金属触媒、多量の金属
水素化物を使用することなどの欠点がある。
(発明が解決しようとする課題)
本発明の目的は、上記した欠点のない有機ケイ素化合物
の製造方法を提供することにある。
の製造方法を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
SiHaとアルケンまたはアルキンとのヒドロシリル化
反応(付加反応)によりアルキルシランまたはアルケニ
ルシランを台底する方法は、従来5it(aが高価で入
手が困難であったために研究例も少なかった。報告例は
わずかに、ツァイトシュリフトヒウア ナチュールフォ
ルシュンク (Z。
反応(付加反応)によりアルキルシランまたはアルケニ
ルシランを台底する方法は、従来5it(aが高価で入
手が困難であったために研究例も少なかった。報告例は
わずかに、ツァイトシュリフトヒウア ナチュールフォ
ルシュンク (Z。
Naturforsch、 )+ 56.444 (1
950) ;同、 76、207(1952) iツァ
イトシュリフト ヒュア アノルガニッシェ ラント
アルゲマイネ ヘミ−(Z。
950) ;同、 76、207(1952) iツァ
イトシュリフト ヒュア アノルガニッシェ ラント
アルゲマイネ ヘミ−(Z。
Anorg、^11ges+、 Chetm、 ) 2
73.275 (1953) ;ジャーナル オプ ア
メリカン ケくカル ソサイエティ−(J、 Am、
Chetm、 Sac、 ) 76、3897(195
4) ; U、 S、 Pat、 2786862 (
1957)などにみられるに過ぎない、これらの報告に
よると、反応は400℃〜500℃という高い反応温度
を要する無触媒熱分解反応であり、収率、選択率共に低
いい 本発明者らは、有機ケイ素工業用原料としてのSiH4
に着目し、SiH4から有機ケイ素化合物を台底する工
業的ルートの開発に鋭意努力した結果、本発明を充放さ
せるに至った。
73.275 (1953) ;ジャーナル オプ ア
メリカン ケくカル ソサイエティ−(J、 Am、
Chetm、 Sac、 ) 76、3897(195
4) ; U、 S、 Pat、 2786862 (
1957)などにみられるに過ぎない、これらの報告に
よると、反応は400℃〜500℃という高い反応温度
を要する無触媒熱分解反応であり、収率、選択率共に低
いい 本発明者らは、有機ケイ素工業用原料としてのSiH4
に着目し、SiH4から有機ケイ素化合物を台底する工
業的ルートの開発に鋭意努力した結果、本発明を充放さ
せるに至った。
すなわち、本発明は、
5iHnと分子内に二重結合を有する化合物または分子
内に三重結合を有する化合物とを、複合金属水素化物の
存在下で反応させることを特徴とする有機ケイ素化合物
の製造方法である。
内に三重結合を有する化合物とを、複合金属水素化物の
存在下で反応させることを特徴とする有機ケイ素化合物
の製造方法である。
有機ケイ素化合物は一般式R,5iL−(ただしRは炭
化水素基でnは1.2.3または4を表す)で表される
アルキルシラン類またはアルケニルシラン類である。
化水素基でnは1.2.3または4を表す)で表される
アルキルシラン類またはアルケニルシラン類である。
本発明において原料として用いられる5i)14は、近
年の半導体産業の発展にともない半導体ガスとして大量
生産され、最近、工業的に安価に入手できるようになっ
たものである。 5iHaの製造方法としては、例えば
、ケイ化マグネシウム(MgtSi )をハロゲン化水
素酸の水溶液と反応させる方法、四塩化ケイ素を水素化
リチウム等の還元剤で還元する方法、トリクロロシラン
の不均化反応による方法等が公知であるが、本反応にお
いては、このいずれの方法によって製造されたものも使
用することが可能である。
年の半導体産業の発展にともない半導体ガスとして大量
生産され、最近、工業的に安価に入手できるようになっ
たものである。 5iHaの製造方法としては、例えば
、ケイ化マグネシウム(MgtSi )をハロゲン化水
素酸の水溶液と反応させる方法、四塩化ケイ素を水素化
リチウム等の還元剤で還元する方法、トリクロロシラン
の不均化反応による方法等が公知であるが、本反応にお
いては、このいずれの方法によって製造されたものも使
用することが可能である。
本発明に使用する分子内に二重結合を有する化合物とし
ては、式1?’R’c−CR’R’ (!?’SR”、
R3、R4が水素基、アルキル基、アルケニル基、アル
キニル基またはフェニル基などの炭化水素基からなる群
より選ばれた同種または異種の基である。)で示される
化合物である6例えば、エチレン、プロピレン、1−ブ
テン、1−ヘキセン、1−オクテン、1−ドデセンなど
のα−オレフィン化合物、フ′タジエン、■、5−へ牛
サジエン、1、マーオクタジエン、1.9−デカジエン
、ノルボルナジェン、シクロペンタジェンなどのジエン
化合物、またはスチレン、メチルスチレン、ジビニルベ
ンゼンなどのフェニル基を有する化合物である。好まし
くはR1、R3、R4が水素基である化合物である。
ては、式1?’R’c−CR’R’ (!?’SR”、
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キニル基またはフェニル基などの炭化水素基からなる群
より選ばれた同種または異種の基である。)で示される
化合物である6例えば、エチレン、プロピレン、1−ブ
テン、1−ヘキセン、1−オクテン、1−ドデセンなど
のα−オレフィン化合物、フ′タジエン、■、5−へ牛
サジエン、1、マーオクタジエン、1.9−デカジエン
、ノルボルナジェン、シクロペンタジェンなどのジエン
化合物、またはスチレン、メチルスチレン、ジビニルベ
ンゼンなどのフェニル基を有する化合物である。好まし
くはR1、R3、R4が水素基である化合物である。
本発明に使用する分子内に三重結合を有する化合物とし
ては、式R’CミCR” (R’、R2が水素基、アル
キル基、アルケニル基、アルキニル基またはフェニル基
などの炭化水素基からなる群より選ばれた同種または異
種の基である。)で示される化合物である9例えば、1
−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、2−ペンチン、
1−ヘキシン、2−ヘキシン、3−ヘキシンなどの化合
物である。
ては、式R’CミCR” (R’、R2が水素基、アル
キル基、アルケニル基、アルキニル基またはフェニル基
などの炭化水素基からなる群より選ばれた同種または異
種の基である。)で示される化合物である9例えば、1
−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、2−ペンチン、
1−ヘキシン、2−ヘキシン、3−ヘキシンなどの化合
物である。
本反応の触媒は、一般式M1M2Hs (M’は周期律
表(新実験化学講座、丸善株式会社発行(1977)に
おける第IA族の金属、Mlは周期律表における第II
IB族の金属) 、M5(M6Hg)z (M’は周期
律表における第IIA族の金属、門4は周期律表におけ
る第1[[B族の金り *り4;!M5(M6H4)3
(M’、訃ハ共に周期律表における第IIIB族の金
属であり、互いに異なるもの)で表される複合金属水素
化物である0例えば、LiAIHa、NaAlH4、L
iBHa、NaBH4、) KBHa、Mg(BI3)t、 Ca(B)I4)z、
Ba (BI3) z、5r(BI3)i、AI(BI
3)3などの化合物をあげることができる。
表(新実験化学講座、丸善株式会社発行(1977)に
おける第IA族の金属、Mlは周期律表における第II
IB族の金属) 、M5(M6Hg)z (M’は周期
律表における第IIA族の金属、門4は周期律表におけ
る第1[[B族の金り *り4;!M5(M6H4)3
(M’、訃ハ共に周期律表における第IIIB族の金
属であり、互いに異なるもの)で表される複合金属水素
化物である0例えば、LiAIHa、NaAlH4、L
iBHa、NaBH4、) KBHa、Mg(BI3)t、 Ca(B)I4)z、
Ba (BI3) z、5r(BI3)i、AI(BI
3)3などの化合物をあげることができる。
本発明の反応温度は、室温〜200 ’Cであり、好ま
しくは100℃〜150 ’Cである。該反応は上記の
反応温度と触媒を使用することを除くと特に制限はなく
、気相、液相何れでも行い得る。また液相反応において
は、ヘキサン、ヘプタン、エーテルなどの不活性溶媒を
使用することもできる。
しくは100℃〜150 ’Cである。該反応は上記の
反応温度と触媒を使用することを除くと特に制限はなく
、気相、液相何れでも行い得る。また液相反応において
は、ヘキサン、ヘプタン、エーテルなどの不活性溶媒を
使用することもできる。
反応時間は、触媒濃度、反応温度によって0.1〜60
時間の範囲で任意に変えることができる0反応圧力は常
圧または加圧のいずれでもよいが、5iHaのオレフィ
ンまたはアルキンに対する溶解度を増すためには高圧で
あることが望ましい。
時間の範囲で任意に変えることができる0反応圧力は常
圧または加圧のいずれでもよいが、5iHaのオレフィ
ンまたはアルキンに対する溶解度を増すためには高圧で
あることが望ましい。
触媒濃度は、オレフィンまたはアルキンに対して0.0
1〜5モル%であり、好ましくは0.5〜5モル%であ
る。本発明における反応においてSin、とオレフィン
またはアルキンとの比率は、特に限定するものではない
。ただし、51g4に対してオレフィンまたはアルキン
の比率を上げることにより、より高度にアルキル化され
たアルキルシランが生成する。
1〜5モル%であり、好ましくは0.5〜5モル%であ
る。本発明における反応においてSin、とオレフィン
またはアルキンとの比率は、特に限定するものではない
。ただし、51g4に対してオレフィンまたはアルキン
の比率を上げることにより、より高度にアルキル化され
たアルキルシランが生成する。
α位に三重結合を有する化合物を原料に用いた場合はア
ルケニルシランが生成するが、副生物としてアルキニル
シランも生成する。エーテル系の溶媒を用いた場合は、
アルキニルシランが主に生成する。
ルケニルシランが生成するが、副生物としてアルキニル
シランも生成する。エーテル系の溶媒を用いた場合は、
アルキニルシランが主に生成する。
本反応の製造方法として、バッチ法、流通法、その他如
何なる方法のものも使用できる8例えば、反応器に5i
84、オレフィンまたはアルキン及び触媒を入れて加熱
反応し、反応後蒸留によってアルキルシランを分離し、
触媒は再使用する方法、触媒を担体に担持させ固定層と
し、これにSiH4とオレフィンまたはアルキンを流通
反応せしめる方法などである。
何なる方法のものも使用できる8例えば、反応器に5i
84、オレフィンまたはアルキン及び触媒を入れて加熱
反応し、反応後蒸留によってアルキルシランを分離し、
触媒は再使用する方法、触媒を担体に担持させ固定層と
し、これにSiH4とオレフィンまたはアルキンを流通
反応せしめる方法などである。
以上のごとくして得られたアルキルシランは、反応性に
冨む5i−H結合を含有しており、この反応性を利用す
ることにより、新しい種々の有機ケイ素化合物を台底す
ることができる。
冨む5i−H結合を含有しており、この反応性を利用す
ることにより、新しい種々の有機ケイ素化合物を台底す
ることができる。
これらの化合物は、従来、アルキルクロロシラン類をL
iAlH4、NaAIL、LiHなどの高価な還元剤で
還元することによって得ていたため、高価なものであっ
た0本発明は、原料として、近年安価に入手できるよう
になった5i84を用いること、触媒として、白金、ロ
ジウムなどの遷移金属触媒よりもはるかに安価な複合金
属水素化物を用いること、しか゛も、触媒は反応後容易
に回収が可能であり再使用できることなどの利点をもつ
。従って、本発明はアルキルシラン類およびアルケニル
シラン類を安価にかつ簡便に製造する新規な方法を提供
するものである。
iAlH4、NaAIL、LiHなどの高価な還元剤で
還元することによって得ていたため、高価なものであっ
た0本発明は、原料として、近年安価に入手できるよう
になった5i84を用いること、触媒として、白金、ロ
ジウムなどの遷移金属触媒よりもはるかに安価な複合金
属水素化物を用いること、しか゛も、触媒は反応後容易
に回収が可能であり再使用できることなどの利点をもつ
。従って、本発明はアルキルシラン類およびアルケニル
シラン類を安価にかつ簡便に製造する新規な方法を提供
するものである。
(実施例)
本発明を実施例によって説明する。
実施例1
1−ヘキセン80ミリモル、LiAIHa 5.0モル
%(1−ヘキセンに対して)を70d の耐圧ステン
レス反応器に入れて密封し、5iHa 30kg/cm
”G(80ミリモル)を圧入した。これを120 ’C
に加熱し、20時間撹した0反応後、未反応の51g4
を除去し、反応液をガスクロマトグラフィーで分析した
。
%(1−ヘキセンに対して)を70d の耐圧ステン
レス反応器に入れて密封し、5iHa 30kg/cm
”G(80ミリモル)を圧入した。これを120 ’C
に加熱し、20時間撹した0反応後、未反応の51g4
を除去し、反応液をガスクロマトグラフィーで分析した
。
生成物−として、n−CJ+*5iHz 25.9ミ
リモル(収率33%) 、(n−C6H13)tSiH
l 17.6ミリモル(収率22%)及び(n−CJ+
+)zsitl 0.8ミリモル(収率1%)が得られ
た。また、未反応n−へキサン17.4モリモル(回収
率21.7%)を回収した。
リモル(収率33%) 、(n−C6H13)tSiH
l 17.6ミリモル(収率22%)及び(n−CJ+
+)zsitl 0.8ミリモル(収率1%)が得られ
た。また、未反応n−へキサン17.4モリモル(回収
率21.7%)を回収した。
実施例2
反応温度を150 ’Cにするほかは実施例1と同様の
操作で行った。
操作で行った。
生成物として、n−C1H+5SiHi 29.6ミ
リモル(収率37%) 、(n−CaH+1)zsiH
z 42.4ミリモル(収率53%)及び(n−CbH
+1)ssiH4,0ミリモル(収率5%)が得られた
。また、未反応n−ヘキサン4.0モリモル(回収率5
%)を回収した。
リモル(収率37%) 、(n−CaH+1)zsiH
z 42.4ミリモル(収率53%)及び(n−CbH
+1)ssiH4,0ミリモル(収率5%)が得られた
。また、未反応n−ヘキサン4.0モリモル(回収率5
%)を回収した。
実施例3
1−ヘキシン80ミリモル、LiAIHa 5.0モル
%(1−ヘキシンに対して)を10m1 の耐圧ステ
ンレス反応器に入れて密封し、5iHa 30kg/c
+a”G(80ミリモル)を圧入した。これを120℃
に加熱し、20時間撹した。反応後、未反応の5iHa
を除去し、反応液をガスクロマトグラフィーで分析した
。
%(1−ヘキシンに対して)を10m1 の耐圧ステ
ンレス反応器に入れて密封し、5iHa 30kg/c
+a”G(80ミリモル)を圧入した。これを120℃
に加熱し、20時間撹した。反応後、未反応の5iHa
を除去し、反応液をガスクロマトグラフィーで分析した
。
生成物として、n−C4HqCH=CI−3iHs
1.8ミリモル(収率2%) 、n−CsHgC11i
:C−3IHz 3.7 Q9モル(収率5%) 、(
n−C4HqC)I−CI)zSIHz−および(n−
CJ*CToCH) (n−CsH*C;C)SiHt
%(n−C5HgCミC)tSiHlなどの混合物7.
8ミリモル(収率10%)が得られた。また、未反応n
−ヘキシン12.8モリモル(回収率16%)を回収し
た。
1.8ミリモル(収率2%) 、n−CsHgC11i
:C−3IHz 3.7 Q9モル(収率5%) 、(
n−C4HqC)I−CI)zSIHz−および(n−
CJ*CToCH) (n−CsH*C;C)SiHt
%(n−C5HgCミC)tSiHlなどの混合物7.
8ミリモル(収率10%)が得られた。また、未反応n
−ヘキシン12.8モリモル(回収率16%)を回収し
た。
実施例4
1−ヘキシン20ミリモル、LiAl845.0モル%
(1−ヘキシンに対して)およびTHF5mj!を70
d の耐圧ステンレス反応器に入れて密封し、SiH
430kg/cm”G (80ミリモル)を圧入した。
(1−ヘキシンに対して)およびTHF5mj!を70
d の耐圧ステンレス反応器に入れて密封し、SiH
430kg/cm”G (80ミリモル)を圧入した。
これを120℃に加熱し、20時間撹した0反応後、未
反応の51g4を除去し、反応液をガスクロマトグラフ
ィーで分析した。
反応の51g4を除去し、反応液をガスクロマトグラフ
ィーで分析した。
生成物として、n−C4HqCH=CI−3iL 1
.8ミリモル(収率2%) 、n−n−C5H::C−
5iHx 4.8ミリモル(収率24%) 、(n−c
5ugcミC)zsiHz 1.4ミリモル(収率7%
)が得られた。
.8ミリモル(収率2%) 、n−n−C5H::C−
5iHx 4.8ミリモル(収率24%) 、(n−c
5ugcミC)zsiHz 1.4ミリモル(収率7%
)が得られた。
(発明の効果)
本発明よれば、近年の半導体産業の発展にともない大量
に生産され、安価に入手できるようになった5i84を
出発原料に用いて、アルキルシラン類を容易に製造する
ことができる。
に生産され、安価に入手できるようになった5i84を
出発原料に用いて、アルキルシラン類を容易に製造する
ことができる。
Claims (6)
- (1)SiH_4と分子内に二重結合を有する化合物ま
たは分子内に三重結合を有する化合物とを、複合金属水
素化物の存在下で反応させることを特徴とする有機ケイ
素化合物の製造方法。 - (2)有機ケイ素化合物が一般式R_nSiH_4_−
_n(ただしRは炭化水素基で、nは1、2、3または
4を表す)で表されるアルキルシラン類またはアルケニ
ルシラン類である請求項1に記載の方法。 - (3)複合金属水素化物が一般式M^1M^2H_4(
M^1は周期律表における第 I A族の金属、M^2は
周期律表における第IIIB族の金属)、M^3(M^4
H_4)_2(M^3は周期律表における第IIA族の金
属、M^4は周期律表における第IIIB族の金属)また
はM^5(M^6H_4)_3(M^5、M^6は共に
周期律表における第IIIB族の金属であり、互いに異な
る。)で表される化合物である請求項1に記載の方法。 - (4)分子内に二重結合を有する化合物が式R^1R^
2C=CR^3R^4(R^1、R^2、R^3、R^
4が水素基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基
またはフェニル基などの炭化水素基からなる群より選ば
れた同種または異種の基である。)で示される化合物で
ある請求項1に記載の方法。 - (5)分子内に三重結合を有する化合物が、式R^1C
≡CR^2(R^1、R^2が水素基、アルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基またはフェニル基などの炭化
水素基からなる群より選ばれた同種または異種の基であ
る。)で示される化合物である請求項1に記載の方法。 - (6)室温〜200℃で反応を行う請求項1に記載の方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1318824A JPH03181488A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1318824A JPH03181488A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03181488A true JPH03181488A (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=18103366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1318824A Pending JPH03181488A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03181488A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1438949A (en) * | 1921-10-24 | 1922-12-19 | Dean John | Metal character for patterns |
US4670574A (en) * | 1986-09-18 | 1987-06-02 | Ethyl Corporation | Formation of alkylsilanes |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1318824A patent/JPH03181488A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1438949A (en) * | 1921-10-24 | 1922-12-19 | Dean John | Metal character for patterns |
US4670574A (en) * | 1986-09-18 | 1987-06-02 | Ethyl Corporation | Formation of alkylsilanes |
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