JPH03181169A - 個体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、水平走査方向に配線された信号読出し線を介
して画素信号を読み出すことによって、スミアの無い画
像を得ることができるＴＳＬ方式の固体撮像装置に関す
る。

〔従来の技術〕

従来、極めて一般的なＭＯＳ型固体撮像装置として、第
５図に示す構成のものが知られている。

即ち、この固体撮像装置は、半導体製造プロセスによっ
て形成されるものであり、被写体光学像を受光するため
の受光領域１、画素信号を走査読出しするための垂直走
査回路２及び水平走査回路３を備えている。

受光領域１には、複数のフォトダイオードｐＨ〜Ｐｆｉ
、（但し、ｎは行の順番、ｍは列の順番である）がマト
リクス状に配列して形成されると共に夫々のフォトダイ
オードＰ　ＩＩ〜Ｐ□の間には、シフトレジスタから成
る垂直走査回路２の各ビット出力接点す、−ｂ、より延
設した垂直選択ゲート線Ｌ１〜Ｌ０と、信号読出し線ｐ
、〜１．が縦横に交叉するように配線されている。

又、図示するように、フォトダイオードＰ、〜Ｐ０と信
号読出し線１１〜１１の間に、ＭＯ３型ＦＥＴから成る
スイッチングトランジスタＭ　Ｈ１〜Ｍいが形成され、
垂直選択ゲート線り、〜Ｌ７を介して垂直走査回路２よ
り供給される垂直走査信号に従って、スイッチングトラ
ンジスタＭ、〜Ｍ、、、がオン・オフ動作することによ
り、フォトダイオードＰ、〜Ｐ、、、の画素信号を行毎
に順番に信号続出し線！２＋”’−１２−へ転送する。

更に、各信号読出し線２．〜１１の終端が、水平走査に
係るＭＯ３型ＦＥＴから成るスイッチングトランジスタ
Ｎ、〜Ｎ、を介して出力線４に接続すると共に、水平走
査回路３の各ビット出力接点ｈ１〜ｈ１から延設した水
平選択ゲート線ａｌ〜ａ＃ｌがスイッチングトランジス
タＮｌ−Ｎ１１ｌの各ゲート接点に接続し、これらの水
平選択ゲート線８１〜ａ１を介して水平走査回路３より
供給される水平走査信号に従って、スイッチングトラン
ジスタＮ１〜Ｎ、がオン・オフ動作することにより、信
号読出し線１．−１．に存在する画素信号を順次に出力
線４へ転送し、出力端子５から画素信号Ｓ（ｎ、ｍ）を
時系列的に出力する。

このように、撮像によってフォトダイオードｐＨ〜Ｐ７
．に生じた画素信号を垂直走査回路２と水平走査回路３
による所定タイ旦ングで読出し走査することで、全ての
画素信号を読み出すことができるように構成されている
。

しかしながら、このような構成から成るＭＯＳ型固体撮
像装置にあっては、垂直走査回路２で所定の水平走査期
間毎に垂直走査し、各水平走査期間内において水平走査
回路３が点１頃次に水平走査を行うことから、夫々の信
号出力線ｌ、〜２．は夫々の水平走査期間毎に１回のタ
イミングで走査されることとなり、この結果、次の走査
読出しが行われるまでの待ち時間中に、ノイズ成分が信
号読出し線１１”Ｑ−に重畳して、スミアの原因となる
。

このような、ス２アの発生を防止するために、第６図に
示すような構成を有するＭＯＳ型固体撮像装置が開発さ
れた。これはＴ　Ｓ　Ｌ　（ＴｒａｎｓｖｅｒｓａｌＳ
ｉｇｎａｌ　Ｌｉｎｅ　）方式のＭＯＳ型固体撮像装置
であり、第５図に示す先の固体撮像装置との相違点は、
フォトダイオードｐＨ〜Ｐ、、、の夫々に対して２個直
列のスイッチングトランジスタが接続し、フォトダイオ
ードに近い側のスイッチングトランジスタを垂直走査回
路２で垂直走査し、他方のスイッチングトランジスタを
水平走査回路２で水平走査して、両方のスイッチングト
ランジスタが共にオンとなる時にそれらに対応するフォ
トダイオードの画素信号を、水平方向に延設された信号
読出し線を介して読み出すようになっている点にある。

尚、図中のり、−Ｌ、は垂直選択ゲート線、１１〜Ｑ７
は信号読出し線、ａ、〜ａ、は水平選択ゲート線、Ｑ、
〜Ｑ７は信号読出し線１１〜！！、、と出力線４の間に
介在し且つ垂直選択ゲート線Ｌ１〜Ｌ、を介して垂直走
査回路２から転送される垂直走査信号に同期して順次に
オンとなるスイッチングトランジスタである。

即チ、１つのエレメントＥに係る構成を代表して説明す
ると、フォトダイオードＭ■と信号読出し線ｅＩの間に
２個のスイッチングトランジスタｆとｇが直列に接続し
、一方のスイッチングトランジスタｒのゲート接点に垂
直選択ゲート線りが接続し、他方のスイッチングトラン
ジスタｇのゲート接点に水平選択ゲート線ａ１が接続し
ている。そして、垂直走査回路２から垂直走査信号を出
力することよってスイッチングトランジスタｒとＱ、を
オンにした状態で、スイッチングトランジスタｇをオン
にすることによって、フォトダイオードＭ　ｌ　＋の画
素信号を信号読出し線！！、ｌ及び出力線４を介して出
力端子５に読み出す。

そして、垂直走査回路２の各ピント出力接点ｂ１〜ｂ７
から垂直選択ゲート線Ｌ１〜Ｌ、、へ所定の水平走査期
間毎に垂直走査信号を転送し、夫々の周期内において水
平走査回路３の各ビット出力接点ｈ１〜ｈ、から水平走
査信号を水平選択ゲート線ａ１〜ａ、へ順次に転送する
ことにより、全ての画素信号を時系列的に読み出すこと
ができる。

このようなＴＳＬ方弐の固体撮像装置によれば、水平走
査による点順次走査周期に同期して、夫々の画素信号が
信号読出し線を介して出力されるので、第５図に示した
構成の固体撮像装置と較べると、信号読出し線へのノイ
ズ電荷混入期間が短くなることから、スミアの発生が大
幅に低減される効果がある。

第７図は、第６図に示したＴＳＬ方式の固体撮像装置の
受光領域の部分構造を示している。即ち、半導体製造プ
ロセスによって製造した時のレイアウトの一部即ち、−
例として、９個の画素に関する平面構成を示す。

図中、Ｍの部分は半導体基板中に形成されたＰウェル層
の表面領域に埋設されたｎ゛形不純物領域であり、夫々
が画素に相当するフォトダイオードを構成している。

更に、夫々のｎ゛形不純物領域の一端が、Ｌ字状に延設
され、３Ｂ、字状の終端部分がコンタクト（図中の区で
示す部分）を介して第１のアルミニウム層から成る信号
読出し線１．，１．．。

１８゜、（図中、−点鎖線で示す）に接続している。

尚、信号読出し線！！、、、ｆ、。８，１直。２は、夫
々の画素を構成する上記ｎ゛形不純物領域の間を、横方
向に走るように形成され、第６図のスイッチングトラン
ジスタＱ１〜Ｑ７の内の所定のスイッチングトランジス
タを介して出力線４に接続する。

又、信号読出し線１　ｉ　＋　　ｊ２ｉ＋ｌ　＋　　ｆ
ｉｅ２に隣接するようにしてポリシリコン層（図中、実
線で示す）から成る垂直選択ゲート線り、、Ｌ、、、。

Ｌ８．２が積層され、夫々の垂直選択ゲート線り。

Ｌ　ｉ、１＋　　Ｌｉ＋２の側端から延びるポリシリコ
ン層が各ｎ゛形不純物領域のＬ字部分の上面を覆い、且
つその覆われた部分の近傍のｎ゛形不純物領域にイオン
打ち込みを行うことによって垂直走査に係るＭＯ３形Ｆ
ＥＴのスイッチングトランジスタ（図中のｆで示す）が
形成されている。尚、垂直選択ゲート線り、、Ｌ、、、
、Ｌ、。２は、第６図の垂直走査回路２の所定ピント出
力接点に接続する。

更に、夫々の画素を構成する上記ｎ゛形不純物領域の間
を縦方向に走る第２のアルミニウム層（図中、点線で示
す）から成る水平選択ゲート線ａ、＋　　ａ　Ｊ　＋　
＋　＋　　”　Ｊ。２が形成され、夫々の水平選択ゲー
ト線ａｊ、ａｊ。Ｉ＋ａｊ。２の側端には、各ｎ゛形不
純物領域のＬ字部分の他の上面を覆うポリシリコン層か
ら成るゲート部（図中、Ｆで示す）が、コンタクト（図
中の図で示す）を介して接続している。そして、ゲート
接点で覆われた部分の近傍のｎ゛形不純物領域にイオン
打ち込みを行うことによって水平走査に係るＭＯ３型Ｆ
ＥＴ（図中のｇで示す）が形成されている。ここで、水
平選択ゲート線ａ　ｊ　＋　　ａ　ｊ＋Ｉ　＋　　ａＪ
’□は、第６図の水平走査回路３の所定ビット出力接点
に接続する。

尚、第１．第２のアルミニウム層とポリシリコン層は、
夫々別個のマスクに従って形成されるものであり、又、
相互にシリコン酸化膜の層を介して絶縁されるように積
層されている。

このような構造において、上述した垂直走査回路２及び
水平走査回路３による垂直走査及び水平走査を行って、
スイッチングトランジスタｆとｇを順次に所定タイミン
グでオンにすることにより、各フォトダイオードに発生
した画素信号を時系列的に読み出すことができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、このような従来のＴＳＬ方式の固体撮像
装置にあっては、第７図に示すように、夫々のフォトダ
イオードと信号読出し線の間に介在する一対のスイッチ
ングトランジスタのドレイン部が、該フォトダイオード
と同一の不純物層で一体形成されると共に、完全に遮光
されない構造であったため、外部からの光に起因して誘
起される不要篭荷がノイズとなって画素信号に雇人する
という問題があった。

又、垂直及び水平選択ゲート線と信号読出し線を形成す
るために、２Ｎのアルミニウム層と１層のポリシリコン
層の合計３層が必要となる構造であったことから、製造
プロセスが多くなり、この結果、歩留まりが悪くなった
り、製造コストが上昇する等の問題があった。

本発明はこのような課題に鑑みて成されたものであり、
製造プロセスの工程数を減らすことができると同時に、
フォトダイオードの光入射領域を除く部分を有効に遮光
して、ノイズの画素信号への混入を防止することができ
る構造を有するＴＳＬ方式の固体撮像装置を提供するこ
とを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

まず、本発明は、画素群となる複数のフォトダイオード
をマトリクス状に配列して形成すると共に、垂直走査回
路から延設された垂直選択ゲート線と、水平走査回路か
ら延設された水平選択ゲート線と、信号読出し線とを夫
々のフォトダイオード間に配線し、夫々のフォトダイオ
ードと所定の信号読出し線との間に、垂直走査回路から
垂直選択ゲート線を介して転送される垂直走査信号に同
期してオン・オフ動作する第１のスイッチングトランジ
スタと、水平走査回路から水平選択ゲート線を介して転
送される水平走査信号に同期してオン・オフ動作する第
２のスイッチングトランジスタとを形成して、上記垂直
走査回路及び水平走査回路による所定タイミングの信号
読出し走査に同期して上記フォトダイオードの画素信号
を読み出すようにしたＴＳＬ方式の固体撮像装置を対象
とする。

このような固体撮像装置を対象として本発明の目的を達
成するために、上記夫々のフォトダイオドの一端に同一
の不純物層で形成された突出部を形成し、夫々の突出部
の上面を交叉するようにポリシリコン層から成る前記垂
直選択ゲート線を配線することによって、前記第ｔのス
イッチングトランジスタを形成し、夫々の突出部の他の
上面にポリシリコン層から成るゲート部を積層すること
によって、前記第２のスイッチングトランジスタを形成
すると共に、それらのゲート部の内の縦方向に並ぶゲー
ト部同士の間を上記ポリシリコン層よりも上層に絶縁し
て積層するアルミニウム層などの導体層から収る配線に
接続することによって、前記選択水平ゲート線を形成し
、上記と同じプロセスで形成される導体層によって前記
信号読出し線を形成すると共に、夫々の信号読出し線を
夫々の突出部の上面及び第１及び第２のスイッチングト
ランジスタの上面を遮蔽し且つ、前記水平選択ゲート線
を構成する導体層と接触しないように配線した。

〔作用〕

このような構造を有する本発明によれば、垂直及び水平
選択ゲート線と信号読出し線を形成するために、１層の
導体層と１層のポリシリコン層の合計２層で済むので、
従来よりも導体層を減らすことができ、その結果、製造
プロセスが簡素となる。更に、垂直及び水平走査を行う
ために夫々のフォトダイオードに接続されているスイッ
チングトランジスタが上記導体層によって完全に遮光さ
れるので、ノイズを大幅に低減することができる。

〔実施例〕

以下、本発明によるＴＳＬ方式の固体撮像装置の一実施
例を図面と共に説明する。

まず、第１図に基づいて全体の回路構成を説明する。第
１図において、２はシフトレジスタから成る垂直走査回
路、３はシフトレジスタから成る水平走査回路である。

受光領域中には、第５図中のエレメントＥと同様の構造
、即ちフォトダイオード及びそれに直列接続する一対の
スイッチングトランジスタから成る複数のエレメントＥ
“　（第１図中の点線内に示す）が縦横方向にマトリク
ス状に配列して形成されており、夫々のエレメントＥ°
において、フォトダイオードに近い側のスイッチングト
ランジスタ（図中、「で示す）のゲート接点に垂直選択
ゲート線が接続し、他方の側のスイッチング１−ランジ
スタ（図中、ｇで示す）のゲート接点に水平走査回路３
の各ビット出力接点り、−ｈ、から延設した水平選択ゲ
ート線ａ、〜ａ、が接続している。

ところで、この実施例は、８本の出力線Ｒ１〜Ｒ８を備
えており、垂直走査回路２の各ビット出力接点に対して
８本ずつの垂直選択ゲート線が対応するように配線され
ることによって、水平走査回路３からの水平走査信号に
同期して、縦８行ずつの画素信号を並列読出しする構成
となっており、このような８Ｘｍ個のフォトダイオード
群に係るセルＣＥが全てのビット出力接点す、〜ｂ７に
対応して形成されているので、説明の都合上、垂直走査
回路２のビット出力接点す、に係るセルＣＢの構成を代
表して説明する。

まず、Ｌ　Ｉｂｌ〜Ｌ　ｌｌｂ＋　は８行のフォトダイ
オードに対応して配線された垂直選択ゲート線、１　＋
ｙ〜Ｑ　Ｂ、は信号読出し線であり、信号読出し線１　
Ｉｂｌ−Ｉ！、ｓｂ＋　は、スイッチングトランジスタ
Ｑ、〜Ｑ　＋　ｓを介して各出力線ＲＩ”　Ｒｓに接続
している。

垂直選択ゲート線Ｌ　Ｉｂｌ　〜ＬＩＩＩ＋１　は、上
述したように各エレメントＥ′中の所定のスイッチング
トランジスタのゲート接点及びスイッチングトランジス
タＱ、〜Ｑ、のゲート接点に接続すると共に、更ニ、夫
々（７）垂直選択’ｙ’　−Ｈ’ｉｔＬ＋ｂ＋−Ｌ８ｂ
ｌは、垂直走査回路２のビット出力接点す、からの垂直
走査信号によってオン・オフの動作を行うスイッチング
トランジスタに、、、に２．、に、、、に、□Ｋ　Ｓ８
１　Ｋ６Ｓ　、　Ｋ２Ｓ　、　Ｋｓｉを介して端子ｖＡ
に接続し、更に、端子Ｒに印加されるリセット信号によ
ってオン・オフの動作を行うスイッチングトランジスタ
Ｋ　Ｉｂ　、Ｋｚｂ　１Ｋ３１１　、に４ｂ　、に５ｂ
　、Ｋｂｂ　＋に７ｂ　、　Ｌｔ＋を介して端子ＶＥに
接続している。

そして、同様のセルＣＥが垂直走査回路２の他のピント
出力接点ｂ２〜ｂ７についても対応して形成され、夫々
の他のセルの信号読出し線群も８本の出力線Ｒ１〜Ｒ１
１に並列に接続している。

次に、画素信号の読出し走査を第２図のタイミングチャ
ートに基づいて説明する。尚、第２図中の符号は回路中
の各端子における波形であることを示す。

まず、端子ＶＡには例えば５ボルトの直流電圧が印加さ
れ、端子ＶＥは例えばＯボルトに設定される。そして、
端子Ｒに“Ｈ”レベルのリセット信号を印加すると、全
ての垂直選択ゲート線がＯボルトにリセットされ、垂直
走査回路２のビット出力接点す、−ｂ、からの“■１”
レベルの垂直走査信号に同期して垂直選択ゲート線の電
圧が端子ＶＡの電圧となる。

そして、リセット動作後の適宜の期間τに被写体光学像
を受光し、次に、所定期間Ｔ、の間、最初の垂直走査信
号がビット出力接点す、より出力されると、第１のセル
ＣＥに係る垂直選択ゲート線Ｌ　ｌｂｌ〜Ｌｌ１１に接
続するスイッチングトランジスタ及び出力端に設けられ
たスイッチングトランジスタＱ、〜Ｑ　＋　ａがオンと
なる。そして、これらのスイッチングトランジスタがオ
ンとなっている間に、水平走査回路３の各ビット出力接
点り。

〜ｈ１から所定周期で順に水平走査信号が出力すること
により、画素信号が８行分ずつ並列に読み出される。即
ち、ビット出力接点ｈ＋からの水平走査信号によって、
まず第１列における８個の画素信号Ｓ１〜Ｓ６、次に、
ビット出力接点ｈ２からの水平走査信号によって、第２
列における８個の画素信号Ｓ、〜ＳＩｌ、更に次に、ビ
ット出力接点り、からの水平走査信号によって、第３列
における８個の画素信号Ｓ、〜Ｓ、というようにして、
並列的に画素信号が読み出されることで、１回の水平走
査期間に８Ｘｍ個の画素信号が読み出されることとなる
。

そして、残余のピント出力接点ｂ２〜ｂいから垂直走査
期間Ｔ２〜Ｔｆｉ毎に垂直走査信号が出力され、夫々の
垂直走査期間Ｔ２〜Ｔ、、において同様の水平走査を行
うことによって、残りのセルからも同様に画素信号が８
個ずつ並列的に読み出される。

このように、この実施例では、複数の画素信号を水平走
査において並列的に読み出すようにしたので高速の信号
読出しが可能となっている。

次に、第３図に基づいて、受光領域の実際の構造を説明
する。尚、同図は受光領域の一部分を拡大して示す平面
図である。

第３図において、Ｍの部分は半導体基板中に形成された
Ｐウェル層の表面領域に埋設されたｎ形不純物領域であ
り、夫々が画素に相当するフォトダイオードを構成して
いる。

更に、夫々のｎ゛形不純物領域の一端が突出するように
形成され（以下、突出部という）、夫々の０１形不純物
領域の間には、ポリシリコン層（図中、点線で示す）か
ら成る垂直選択ゲート線が形成されている。そして、夫
々の垂直選択ゲート線は図示するように、水平方向に配
列するｎ゛形不純物領域の突出部の上面にゲート酸化膜
を介してポリシリコン層を積層し、それらの積層部分に
イオン打ち込みを行うことによって、垂直走査に係る第
１のスイッチングトランジスタ（図中、ｆで示す）が形
成されている。

更に、夫々のフォトダイオードに係る突出部の上面を交
叉するようにして、ポリシリコン層から威る略コ字状の
ゲート部（図中、Ｇで示す）がゲート酸化膜の上に積層
され、更に、夫々の積層部分の下の突出部にイオン打ち
込みを行うことによって、水平走査に係る第２のスイッ
チングトランジスタ（図中、ｇで示す）が形成されてい
る。

そして、これらのゲート部の両端を、縦方向に延びるア
ルミニウム層（図中、ＡＩ！、で示す）で順次に接続し
く尚、接続は、Ｎ印とＮ印で示すコンタクトで行われて
いる）、夫々の接続による配線が水平選択ゲート線とな
って水平走査回路３の各ビット出力接点に接続する。

更に、夫々のフォトダイオードに係る突出部の終端部分
がコンタクト（図中の図で示す部分）を介してアルミニ
ウム層から成る信号読出し線（図中、−点ｉｊｉ線で示
す）に接続している。更に詳述すれば、夫々の信号読出
し線は、ｎ゛形不純物領域の間に配線された垂直選択ゲ
ート線の上面に重なるように積層されると共に、水平選
択ゲート線となるアルミニウム層Ａｊ２との接触を回避
するために、ゲート部Ｇの上側を交叉し且つその両端の
コンタクト（Ｎ印とＮ印で示す）の間を通るようにして
形成され、更に、夫々のフォトダイオードの突出部の形
状に合わせてその上面を覆うような形状に形成されてい
る。

尚、アルミニウム層とポリシリコン層は、第４図に示す
ように互いにシリコン酸化膜層で絶縁され、又、製造工
程にあっては、水平選択ゲート線を形成するためのアル
ミニウム層と、信号読出し線を形成するためのアルミニ
ウム層は同一のマスクパターンに従って同時に形成され
、ゲート部Ｇを形成するためのポリシリコン層と、垂直
選択ゲート線を形成するためのポリシリコン層は同一の
マスクパターンに従って同時に形成されるので、これら
の配線は、１層のアルミニウム層と、１層のポリシリコ
ン層から形成される。

このように、この実施例によれば、従来に較べて少ない
製造プロセスによって形成されるので、歩留まりの向上
を図ることができる。又、各フォトダイオードと信号読
出し線の間に設けられるスイッチングトランジスタのド
レイン部をアルミニウム層から成る信号読出し線で遮光
するので、外光の入射などに起因するノイズの発生を防
止することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、１層の導体層と
ＩＮのポリシリコン層によって、水平選択ゲート線、垂
直選択ゲート線、信号読出し線、及び垂直走査に係るス
イッチングトランジスタ及び水平走査にに係るスイッチ
ングトランジスタを形成することができるので、製造プ
ロセスを簡素化して、歩留まりの向上を図ることができ
る。又、各フォトダイオードと信号読出し線の間に設け
られるスイッチングトランジスタのドレイン部を導体層
から成る信号読出し線で遮光するので、外光の入射など
に起因するノイズの発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるＴＳＬ方式の固体撮像装置の一実
施例の構成を示す実施例構成説明図、第２図は実施例の
動作原理を説明するためのタイミングチャート、 第３図は実施例の受光領域の構造を説明するための部分
平面図、 第４図は第３図におけるＸ−Ｘ線の縦断面構造を示す断
面図、 第５図は一従来例の構成を示す従来例構成説明図、 第６図は他の従来例の構成を示す従来例構成説明図、 第７図は第６図の従来例における受光領域の構造を説明
するための部分平面図である。 図中の符号： ２；垂直走査回路 ３；水平走査回路 ＣＥ、セル Ｅ゛　；エレメント Ｌ　ｌｂｌ〜Ｌ８１　；垂直選択ゲート線ｌ９．〜ｌ、
１　；信号読出し線 ａｌ　”””ａｓ　；水平選択ゲート線Ｒ１〜Ｒｓｉ出
力線 Ｑ　Ｉ　Ｉ〜Ｑ　＋　ａ　ｉスイッチングトランジスタ
ｆ；垂直走査に係るスイッチングトランジスタｇ；水平
走査に係るスイッチングトランジスタＭ；フォトダイオ
ードの領域 Ｇ；ゲート部 １４２、水平ゲート線を形成するためのアルミニウム層 第 ４ 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 画素群となる複数のフォトダイオードをマトリクス状に
   配列して形成すると共に、 垂直走査回路から延設された垂直選択ゲート線と、水平
   走査回路から延設された水平選択ゲート線と、信号読出
   し線とを夫々のフォトダイオード間に配線し、 夫々のフォトダイオードと所定の信号読出し線との間に
   、垂直走査回路から垂直選択ゲート線を介して伝達され
   る垂直走査信号に同期してオン・オフ動作する第１のス
   イッチングトランジスタと、水平走査回路から水平選択
   ゲート線を介して伝達される水平走査信号に同期してオ
   ン・オフ動作する第２のスイッチングトランジスタとを
   形成して、 上記垂直走査回路及び水平走査回路による所定タイミン
   グの信号読出し走査に同期して上記フォトダイオードの
   画素信号を読み出すようにした固体撮像装置において、 前記夫々のフォトダイオードの一端に同一の不純物層で
   形成された突出部を形成し、 夫々の突出部の上面を交叉するようにポリシリコン層か
   ら成る前記垂直選択ゲート線を配線することによって、
   前記第１のスイッチングトランジスタを形成し、 夫々の突出部の他の上面にポリシリコン層から成るゲー
   ト部を積層することによって、前記第２のスイッチング
   トランジスタを形成すると共に、それらのゲート部の内
   の縦方向に並ぶゲート部同士の間を上記ポリシリコン層
   よりも上層に絶縁して積層する導体層から成る配線に接
   続することによって、前記水平選択ゲート線を形成し、 上記と同じプロセスで形成される導体層によって前記信
   号読出し線を形成すると共に、夫々の信号読出し線を夫
   々の突出部の上面及び第１及び第２のスイッチングトラ
   ンジスタの上面を遮蔽し且つ、前記水平選択ゲート線を
   構成する導体層と接触しない関係で配線した構造を有す
   ることを特徴とする固体撮像装置。