JPH03180756A - ウェハース上の磁気抵抗素子の電気抵抗測定方法 - Google Patents
ウェハース上の磁気抵抗素子の電気抵抗測定方法Info
- Publication number
- JPH03180756A JPH03180756A JP1319906A JP31990689A JPH03180756A JP H03180756 A JPH03180756 A JP H03180756A JP 1319906 A JP1319906 A JP 1319906A JP 31990689 A JP31990689 A JP 31990689A JP H03180756 A JPH03180756 A JP H03180756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- magnetic field
- magnetoresistive element
- certain direction
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェハース上に複数個形成された磁気抵抗素
子（以下ウェハー状態のＭＲ素子と称す）の電気的特性
を測定する際に、被測定ＭＲ素子へ予め磁界を強制的に
印加させた状態で電気抵抗をウェハーブローバにて測定
する方法に関する。
子（以下ウェハー状態のＭＲ素子と称す）の電気的特性
を測定する際に、被測定ＭＲ素子へ予め磁界を強制的に
印加させた状態で電気抵抗をウェハーブローバにて測定
する方法に関する。
従来のウェハープローバにてＭＲ素子内に形成された薄
膜パターンの電気抵抗値を測定し、規格に合致している
か否かを判定する方法では、ＭＲ素子内に形成された磁
性体材料の着磁に関しては一切考慮されていない。
膜パターンの電気抵抗値を測定し、規格に合致している
か否かを判定する方法では、ＭＲ素子内に形成された磁
性体材料の着磁に関しては一切考慮されていない。
上述した従来のウェハー上に形成されたＭＲ素子の電気
抵抗の測定では、薄膜磁性体材料の形成工程中、あるい
はウェハープローバによる測定中に、各種装置に使用さ
れているモータ等、磁界な発生する電気部品等によりＭ
Ｒ素子に形成されたＮｉ−Ｆｅ、Ｃｏ及びこれらの合金
等から成る薄膜金属に磁界が印加され着磁された状態で
良品判定される。
抵抗の測定では、薄膜磁性体材料の形成工程中、あるい
はウェハープローバによる測定中に、各種装置に使用さ
れているモータ等、磁界な発生する電気部品等によりＭ
Ｒ素子に形成されたＮｉ−Ｆｅ、Ｃｏ及びこれらの合金
等から成る薄膜金属に磁界が印加され着磁された状態で
良品判定される。
この場合、磁界の印加がＭＲ素子のパターンに対し常に
一定方向に発生するならば、問題は無いが、円形ウェハ
ーでは薄膜形成工程内の搬送過程で方向性を持たせられ
ない為、ＭＲ素子の着磁状態はウェハー毎に差を生じて
しまい、この着磁された状態のＭＲ素子の電気抵抗値を
測定し良否判定をしても、その後工程の組立での測定値
と一致しないという欠点を有している。
一定方向に発生するならば、問題は無いが、円形ウェハ
ーでは薄膜形成工程内の搬送過程で方向性を持たせられ
ない為、ＭＲ素子の着磁状態はウェハー毎に差を生じて
しまい、この着磁された状態のＭＲ素子の電気抵抗値を
測定し良否判定をしても、その後工程の組立での測定値
と一致しないという欠点を有している。
本発明のウェハープローバによるウェハース上の磁気抵
抗素子の電気抵抗測定方法は、ＭＲ素子の電気抵抗を測
定する際に強制的に製品へ磁界を印加しながら測定する
事により、測定するまで色々な工程で着磁された状態を
常に一定条件のもとて再着磁させる事により、薄膜磁性
体のスピン軸の傾きな一定にし、再現性に優れた電気抵
抗を測定する方法である。
抗素子の電気抵抗測定方法は、ＭＲ素子の電気抵抗を測
定する際に強制的に製品へ磁界を印加しながら測定する
事により、測定するまで色々な工程で着磁された状態を
常に一定条件のもとて再着磁させる事により、薄膜磁性
体のスピン軸の傾きな一定にし、再現性に優れた電気抵
抗を測定する方法である。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の方法を示す平面図及
び断面図である。図において、ウェハース２の上に形成
されたＭＲ素素子上対し、プローブカード３の下に永久
磁石５を対向させた状態で取り付ける事により、磁力線
４が常に一定方向になる様に配する事が出来る為、ＭＲ
Ｒ子１の磁性体薄膜が常に一定方向に着磁された状態で
測定できる。
び断面図である。図において、ウェハース２の上に形成
されたＭＲ素素子上対し、プローブカード３の下に永久
磁石５を対向させた状態で取り付ける事により、磁力線
４が常に一定方向になる様に配する事が出来る為、ＭＲ
Ｒ子１の磁性体薄膜が常に一定方向に着磁された状態で
測定できる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、ＭＲ素子の電気抵抗を測定
する際、ＭＲ素子へ一定方向の磁界を印加させておくこ
とにより、ウェハース上のＭＲ素子への環境磁界の影響
による着磁状態のバラツキを排除でき、製品特性の再現
性が得られ製品品質を安定化できる効果があり、又、ウ
ェハース状態での特性と組立後の製品特性の間で特性を
一致させる効果がある。
する際、ＭＲ素子へ一定方向の磁界を印加させておくこ
とにより、ウェハース上のＭＲ素子への環境磁界の影響
による着磁状態のバラツキを排除でき、製品特性の再現
性が得られ製品品質を安定化できる効果があり、又、ウ
ェハース状態での特性と組立後の製品特性の間で特性を
一致させる効果がある。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の実施例を示すもので
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ断面図であ
る。 １・・・・・・磁気抵抗素子、２・・・・・・ウェハー
ス、３・・・・・・プローブカード、４・・・・・・磁
力線、５゜５′・・・・・・永久磁石、６・・・・・・
フローブ。
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ断面図であ
る。 １・・・・・・磁気抵抗素子、２・・・・・・ウェハー
ス、３・・・・・・プローブカード、４・・・・・・磁
力線、５゜５′・・・・・・永久磁石、６・・・・・・
フローブ。
Claims (1)
- ウェハース上に形成された複数個の磁気抵抗素子の電気
抵抗測定を行なうウェハープローブに於いて、被測定磁
気抵抗素子に一定方向へ強制的に磁界を印加させながら
測定することを特徴とするウェハース上の磁気抵抗素子
の電気抵抗測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319906A JP2884645B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | ウェハース上の磁気抵抗素子の電気抵抗測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319906A JP2884645B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | ウェハース上の磁気抵抗素子の電気抵抗測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180756A true JPH03180756A (ja) | 1991-08-06 |
| JP2884645B2 JP2884645B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=18115551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1319906A Expired - Lifetime JP2884645B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | ウェハース上の磁気抵抗素子の電気抵抗測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884645B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03277980A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-09 | Nec Corp | 磁気抵抗素子測定装置 |
| JPH05152725A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Nippon Avionics Co Ltd | プローブカード |
| US7345470B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-03-18 | Yamaha Corporation | Probe card and method for testing magnetic sensor |
| US9678179B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tester for testing magnetic memory |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1319906A patent/JP2884645B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03277980A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-09 | Nec Corp | 磁気抵抗素子測定装置 |
| JPH05152725A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Nippon Avionics Co Ltd | プローブカード |
| US7345470B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-03-18 | Yamaha Corporation | Probe card and method for testing magnetic sensor |
| US9678179B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tester for testing magnetic memory |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2884645B2 (ja) | 1999-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6940736B2 (ja) | 磁場の印加を介する磁気材料に起因する磁気センサ構成要素変動の低減 | |
| EP0286079B1 (en) | Sensing devices utilizing magneto electric transducers | |
| US5772493A (en) | Method and apparatus for controlling the lapping of magnetic heads | |
| US5514953A (en) | Wafer level test structure for detecting multiple domains and magnetic instability in a permanent magnet stabilized MR head | |
| JP3065129B2 (ja) | 可動強磁性素子検出用装置 | |
| DE102014110019A1 (de) | Diskrete magnetische winkelsensorvorrichtung, magnetische winkelsensoranordnung, verfahren zum generieren eines winkel-signals und verfahren zum vorsehen eines sensorsignals | |
| JPS59168383A (ja) | 磁界測定装置 | |
| JPH02201117A (ja) | 部材の運動を検知する装置 | |
| JPH0772229A (ja) | 磁気力顕微鏡 | |
| JPH03180756A (ja) | ウェハース上の磁気抵抗素子の電気抵抗測定方法 | |
| JPH11259828A (ja) | 磁気抵抗効果素子の磁化方向測定方法及び装置 | |
| JP2970455B2 (ja) | 磁気抵抗素子の製造方法およびその磁場処理装置 | |
| USH585H (en) | Anisotropic magnetoresistance measurement apparatus and method thereof | |
| US5574363A (en) | Stability method and apparatus for nondestructive measure of magnetic saturation flux density in magnetic materials | |
| JPS6311672Y2 (ja) | ||
| JP2630008B2 (ja) | 磁気抵抗素子測定装置 | |
| Methfessel et al. | Nucleation processes in thin Permalloy films | |
| JPH03202795A (ja) | 磁気抵抗素子の電気抵抗測定方法 | |
| JPH03186725A (ja) | 磁気的応力測定方法及び磁気的応力測定装置 | |
| Sievert | One-and two-dimensional magnetic phenomena in electrical steel and their measurement | |
| JPH03223685A (ja) | 外部磁界検出センサ | |
| JPS6324179A (ja) | 磁化特性非破壊測定装置 | |
| JP3922441B2 (ja) | 磁気インピーダンス素子 | |
| JPH01316979A (ja) | ホール効果測定装置 | |
| JPS63128255A (ja) | 励磁型薄膜ピツクアツプコイル |