JP2630008B2 - 磁気抵抗素子測定装置 - Google Patents
磁気抵抗素子測定装置Info
- Publication number
- JP2630008B2 JP2630008B2 JP2079349A JP7934990A JP2630008B2 JP 2630008 B2 JP2630008 B2 JP 2630008B2 JP 2079349 A JP2079349 A JP 2079349A JP 7934990 A JP7934990 A JP 7934990A JP 2630008 B2 JP2630008 B2 JP 2630008B2
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- unit
- probe
- magnetoresistive
- magnetoresistive element
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗素子（以下MR素子と称す）の電気的
特性を測定する磁気抵抗素子測定装置に関する。
特性を測定する磁気抵抗素子測定装置に関する。
〔従来の技術〕 従来の磁気抵抗素子測定装置は、MR素子の表面に形成
された磁性体薄膜パターンの電気抵抗値を測定し、規格
に合致しているか否かによって良否判定を行っている。
された磁性体薄膜パターンの電気抵抗値を測定し、規格
に合致しているか否かによって良否判定を行っている。
上述した従来の磁気抵抗素子測定装置では、MR素子が
製造工程中に各種製造装置等から発生する磁界を受け、
Ni,Fe,Co等及びこれらの合金の磁性体材料で形成される
MR素子の薄膜パターンが着磁されたままの状態で電気的
特性の測定を行っている。この着磁状態が常に一定の状
態であれば問題はないが、実際にはMR素子が組立，製造
試験，および出荷検査へと移動する間に、環境磁界によ
り薄膜パターンの着磁状態が変化する。又、客先へ納入
する間に着磁状態が変化する等、あらゆる環境でMR素子
に対する磁界が生じており、このため製造試験での電気
的特性値と、出荷検査や客先での受入検査等で測定した
特性値との間に差異が生じるという欠点があった。
製造工程中に各種製造装置等から発生する磁界を受け、
Ni,Fe,Co等及びこれらの合金の磁性体材料で形成される
MR素子の薄膜パターンが着磁されたままの状態で電気的
特性の測定を行っている。この着磁状態が常に一定の状
態であれば問題はないが、実際にはMR素子が組立，製造
試験，および出荷検査へと移動する間に、環境磁界によ
り薄膜パターンの着磁状態が変化する。又、客先へ納入
する間に着磁状態が変化する等、あらゆる環境でMR素子
に対する磁界が生じており、このため製造試験での電気
的特性値と、出荷検査や客先での受入検査等で測定した
特性値との間に差異が生じるという欠点があった。
本発明の磁気抵抗素子測定装置は、リードフレームに
連結された磁気抵抗素子をガイドレールに沿って１つず
つ移動させる搬送機構と、前記ガイドレールに沿って移
動する前記磁気抵抗素子に対して一定方向の磁界を加え
る磁界印加部と、この磁界印加部の磁界の影響を受けな
い状態で前記一定方向の磁界を加えられた磁界抵抗素子
の外部リードに接触するプローブ部と、このプローブ部
を介して前記磁気抵抗素子の電気特性を測定する測定部
とを備える。
連結された磁気抵抗素子をガイドレールに沿って１つず
つ移動させる搬送機構と、前記ガイドレールに沿って移
動する前記磁気抵抗素子に対して一定方向の磁界を加え
る磁界印加部と、この磁界印加部の磁界の影響を受けな
い状態で前記一定方向の磁界を加えられた磁界抵抗素子
の外部リードに接触するプローブ部と、このプローブ部
を介して前記磁気抵抗素子の電気特性を測定する測定部
とを備える。
次に本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例の斜視図であり、第２図はMR素子と
の位置関係を示す図である。第１図において、一定方向
の磁界を発生するための磁石２を設けた磁界印加部１、
MR素子の外部リードに接触するようにプローブ４を配設
したプローブ部３、プローブ４と接続されてMR素子の電
気特性を測定する測定部５、複数のMR素子が等間隔に連
結されたリードフレームを収納するマガジン6,7、リー
ドフレームに連結されたMR素子をガイドレール８に沿っ
て１ピッチずつ移動させる搬送機構9,10およびマガジン
駆動部11,12を備えている。第２図において、MR素子21
は搬送用孔23を有するリードフレーム22に連結されてお
り、搬送機構9,10によって１ピッチずつ磁界印加部１お
よびプローブ部３の下を移動・停止を繰返しながらマガ
ジン６からマガジン７へ搬送される。磁界印加部１およ
びプローブ部３は、搬送機構9,10と連動しており、リー
ドフレーム22が移動する際は、MR素子21と磁界印加部１
の磁石２との間隙が一定でかつ、同じスピードで移動・
停止し、更にプローブ部３のプローブ４が下降しMR素子
21の４本の外部リード24にそれぞれ接触して測定を開始
するときには、磁石２の磁界がプローブ部３で測定中の
MR素子に影響を与えない高さまで磁界印加部１が退避す
る機構となっている。このようにしてMR素子製造工程中
に色々な状態に着磁されたMR素子の磁性体薄膜材料を、
電気特性測定直前に一定状態に着磁してから測定を行
う。
は本発明の一実施例の斜視図であり、第２図はMR素子と
の位置関係を示す図である。第１図において、一定方向
の磁界を発生するための磁石２を設けた磁界印加部１、
MR素子の外部リードに接触するようにプローブ４を配設
したプローブ部３、プローブ４と接続されてMR素子の電
気特性を測定する測定部５、複数のMR素子が等間隔に連
結されたリードフレームを収納するマガジン6,7、リー
ドフレームに連結されたMR素子をガイドレール８に沿っ
て１ピッチずつ移動させる搬送機構9,10およびマガジン
駆動部11,12を備えている。第２図において、MR素子21
は搬送用孔23を有するリードフレーム22に連結されてお
り、搬送機構9,10によって１ピッチずつ磁界印加部１お
よびプローブ部３の下を移動・停止を繰返しながらマガ
ジン６からマガジン７へ搬送される。磁界印加部１およ
びプローブ部３は、搬送機構9,10と連動しており、リー
ドフレーム22が移動する際は、MR素子21と磁界印加部１
の磁石２との間隙が一定でかつ、同じスピードで移動・
停止し、更にプローブ部３のプローブ４が下降しMR素子
21の４本の外部リード24にそれぞれ接触して測定を開始
するときには、磁石２の磁界がプローブ部３で測定中の
MR素子に影響を与えない高さまで磁界印加部１が退避す
る機構となっている。このようにしてMR素子製造工程中
に色々な状態に着磁されたMR素子の磁性体薄膜材料を、
電気特性測定直前に一定状態に着磁してから測定を行
う。
第３図（ａ），（ｂ）はMR素子の電気的特性の測定再
現性を調査した結果を示す図であり、横軸は第１回目の
測定値、縦軸は第２回目の測定値として相関関係を示し
ている。同図（ａ）は本発明のMR素子測定装置を使用し
た場合であり、同図（ｂ）は従来のMR素子測定装置を使
用した場合である。同図（ａ）と（ｂ）とを比較する
と、本発明のMR素子測定装置による測定値の再現性がよ
いことがわかる。なお、本実施例では磁界印加部１に２
ケの磁石２を設けているが、これは確実に一定状態に着
磁させるためであり、磁石２は少なくとも１つあればよ
い。
現性を調査した結果を示す図であり、横軸は第１回目の
測定値、縦軸は第２回目の測定値として相関関係を示し
ている。同図（ａ）は本発明のMR素子測定装置を使用し
た場合であり、同図（ｂ）は従来のMR素子測定装置を使
用した場合である。同図（ａ）と（ｂ）とを比較する
と、本発明のMR素子測定装置による測定値の再現性がよ
いことがわかる。なお、本実施例では磁界印加部１に２
ケの磁石２を設けているが、これは確実に一定状態に着
磁させるためであり、磁石２は少なくとも１つあればよ
い。
以上説明したように本発明は、MR素子を一定状態に着
磁させる磁界印加部を備えることによって、製造工程お
よび保管中に環境磁界の影響でMR素子の磁性体薄膜材料
が着磁されていても、一定の状態に着磁してから電気特
性を測定する事が出来るので、MR素子の特性の測定再現
性が向上し品質を安定化できる。
磁させる磁界印加部を備えることによって、製造工程お
よび保管中に環境磁界の影響でMR素子の磁性体薄膜材料
が着磁されていても、一定の状態に着磁してから電気特
性を測定する事が出来るので、MR素子の特性の測定再現
性が向上し品質を安定化できる。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図はMR素子と
の位置関係を示す図、第３図（ａ），（ｂ）はMR素子の
電気的特性の測定再現性を示す図である。 １……磁界印加部、２……磁石、３……プローブ部、４
……プローブ、５……測定部、6,7……マガジン、８…
…ガイドレール、9,10……搬送機構、11,12……マガジ
ン駆動部、21……磁気抵抗素子（MR素子）、22……リー
ドフレーム、23……搬送用孔、24……MR素子の外部リー
ド。
の位置関係を示す図、第３図（ａ），（ｂ）はMR素子の
電気的特性の測定再現性を示す図である。 １……磁界印加部、２……磁石、３……プローブ部、４
……プローブ、５……測定部、6,7……マガジン、８…
…ガイドレール、9,10……搬送機構、11,12……マガジ
ン駆動部、21……磁気抵抗素子（MR素子）、22……リー
ドフレーム、23……搬送用孔、24……MR素子の外部リー
ド。
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームに連結された磁気抵抗素子
をガイドレールに沿って１つずつ移動させる搬送機構
と、前記ガイドレールに沿って移動する前記磁気抵抗素
子に対して一定方向の磁界を加える磁界印加部と、この
磁界印加部の磁界の影響を受けない状態で前記一定方向
の磁界を加えられた磁気抵抗素子の外部リードに接触す
るプローブ部と、このプローブ部を介して前記磁気抵抗
素子の電気特性を測定する測定部とを備えることを特徴
とする磁気抵抗素子測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079349A JP2630008B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 磁気抵抗素子測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2079349A JP2630008B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 磁気抵抗素子測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03277980A JPH03277980A (ja) | 1991-12-09 |
| JP2630008B2 true JP2630008B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=13687426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2079349A Expired - Lifetime JP2630008B2 (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 磁気抵抗素子測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630008B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2970455B2 (ja) * | 1994-03-14 | 1999-11-02 | 株式会社デンソー | 磁気抵抗素子の製造方法およびその磁場処理装置 |
| JP2006024845A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Yamaha Corp | プローブカード及び磁気センサの検査方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2884645B2 (ja) * | 1989-12-08 | 1999-04-19 | 日本電気株式会社 | ウェハース上の磁気抵抗素子の電気抵抗測定方法 |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP2079349A patent/JP2630008B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「実験物理学講座１７磁気」ＰＰ．４０１−４１７共立出版 昭和４３年６月１日発行 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03277980A (ja) | 1991-12-09 |
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