JPH0318017A - 化合物半導体デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は化合物半導体に関し、とくに不純物選択拡散工
程を用いる化合物半導体デバイスおよび化合物半導体製
造方法に関する。

［従来の技術］ 化合物半導体の代表的なものとして，例えばＧａＡｓが
ある．このＧａＡｓ基板に対し、選択的に不純物を拡散
するのに必要な拡散マスクとして、ＳｉＯ２膜やＳｉＮ
膜もしくはＡＩＮＩｌｉなどを、物理的もしくは化学的
堆積法により形成することが行なわれている。拡散マス
クにおいて、エッチング法により除去された部分は拡散
窓とよばれる。この拡散窓を通してＧａＡｓ基板に対し
、例えば、ｐ型不純物の場合はＺｎを、ｎ型不純物の場
合はＳｉなどを拡散もしくは押し込み拡散を行なう。こ
こにいう押し込み拡散とは，通常の拡散を行なった後に
，より深く低濃度の不純物拡散領域を半導体基板中に形
成するための工程である．拡散終了後、拡散マスクをエ
ッチング法により除去する．このようにして、拡散スト
ライプレーザ．　ＬＥＤ）（発光ダイオード）　．　Ｆ
ＥＴ（電界効果トランジスタ）およびＨＢＴ　（へテロ
接合バイボーラトランジスタ）等の電子デバイスを製作
する． 従来例のような選択拡散を行なう場合、まず選択拡散マ
スクとして、例えば　ＳｉＯａ膜　（ｌロロ０オングス
トローム〜５０００オングストローム）もしくはＳｉＮ
膜（５００オングストローム〜２０００オングストロー
ム）を，物理的らしくは化学的堆積法によりＧａＡｓ基
板上に一様に堆積させる。この時、物理的堆積法として
は，例えば電子ビーム蒸着法あるいはスパッタ法がある
．また化学的堆積法としては、例えばＰＥ−ＣＶロ（Ｐ
ｌａｓ＋ｓａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｎ＋ｉｃａｌ
Ｖａｐｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｌ法がある。

堆積した選択拡散マスクの上に、フォトリソグラフィ技
術を用いて、レジストパターンを形成する。ＢＨＦ　（
緩衝弗酸液ｌ｛ＦとＮＨ．Ｆ水溶液の混合したもの）を
用いたウエットエッチング法やＣＦ．あるいはＣＩ１Ｆ
ｓプラズマを用いたドライエッチング法により、このレ
ジストパターンをマスクとして、Ｓｉｎ．膜もしくはＳ
ｉＮ膜に選択拡散用窓を形成する． 次にＧａＡｓ基板の導電型（例えばｎ型）と異なる導電
型の不純物（例えばｐ型不純物としてＺｎ）の高濃度拡
散および，低濃度拡散としての押し込み拡散を行なう。

この不純物拡散、例えばＺｎ拡散の手順を記す． ＧａＡｓ基板を拡散材料であるＺｎＡｓａと、蒸気圧制
御用材料であるＧａＡｓとともに，石英管内に真空封入
し熱処理（例えば６５０　〜７５０℃、３０〜１００分
）を行なう．さらに押し込み拡散を行なう場合は、この
石英管よりサンプルを取り出し、再度、金属Ａｓととも
に石英管に真空封入し、熱処理（例えば８００〜１００
０℃、６０〜２００分）を行なう．以上の処理をした後
、ＧａＡｓ基板上にマスクを形成して、不純物の選択的
な拡ｆｉｇよび押し込み拡散を行なった場合の一例を，
第３図に示す．第３図において，　ＧａＡｓ基板ｌに選
択拡散マスクとしてのＳｉＮ膜　（１０００オングスト
ローム）２を用い、フォトリソグラフィ、エッチング技
術を用いて不純物選択拡散用窓５を形成した後、ｐ型不
純物としてＺｎを拡散させた場合、本来の横方向の拡散
以上に拡散４が生じる．このとき得られた拡散フロント
を６で示す．ここにいう拡散フロントとは半導体基板の
導電型と異なる導電型の不純物をこの基板中に拡散した
際に、二つの異なる導電型の領域の境界部分のことであ
る．今回のようにサンプルの断面を観察した場合には、
第３図のように線として観察される． ［発明が解決しようとする課題］ このように、従来のＺｎ選択拡散においては、通常の拡
散工程を行った場合は横方向異常拡散（横方向異常拡散
を、横方向拡ｒ！ｇｔ量Ｘｔ．と縦方向拡散量Ｘｖとの
比：　ｒ　＝　Ｘｉ．／Ｘｖとし、ｒ≧１の場合と定義
する．）が発生する。

半導体デバイスを設計、製作する場合には、この横方向
異常拡散は大きな問題となってくる。すなわち，この横
方向領域の拡大を考慮してデバイスを設計，製作しなけ
ればならず、実質的な設計マージンが小さくなってしま
う。そのため例えば集積回路を考えた場合、横方向異常
拡散がない場合と比較すると、そのチップサイズを小さ
ぺ゛することが困難になり、寄生容量や寄生抵抗が増大
する問題が生じる。その結果、電子デバイスにおいては
周波数特性の低下、また光デバイスにおいては電流注入
効率の低下を引き起こすことになる． そこでこの問題、すなわち横方向異常拡散の発生のため
生じるデバイス性能の低下を回避するために，発生した
横方向異常拡散領域をエッチング工程を用いて除去する
方法、横方向異常拡散が発生しないような低温での拡散
を行なう方法が考えられる。前者の場合、その手法とし
ては、ウエツトエッチングｌ去らしくはドライエッチン
グ法が考えられる。しかしウエットエッチング法を用い
た場合、ＧａＡｓ基板においてはその異方性が問題にな
ってくる。すなわち上記ＧａＡｓ基板のような単結晶基
板においては，エッチング速度にその結晶方位依存性が
あるため、エッチングされる面として複数の結晶方位が
出ている場合、エッチングすることによりエッチング前
の形状を保持することが不可能となる。また、ドライエ
ッチング法を用いた場合、比較的大きなイオンエネルギ
ーをもったイオンにより、その基板表面にダメージを受
けたり、あるいは基板中の表面近傍に汚染物質が侵入し
たりする。

いずれの場合ち上記問題点のほかに、デバイス製作にお
いてこのエッチングを行なうことにより、工程がさらに
？ｌｔ化するという新たな問題が発生する。

更に、このようにエッチングを行った場合には、第６図
に示すように拡散深さＸｖが浅くなり且つ拡張フロント
の基板表面に対する角度θが６０゜未満と小さくなる。

この様に拡張フロントの基板表面に対する角度θが小さ
くなった場合には、拡散幅Ｗのエッチング深さ依存性が
極めて大きくなり、デバイス作製にとっては非常に制御
性の悪いプロセスとなる．したがって、本来半導体プロ
セスで用いているミクロン才一ダーでの微細加工には不
向きなプロセスであると言える。

また、このエッチング工程を用いることは，拡散深さの
変化のみならず、不純物濃度も変化してしまう．このた
め、エッチングされた表面のキャリア濃度が変化し、こ
の拡散部分とその接合部分との接触抵抗が大きくなり、
拡散部分をデバイスの動作部として用いる場合デバイス
性能の制御が困難となる． 以上のように、このエッチングを用いて横方向異常拡散
部分を除去することは、工程が複雑になるということの
みならず、微細加工とデバイス特性の両面においても問
題がある。

即ち、横方向拡散量に対する縦方向拡散量の比がｌ未満
で且つ、拡散フロントの基板表面に対する角度θが６０
゜以上である，拡散プロファイルはデバイス作成、及び
特性の両面から見て、メリットが大きい。後者のエッチ
ング工程を用いる場合においては、結果的に得られる拡
散プロファイルが制限され、その結果デバイス設計が制
限される。ここにいう拡散プロファイルとは不純物の深
さ方向に対する濃度の分布をいう５この一例として、電
子情報通信学会技術研究報告（ＥＤ８８−８０１　にお
いて、ＧａＡｓ基板に対してＺｎ選択拡散を，６５０℃
でＩＯ分という低温，短時間で行なっている報告かある
。この場合は横方向拡散比ｒがほぼ１程度であるが，拡
散深さは０．６３１Ｌｍと浅くなっている。

しかし半導体レーザや発光ダイ才一ドに用いられるよう
に、低温においても３μｍ以上の２０選択拡散を行なっ
た場合には、やはり横方向異常拡散（ｒ≧１）が問題と
なる。もし、この例で用いている拡散温度６５０℃を用
いた場合には、例えば拡散深さ５μｍを得るために約ｌ
Ｏ時間の熱処理を行わなければならない。

しかし、このように長時間熱処理を行なった場合には、
Ｖ族元素の．Ａｓが抜けるなど表面結晶性の劣化と、そ
れに加えてプロセスのスルーブットの低下という問題が
新たに発生する。

このように、横方向異常拡散（ｒ≧１）に対して前二者
の対策を考えた場合、上記のような様々な別の問題が発
生してしまう。

またこの横方向異常拡散の寸法は、その選択拡散マスク
材科およびマスク膜厚に依存するため上記対策を施す場
合においても、その条件制御はきわめてきびしくなり、
再現性を得るためのプロセスマージンは小さくなってし
まう． 本発明はこのような従来技術の欠点を解消し、不純物選
択拡散時の使用温度が低温から高温まで使用できるマー
ジンの大きいプロセスを可能にすることを目的とする． ［課題を解決するための手段および作用］本発明は前記
問題点を解決するために、第１の導？Ｓ！型の化合物半
導体基板における第１の導電型と異なる第２の導電型の
不純物の基板における横方向拡散量の縦方向拡散量に対
する比が１未満である（好適には、横方向拡散量の縦方
向拡ｆｉｆｆｉに対する比が１未満であり、且つ拡散フ
ロントの基板表面に対する角度θが６ｒ≦θ≦９『であ
る）不純物プロファイルとこの不純物プロファイルを得
るための製造方法及び，この不純物プロファイルを用い
た半導体デバイスである． 上記の良好な不純物プロファイルを得るための製造方法
としては、拡散マスク形成前に第ｌの導電型の化合物半
導体基板表面の自然酸化膜を除去し、引き続き大気に晒
すこと無く基板表面に窒化硅素（　ＳｉＮ）を３００〜
２０００入形成することである． この自然酸化膜を除去する手段の１つとして，還元性ガ
スによるプラズマ処理がある．この還元性ガスによるプ
ラスマ処理の条件の１つとしては、ガス圧力が０．０１
〜２Ｔｏｒｒであり、問波数１０ｋ　−１００１１Ｈｚ
の高周波電力を０．　０３〜３Ｗ／ｃｍ”　．基板温度
が室温〜４００℃、時間は１〜３０分間である（処理■
）． また、この条件の好ましくは，ガス圧力が０．０１〜ｌ
Ｔｏｒｒであり、周波数１３．　５６ＭＨｚの高周波電
力を０．１−１■／ｃｒｎ’かけ，基板温度が２００　
〜３００℃、時間は５〜２０分間である（処理ＩＩ　）
。

さらに一番好ましくは、上記の還元性ガスとして水素ガ
スを用いて、ガス圧力が０．１−ＩＴｏｒｒであり、周
波数１３．　５６ＭＨｚの高周波電力を０．ｌ〜ＩＷ／
ｃｒｎ”かけ、基板温度が２００　〜３００℃、時間は
５〜２０分間である（処理ｎｌ　）。

また、上記の還元性ガスによるプラズマ処理以外の自然
酸化膜を除去する方法の一つとして、サーマルエッチン
グがあり，このサーマルエッチングを行った後、引き続
き大気に晒すこと無くＡＩＮ１１を５００〜１０００＾
堆積する。

このサーマルエッチングのｌ例として水素ガス及びＡｓ
Ｈｓを用いた場合がある。

この場合の条件の１つとしてガス圧力がＨ２：４０〜　
　１００Ｔｏｒｒ，Ａｓｌ｛ｘ：ｌ　　Ｘ　　１０−’
〜　Ｉ　　Ｘ　　１０−”ｎ＋ｏｌ／ｍｉｎであり、基
板温度が５００〜８００゜Ｃ、時間が２〜３０分である
（処理■）。

また、この条件の好ましくは、ガス圧力がＨ２６０〜８
０Ｔｏｒｒ，ＡｓＨｘ：　ｓｘ　１０−’〜３　Ｘ　１
０−’ｍｏｌ／＋ｗｉｎ　ｔ’あり、基板温度が６（１
０〜”１００℃、時間が５〜２０分である（処理ｖ）． 以上の条件範囲で前処理を行った後に、拡散マスクを堆
積し、この拡散マスクの所定の領域をフォトリソグラフ
ィ，エッチング技術を用いてバターニングし不純物を選
択拡散した結果を表１及び表２に示す． この表中で０は最も良好な（横方向拡散量に対する縦方
向拡散量の比が１未満であり，且っ拡散フロントの基板
表面に対する角度を６０’以上である．）不純物拡散プ
ロファイルが再現性良く得られる条件である． ○は次に良好な（横方向拡散量に対する縦方向拡散量の
比が１未満であり、且つ拡散フロントの基板表面に対す
る角度を６ロ゜以上である．）不純物拡散プロファイル
が時々得られなくなる条件である．（再現性において０
に劣る．） Δは良好な（横方向拡＃Ｉｌ量に対する縦方向拡散量の
比がｌ未満であり、且つ拡散フロントの基板表面に対す
る角度を６ロ゜以上である。）不純物拡散プロファイル
が時々得られる条件である。（再現性において更に○に
劣る。） ×は良好な（横方向拡散量に対する縦方向拡散量の比が
１未満であり，且つ拡散フロントの基板表面に対する角
度を６０゜以上である。）不純物拡散プロファイルが全
く得られない条件である，（再現性において更にΔに劣
る。） 表１　プラズマ処理 表２ サ マルエッチング処理 上記のような良好な不純物プロファイルを用いた半導体
デバイスは、電子デバイス及び光デバイスの両方に応用
可能である。

即ち、電子デバイスにおいては、ＦＥＴのソス，ドレイ
ン領域の形成に応用できる。

また、光デバイスにおいては、Ｚｎ拡散ストライプレー
ザやＩＩＤｆｌｍｐｕｒｉｔｙ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｄｉ
ｓｏｒｄｅｒｉｎｇｌ、あるいは才一ミック電極形成用
のＺｎ拡散部分に応用できる。

上記のような良好な不純物プロファイルの利点として，
次のような項目があげられる．即ち、上記の良好な（横
方向拡散量に対する縦方向拡散量に対する比がｌ未満で
ある）不純物拡散プロファイルを用いることで、前記問
題点即ち、電子デバイスにおいては周波数特性の低下及
び、光デバイスにおいては電流注入効率の低下を引き起
こすなどの欠点を解消できる。

更に良好な（好適には、横方向拡散量の縦方向拡散量に
対する比が１未満であり、且つ拡散フロントの基板表面
に対する角度θが６０゜≦θ≦９０゜である）不純物プ
ロファイルを用いることで、低温から高温までの再現性
のよいプロセスマージンの大きいプロセスが可能となる
。

［実施例］ 次に添付図面を参照して本発明による化合物半導体およ
びその製造方法の実施例を詳細に説明する． 第１図は本発明による不純物拡散プロファイルの実施例
の構成を示す図である． まず化合物半導体基板として、ｎ型ＧａＡｓ基板１を用
いる。

該基板に前記（処理ＩＩＩ　）のプラズマ処理を施した
後に，大気に晒すこと無＜Ｚｎ選択拡散マスクとしてＳ
ｉＮＩＩ！２をｌ００〇八堆積し、フォトリソグラフィ
、エッチング技術を用いてＳｉＮ膜にＺｎ選択拡散用窓
５を形成する６ 次に．　　６００　〜７５０℃，３０〜１００分間Ｚｎ
拡散を行い、更に必要に応じて８００〜！０００℃，６
０〜２００分間の押し込み拡散を行い、Ｚｎ拡散領域３
が形成される。

このようにして形成された、Ｚｎ拡散プロファイルの拡
散フロント６は、第１図に示すように横方向異常拡散が
なく　（横方向拡散量の縦方向拡散量に対する比がｌ未
満である）且つ、拡散フロントの基板表面に対する角度
が６０゜以上である、良好なＺｎ拡散プロファイルとな
っている。

第２図は本発明を光デバイスに応用した一利としての拡
散ストライプレーザの構造図である．まずｎ型ＧａＡｓ
基板８上に，ｎ型Ａｌｏ．　ａｓＧａｏ．ｓｓＡ３クラ
ッド層９｛厚さ１．５　ｕｍｌ．　ＧａＡｓ活性層１０
ｆＯ．１５　Ｊｊ　ｍｌ　．　　ｐｒ　ＡＩＯ．　ｓ，
Ｇａｏ．　ａ５Ａｓクラッド層１１ｆｌ−５ｕｍｌ．ｎ
型ＧａＡｓキャップ層１２　ｆＯ．　５μｍｌを順次エ
ビタキシャル成長させる。

この購体８〜Ｉ２に前処理を行なった後、引き続き大気
にさらすことな（．ＳｉＮ膜　（１０００オングストロ
ーム、図示せず）の堆積を同一真空反応器において行な
う。

次にフォトリソグラフィ技術を用いてＳｉＮ膜に図示せ
ぬ拡散用窓を形成し、さらにＺｎ拡散および押し込み拡
散を行なうことによりＺｎ拡散領域７が形成される。

しかる後に、ｐ型電極金属層１３ｉ５よびｎ型電極金属
層ｌ４を形成することにより、第２図に示す拡散ストラ
イプレーザが完成する． 本デバイスの特徴として，従来問題となっていた横方向
異常拡散量比ｒ　ｈｓ　１未満であることにより、Ｚｎ
拡散領域７に注入された電流が効率的にＧａＡｓ活性層
ｌＯに注入される利点がある．さらに、横方向異常拡散
量比ｒが１未満であることにより、Ｚｎ拡散領域７の横
方向のクリアランスが小さくできる利点がある．この特
徴を生かしたデバイスの一実施例を第５図に示す。この
デバイスは，第２図の拡散ストライプレーザをアレイ化
したものである．その製造工程における途中の段階を第
４図に示す． 第４図に示すように、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板８ａ上に
ｎ型Ａｌｏ４ｓＧａｏ−　ｓｓＡｓクラツド層９ａｌ１
．５ｕｍｌ．ＧａＡｓ活性層１０ａ（０．　１５０　ｍ
ｌ　．　ｐ型Ａ　ｌｏ．　：＋ｓＧａｏ．　ｓｓＡｓク
ラッド層１１ａ　（１．５μｍｌ．　ｎ型ＧａＡｓキャ
ップ層１２ａ｛０．５μｍ）を順次エビタキシャル成長
させる。ＧａＡｓ基板８ａに前処理を行なった後、引き
続き大気にさらすことなく、ＳｉＮ膜２ａ〜２ｆｔ１０
００オングストローム）の堆積を同一真空反応器におい
て行なう． ＧａＡｓ基板に本発明のＨ２プラズマ処理を施した後、
大気にさらすことなく、図示せぬＳｉＮ膜２ａ〜２ｆ　
１１０００オングストローム）を堆積させる．さらにフ
ォトリソグラフィ，エッチング技術を用いて拡散用窓５
ａ〜５ｅを図示のように形成する．このとき、拡散用窓
は、たとえば幅■＝２．５μｍ、そのビッチＬ＝ＩＯμ
ｍの寸法でアレイ状に形成する。

そこで，第５図に示すように、ＧａＡｓ基板８ａを含む
構体８ａ−１２ａに対して拡散窓５ａ〜５ｅを通してＺ
ｎ拡散および押し込み拡散を行なうことにより，アレイ
状のＺｎ拡散領域３ａ〜３ｅを形成する．しかる後に、
第４図に示す拡散マスクとしてのＳｉＮｌｉ２ａ〜２ｆ
を除去し、第５図に示すようにその上に電極１３ａｘｌ
３ｅを、また基Ｉ２ｉｉｌ４ａの下にｎ型電１ｉ１４ａ
を形成する。ここでｎ型電陽はＺｎ拡散領域３ａ〜３ｅ
に対して、電気的に分離されたものとする。

このようにｐ型電極１３ａ＝１３ｅおよびＺｎ拡散領域
３ａ〜３ｅを分離独立とすることにより、各発光部が独
立に駆動可能となる発光デバイスとすることができる． 本発明によるデバイスの特徴としては、選択拡散マスク
形成前処理と、それに引き続き行なわれる選択拡牧マス
ク形成およびＺｎ拡散を行なうことにより，横方向拡散
比ｒが１未満となり，そのため発光部間隔がｌＯμｍ程
度と極めて小さなアレイ状発光デバイスが製作可能とな
る。

さらに本発明はこれらの実施例のみならず、横方向拡散
比ｒがｌ未溝の不純物選択拡散を用いた，面型および端
面型の構造の半導体レーザや発光タイ才一ドなどの発光
デバイスおよび受光デバイス、さらには電界効果型トラ
ンジスタのソース、ドレインやヘテロバイポーラトラン
ジスタのベース部にも適応できることはいうまでもなＩ
／１． また、基板材料としてはＧａＡｓに限らずＡＩＧａＡｓ
、ｆｎＰなどの他の化合物半導体についても適応可能で
あり、また基板のみならず、その上に積層された化合物
半導体層に対しても適応可能であり、選択拡散マスク形
成前の処理としてもＨ２プラズマ処理に限らず、ＮＨ．
などの他の還元性ガスを用いた前処理についても適応可
能であることはいうまでもない． ［発明の効果］ 本発明によれば，このように選択拡散マスク形成前処理
と、その後に行なわれる選択拡散マスク形成およびＺｎ
拡散を行なうことにより、横方向拡散量比ｒが１未満と
なり、発光部間隔が１０μｍ程度のアレイ状発光デバイ
スの製作が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による選択拡散マスク形成前の前処理
を行ない、Ｚｎ拡散および押し込み拡散を行なった後の
化合物半導体デバイスの実施例の断面構造を示す断面図
、 第２図は、本発明による半導体発光素子の一実応例を示
す話面図， 第３図は選択拡散マスク形成前の前処理を行なわずに．
　Ｚｎ拡散および押し込み拡散を行なった後を示す従来
例の断面図、 第４図は本発明によって第５図に示すアレイ状半導体発
光素子を形成する途中状態を示し、Ｚｎ選択拡散、マス
ク形成後の素子断面を示す断面図，第５図は木定明をア
レイ状半導体発光素子に適用した実施例を示す断面図、 第６図は、エッチングにより横方向異常拡散部分を除去
した場合のＺｎ拡散プロファイルである。 主要部　の　１の説明 １．８．８ａ．．ｎ梨ＧａＡｓ基板 ２．　２ａ．．Ｚｎ選択拡散マスクＳｉＮ膜３　．．．
．．．　ｐ　ＱＧａＡｓ　（Ｚｎ拡散領域）４．．．．
．．ｐ型ＧａＡｓ　（ＺｎＭ方向異常拡散領ｉ！）５．
　５ａ．．Ｚｎ選択拡散用窓 ６．．．．．．Ｚｎ拡欣フロント（　ｐ−ｎ接合部）７
．　　３ａ．．Ｚｎ拡散領域 ９　．９ａ　．．　ｎ　’ｌＡｌｏ．３ｓＧａｏ．ｓｓ
Ａｓクラッド層１０．　ＩＯａ．．ＧａＡｓ活性層 １１．　ｌｌａ．　．　ｐ　型Ａｌｏ．　３ｓＧａｏ．
　ａｓＡｓクラッド層１２．　１２ａ．　．　ｎ　”Ｊ
　ＧａＡｓキャップ層１３．　１３ａ．　．　ｐ　”４
　Ａｕ電極１４．　１４ａ．　．　ｎ型Ａｕ電極 もう 凹 ６ ′＃，４ 図 弄，ｆ図 第２図 奉５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１の導電型の化合物半導体基板における第１の導
   電型と異なる第２の導電型の不純物の該基板における横
   方向拡散量の縦方向拡散量に対する比が１未満であり、
   かつ拡散フロントの該基板表面に対する角度が６０゜以
   上であることを特徴とする不純物選択拡散プロファイル
   。 ２、第１の導電型の化合物半導体基板における第１の導
   電型と異なる第２の導電型の不純物の該基板における前
   記横方向拡散量の前記縦方向拡散量に対する比を１未満
   にする前処理を該基板の表面に行う第１の工程と、該基
   板を大気にさらすこと無く、不純物拡散マスクを前記基
   板上に形成して前記不純物を該基板に選択的に拡散させ
   る第二の工程とを有することを特徴とする化合物半導体
   デバイスの製造方法。 ３、請求項に記載の方法において、前記前処理を行わな
   い不純物選択拡散工程において横方向拡散量の縦方向拡
   散量に対する比が１以上となる拡散が生じる温度以上で
   も、該横方向拡散量の該縦方向拡散量に対する比を１未
   満にすることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 ４、請求項２または３に記載の方法により製造されたこ
   とを特徴とする化合物半導体デバイス。