JPH03180032A - 微細加工方法 - Google Patents
微細加工方法Info
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- JPH03180032A JPH03180032A JP31953889A JP31953889A JPH03180032A JP H03180032 A JPH03180032 A JP H03180032A JP 31953889 A JP31953889 A JP 31953889A JP 31953889 A JP31953889 A JP 31953889A JP H03180032 A JPH03180032 A JP H03180032A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子サイクロトロン共鳴を利用したドライ
エツチング装置（以下ｒＥＣＲエツチング装置」という
）に適用される微細加工方法に関する。
エツチング装置（以下ｒＥＣＲエツチング装置」という
）に適用される微細加工方法に関する。
第２図は従来のＥＣＲエツチング装置を示す概略構成図
である。同図に示すように、筒状の第１の反応室１内に
は、半導体ウェハ２を載置・保持するためのステージ３
が配置される。また、第１の反応室１の上方に連設して
第２の反応室４が形成される。この第２の反応室４には
、ガス導入管５が押通されており、このガス導入管５を
介して第２の反応室４に反応ガスを流入することができ
る。また、第２の反応室４の上方位置に石英窓６ａが形
成されるとともに、その石英窓６ａに導波管６が接続さ
れて、その導波管６および石英窓６ａを介して第２の反
応室４内に所定周波数のマイクロ波が導入される。さら
に、第２の反応室４の外周部にはコイル７が設けられて
、ステ、−ジ３上に載置された半導体ウェハ２の表面に
対し垂直方向に所定の磁束密度の磁界が与えられる。こ
うして、第２の反応室４では、電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）条件が満足されて高密度のガスプラズマが生
成されるように構成している。
である。同図に示すように、筒状の第１の反応室１内に
は、半導体ウェハ２を載置・保持するためのステージ３
が配置される。また、第１の反応室１の上方に連設して
第２の反応室４が形成される。この第２の反応室４には
、ガス導入管５が押通されており、このガス導入管５を
介して第２の反応室４に反応ガスを流入することができ
る。また、第２の反応室４の上方位置に石英窓６ａが形
成されるとともに、その石英窓６ａに導波管６が接続さ
れて、その導波管６および石英窓６ａを介して第２の反
応室４内に所定周波数のマイクロ波が導入される。さら
に、第２の反応室４の外周部にはコイル７が設けられて
、ステ、−ジ３上に載置された半導体ウェハ２の表面に
対し垂直方向に所定の磁束密度の磁界が与えられる。こ
うして、第２の反応室４では、電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）条件が満足されて高密度のガスプラズマが生
成されるように構成している。
また、第１の反応室１の下方に排気口８ａが形成され、
その排気口８ａに接続された排気管８を介して図示しな
い真空ポンプに接続されており、第１および第２の反応
室１．４内が真空排気されるとともに、第１および第２
の反応室１，４内の真空気密が保てるように構成されて
いる。
その排気口８ａに接続された排気管８を介して図示しな
い真空ポンプに接続されており、第１および第２の反応
室１．４内が真空排気されるとともに、第１および第２
の反応室１，４内の真空気密が保てるように構成されて
いる。
このＥＣＲエツチング装置において、半導体ウェハ２の
エツチング処理を施すには、まず第１および第２の反応
室１．４内を真空排気する。つづいて、排気を行いなが
ら、ガス導入管５を介して第２の反応室４内に所定流量
で反応ガスを流入して所定の圧力に設定するとともに、
第２の反応室４内に磁界とマイクロ波とを印加してガス
プラズマを発生させる。そして、このようにして第２の
反応室４で発生したガスプラズマを磁力線に沿って第１
の反応室１に導き、このプラズマにより半導体ウェハ２
をエツチングする。
エツチング処理を施すには、まず第１および第２の反応
室１．４内を真空排気する。つづいて、排気を行いなが
ら、ガス導入管５を介して第２の反応室４内に所定流量
で反応ガスを流入して所定の圧力に設定するとともに、
第２の反応室４内に磁界とマイクロ波とを印加してガス
プラズマを発生させる。そして、このようにして第２の
反応室４で発生したガスプラズマを磁力線に沿って第１
の反応室１に導き、このプラズマにより半導体ウェハ２
をエツチングする。
〔発明が解決しようとする課題〕
ここで、反応ガスとして例えば塩素ガス０匹２を流入し
、上記のようにしてエツチング処理を行った場合のガス
プラズマ、すなわち塩素イオンＣＩ＋の動きについて考
えてみる。第３図はその動きを示す模式図である。同図
において、１０は上記のようにして形成されたプラズマ
領域であり、このプラズマ領域１０には塩素イオンＣＩ
＋が存在している。なお、同図に示したベクトルの大き
さは塩素イオン（１）“がもっているエネルギーの大き
さを示し、ベクトルの向きはその塩素イオンＣ２＋の運
動方向を示している。同図かられかるように、塩素イオ
ンＣＩ＋は比較的大きなエネルギーを持ち、無秩序に運
動している。
、上記のようにしてエツチング処理を行った場合のガス
プラズマ、すなわち塩素イオンＣＩ＋の動きについて考
えてみる。第３図はその動きを示す模式図である。同図
において、１０は上記のようにして形成されたプラズマ
領域であり、このプラズマ領域１０には塩素イオンＣＩ
＋が存在している。なお、同図に示したベクトルの大き
さは塩素イオン（１）“がもっているエネルギーの大き
さを示し、ベクトルの向きはその塩素イオンＣ２＋の運
動方向を示している。同図かられかるように、塩素イオ
ンＣＩ＋は比較的大きなエネルギーを持ち、無秩序に運
動している。
同図において、１１はシース領域であり、このシース領
域１１には従来より周知のように半導体ウェハ２の表面
に対し垂直な方向にシース電界Ｅが生じている。したが
って、このシース領域１１に塩素イオンＣＩ＋が到達す
ると、シース電界Ｅの影響を受けて、シース領域１１内
に進み、そのシース領域１１内での塩素イオンＣＩ＋の
移動方向がそのイオンＣ９“のベクトルとシース電界Ｅ
とのベクトル和によって決定される。そのため、プラズ
マ領域１０からシース領域１１に移動してきたときの運
動方向が半導体ウェハ２の表面に対しほぼ垂直な方向で
ある塩素イオンＣＩ＋は、半導体ウェハ２に垂直に入射
する。また、その運動方向が半導体ウェハ２の表面に対
し垂直でない場合であっても、シース電界Ｅの大きさが
塩素イオンＣＩ＋が持っているエネルギーよりも十分に
大きければ、その塩素イオンＣＩ はほぼシース電界Ｅ
に沿って移動するようになる。したがって、上記の条件
を満たす塩素イオンＣＩ ばかりであれば異方性の強い
エツチングを行うことができる。
域１１には従来より周知のように半導体ウェハ２の表面
に対し垂直な方向にシース電界Ｅが生じている。したが
って、このシース領域１１に塩素イオンＣＩ＋が到達す
ると、シース電界Ｅの影響を受けて、シース領域１１内
に進み、そのシース領域１１内での塩素イオンＣＩ＋の
移動方向がそのイオンＣ９“のベクトルとシース電界Ｅ
とのベクトル和によって決定される。そのため、プラズ
マ領域１０からシース領域１１に移動してきたときの運
動方向が半導体ウェハ２の表面に対しほぼ垂直な方向で
ある塩素イオンＣＩ＋は、半導体ウェハ２に垂直に入射
する。また、その運動方向が半導体ウェハ２の表面に対
し垂直でない場合であっても、シース電界Ｅの大きさが
塩素イオンＣＩ＋が持っているエネルギーよりも十分に
大きければ、その塩素イオンＣＩ はほぼシース電界Ｅ
に沿って移動するようになる。したがって、上記の条件
を満たす塩素イオンＣＩ ばかりであれば異方性の強い
エツチングを行うことができる。
しかしながら、実際には塩素イオンＣＩ＋は上記のよう
に無秩序に運動しているために、シース電界Ｅの方向と
ほぼ同一方向に運動をしている塩素イオンＣ１はわずか
じか存在していない。それに加えて、塩素イオン（ｌＩ
が持っているエネルギーはシース電界Ｅの大きさに
比べてかなり大きいために、第３図に示すように半導体
ウニ／Ｘ２の表面に到達する塩素イオンＣＩ２＋のうち
その表面に垂直に入射する割合は一定の限度に限られて
、充分な異方性をもったエツチングを行うことができな
い。
に無秩序に運動しているために、シース電界Ｅの方向と
ほぼ同一方向に運動をしている塩素イオンＣ１はわずか
じか存在していない。それに加えて、塩素イオン（ｌＩ
が持っているエネルギーはシース電界Ｅの大きさに
比べてかなり大きいために、第３図に示すように半導体
ウニ／Ｘ２の表面に到達する塩素イオンＣＩ２＋のうち
その表面に垂直に入射する割合は一定の限度に限られて
、充分な異方性をもったエツチングを行うことができな
い。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、より異方性の強いエツチングを行うことがで
きる微細加工方法を提供することを目的とする。
たもので、より異方性の強いエツチングを行うことがで
きる微細加工方法を提供することを目的とする。
この発明にかかる微細加工方法は、真空排気された反応
室にハロゲン含有ガスを流入しながら、前記反応室内に
マイクロ波と磁界を印加して電子サイクロトロン共鳴に
よりプラズマを形成し、そのプラズマにより半導体ウェ
ハをエツチング処理する微細加工方法であって、前記エ
ツチング処理に寄与するハロゲン反応活性種よりも質量
が小さく、かつプラズマ状態において安定な添加ガスを
前記ハロゲン含有ガスと混合して前記反応室に流入する
ようにしている。
室にハロゲン含有ガスを流入しながら、前記反応室内に
マイクロ波と磁界を印加して電子サイクロトロン共鳴に
よりプラズマを形成し、そのプラズマにより半導体ウェ
ハをエツチング処理する微細加工方法であって、前記エ
ツチング処理に寄与するハロゲン反応活性種よりも質量
が小さく、かつプラズマ状態において安定な添加ガスを
前記ハロゲン含有ガスと混合して前記反応室に流入する
ようにしている。
この発明では、電子サイ−クロトロン共鳴によりプラズ
マを形成するにあたり、エツチング処理に寄与するハロ
ゲン反応活性種よりも質量が小さく、かつプラズマ状態
において安定な添加ガスをハロゲン含有ガスと混合しな
がら反応室に流入するようにしているため、生成される
プラズマ領域は、ハロゲン反応活性種と前記添加ガスの
ガスプラズマにより構成される。したがって、そのプラ
ズマ領域において前記ハロゲン反応活性種が持つエネル
ギーが低く抑えられる。その結果、前記ハロゲン反応活
性種が半導体ウェハの表面近傍に生じるシース電界にほ
ぼ沿って前記半導体ウェハの表面に入射し、異方性の高
いエツチング処理が行われる。
マを形成するにあたり、エツチング処理に寄与するハロ
ゲン反応活性種よりも質量が小さく、かつプラズマ状態
において安定な添加ガスをハロゲン含有ガスと混合しな
がら反応室に流入するようにしているため、生成される
プラズマ領域は、ハロゲン反応活性種と前記添加ガスの
ガスプラズマにより構成される。したがって、そのプラ
ズマ領域において前記ハロゲン反応活性種が持つエネル
ギーが低く抑えられる。その結果、前記ハロゲン反応活
性種が半導体ウェハの表面近傍に生じるシース電界にほ
ぼ沿って前記半導体ウェハの表面に入射し、異方性の高
いエツチング処理が行われる。
この発明にかかる微細加工方法は、第２図に示したＥＣ
Ｒエツチング装置に適用可能である。なお、そのＥＣＲ
エツチング装置の構成についてはすでに言及しているた
め、ここではその説明を省略する。
Ｒエツチング装置に適用可能である。なお、そのＥＣＲ
エツチング装置の構成についてはすでに言及しているた
め、ここではその説明を省略する。
次に、この発明にかかる微細加工方法の一実施例につい
て第１図および第２図を参照しつつ説明する。この実施
例においては、まず反応ガスとして塩素ガスＣＩ□を用
意するとともに、添加ガスとして塩素ＣＩよりも質量が
小さく、しかもプラズマ状態でも安定なヘリウムガスＨ
ｅを用意する。
て第１図および第２図を参照しつつ説明する。この実施
例においては、まず反応ガスとして塩素ガスＣＩ□を用
意するとともに、添加ガスとして塩素ＣＩよりも質量が
小さく、しかもプラズマ状態でも安定なヘリウムガスＨ
ｅを用意する。
なお、反応ガスとして、塩素ガスＣ１２以外にＨＦ、Ｈ
ＣＪ）、ＨＢｒ、Ｈｌ、Ｆ 、Ｂｒ２あるいはＩ２の
ガスを用いてもよい。また、それらＨＦ等のガスおよび
塩素ガスＣＩ□のうちの適当なものを混合した混合ガス
を用いてもよい。一方、添加ガスとして、ヘリウムガス
Ｈｅの代わりにＮ２゜Ｎ２あるいはＮｅのガスを用いて
もよく。また、それらＮ２等のガスおよびヘリウムガス
Ｈｅのうち適当なものを混合した混合ガスを用いてもよ
い。
ＣＪ）、ＨＢｒ、Ｈｌ、Ｆ 、Ｂｒ２あるいはＩ２の
ガスを用いてもよい。また、それらＨＦ等のガスおよび
塩素ガスＣＩ□のうちの適当なものを混合した混合ガス
を用いてもよい。一方、添加ガスとして、ヘリウムガス
Ｈｅの代わりにＮ２゜Ｎ２あるいはＮｅのガスを用いて
もよく。また、それらＮ２等のガスおよびヘリウムガス
Ｈｅのうち適当なものを混合した混合ガスを用いてもよ
い。
ただし、後述する理由から添加ガスは反応ガスのハロゲ
ン反応活性種よりも質量が小さく、しかもプラズマ状態
において安定でなければならない。
ン反応活性種よりも質量が小さく、しかもプラズマ状態
において安定でなければならない。
要は、これらの条件を満足するものであれば、上記反応
ガスと添加ガスとを適当に選択することができる。
ガスと添加ガスとを適当に選択することができる。
そして、図示を省略するガス混合器で塩素ガスＣ１）２
（反応ガス）とＨｅのガス（添加ガス）とを適当な割
合で混合し、混合ガス（ＣＩ。＋Ｈｅ）を生成する。
（反応ガス）とＨｅのガス（添加ガス）とを適当な割
合で混合し、混合ガス（ＣＩ。＋Ｈｅ）を生成する。
一方、上記混合ガス（ＣＩ ２ ＋ Ｈｅ ）の生成と
並行して、第１および第２の反応室１．４内を真空排気
する。つづいて、排気を行いながら、ガス導入管５を介
して第２の反応室４内に所定流量で混合ガス（ＣＥｌ
２ ＋ Ｈｅ ）を流入して所定の圧力に設定するとと
もに、第２の反応室４内に磁界とマイクロ波とを印加し
てガスプラズマを発生させる。
並行して、第１および第２の反応室１．４内を真空排気
する。つづいて、排気を行いながら、ガス導入管５を介
して第２の反応室４内に所定流量で混合ガス（ＣＥｌ
２ ＋ Ｈｅ ）を流入して所定の圧力に設定するとと
もに、第２の反応室４内に磁界とマイクロ波とを印加し
てガスプラズマを発生させる。
第１図は上記のようにして形成されたガスプラズマの動
きを模式的に表した図である。なお、同図においても、
上記のように、ベクトルの向きは各イオンの運動方向を
、またその大きさは各イオンのもっているエネルギーの
大きさをそれぞれ示している。第１図と第３図を比較し
てわかるように、この実施例のプラズマ領域１０におけ
る塩素イオンＣＩ のエネルギーが従来例のそれよりも
かなり小さくなっている。
きを模式的に表した図である。なお、同図においても、
上記のように、ベクトルの向きは各イオンの運動方向を
、またその大きさは各イオンのもっているエネルギーの
大きさをそれぞれ示している。第１図と第３図を比較し
てわかるように、この実施例のプラズマ領域１０におけ
る塩素イオンＣＩ のエネルギーが従来例のそれよりも
かなり小さくなっている。
ここで、その理由について考えてみる。従来より周知の
ように、質量が相互に異なる複数のイオンがプラズマ領
域に存在するとき、各イオンのもつエネルギーはそれぞ
れの質量の逆数に比例する。
ように、質量が相互に異なる複数のイオンがプラズマ領
域に存在するとき、各イオンのもつエネルギーはそれぞ
れの質量の逆数に比例する。
したがって、上記のように、プラズマ領域１０に塩素イ
オンＣＩ とヘリウムイオンＨｅ とが存在する場合
、ヘリウムイオンＨｅ＋がもつエネルギーは比較的大き
いのに対し、塩素イオンＣＩ＋のそれはかなり低く抑え
られる。言い換えれば、塩素イオンＣｆＩ のエネルギ
ーの一部が上記のようにして形成されたヘリウムイオン
Ｈｅ によって奪われて、従来の場合（プラズマ領域
１０に塩素イオンＣＩ のみが存在する場合：第３図）
に比べて塩素イオンＣＩ のエネルギーが低くなる。
オンＣＩ とヘリウムイオンＨｅ とが存在する場合
、ヘリウムイオンＨｅ＋がもつエネルギーは比較的大き
いのに対し、塩素イオンＣＩ＋のそれはかなり低く抑え
られる。言い換えれば、塩素イオンＣｆＩ のエネルギ
ーの一部が上記のようにして形成されたヘリウムイオン
Ｈｅ によって奪われて、従来の場合（プラズマ領域
１０に塩素イオンＣＩ のみが存在する場合：第３図）
に比べて塩素イオンＣＩ のエネルギーが低くなる。
このようにエネルギーが低く抑えられた塩素イオンＣＩ
がシース領域１１内に進入すると、その塩素イオンＣ
量 の運動方向がシース電界Ｅのそれと一致していなく
とも、それら塩素イオンＣＩ＋とシース電界Ｅとのベク
トル和はシース電界Ｅのベクトルに近いものとなる。す
なわち、その塩素イオンＣＩ はシース電界Ｅにほぼ沿
って半導体ウェハ２の表面に導かれ、半導体ウェハ２に
ほぼ垂直に入射される。その結果、その塩素イオンＣｆ
Ｉ により半導体ウェハ２が従来に比べてより強い異方
性をもってエツチング処理される。
がシース領域１１内に進入すると、その塩素イオンＣ
量 の運動方向がシース電界Ｅのそれと一致していなく
とも、それら塩素イオンＣＩ＋とシース電界Ｅとのベク
トル和はシース電界Ｅのベクトルに近いものとなる。す
なわち、その塩素イオンＣＩ はシース電界Ｅにほぼ沿
って半導体ウェハ２の表面に導かれ、半導体ウェハ２に
ほぼ垂直に入射される。その結果、その塩素イオンＣｆ
Ｉ により半導体ウェハ２が従来に比べてより強い異方
性をもってエツチング処理される。
なお、上記実施例では、反応ガスとして塩素ガスＣ１２
を、また添加ガスとしてヘリウムガスＨｅを選択した場
合を取り上げて説明したが、上記のように所定条件を満
足した適当な組合せをもって反応および添加ガスをそれ
ぞれ選択した場合においても、同様な理由からハロゲン
反応活性種のエネルギーを低く抑えることが可能であり
、異方性の高いエツチング処理が可能となる。
を、また添加ガスとしてヘリウムガスＨｅを選択した場
合を取り上げて説明したが、上記のように所定条件を満
足した適当な組合せをもって反応および添加ガスをそれ
ぞれ選択した場合においても、同様な理由からハロゲン
反応活性種のエネルギーを低く抑えることが可能であり
、異方性の高いエツチング処理が可能となる。
また、上記実施例では、ガス混合器で混合ガス（ＣＩ
２ ＋ Ｈｅ ）を生成し、その混合ガスを第２の反応
室４に流入するようにしているが、反応および添加ガス
の双方を同時に第２の反応室４に流入したり、先にガス
導入管５を介して反応ガスを第２の反応室４に流入し、
その後でさらに添加ガスを流入するようにしても、ある
いはその逆の手順で行ってもよい。
２ ＋ Ｈｅ ）を生成し、その混合ガスを第２の反応
室４に流入するようにしているが、反応および添加ガス
の双方を同時に第２の反応室４に流入したり、先にガス
導入管５を介して反応ガスを第２の反応室４に流入し、
その後でさらに添加ガスを流入するようにしても、ある
いはその逆の手順で行ってもよい。
以上のように、この発明によれば、エツチング処理に寄
与するハロゲン反応活性種よりも質量が小さく、かつプ
ラズマ状態において安定な添加ガスをハロゲン含有ガス
と混合しながら反応室に流入しているため、生成される
プラズマ領域で前記ハロゲン反応活性種が持つエネルギ
ーを抑えることができる。その結果、前記ハロゲン反応
活性種を半導体ウェハの表面にほぼ垂直に入射させるこ
とができ、より異方性の強いエツチング処理を行うこと
ができる。
与するハロゲン反応活性種よりも質量が小さく、かつプ
ラズマ状態において安定な添加ガスをハロゲン含有ガス
と混合しながら反応室に流入しているため、生成される
プラズマ領域で前記ハロゲン反応活性種が持つエネルギ
ーを抑えることができる。その結果、前記ハロゲン反応
活性種を半導体ウェハの表面にほぼ垂直に入射させるこ
とができ、より異方性の強いエツチング処理を行うこと
ができる。
第１図はこの発明台かかる微細加工方法を説明するため
の説明図、第２図はその微細加工方法を適用可能なＥＣ
Ｒエツチング装置の構成図、第３図は従来の微細加工方
法を説明するための説明図である。 図において、１は第１の反応室、２は半導体ウェハ、４
は第２の反応室である。 なお、 各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
の説明図、第２図はその微細加工方法を適用可能なＥＣ
Ｒエツチング装置の構成図、第３図は従来の微細加工方
法を説明するための説明図である。 図において、１は第１の反応室、２は半導体ウェハ、４
は第２の反応室である。 なお、 各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）真空排気された反応室にハロゲン含有ガスを流入
しながら、前記反応室内にマイクロ波と磁界を印加して
電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを形成し、その
プラズマにより半導体ウェハをエッチング処理する微細
加工方法において、前記エッチング処理に寄与するハロ
ゲン反応活性種よりも質量が小さく、かつプラズマ状態
において安定な添加ガスを前記ハロゲン含有ガスと混合
して前記反応室に流入することを特徴とする微細加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319538A JPH0828347B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1319538A JPH0828347B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 微細加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180032A true JPH03180032A (ja) | 1991-08-06 |
| JPH0828347B2 JPH0828347B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=18111365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1319538A Expired - Lifetime JPH0828347B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828347B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6447028A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Sumitomo Metal Ind | Plasma device |
| JPH02299227A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Seiko Epson Corp | 化合物半導体のエッチング方法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP1319538A patent/JPH0828347B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6447028A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Sumitomo Metal Ind | Plasma device |
| JPH02299227A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Seiko Epson Corp | 化合物半導体のエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828347B2 (ja) | 1996-03-21 |
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