JPH0317995A - 薄膜赤色el素子の製造方法 - Google Patents
薄膜赤色el素子の製造方法Info
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- JPH0317995A JPH0317995A JP1152782A JP15278289A JPH0317995A JP H0317995 A JPH0317995 A JP H0317995A JP 1152782 A JP1152782 A JP 1152782A JP 15278289 A JP15278289 A JP 15278289A JP H0317995 A JPH0317995 A JP H0317995A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910021570 Manganese(II) fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910018672 Mn—F Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L difluoromanganese Chemical compound F[Mn]F CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 101100348958 Caenorhabditis elegans smf-3 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910021175 SmF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005132 Calcium sulfide based phosphorescent agent Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、薄膜赤色EL素子の製造方法に係り、特に薄
膜形交流ELDに用いられる薄膜赤色EL素子の製造方
法に関する。
膜形交流ELDに用いられる薄膜赤色EL素子の製造方
法に関する。
[従来の技術]
薄膜赤色EL素子の発光層としては、現在一般的にCa
S: EuまたはZnS:SmF3が使用されている。
S: EuまたはZnS:SmF3が使用されている。
従来は前記発光層の各材料を真空蒸着装置内に設けた1
個の蒸着源に投入し、成膜を行っている。
個の蒸着源に投入し、成膜を行っている。
[発明が解決しようとする課題コ
しかしながら上記従来の技術による薄膜赤色EL素子に
おいては、CaS: Euの場合CaS母材に耐エッチ
ャント性、耐水性等、安定性の面で問題がある。またZ
nS:SmF3は母材の安定性は高いが輝度が低いとい
う問題点がある。
おいては、CaS: Euの場合CaS母材に耐エッチ
ャント性、耐水性等、安定性の面で問題がある。またZ
nS:SmF3は母材の安定性は高いが輝度が低いとい
う問題点がある。
本発明は上記従来の問題点に着目し、安定性に優れ、輝
度の高い薄膜赤色EL素子の製造方法を提供することを
目的とする。
度の高い薄膜赤色EL素子の製造方法を提供することを
目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために本発明に係る薄膜赤色EL素
子の製造方法は、薄膜EL素子の製造において、Zn,
SおよびM n F 2の3種類の蒸着材を、真空蒸着
装置内でそれぞれ独立に制御しつつ蒸着させることによ
って発光層の成膜を行うこととした。
子の製造方法は、薄膜EL素子の製造において、Zn,
SおよびM n F 2の3種類の蒸着材を、真空蒸着
装置内でそれぞれ独立に制御しつつ蒸着させることによ
って発光層の成膜を行うこととした。
[作用]
上記製造方法によれば、Zn,S,MnF2の3種類の
蒸着材を、真空蒸着装置内でそれぞれ独立に制御しつつ
蒸着させることにしたので、ZnとSどのat%を管理
しつつSの供給量を増すことにより、ZnS系に見られ
非輻射遷移の原因になり得るS欠陥を減らすことができ
る。またMnF2の濃度を容易に変えることができるの
で、MnF2濃度の最適化が容易にできる。これらによ
り、Mn−F発光中心による高輝度な発光を得ることが
できる。
蒸着材を、真空蒸着装置内でそれぞれ独立に制御しつつ
蒸着させることにしたので、ZnとSどのat%を管理
しつつSの供給量を増すことにより、ZnS系に見られ
非輻射遷移の原因になり得るS欠陥を減らすことができ
る。またMnF2の濃度を容易に変えることができるの
で、MnF2濃度の最適化が容易にできる。これらによ
り、Mn−F発光中心による高輝度な発光を得ることが
できる。
またMn−Fを発光中心とする発光色は、Mnを発光中
心とする発光色よりも長波長側(赤側)にシフトするこ
とが分かつており、このため赤色フィルタと組み合わせ
た場合、フィルタを透過する率が増大し結果的に高輝度
な赤色発光を得ることができる. [実施例] 以下に本発明に係る薄膜赤色EL素子の製造方法の実施
例について、図面を参照して詳細に説明する。
心とする発光色よりも長波長側(赤側)にシフトするこ
とが分かつており、このため赤色フィルタと組み合わせ
た場合、フィルタを透過する率が増大し結果的に高輝度
な赤色発光を得ることができる. [実施例] 以下に本発明に係る薄膜赤色EL素子の製造方法の実施
例について、図面を参照して詳細に説明する。
第1図は実施例に係る薄膜赤色EL素子の発光層を成膜
する真空蒸着装置の概念図である。チャンバ1内にZn
用蒸着源2、S用蒸着源3およびM n F 2用蒸着
源4が設置され、各蒸着源の上方には蒸着量を独立に制
御するシャッタ5がそれぞれ設けられている。なお6は
基板、7はバルブ、8は真空ボンブである。
する真空蒸着装置の概念図である。チャンバ1内にZn
用蒸着源2、S用蒸着源3およびM n F 2用蒸着
源4が設置され、各蒸着源の上方には蒸着量を独立に制
御するシャッタ5がそれぞれ設けられている。なお6は
基板、7はバルブ、8は真空ボンブである。
上記真空蒸着装置を用いて第2図に示すEL素子の発光
層を成膜した。第2図において、ガラス基板9上に透明
電極lOとしてITOを電子ビーム蒸着法により150
0人の厚さに成膜し、更に絶縁層1lとしてTa205
をスパッタ法により5000Aの厚さに成膜した上、発
光層12としてZnS:MnFを第1図の真空蒸着装置
により6000Aの厚さに成膜した。その上に絶縁層1
3としてTa20sをスパッタ法により5000Aの厚
さに成膜し、背面電極14としてA2を、電子ビーム蒸
着法により3000Aの厚さに成膜した。またガラス基
板9上に赤色フィルタ15を取り付けた。
層を成膜した。第2図において、ガラス基板9上に透明
電極lOとしてITOを電子ビーム蒸着法により150
0人の厚さに成膜し、更に絶縁層1lとしてTa205
をスパッタ法により5000Aの厚さに成膜した上、発
光層12としてZnS:MnFを第1図の真空蒸着装置
により6000Aの厚さに成膜した。その上に絶縁層1
3としてTa20sをスパッタ法により5000Aの厚
さに成膜し、背面電極14としてA2を、電子ビーム蒸
着法により3000Aの厚さに成膜した。またガラス基
板9上に赤色フィルタ15を取り付けた。
このような本実施例で得られたELスペクトルを第3図
に示す。Mnを発光中心とする発光色のピーク波長58
5nmに対し、Mn−Fを発光中心とする発光色のピー
ク波長は長波長側すなわち赤側にシフトしているため、
赤色フィルタを透過する光量が増加し、高輝度の赤色発
光が得られた。
に示す。Mnを発光中心とする発光色のピーク波長58
5nmに対し、Mn−Fを発光中心とする発光色のピー
ク波長は長波長側すなわち赤側にシフトしているため、
赤色フィルタを透過する光量が増加し、高輝度の赤色発
光が得られた。
本実施例では赤色フィルタをガラス基板上に取着したが
これに限るものではなく、取り出される光の進路上であ
れば他の任意の箇所に設置してもよい。
これに限るものではなく、取り出される光の進路上であ
れば他の任意の箇所に設置してもよい。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、Zn,S,M n
F 2の3種類の蒸着源を、真空蒸着装置内でそれぞ
れ独立に制御しつつ真空蒸着させることにしたので、Z
nS系に見られるS欠陥を減らし、M n F 2濃度
の最適化が容易にできる。これらにより発光層は安定性
に優れ、Mn−F発光中心による高輝度な発光を得るこ
とができる。
F 2の3種類の蒸着源を、真空蒸着装置内でそれぞ
れ独立に制御しつつ真空蒸着させることにしたので、Z
nS系に見られるS欠陥を減らし、M n F 2濃度
の最適化が容易にできる。これらにより発光層は安定性
に優れ、Mn−F発光中心による高輝度な発光を得るこ
とができる。
またMn−Fを発光中心とする発光色はMnを発光中心
とする発光色よりも長波長側にあるので、赤色フィルタ
と組み合わせた場合フィルタを透過する率が増大し、高
輝度な赤色発光を得ることができる.
とする発光色よりも長波長側にあるので、赤色フィルタ
と組み合わせた場合フィルタを透過する率が増大し、高
輝度な赤色発光を得ることができる.
第1図は実施例に係る薄膜赤色EL素子の製造方法にお
いて、発光層の成膜に用いる真空蒸着装置の概念図、第
2図は薄膜EL素子の構造説明図、第3図は実施例に係
る薄膜赤色EL素子によって得られたELスペクトル図
である。 2・・・・・・Zn用蒸着源 3・・・・・・S用蒸着源 4・・・・・・M n ’F 2用蒸着源5・・・・・
・シャッタ 6・・・・・・基板 12・・・・・・発光層
いて、発光層の成膜に用いる真空蒸着装置の概念図、第
2図は薄膜EL素子の構造説明図、第3図は実施例に係
る薄膜赤色EL素子によって得られたELスペクトル図
である。 2・・・・・・Zn用蒸着源 3・・・・・・S用蒸着源 4・・・・・・M n ’F 2用蒸着源5・・・・・
・シャッタ 6・・・・・・基板 12・・・・・・発光層
Claims (1)
- 薄膜EL素子の製造において、Zn,SおよびMnF
_2の3種類の蒸着材を、真空蒸着装置内でそれぞれ独
立に制御しつつ蒸着させることによって発光層の成膜を
行うことを特徴とする薄膜赤色EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1152782A JPH0317995A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 薄膜赤色el素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1152782A JPH0317995A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 薄膜赤色el素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0317995A true JPH0317995A (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=15548032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1152782A Pending JPH0317995A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 薄膜赤色el素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0317995A (ja) |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1152782A patent/JPH0317995A/ja active Pending
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