JPH03171576A - 狭ピッチプラグ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野Ｊ この発明はコンタクト間隔が狭い狭ピンチプラグに関す
る。

「従来の技術」 従来のプラグは第７図に示すように合成樹脂材のインシ
ュレータ２に、金属板で作られたコンタクト３が紐み込
まれて構威されていた。そのインシュレータ２はモール
ドで作られ、コンタクト３はプレスで作られていた。こ
の例ではインシュレータ２の両端にガイドピン４が植込
まれている。

「発明が解決しようとする諜題」 以上述べたように従来のプラグはインシュレータ２とコ
ンタクト３とを別々に作り、これらを組み立てる構造で
あるため、コンタクト３を固定するための機構が必要と
なり、構造が複雑となっていた。

またインシュレータ２をモールドで作り、コンタクト３
をプレスで作っているため、コンタクトの狭ピンチ化が
難しかった。

この発明の目的は構造が簡単でコンタクトを狭ビノチ化
することが容易な狭ピソチプラグを提供することにある
。

「課題を解決するための千段」 この発明の狭ピッチプラグでは、絶縁性結晶性基板の前
半部が、その上面より底面に向けてエンチングされて、
複数の櫛の歯状突片が前方に突出して平行に形成される
。なお、上記エンチングは、上記上面より底面に向う上
下方向よりも、その上下方向と直角な方向のエンチング
速度が遅いものである。

上記突片の少なくとも上面に、導電性材零４層のコンタ
クトが形成される。

そのコンタクトの形成された上記絶縁性結晶性基板の後
半部がハウジング内に収容保持される。

また、他の構或として、上記櫛の歯状突片の底面は、上
記後半部の底面と同一平面上にあり、その突片の底面よ
り上面迄の厚さは、上記後半部のそれより小さく形成さ
れ、一対の上記絶縁性結晶性基板が、上面を対向させた
状態で、後半部を互いに接合され、一体化されて、対向
する櫛の歯状突片の間に嵌合凹部が形成され、その一体
化された一対の絶縁性結晶性基板の上記後半部がハウジ
ング内に収容保持されている狭ピッチプラグも有用であ
る。

上記櫛の歯状突片の基部側に厚味の薄い肉薄部を形成す
るのが望ましい。

「作　用ｊ 絶縁性結晶性基板に櫛の歯状突片を形成し、これにコン
タクトを導電性材料層で形成し、その絶縁性結晶性基板
をハウジングに組み込むものであるからその組み立てが
頗る簡単である。

また絶縁性結晶性基板にフォトリソグラフィを利用して
耐工冫チング材のパターンを形成し、これに対して異方
性エッチングにより上記基板の厚味方向よりも厚味方向
と直角な方向のエッチング速度が遅いエッチングを行う
ことにより、一定幅の突片を極めて狭ピッチで再現性よ
く作ることができる。

「実施例ｊ 第１図乃至第３図にこの発明の実施例の要部を示す。絶
縁性結晶性基板（以下節単に基板と言う場合が多い）５
は例えば単結晶シリコンの（１００）基板であり、この
基板５の前半部、つまり前面側の一半部のスリ７トを形
成すべき箇所以外の所に、フォトリソグラフィ工程によ
り保護膜を付け、アルカリエンチングなどの異方性エノ
チングを行うことにより、シリコンの結晶性により決ま
る定形のスリノト６を複数本平行ｔこ形成する。これら
スリソト６の側面に対するエソチング速度が遅く、スリ
ノト６の側面は（１１１）　となる。隣接するスゾット
６の間にそれぞれ櫛の歯状の突片７が前方に突出して形
成される。第ｌ図の例では更に突片７の基部側に厚味の
薄い肉薄部８が形成される。

これら突片７の上面及び側面に金などの導電性材料を蒸
着などの方法により付着させ、更に熱処理を行ってシリ
コンと金との界面での固相拡散を行い強固に付着したコ
ンタクト９を形成する。この例では第３図に示すように
、突片７の前端よりコンタクト９と連続して基板５の底
面上を後方に延長した端子部９ａを同時に形成した場合
である。

コンタクト９の厚さは電流容量によっても異なるが、一
般に０．　５μｍ程度とされる。端子部９ａに配線板（
プリント基板又はＦＰＣ　（フレキシブルプリント回路
）等）１０の導体パターン１０ａが接続される。基板５
の他半部を配線板の端部と共に第ｌ図に示すように合或
樹脂材のハウジング１１内に収容保持し、突片７をハウ
ジング１１の前端より突出させる。

この例では基板５０両側面を異方性エンチングを行って
（１１１）とすることにより斜面が形成されでいる。

なお相手ジャック１５は第４図に示すように、絶縁材の
ハウジングｌ６に、絶縁性結晶性基板１７に異方性エッ
チング等を行ったソケソト部１８が収容保持されて構成
される。ソケソト部１８の前面に、突片７が嵌合する溝
１９が形成され、溝１９の底面及び側面等には前述と同
様にコンタクト２０が形成されている。

プラグ１とジャックｌ５との結合の際、プラグのコンタ
クト９の位置決めのためにガイドピン４がハウジング１
１の前面の両端部に突片７よりも突出して設けられ、ガ
イドピン４が挿入される孔２１がジャンクのハウジング
１６の前面に形成される。

第４図にこの発明の他の実施例を示し、第１図と対応す
る部分には同一符号を付けてある。

この例では、絶縁性結晶性基板５の前半部に形成された
櫛の歯状突片７の底面７ｂは、基板５の後半部の底面７
ｄと連続されて、同一平面上にあり、突片７の底面７ｂ
より上面７ａ迄の厚さは、後半部の底而７ｄより上面７
ｃ迄の厚さより小さく形成される（第４図Ｃ）。一対の
基板５が、上面７ａ．７ｃを対向させた状態で、後半部
の上面７ｃを互いに接合され、一体化されて、対向する
櫛の歯状突片７の間に嵌合凹部２２が形成される。

その一対の基板５の後半部がハウジング１１内に収容保
持される。

第４図のブラグ１と結合すべき相手ジャック１５は、第
５図に示すように、絶縁性結晶性基板１７の前端の上下
の面に溝１９が互いに対称に形成されているソケソト部
ｌ８が、ハウジング１６に収容保持されたものである。

プラグ１の一対のコンタクト９が上下一対の溝１９の底
面を挟むよう６こｌ！１９内に挿入され、嵌合凹部２２
内にソケント部１８の上記上下の底面間の部分が嵌合さ
れる。

第４図のブラグ１において、基板５と配線板１０を接続
するには、第７図Ａに示すように、基板５の端子部９ａ
上にマイクロバンプ２３を形成し、この上に配線板１０
の導体パターンを接合させ、加熱して半田付する。両者
の接合部の周囲に接着剤２４を塗布して、互いに固定す
る。

また、他の方法として、第７図已に示すように、一方の
配線板１０を省略し、ボンデングワイヤ２５の一端を一
方の基板の端子部９ａにボンデングし、他端を他方の配
線板１０のパターンにボンデングすることもできる。

上記のマクロパンプ２３を用いた端子部９ａと配線板１
０との接続方法は第ｌ図の実施例にも適用できる。

第１図の例ではハウジングｌＩ内に１枚の基板５を収容
したが、複数の基板５を多段に収容することもできる。

同様に、第５図の例における一対の基板５を多段に収容
するようにしてもよい。これと対応して、相手ジャック
についても同様の構成がとられることは勿論である。

第１図の例において、コンタクト９及び端子部９ａを基
板５の上面側にのみ形成してもよい。

「発明の効果」 以上述べたように、この発明によれば絶縁性結晶性基板
５にコンタクト９を付着形成し、これをハウジングｌｌ
内に組み込むものであるからその組み立て作業が頗る簡
単である。

絶縁性結晶性基板５にフォトリソグラフィ技術と異方性
エソチング技術とを利用して櫛の歯状突片７を形成し、
突片７上に金属を蒸着、熱処理してコンタクト９を形成
するため、極めて寸法精度の良い狭ピンチのプラグを再
現性よく作ることができる。例えば第１図及び第４図の
例ではコンタクト９のピッチとして０．３閣を想定して
いるが、０．１ｍ＋ｎピンチ以下も可能である。また、
加工精度を数μｍ以下にすることもできる。

突片７の基部に肉薄部８を設けた場合には、コンタクト
９は微少な変位が可能となるため、相手ジャノクとの僅
かの寸法誤差を吸収して、相互の接続をいっそう確実な
ものにすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例を示す図で、Ａは正面図、Ｂ
は平面図、Ｃは右側面図、第２図Ａ，　　Ｂ及びＣは第
１図の絶縁性結晶性基板５のそれぞれ側面図、斜視図及
び底面図、第３図は第１図のブラグ１と結合する相手ジ
ャックの斜視図、第４図はこの発明の他の実施例を示す
図で、Ａは正面図、Ｂは平面図、Ｃは右側面図、第５図
は第４図のブラグｌと結合する相手ジャックの斜視図、
第６図は第４図の絶縁性結晶性基板５と配線板１０との
接続方法を示すための断面図、第７図は従来のプラグの
斜視図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性結晶性基板の前半部が、その上面より底面
   に向けてエッチングされて、複数の櫛の歯状突片が前方
   に突出して平行に形成され、 上記エッチングは、上記上面より底面に向う上下方向よ
   りも、その上下方向と直角な方向のエッチング速度が遅
   いものであり、 上記突片の少なくとも上面に、導電性材料層のコンタク
   トが形成され、 そのコンタクトの形成された上記絶縁性結晶性基板の後
   半部がハウジング内に収容保持されている狭ピッチプラ
   グ。
2. （２）上記櫛の歯状突片の底面は、上記後半部の底面と
   同一平面上にあり、その突片の底面より上面迄の厚さは
   、上記後半部のそれより小さく形成され、 一対の上記絶縁性結晶性基板が、上面を対向させた状態
   で、後半部を互いに接合され、一体化されて、対向する
   櫛の歯状突片の間に嵌合凹部が形成され、 その一体化された一対の絶縁性結晶性基板の上記後半部
   がハウジング内に収容保持されている狭ピッチプラグ。
3. （３）上記櫛の歯状突片の基部側に厚味の薄い肉薄部が
   形成されていることを特徴とする請求項（１）又は（２
   ）記載の狭ピッチプラグ。