JPH03171524A - 残留ガスの排出方法 - Google Patents
残留ガスの排出方法Info
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- JPH03171524A JPH03171524A JP31179389A JP31179389A JPH03171524A JP H03171524 A JPH03171524 A JP H03171524A JP 31179389 A JP31179389 A JP 31179389A JP 31179389 A JP31179389 A JP 31179389A JP H03171524 A JPH03171524 A JP H03171524A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ｗｉ 要〕
プラズマディスプレイパネル（ＦＤＰ）などの表示装置
の製造に好適な残留ガスの排出方法に関し、 所定時間における残留ガスの排出量の増大を図ることを
目的とし、 密閉容器の内部を真空状熊とするための特定の残留ガス
の排出方法であって、前記密閉容器を加熱しつつ排気を
行い、加熱状態にて窒素ガスを充填し、再び排気を行う
ことによって当該窒素ガスとともに前記残留ガスを排出
することを特徴として構威される． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＰＤＰや蛍光表示管などの表示装置の製造に
好適な残留ガスの排出方法に関する．ＦＤＰやＣＲＴデ
ィスプレイのように、少なくとも製造段階にて真空状態
が形威される各種の表示装置では、真空状態の良否が装
置の信頼性及び寿命に影響を与える．それ故、残留ガス
をできるだけ除去した良質の真空状態の形成が要望され
ている。
の製造に好適な残留ガスの排出方法に関し、 所定時間における残留ガスの排出量の増大を図ることを
目的とし、 密閉容器の内部を真空状熊とするための特定の残留ガス
の排出方法であって、前記密閉容器を加熱しつつ排気を
行い、加熱状態にて窒素ガスを充填し、再び排気を行う
ことによって当該窒素ガスとともに前記残留ガスを排出
することを特徴として構威される． 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＰＤＰや蛍光表示管などの表示装置の製造に
好適な残留ガスの排出方法に関する．ＦＤＰやＣＲＴデ
ィスプレイのように、少なくとも製造段階にて真空状態
が形威される各種の表示装置では、真空状態の良否が装
置の信頼性及び寿命に影響を与える．それ故、残留ガス
をできるだけ除去した良質の真空状態の形成が要望され
ている。
周知のように、ＦＤＰは、表示面側及び背面側の一対の
透明基板を放電間隙を設けて対向配置し、透明基板の内
側に設けた電極によって画定される放電セルを選択的に
発光可能に構威されている。
透明基板を放電間隙を設けて対向配置し、透明基板の内
側に設けた電極によって画定される放電セルを選択的に
発光可能に構威されている。
例えば、ＡＣ（交流）駆動方式の対向電極型ＰＤＰの製
造においては、一対のガラス基板のそれぞれの表面に、
複数の帯状の電極、誘電体層、保ｉｓを順次形威し、各
ガラス基板の電極が格子状に対向するように両ガラス基
板を所定の間隙を設けて配置し、封止ガラスによって周
囲を密封する。
造においては、一対のガラス基板のそれぞれの表面に、
複数の帯状の電極、誘電体層、保ｉｓを順次形威し、各
ガラス基板の電極が格子状に対向するように両ガラス基
板を所定の間隙を設けて配置し、封止ガラスによって周
囲を密封する。
その後、排気処理によって間隙を真空状態とし、所定の
圧力となるように放電用のガスを封入する。
圧力となるように放電用のガスを封入する。
従来では、排気処理として、一対のガラス基板を加熱（
ベーキング）した状態で、真空ポンプを用いて数時間に
わたる内部気体の吸引が行われていた。
ベーキング）した状態で、真空ポンプを用いて数時間に
わたる内部気体の吸引が行われていた。
言うまでもなく、排気処理においては、残留ガスをでき
る限り排出し、より高真空を得ることが望ましい。
る限り排出し、より高真空を得ることが望ましい。
しかしながら、上述したように加熱状態で吸引を継続す
るだけの従来の排出方法では、加熱温度を適宜選定する
ことによって残留ガスがある程度まで徘出された後は、
その後に長時間の吸引を継続しても、次第に排出量が減
少することとなり、内面に吸着した残留ガスを充分に排
出することができないという問題があった。
るだけの従来の排出方法では、加熱温度を適宜選定する
ことによって残留ガスがある程度まで徘出された後は、
その後に長時間の吸引を継続しても、次第に排出量が減
少することとなり、内面に吸着した残留ガスを充分に排
出することができないという問題があった。
言い換えれば、生産性の上で実際的な時間の排気処理で
は、残留ガスの排出が不十分になるという問題があった
。
は、残留ガスの排出が不十分になるという問題があった
。
このため、例えばＭｇＯ （酸化マグネシウム）などか
らなる保護膜を有したＦＤＰにおいては、製造段階で大
気中から付着した各種の不純或分の内、特にＣＯ（一酸
化炭素）が保護膜に吸着して残留することとなり、これ
によって放電特性や寿命に悪影響が及ぶことがあった。
らなる保護膜を有したＦＤＰにおいては、製造段階で大
気中から付着した各種の不純或分の内、特にＣＯ（一酸
化炭素）が保護膜に吸着して残留することとなり、これ
によって放電特性や寿命に悪影響が及ぶことがあった。
本発明は、上述の問題に鑑み、所定時間における残留ガ
スの排出量の増大を図ることを目的としている． ［課題を解決するための手段］ 本発明は、上述の課題に鑑み、第１図及び第２図に示す
ように、密閉空間ｌ９を真空状態とするための特定の残
留ガスの排出方法であって、前記密閉空間１９を加熱し
つつ排気を行い、加熱状態にて窒素ガスを充填し、再び
排気を行うことによって当該窒素ガスとともに前記残留
ガスを排出することを特徴として構威される。
スの排出量の増大を図ることを目的としている． ［課題を解決するための手段］ 本発明は、上述の課題に鑑み、第１図及び第２図に示す
ように、密閉空間ｌ９を真空状態とするための特定の残
留ガスの排出方法であって、前記密閉空間１９を加熱し
つつ排気を行い、加熱状態にて窒素ガスを充填し、再び
排気を行うことによって当該窒素ガスとともに前記残留
ガスを排出することを特徴として構威される。
密閉空間１９に対して、加熱しつつ排気が行われ、加熱
状態にて窒素ガスが充填される。
状態にて窒素ガスが充填される。
加熱により熱エネルギーを得て内部を運動する窒素ガス
（分子）が、密閉空間１９の内部に吸着している残留ガ
ス（分子）に衝突することにより、両分子間で運動エネ
ルギーの交換が起こり、残留ガスは吸着状態から解放さ
れて密閉空間１９を自由に運動する。
（分子）が、密閉空間１９の内部に吸着している残留ガ
ス（分子）に衝突することにより、両分子間で運動エネ
ルギーの交換が起こり、残留ガスは吸着状態から解放さ
れて密閉空間１９を自由に運動する。
この状態で再び排気を行うことにより、窒素ガスととも
に残留ガスが排出される． 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
に残留ガスが排出される． 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第３図は本発明の実施に係るＰＤＰ Ｉの断面図である
． ＰＤＰ １は、表示側のガラス基板１１、背面側のガラ
ス基板１２、各ガラス基仮１１．．１２の表面に形威さ
れたＸ電極３及びＹ電極４、遮光マスク２０、低融点ガ
ラスからなる誘電体層１５．１６、酸化マグネシウムか
らなる保護層２１，２２、周囲を密封する封止ガラス１
７、及び球状のスペーサ８．８・・・などから構威され
、スペーサ８によって間隙寸法が規定された内部の放電
空間１９には、ネオン（Ｎｅ）及びキセノン（Ｘｅ）の
混合ガスが封入されている。第３図において、ガラス基
板１ｌの上面が表示面となる。
． ＰＤＰ １は、表示側のガラス基板１１、背面側のガラ
ス基板１２、各ガラス基仮１１．．１２の表面に形威さ
れたＸ電極３及びＹ電極４、遮光マスク２０、低融点ガ
ラスからなる誘電体層１５．１６、酸化マグネシウムか
らなる保護層２１，２２、周囲を密封する封止ガラス１
７、及び球状のスペーサ８．８・・・などから構威され
、スペーサ８によって間隙寸法が規定された内部の放電
空間１９には、ネオン（Ｎｅ）及びキセノン（Ｘｅ）の
混合ガスが封入されている。第３図において、ガラス基
板１ｌの上面が表示面となる。
なお、ＰＤＰ １の製造段階においては、放電空間１９
を真空状態とした後に混合ガスを注入するために、封止
ガラス１７に図外の通気路が設けられる． 第２図は本発明を実施するための排気装置３ｏの概略の
構威を示す図である． 排気装置３０は、封止ガラス１７による密封工程を経た
段階の多数のＰＤＰ１ａを一括して加熱可能なベーキン
グ炉３ｌ、配管３４を介して各ＰＤＰ１ａの放電空間１
９の内部気体を吸引する真空ポンプ３２、窒素ガスボン
ベ３５、混合ガスボンベ３Ｇ、及びＰＤＰｌａに対する
排気又はガスの充填を切り換えるための弁装置３３から
構或されている。なお、窒素ガスポンベ３５及び混合ガ
スボンベ３６には、ガス圧を調整するための調圧弁が設
けられている． 第１図は本発明に係る排気処理を示す図である．第２図
をも参照しつつ、まず、多数のＰＤＰ １ａをベーキン
グ炉３１内にてそれぞれ配管３４に接続する。そして、
各ボンベ３５．３６に至る経路が閉じ、配管３４と真空
ボンプ３２とが連通ずるように弁装置３３を切り換える
． 常温で、ＰＤＰ １ ａに対する排気を開始し、放電空
間１９が１ ０−’ ［Ｔｏ ｒ ｒ］程度の真空状態
になった時点１０で、排気を行いっつベーキング炉３１
による加熱を始め、ＰＤＰ１ａを昇温する．加熱により
、放電空間１９の残留ガスの運動が活発になる．したが
って、残留ガスが真空ポンプ３２によって吸引され易く
なり、ベーキング炉３１内の温度が３５０［’Ｃ］に達
した時点ｔ１で、放電空間１９は１ ０−Ｓ［Ｔｏ ｒ
ｒｌ程度の真空状態になる． その後、３５０［”Ｃ］の温度を時点ｔ１〜ｔ２までの
約４時間の期間Ｔにおいて一定に保ち、ベーキングを継
続する． 本実施例では、ベーキング中の期間Ｔにおいて、放電空
間１９への窒素ガス（Ｎ２）の充填と排気とを３０分毎
に交互に行う。
を真空状態とした後に混合ガスを注入するために、封止
ガラス１７に図外の通気路が設けられる． 第２図は本発明を実施するための排気装置３ｏの概略の
構威を示す図である． 排気装置３０は、封止ガラス１７による密封工程を経た
段階の多数のＰＤＰ１ａを一括して加熱可能なベーキン
グ炉３ｌ、配管３４を介して各ＰＤＰ１ａの放電空間１
９の内部気体を吸引する真空ポンプ３２、窒素ガスボン
ベ３５、混合ガスボンベ３Ｇ、及びＰＤＰｌａに対する
排気又はガスの充填を切り換えるための弁装置３３から
構或されている。なお、窒素ガスポンベ３５及び混合ガ
スボンベ３６には、ガス圧を調整するための調圧弁が設
けられている． 第１図は本発明に係る排気処理を示す図である．第２図
をも参照しつつ、まず、多数のＰＤＰ １ａをベーキン
グ炉３１内にてそれぞれ配管３４に接続する。そして、
各ボンベ３５．３６に至る経路が閉じ、配管３４と真空
ボンプ３２とが連通ずるように弁装置３３を切り換える
． 常温で、ＰＤＰ １ ａに対する排気を開始し、放電空
間１９が１ ０−’ ［Ｔｏ ｒ ｒ］程度の真空状態
になった時点１０で、排気を行いっつベーキング炉３１
による加熱を始め、ＰＤＰ１ａを昇温する．加熱により
、放電空間１９の残留ガスの運動が活発になる．したが
って、残留ガスが真空ポンプ３２によって吸引され易く
なり、ベーキング炉３１内の温度が３５０［’Ｃ］に達
した時点ｔ１で、放電空間１９は１ ０−Ｓ［Ｔｏ ｒ
ｒｌ程度の真空状態になる． その後、３５０［”Ｃ］の温度を時点ｔ１〜ｔ２までの
約４時間の期間Ｔにおいて一定に保ち、ベーキングを継
続する． 本実施例では、ベーキング中の期間Ｔにおいて、放電空
間１９への窒素ガス（Ｎ２）の充填と排気とを３０分毎
に交互に行う。
すなわち、時点ｔ１で弁装置３３を切り換え、配管３４
と窒素ガスポンベ３５とを接続し、放電空間１９の圧力
が５００ 〜６００ ［Ｔｏｒｒ］になるようにＮ．を
充填する。
と窒素ガスポンベ３５とを接続し、放電空間１９の圧力
が５００ 〜６００ ［Ｔｏｒｒ］になるようにＮ．を
充填する。
これにより、熱エネルギーを得て放電空間１９を活発に
運動するＮ ｔ （分子）が、保護層２１．２２の表面
などに吸着している残留ガス（分子）に衝突し、両分子
間で運動エネルギーの交換が起こり、残留ガスが弾き飛
ばされるように吸着状態から解放されて放電空間ｌ９で
活発に運動する。
運動するＮ ｔ （分子）が、保護層２１．２２の表面
などに吸着している残留ガス（分子）に衝突し、両分子
間で運動エネルギーの交換が起こり、残留ガスが弾き飛
ばされるように吸着状態から解放されて放電空間ｌ９で
活発に運動する。
１回目のＮｔの充填から３０分が経過した時点で、弁装
置３３を切り換え、一旦、真空ポンプ３２によって放電
空間１９の内部気体の吸引を行う．これにより、吸着状
態から解放された特定の残留ガスは、Ｎ２とともに排気
される． ３０分の排気の後に、２回目のＮ，の充填を行って再び
排気する。以降、Ｎ２の充填及び排気を数回繰り返す． 期間Ｔが終了すると、排気を続けながら、べ一キング炉
３１による保温を停止し、ＰＤＰ １ ａを自然冷却す
る。
置３３を切り換え、一旦、真空ポンプ３２によって放電
空間１９の内部気体の吸引を行う．これにより、吸着状
態から解放された特定の残留ガスは、Ｎ２とともに排気
される． ３０分の排気の後に、２回目のＮ，の充填を行って再び
排気する。以降、Ｎ２の充填及び排気を数回繰り返す． 期間Ｔが終了すると、排気を続けながら、べ一キング炉
３１による保温を停止し、ＰＤＰ １ ａを自然冷却す
る。
その後においては、放電空間ｌ９に、混合ガスボンベ３
６から放電用の混合ガスを５００〜６００ ［Ｔｏ ｒ
ｒ］の圧力になるように封入し、ＰＤＰＩを完戒する
． 上述の実施例によれば、残留ガスの内のＣＯは、Ｎ．と
分子量が等しい（ともに分子量は２８）ので、Ｎ！との
運動エネルギーの交換の効率が高く、吸着状態から解放
されて排出され易い．つまり、分子を衝突させて物理的
に残留ガスの吸着状態を解くために充填するガスをＮ２
とすることにより、特にＰＤＰ １において放電特性や
寿命に対する影響が大きい残留ガスとして知られるＣＯ
を効率よく排出することが可能となり、ＰＤＰ１の信頼
性の向上及び長寿命化を図ることができる． 上述の実施例において、排気処理についての設定条件（
排気プロファイル）、すなわち、加熱温度、Ｎ，の充填
圧力、充填期間又は排気期間の長さ、Ｎ，の充填と排気
の繰り返しの回数などは、排気処理の対象に応じて適宜
設定することができる． 上述の実施例においては、ＰＤＰ １を製造するための
排気処理を例示したが、真空状態の形戒を必要とする各
種の装置、例えば、蛍光表示管やＣＲＴの製造などに際
しても本発明を適用することができる． 〔発明の効果〕 本発明によれば、所定時間における残留ガスの排出量の
増大を図ることができる。
６から放電用の混合ガスを５００〜６００ ［Ｔｏ ｒ
ｒ］の圧力になるように封入し、ＰＤＰＩを完戒する
． 上述の実施例によれば、残留ガスの内のＣＯは、Ｎ．と
分子量が等しい（ともに分子量は２８）ので、Ｎ！との
運動エネルギーの交換の効率が高く、吸着状態から解放
されて排出され易い．つまり、分子を衝突させて物理的
に残留ガスの吸着状態を解くために充填するガスをＮ２
とすることにより、特にＰＤＰ １において放電特性や
寿命に対する影響が大きい残留ガスとして知られるＣＯ
を効率よく排出することが可能となり、ＰＤＰ１の信頼
性の向上及び長寿命化を図ることができる． 上述の実施例において、排気処理についての設定条件（
排気プロファイル）、すなわち、加熱温度、Ｎ，の充填
圧力、充填期間又は排気期間の長さ、Ｎ，の充填と排気
の繰り返しの回数などは、排気処理の対象に応じて適宜
設定することができる． 上述の実施例においては、ＰＤＰ １を製造するための
排気処理を例示したが、真空状態の形戒を必要とする各
種の装置、例えば、蛍光表示管やＣＲＴの製造などに際
しても本発明を適用することができる． 〔発明の効果〕 本発明によれば、所定時間における残留ガスの排出量の
増大を図ることができる。
第１図は本発明に係る排気処理を示す図、第２図は本発
明を実施するための排気装置の概略のｆＪＩ戒を示す図
、 第３図は本発明の実施に係るＦＤＰの断面図である。 図において、 １９は放電空間（密閉容器）、 ３５は窒素ガスボンベである。 本発明に係る排気処理を示す図 第 １ 図 第 ２ 図
明を実施するための排気装置の概略のｆＪＩ戒を示す図
、 第３図は本発明の実施に係るＦＤＰの断面図である。 図において、 １９は放電空間（密閉容器）、 ３５は窒素ガスボンベである。 本発明に係る排気処理を示す図 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- （１）密閉空間（１９）を真空状態とするための特定の
残留ガスの排出方法であって、 前記密閉空間（１９）を加熱しつつ排気を 行い、加熱状態にて窒素ガスを充填し、再び排気を行う
ことによって当該窒素ガスとともに前記残留ガスを排出
する ことを特徴とする残留ガスの排出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31179389A JPH03171524A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 残留ガスの排出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31179389A JPH03171524A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 残留ガスの排出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03171524A true JPH03171524A (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=18021518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31179389A Pending JPH03171524A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 残留ガスの排出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03171524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496201A (en) * | 1994-06-16 | 1996-03-05 | Industrial Technology Research Institute | Extendable exhausting assembly for the manufacture of gas discharge lamps |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP31179389A patent/JPH03171524A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496201A (en) * | 1994-06-16 | 1996-03-05 | Industrial Technology Research Institute | Extendable exhausting assembly for the manufacture of gas discharge lamps |
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