JPH0316309A - 陽極酸化を用いた三次元配線法 - Google Patents

陽極酸化を用いた三次元配線法

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JPH0316309A
JPH0316309A JP14267989A JP14267989A JPH0316309A JP H0316309 A JPH0316309 A JP H0316309A JP 14267989 A JP14267989 A JP 14267989A JP 14267989 A JP14267989 A JP 14267989A JP H0316309 A JPH0316309 A JP H0316309A
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electrode film
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、お互いに交差する電極を配線する方法に関す
る。
弾性表面波変換器の高性能化、集積回路の高性能化のた
めには、複雑な電極構造が要求される。
特に同一平面上でお互いに交差する電極構成が必要にな
ってきている。従来の方法では、お互いに交差する電極
を作製する場合、既に作製されている電極の上をマスク
を用いて誘電体膜で被い、かつ接続する電極には誘電体
膜が付着しないようにしなければならないため、複雑な
マスクが必要であるばかりでなく、高精度のマスク合わ
せが必要である。
本発明は、陽極酸化電源に接続されている電極の表面か
らある深さ迄、選択的に誘電体化されるのに対し、電源
に接続されていない電極の表面は変化しないことを利用
して、単純な構造のマスクと粗いマスク合わせでお互い
に絶縁された構造の交差した電極を得る方法に関するも
のである。
弾性表面波すだれ状電極である、3位相器型の一方向性
変換器を作製する方法として、第1図のように、圧電体
基板或いは圧電体薄膜を用いた基板2の上に取り出し電
極をもつ金属電極膜3、4及び取り出し電極を持たない
金属電極膜5を付着させた後、更にレジスト膜を塗布し
た後、リソグラフィー法などを用いて金属電極膜5を横
切るような境界線7の内部のレジストを除去して窓を空
けた後、取り出し電極を通して陽極酸化用の電源lに接
続されている金属電極膜3、4のレジストに被われてい
ない部分の電極を表面からある深さ迄、陽極酸化により
誘電体化して誘電体膜6を得た後、新たに金属電極膜を
付着させた後、リフトオフ法などを用いてレジスト上の
金属膜及び1ノジストを除去して、境界線7の内部に金
属電極膜8が得られるようにすることにより、金属電極
膜8と金属電極膜5は直流の電気的に接続されているが
、金属電極8!8と金崩電極膜3、4とは誘電体M46
で分離した横遣となるので、このような三次元配線法を
用いることにより、3位相器型の弾性表面波一方向性変
換器が得られる。この場合、金属電極膜3、4、5の交
差部の電極幅は中心動作周波数の波長をλ。とした時、
λ。/6を中心として、各電極の中心位置はそのままに
してその幅の値を=50%の範囲にあるようにした構造
の3位相器型の一方向性変換器も本特許に含まれるもの
とする。また、この場合の金属電極模8の金属電極膜3
、4の交差部に対する位置は金属電極膜5と電気的接続
が可能な位置ならば、いずれの位置でも良いようにした
構造であって、金属電極I!lI8の交差部での幅が、
0、05λ。以上から交差部の幅迄の間にあるようにし
た三次元配線法を用いた一方向性変換器を得ることによ
り、特性の良い、作製の容易な一方向性変換器が得られ
る。
弾性表面波すだれ状電極である、2位相器型のグループ
型一方向性すだれ状電極を作製する方法として、第2図
のように、圧電体基板或いは圧電体薄膜を用いた基板2
の上に取り出し電極をもつ0゜位相の金属電極模10、
90”位相の金属電極膜11及び取り出し電極を持たな
いアース電極12a、12bを付着させた後、更にレジ
スト膜を塗布した後、リソグラフィー法などを用いて金
属電極膜12a, !2bを横切るような境界線7の内
部のレジストを除去して窓を空けた後、取り出し電極を
通し陽極酸化用の電源1に接続されている電極10、1
1のレジストに被われていない部分の電極を表面からあ
る深さ迄、陽極酸化により誘電体化して誘電体膜6を得
た後、新たに金属電極膜を付着させた後、リフトオフ法
などを用いてレジスト上の金属膜及びレジストを除去し
て境界線7の内部に金属電極WA8か得られるようにす
ることにより、金属電極W:48と金属電極模12a,
12bは電気が,に接続されているが、金属電極aSと
金属電極膜10、I■とは誘電体!!I6で分離される
ようにした三次元配線法を用いることにより、特性の良
いグループ型一方向性すだれ状電極が得られる。この場
合、金属電極膜10, 11、12a, 12bの交差
部の電極幅がλ。/4、λ。/4、λ。/4、3λ。/
4(この3λ0/4幅の電極は、λ。/4幅の電極、λ
。/4のギャップ、λ。/4の幅の電極に分離している
場合を含む)を中心として、各電極の中心位置はそのま
まにして、その幅の値を土50%の範囲にあるようにし
たグループ型一方向性すだれ状電極弾性表面波変換器で
あって、この場合の1グループ内の励振電界の数が4で
あるが、6、8…などを用いたグループ型一方向性すだ
れ状電極であって、アース電極膜12a, 12bの取
り出し電極膜8の電極膜10、11の交差部に対する位
置が、アース電極膜12aS12bと電気的に接続が可
能な位置ならば、いずれの位置でも良いようにしたグル
ープ型一方向性すだれ状電極であって、金属電極膜8の
交差部における幅が、0.05λ。以上から交差部の幅
迄の間にあるようにしたの三次元配線法を用いることに
より、種々の特性をもつ一方向性変換器が得られる。
特許請求の第1項と同様の方法で作製される3位相器型
の一方向性変換器において、金属電極膜3、4、5、の
交差部の電極輻が、弾性表面波の伝搬方向に対して異な
る重み付けされた構造の3位相器型の一方向性変換器の
三次元配線法を用いることにより、従来の一方向性変換
器でありながら、通常のすだれ状電極における重み付け
特性と同様の特性の一方向性変換器が得られる。
特許請求の範囲第2項と同様の陽極酸化を用いて作製さ
れるグループ型一方向性すだれ状電極であって、第3図
のように、0゜及び90”位桁の電極膜10a, 11
a及びアース電極膜12c, 12dの交差部の幅が弾
性表面波の伝搬方向Isに対して異なる、重み付け構造
のグループ型一方向性すだれ状電極の三次元配線法を用
いることにより、周波数特性を制御した一方向性変換器
が得られる。
特許請求の範囲第2項と同様の陽極酸化を用いて作製さ
れるミヤンダーライン構造のアース電極膜をもつグルー
プ型一方向性すだれ状電極において、第4図のように、
金属電極gtob,ttbとミヤンダーライン電極膜1
3aとが陽極酸化誘電体膜6aなどで分離され、金属電
極膜8と金属電極模10b,1lbとは、陽極酸化誘電
体膜で分離され、ミヤンダーライン構造の電極9が電極
8と直流の電気的に接続された構造のグループ型一方向
性すだれ状電極一方向性変換器であって、この場合、各
電極の交差部の幅が、各電極の中心位置はそのままにし
て、これらの値の±50%の範囲にあるようにしたグル
ープ型一方向性すだれ状電極弾性表面波変換器の三次元
配線法を用いることにより、幅の広いマスクパターンを
用いて、高い周波数で動作する一方向性変換器が得られ
る。
圧電性基板或いは圧電性薄膜を用いた基板上に、第5図
のように、取り出し電極をもつ金属電極膜15、16及
び取り出し電極を持たない金属電極膜l7、18を付着
させた後、レジストを付着させ、リソグラフィー法など
を用いて、境界線7aと7bの内部のレジストを除去し
て窓をあけた後、金属電極模l5、16の窓の部分の金
属電極膜を表面からある深さ迄陽極酸化により誘電体化
した後、金属電極膜を付着させ、リフトオフ法により、
境界線7a、7bの内部に金属電極膜8a. 8bを得
ることにより、金属電極膜8aと金属電極膜17,金属
電極膜8bと金属電極膜l8とを直流の電気的に接続し
た4移相器型の一方向性変換器であって、この場合、交
差部の電極幅は、各電極の中心位置はそのままにして、
各電極幅をλ。/8を中心として、その値の±50%の
範囲にあるようにした4移相器型の一方向性変換器の三
次元配線法を用いることにより、大きな放射コンダクタ
ンスをもつ一方向性変換器が得られる。この場合、重み
付けされた、本方法による4位相器型の一方向性変換器
も本特許に含まれる。
圧電性基板或いは圧電性薄膜基板2上に、第6図のよう
に、取り出し電極をもつ金属電極膜19、20及びこれ
らの金属電極膜と誘電体膜などで分離された金属電極膜
21及びミヤンダーライン構造の電極13bからなる金
閥電極膜を作製した後、境界線7cの内部のレジストの
窓を空けた後、金属電極膜19、20及び13bを陽極
酸化用の電源1に接続して陽極酸化して誘電体化した後
、金属電極8cを付着させて金属電極21と8cを接続
した後、境界線7dの窓を空け、19、20Jcを陽極
酸化電源に接続して誘電体化した後、金属電極8dを付
着させて、金属M8dと電極13bが接続するようにし
た三次元配線法を用いることにより、ミヤンダーライン
電極の抵抗の影響の無い一方向性変換器が得られる。
特許請求の範囲第1項、または第2項、または第3項、
または第4項、または第5項、または第6項、または第
7項において、圧電体薄膜基板の場合、圧電体薄膜と基
板の間、或いは圧電体1Mの表面に上記の方法で作製さ
れた電極からなる弾性表面波変換器及び電子機能素子の
三次元配線法を用いることにより、大きな放射コンダク
タンスの一方向性変換器が得られる。
特許請求の範囲第L項、または第2項、または第3項、
または第4項、または第5項、または第6項、または第
7項、または第8項において、中心周波数での波長λ。
の値を各グループ或いはl波長毎に変化させた構造の弾
性表面波変換器の三次元配線法を用いることにより、広
い帯域幅の一方向性変換器か得られる。
特許請求の範囲第1項、または第2項、または第3項、
または第4項、または第5項、または第6項、または第
7項、または第8項、または第9項において、陽極酸化
後に付着する金属電極膜8、+11a, 8b、8c,
8dの交差電極に対する位置は、陽極酸化後に接続され
る電極5 、.12as12b,12c,12d,13
a,13b,17、l8との接続が可能な範囲の位置な
らば、いずれの位置でも良いようにした弾性表面波一方
向性変換器の三次元配線法を用いることにより、マスク
合わせの容易な、特性の良い一方向性変換器が得られる
特許請求の範囲第1項から第10項迄においては、!&
初の取り出し電極をもたない電極膜は、3位相器型では
、2400電極、グループ型一方向性すだれ状電極では
、アース電極及びミヤンダーライン電極、4位相型では
、180” 、及び2703電極としたが、最初の取り
出しをもたない電極は、いずれの位相の電極でも良い構
造の一方向性変換器の三次元配線法を用いることにより
、種々の特性の一方向性変換器が得られる。
特許請求の範囲第1項から第11項において、2位相器
型、3一位相器型、4一位相器型についてであるが、更
に5、6、などの多位相器を用いた構造、或いは位相器
として遅延線を用いた構造の弾性表面波一方向性変換器
の三次元配線法を用いることにより、高性能の一方向忙
変換器か得られる。以上は、一方向性変換器についてで
あるが、第3、第4などの取り出し電極を用いた本発明
の三次元配線法によるすだれ状電極弾性表面波変換器も
本特許に含まれる。
絶縁性基板、圧電性基板、圧電性薄膜をもつ基板、半絶
縁性の基板、或いは半導体基板上に、目的とする種々の
パターンからなる金属電極膜を作製する第1の工程と、
第1の工程で作製された種々の構造の金属電極膜の内、
陽極酸化用の電源に接続される金属電極膜と接続されな
い金@電極膜とに分けて接続を行う第2の工程と、陽極
酸化用の電源に接続されている金属電極膜のみを表面か
らある深さ迄、陽極酸化により誘電体化を行う第3の工
程と、新たに目的とする金属電極を付着させる第4の工
程からなる、第1の工程の金属電極膜と第4の工程の金
属電極膜との接続が、第3の工程の陽極酸化により、表
面からある深さ迄誘電体化した金rI4電極膜には陽極
酸化した誘電体膜で分離されているため直流の電気的に
は接続されていないが、陽極酸化されなかった第1の工
程の金属電極膜と第4の工程の金属電極膜とは直流の電
気的には、接続されるようにした三次元配線法を用いる
ことにより、高性能の機能素子が得られる。
絶縁性の基板、圧電性の基板、圧電性薄膜をもつ基板、
半絶縁性の基板、或いは半導体基板上に目的とする種々
のパターンからなる金属電極膜を作製する第1の工程と
、その上にレノスト膜を塗布し、リソグラフィー法など
を用いてレジストの一部を除去して、レジス}・の無い
窓を作製jる第5の工程と、第1の工程の金1ij!電
極膜の内、陽極酸化電源に電気的に接続される金属電極
膜と接続されていな金属電極膜に分け接続を行う第6の
工程と、陽極酸化電源に接続されているレジストの窓の
部分の金属電極膜を、表面からある深さ迄、陽極酸化に
より誘電体化を行う第7の工程と、新たに金属電極を付
着させる第8の工程と、レジスト及びレジストとの金属
膜を除去する第9の工程とにより、第1の工程の金属電
極膜と第8の工程の窓の部分に付着した金属電極膜との
交差部における電気的接続が、第7の工程による表面か
誘電体化した第1の工程の金属電極膜とは誘電体膜で分
離されているため直流の電気的には接続されないが、陽
極酸化されなかった第1の工程の金属電極膜とは直流の
電気的に接続されようにした三次元配線法を用いること
により、作製の容易な高性能機能素子が得られる。
以上についての基礎実験の結果、陽極酸化誘電体膜の膜
厚が0.05μmの場合、25ボルト以上、0.1μ餉
では80ボルト以上の耐圧が得られている。また、表面
からある深さ迄を陽極酸化した後の金属電極膜の抵抗の
増加についての実験結果、最初の金属膜が0.2μ隋の
場合、陽極酸化後の誘電体膜の厚さが0.05μmでは
陽極酸化前の約1.2倍、0.1μmで1.5倍とその
抵抗の増加も小さいので、機能素子の特性の劣化はほと
んど無いと言える。また、陽極酸化されなかった金属電
極膜と新たに付着させた金属電極膜との接触抵抗は、ほ
とんど零であった。
上記の方法を用いて、半導体集積回路の三次元配線が可
能であり、本特許に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の方法により作製する3移相器型の一
方向性変換器の平面図及びA−A’面の断面図である。 第2(i!Jは、3次元陽極酸化配線法を用いたグルー
プ型一方向性すだれ状電極の平面図、及びD−D゜の断
面図である。 第3図は、3次元陽極酸化配線法を用いた重み付けされ
たグループ型一方向性すだれ状電極弾性表面波変換器の
平面図及びG−G’の断面図である。 第4図は、陽極酸化膜などを用いた電極間分離構造のグ
ループ型一方向性すだれ状電極に3次元陽極酸化配線法
を用いてアース電極を配線した構造の弾性表面波変換器
の平面図及びF−F’の断面図である。 第5図は、3次元陽極酸化法を用いた4移相器型の一方
向性変換器の断面図及び平面図である。 第6図は、3移相器型の一方向性変換器において、3移
相器に接続された電極の間に接地電極を挿入した構造の
一方向性変換器の平面図及びB−B゛面及びc−c’面
の断面図である。 l…陽極酸化用の電源、ls…弾性表面波の伝搬方向、
2…基板、3…金属電極膜、4…金属電極膜、5…取り
出し電極に接続されていμい金属電極膜、6…陽極酸化
により得られた誘電体膜、7…レジスト膜の境界線、8
…窓を作製した後に付着させる金属膜、9…陽極酸化溶
液中の負電極、 10…金属電極膜、11…金属電極膜、12a…λ。/
4幅のアース電極、12b…3λ。/4幅のアース電極
、14…アース電極12a,12bと電極8が電気的に
接続された部分、10a…金属電極膜、11a…金属電
極膜、12c…λ0/4幅のアース電極膜、12d…3
λ。/4幅のアース電極膜、10b…金属電極膜、11
b…金属電極膜、 13a…ミヤンダーライン電極膜、6a…陽極酸化誘電
体膜、8v・・取り出し電極、8b…取り出し電極、l
5…0゜位相の金属電極膜、l6…90゜位相の金属電
極膜、l7…180゜位相の電極膜、l8…270゜位
相の電極膜、14a…l80゜位相の電極と88電極が
電気的に接続されている部分、14b…270゜位相の
電極と電極8bが電気的に接続されている都分、la,
1b…陽極酸化用の電源、7a…レジストの境界線、7
b…レジストの境界線、8a…窓を作製した後に付着さ
せる金rrA膜、8b…窓を作製した後に付着させる金
属膜、 る金属膜、

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)弾性表面波すだれ状電極である、3位相器型の一
    方向性変換器を作製する方法として、圧電体基板或いは
    圧電体薄膜を用いた基板2の上に取り出し電極をもつ金
    属電極膜3、4及び取り出し電極を持たない金属電極膜
    5を付着させた後、更にレジスト膜を塗布した後、リソ
    グラフィー法などを用いて金属電極膜5を横切るような
    境界線7の内部のレジストを除去して窓を空けた後、陽
    極酸化用の電源1に接続されている金属電極膜3、4の
    レジストに被われていない部分の電極を表面からある深
    さ迄、陽極酸化により誘電体化して誘電体膜6を得た後
    、新たに金属電極膜を付着させた後、リフトオフ法など
    を用いてレジスト上の金属膜及びレジストを除去して、
    境界線7の内部に金属電極膜8が得られるようにするこ
    とにより、金属電極膜8と金属電極膜5は直流の電気的
    に接続されているが、金属電極膜8と金属電極膜3、4
    とは誘電体膜6で分離されるようにした三次元配線法で
    あって、金属電極膜3、4、5の交差部の電極幅は中心
    動作周波数の波長をλ_0とした時、λ_0/6を中心
    として、各電極の中心位置はそのままにしてその幅の値
    を±50%の範囲にあるようにした3位相器型の一方向
    性変換器であって、金属電極膜8の金属電極膜3、4の
    交差部に対する位置は金属電極膜5と電気的接続が可能
    な位置ならば、いずれの位置でも良いようにした構造で
    あって、金属電極膜8の交差部での幅が、0.05λ_
    0以上から交差部の幅迄の間にあるようにした三次元配
    線法。
  2. (2)弾性表面波すだれ状電極である、2位相器型のグ
    ループ型一方向性すだれ状電極を作製する方法として、
    圧電体基板或いは圧電体薄膜を用いた基板2の上に取り
    出し電極をもつ0°位相の金属電極膜10,90°位相
    の金属電極膜11及び取り出し電極を持たないアース電
    極12a、12bを付着させた後、更にレジスト膜を塗
    布した後、リソグラフィー法などを用いて金属電極膜1
    2a,12bを横切るような境界線7の内部のレジスト
    を除去して窓を空けた後、陽極酸化用の電源1に接続さ
    れている電極10、11のレジストに被われていない部
    分の電極を表面からある深さ迄、陽極酸化により誘電体
    化して誘電体膜6を得た後、新たに金属電極膜を付着さ
    せた後、リフトオフ法などを用いてレジスト上の金属膜
    及びレジストを除去して境界線7の内部に金属電極膜8
    が得られるようにすることにより、金属電極膜8と金属
    電極膜12a、12bは電気的に接続されているが、金
    属電極膜8と金属電極膜10、11とは誘電体膜6で分
    離されるようにした三次元配線法であって、金属電極膜
    10、11、12a、12bの交差部の電極幅がλ_0
    /4、λ_0/4、λ_0/4、3λ_0/4(この3
    λ_0/4幅の電極は、λ_0/4幅の電極、λ_0/
    4のギャップ、λ_0/4の幅の電極に分離している場
    合を含む)を中心として、各電極の中心位置はそのまま
    にして、その幅の値を±50%の範囲にあるようにした
    グループ型一方向性すだれ状電極弾性表面波変換器であ
    って、この場合の1グループ内の励振電界の数が4であ
    るが、6、8…などを用いたグループ型一方向性すだれ
    状電極であって、アース電極膜12a、12bの取り出
    し電極膜8の電極膜10、11の交差部に対する位置が
    、アース電極膜12a、12bと電気的に接続が可能な
    位置ならば、いずれの位置でも良いようにしたグループ
    型一方向性すだれ状電極であって、金属電極膜8の交差
    部における幅が、0.05λ_0以上から交差部の幅迄
    の間にあるようにしたの三次元配線法。
  3. (3)特許請求の範囲項と同様の方法で作製される3位
    相器型の一方向性変換器において、金属電極膜3、4、
    5、の交差部の電極幅が、弾性表面波の伝搬方向に対し
    て異なる重み付けされた構造の3位相器型の一方向性変
    換器の三次元配線法。
  4. (4)特許請求の範囲第2項と同様の陽極酸化を用いて
    作製されるグループ型一方向性すだれ状電極であって、
    0°及び90°位相の電極膜10a、11a及びアース
    電極膜12c、12dの交差部の幅が弾性表面波の伝搬
    方向1sに対して、異なる重み付け構造のグループ型一
    方向性すだれ状電極の三次元配線法。
  5. (5)特許請求の範囲第2項と同様の陽極酸化を用いて
    作製されるミヤンダーライン構造のアース電極膜をもつ
    グループ型一方向性すだれ状電極において、金属電極膜
    10b、11bとミヤンダーライン電極膜13aとが陽
    極酸化誘電体膜6aなどで分離され、金属電極膜8と金
    属電極膜10b、11bとは、陽極酸化誘電体膜で分離
    され、ミヤンダーライン構造の電極9が電極8と直流の
    電気的に接続された構造のグループ型一方向性すだれ状
    電極一方向性変換器であって、この場合、各電極の交差
    部の幅が、各電極の中心位置はそのままにして、これら
    の値の±50%の範囲にあるようにしたグループ型一方
    向性すだれ状電極弾性表面波変換器の三次元配線法。
  6. (6)圧電性基板或いは圧電性薄膜を用いた基板上に、
    取り出し電極をもつ金属電極膜15、16及び取り出し
    電極を持たない金属電極膜17、18を付着させた後、
    レジストを付着させ、リソグラフィー法などを用いて、
    境界線7aと7bの内部のレジストを除去して窓をあけ
    た後、金属電極膜15、16の窓の部分の金属電極膜を
    表面からある深さ迄陽極酸化により誘電体化した後、金
    属電極膜を付着させ、リフトオフ法により、境界線7a
    、7bの内部に金属電極膜8a、8bを得ることにより
    、金属電極膜8aと金属電極膜17、金属電極膜8bと
    金属電極膜18とを直流の電気的に接続した4移相器型
    の一方向性変換器であって、この場合、交差部の電極幅
    は、各電極の中心位置はそのままにして、各電極幅をλ
    _0/8を中心として、その値の±50%の範囲にある
    ようにした4移相器型の一方向性変換器の三次元配線法
  7. (7)圧電性基板或いは圧電性薄膜基板2上に、取り出
    し電極をもつ金属電極膜19、20及びこれらの金属電
    極膜と誘電体膜などで分離された金属電極膜21及びミ
    ヤンダーライン構造の電極13bからなる金属電極膜を
    作製した後、境界線7cの内部のレジストの窓を空けた
    後、金属電極膜19、20及び13bを陽極酸化用の電
    源1に接続して陽極酸化して誘電体化した後、金属電極
    8cを付着きせて金属電極21と8cを接続した後、境
    界線7dの窓を空け、19、20、8cを陽極酸化電源
    に接続して誘電体化した後、金属電極8dを付着させて
    、金属膜8dと電極13bが接続するようにした三次元
    配線法。
  8. (8)特許請求の範囲第1項、または第2項、または第
    3項、または第4項、または第5項、または第6項、ま
    たは第7項において、圧電体薄膜基板の場合、圧電体薄
    膜と基板の間、或いは圧電体薄膜の表面に上記の方法で
    作製された電極からなる弾性表面波変換器及び電子機能
    素子の三次元配線法。
  9. (9)特許請求の範囲第1項、または第2項、または第
    3項、または第4項、または第5項、または第6項、ま
    たは第7項、または第8項において、中心周波数での波
    長λ_0の値を各グループ或いは1波長毎に変化させた
    構造の弾性表面波変換器の三次元配線法。
  10. (10)特許請求の範囲第1項、または第2項、または
    第3項、または第4項、または第5項、または第6項、
    または第7項、または第8項、または第9項において、
    陽極酸化後に付着する金属電極膜8、8a、8b、8c
    、8dの交差電極に対する位置は、陽極酸化後に接続さ
    れる電極5、12a、12b、12c、12d、13a
    、13b、17、18との接続が可能な範囲の位置なら
    ば、いずれの位置でも良いようにした弾性表面波一方向
    性変換器の三次元配線法。
  11. (11)特許請求の範囲第1項から第10項迄において
    は、最初の取り出し電極をもたない電極膜は、3位相器
    型では、240°電極、グループ型一方向性すだれ状電
    極では、アース電極及びミヤンダーライン電極、4位相
    型では、180°、及び270°電極としたが、最初の
    取り出しをもたない電極は、いずれの位相の電極でも良
    い構造の一方向性変換器の三次元配線法。
  12. (12)特許請求の範囲第1項から第11項において、
    2−位相器型、3−位相器型、4−位相器型についてで
    あるが、更に5、6、などの多位相器を用いた構造、或
    いは位相器として遅延線を用いた構造の弾性表面波一方
    向性変換器の三次元配線法。
  13. (13)絶縁性基板、圧電性基板、圧電性薄膜をもつ基
    板、半絶縁性の基板、或いは半導体基板上に、目的とす
    る種々のパターンからなる金属電極膜を作製する第1の
    工程と、第1の工程で作製された種々の構造の金属電極
    膜の内、陽極酸化用の電源に接続される金属電極膜と接
    続されない金属電極膜とに分けて接続を行う第2の工程
    と、陽極酸化用の電源に接続されている金属電極膜のみ
    を表面からある深さ迄、陽極酸化により誘電体化を行う
    第3の工程と、新たに目的とする金属電極を付着させる
    第4の工程からなる、第1の工程の金属電極膜と第4の
    工程の金属電極膜との接続が、第3の工程の陽極酸化に
    より、表面からある深さ迄誘電体化した金属電極膜には
    陽極酸化した誘電体膜で分離されているため直流の電気
    的には接続されていないが、陽極酸化されなかった第1
    の工程の金属電極膜と第4の工程の金属電極膜とは直流
    の電気的には、接続されるようにした三次元配線法。
  14. (14)絶縁性の基板、圧電性の基板、圧電性薄膜をも
    つ基板、半絶縁性の基板、或いは半導体基板上に目的と
    する種々のパターンからなる金属電極膜を作製する第1
    の工程と、その上にレジスト膜を塗布し、リソグラフィ
    ー法などを用いてレジストの一部を除去して、レジスト
    の無い窓を作製する第5の工程と、第1の工程の金属電
    極膜の内、陽極酸化電源に電気的に接続される金属電極
    膜と接続されていな金属電極膜に分け接続を行う第6の
    工程と、陽極酸化電源に接続されているレジストの窓の
    部分の金属電極膜を、表面からある深さ迄、陽極酸化に
    より誘電体化を行う第7の工程と、新たに金属電極を付
    着させる第8の工程と、レジスト及びレジスト上の金属
    膜を除去する第9の工程とにより、窓の部分に付着した
    金属電極との接続が、第7の工程による表面が誘電体化
    した第1の工程の金属電極膜とは誘電体膜で分離されて
    いるため直流の電気的には接続されないが、陽極酸化さ
    れなかった第1の工程の金属電極膜とは直流の電気的に
    接続されようにした三次元配線法。
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