JPH03162582A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH03162582A JPH03162582A JP30132389A JP30132389A JPH03162582A JP H03162582 A JPH03162582 A JP H03162582A JP 30132389 A JP30132389 A JP 30132389A JP 30132389 A JP30132389 A JP 30132389A JP H03162582 A JPH03162582 A JP H03162582A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はプラズマ処理装置に関するものである。
（従来の技術）
従来のプラズマ処理装置は、例えばプラズマＣＶＤ装置
は第２図に示されている。同図において、高周波電極ｌ
は反応室２の天板２ａを貫通しながら反応室２の天板２
ａに上下動自在に取り付けられ、また、基板加熱電極３
は反応室２の底板２ｂを貫通しながら反応室２の底板２
ｂに回転自在に取り付けられ、そして、高周波電極１と
基板加熱電極３とが反応室２内において対向して配置さ
れている。高周波電極ｌには高周波電源４が接続されて
いる一方、ガス導入配管５も接続され、このガス導入配
管５内を通ったガスが高周波電極ｉ内の通路（図示せず
）を通って噴出口（図示せず）より基板加熱電極３方向
に噴出されるようになっている。基板加熱電極３内には
シーズヒータ３ａが内蔵され、また、基板加熱電極３上
には基板６が置かれている。なお、図において、７は反
応室２の側壁２ｃに設けられた排気口、８は反応室２か
らの排気量を調節するスロットルバルブ、９は高周波電
極ｌの周囲を隙間をもって囲むアースシールド、ｌＯは
ガス導入配管５に設けられたガス導入バルブである。
は第２図に示されている。同図において、高周波電極ｌ
は反応室２の天板２ａを貫通しながら反応室２の天板２
ａに上下動自在に取り付けられ、また、基板加熱電極３
は反応室２の底板２ｂを貫通しながら反応室２の底板２
ｂに回転自在に取り付けられ、そして、高周波電極１と
基板加熱電極３とが反応室２内において対向して配置さ
れている。高周波電極ｌには高周波電源４が接続されて
いる一方、ガス導入配管５も接続され、このガス導入配
管５内を通ったガスが高周波電極ｉ内の通路（図示せず
）を通って噴出口（図示せず）より基板加熱電極３方向
に噴出されるようになっている。基板加熱電極３内には
シーズヒータ３ａが内蔵され、また、基板加熱電極３上
には基板６が置かれている。なお、図において、７は反
応室２の側壁２ｃに設けられた排気口、８は反応室２か
らの排気量を調節するスロットルバルブ、９は高周波電
極ｌの周囲を隙間をもって囲むアースシールド、ｌＯは
ガス導入配管５に設けられたガス導入バルブである。
次に、上記プラズマＣＶＤ装置を用いて基板に薄膜を形
成する方法について説明する。
成する方法について説明する。
まず、基板加熱電極３上に基板６を置いてから、反応室
２内を真空排気し、そして、基板加熱電極３で基板６を
加熱し、基板６を２００〜４００℃にする。
２内を真空排気し、そして、基板加熱電極３で基板６を
加熱し、基板６を２００〜４００℃にする。
その後、ガス導入バルブｌＯを開き、ガスを高周波電極
１内の通路に流し、噴出口より基板加熱電極３方向に噴
出させる一方で、スロットルバルブ８の開度を調整して
、反応室２からの排気量を調節し、反応室２内の圧力を
所定の圧力範囲にする。
１内の通路に流し、噴出口より基板加熱電極３方向に噴
出させる一方で、スロットルバルブ８の開度を調整して
、反応室２からの排気量を調節し、反応室２内の圧力を
所定の圧力範囲にする。
そして、その後、基板加熱電極３を０〜１０ｒｐｍの速
度で回転させることによって基板６を回転させる一方で
、高周波電源４からの高周波電圧を高周波電極１に印加
して、反応室２内の高周波電極ｌと基板加熱電極３との
間の空間にプラズマを発生させ、そのプラズマの作用に
よって基板６にＳｉＮ，ＳｉＯ等の薄膜を形成すること
になる。
度で回転させることによって基板６を回転させる一方で
、高周波電源４からの高周波電圧を高周波電極１に印加
して、反応室２内の高周波電極ｌと基板加熱電極３との
間の空間にプラズマを発生させ、そのプラズマの作用に
よって基板６にＳｉＮ，ＳｉＯ等の薄膜を形成すること
になる。
（発明が解決しようとする課題）
従来のプラズマＣＶＤ装置は、上記のように高周波電極
ｌの周四をアースシールド９で諌間をもって囲むように
しているので、この隙間による浮遊静電容瓜が大きく、
電力消失が多くなる問題が起きた。また、基板６に薄膜
を形戊するとき、膜厚分布を良くするために基板加熱電
極３を回転させているが、回転の際の磨耗等により回転
部分からダストが発生する問題も起きた。更に、高周波
篭極｛と基板加！＾電極３とを反応室２内で対向して配
置しているため、反応室２内に存在する高周波電極１と
基板加熱電極３との表面積の増加分だけ、放出ガスが増
加する等の問題が起きた。
ｌの周四をアースシールド９で諌間をもって囲むように
しているので、この隙間による浮遊静電容瓜が大きく、
電力消失が多くなる問題が起きた。また、基板６に薄膜
を形戊するとき、膜厚分布を良くするために基板加熱電
極３を回転させているが、回転の際の磨耗等により回転
部分からダストが発生する問題も起きた。更に、高周波
篭極｛と基板加！＾電極３とを反応室２内で対向して配
置しているため、反応室２内に存在する高周波電極１と
基板加熱電極３との表面積の増加分だけ、放出ガスが増
加する等の問題が起きた。
この発明の目的は、従来の問題を解決して、電力消失が
少なく、基板加熱電極を回転させなくてら基板における
膜厚分布を良く、ダストの発生と放出ガスとが少なくな
るプラズマ処理装置を提供することにある。
少なく、基板加熱電極を回転させなくてら基板における
膜厚分布を良く、ダストの発生と放出ガスとが少なくな
るプラズマ処理装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、この発明のプラズマ処理装
置は、反応室の壁の第ｌの開口に誘電率の低い絶縁物を
介して取り付けられ、その誘電率の低い絶縁物で外周の
一部を囲んだ高周波電極と、反応室の壁の第２の開口に
取り付けられ、反応室のその他の壁と間隔をもって反応
室内に突出した基板加熱電極とを反応室で対向して配置
すると共に、突出した基板加熱電極と反応室のその他の
壁と間にガス整流板を設け、このガス整流板を通過した
ガスを排気口より排気すること特徴とするものである。
置は、反応室の壁の第ｌの開口に誘電率の低い絶縁物を
介して取り付けられ、その誘電率の低い絶縁物で外周の
一部を囲んだ高周波電極と、反応室の壁の第２の開口に
取り付けられ、反応室のその他の壁と間隔をもって反応
室内に突出した基板加熱電極とを反応室で対向して配置
すると共に、突出した基板加熱電極と反応室のその他の
壁と間にガス整流板を設け、このガス整流板を通過した
ガスを排気口より排気すること特徴とするものである。
（作用）
この発明においては、Ｋ周波電極の外周の一部が誘電率
の低い絶縁物で囲まれているので、浮遊静電容量が小さ
くなり、電力消失を少なくすることが可能になる。また
、反応室内に突出した基板加熱電極は回転しないため、
ダストの発生がなくなる。更に、高周波電極は反応室の
壁の第１の開口に取り付けられので、反応室内に存在す
る高周波電極の表面積は従来に比べて減少し、放出ガス
が少なくなる。更にその上、ガス整流板を通過したガス
が排気口より排気されるため、基板加熱電陽Ｌに置かれ
た基板の表面に沿って流れるガスは均一な流れとなり、
排気口の取り付け位置によるガスの流れに灯する影響が
なくなる。
の低い絶縁物で囲まれているので、浮遊静電容量が小さ
くなり、電力消失を少なくすることが可能になる。また
、反応室内に突出した基板加熱電極は回転しないため、
ダストの発生がなくなる。更に、高周波電極は反応室の
壁の第１の開口に取り付けられので、反応室内に存在す
る高周波電極の表面積は従来に比べて減少し、放出ガス
が少なくなる。更にその上、ガス整流板を通過したガス
が排気口より排気されるため、基板加熱電陽Ｌに置かれ
た基板の表面に沿って流れるガスは均一な流れとなり、
排気口の取り付け位置によるガスの流れに灯する影響が
なくなる。
（実施例）
以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図はこの発明の実施例のプラズマＣＶＤ装置を示し
ており、同図において、反応室２ｌの天部の開口２１ａ
には高周波電極２２が誘電率の低いテフロン（商標）で
できた絶縁物２３を介して取り付けられ、高周波電極２
２の一面側が反応室２ｌ内に位置している。そして、高
周波電極２２の外周の一部は誘電率の低いテフロン（商
標）で囲まれ、浮遊静電容量が小さくなることによって
、雷力消失が少なくなるようになっている。また、高周
波電極２２には高周波電源２３が接続されている一方、
ガス導入配管２４も接続され、このガス導入配管２１内
を通ったガスが高周波電極２２内の通路（図示せず）を
通って噴出口（図示せず）より下記に述べるＪｌ１；仮
加熱電極２５方向に噴出されるようになっている。反応
室２１の底部の開口２ｌｂにはシーズヒータ２５ａを内
蔵した基板加熱電極２５が取り付けられ、その基板加熱
電極２５は反応室２ｌの側壁と間隔をもって反応室２１
内に突出し、反応室２ｌ内において、高周波電極２２と
所定の間隔をおいて対向している。そして、基板加熱電
極２５上には基板２６が置かれている。
ており、同図において、反応室２ｌの天部の開口２１ａ
には高周波電極２２が誘電率の低いテフロン（商標）で
できた絶縁物２３を介して取り付けられ、高周波電極２
２の一面側が反応室２ｌ内に位置している。そして、高
周波電極２２の外周の一部は誘電率の低いテフロン（商
標）で囲まれ、浮遊静電容量が小さくなることによって
、雷力消失が少なくなるようになっている。また、高周
波電極２２には高周波電源２３が接続されている一方、
ガス導入配管２４も接続され、このガス導入配管２１内
を通ったガスが高周波電極２２内の通路（図示せず）を
通って噴出口（図示せず）より下記に述べるＪｌ１；仮
加熱電極２５方向に噴出されるようになっている。反応
室２１の底部の開口２ｌｂにはシーズヒータ２５ａを内
蔵した基板加熱電極２５が取り付けられ、その基板加熱
電極２５は反応室２ｌの側壁と間隔をもって反応室２１
内に突出し、反応室２ｌ内において、高周波電極２２と
所定の間隔をおいて対向している。そして、基板加熱電
極２５上には基板２６が置かれている。
突出した基板加熱電極２５と反応室２ｌの側壁２Ｉｃと
の間にはリング状のガス整流板２７が設けられている。
の間にはリング状のガス整流板２７が設けられている。
ガス整流板２７と反応室２ｌの底部との間に位置する反
応室２１の側壁２１ｃには排気口２８が設けられ、ガス
整流板２７を頑過したガスが排気口２８より排気される
ようになっている。なお、図において、２９は反応室２
１からの排気量を調節するスロットルバルブ、３０はガ
ス導入配管２４に設けられたガス導入バルブである。
応室２１の側壁２１ｃには排気口２８が設けられ、ガス
整流板２７を頑過したガスが排気口２８より排気される
ようになっている。なお、図において、２９は反応室２
１からの排気量を調節するスロットルバルブ、３０はガ
ス導入配管２４に設けられたガス導入バルブである。
次に、上記実施例を用いて基板に薄膜を形成する方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、基板加熱電極２５上に基板２６を置いてから、反
応室２１内を真空排気し、そして、基板加鳩電極２５で
基板２６を加外し、基板２６を２００〜４００℃にする
。
応室２１内を真空排気し、そして、基板加鳩電極２５で
基板２６を加外し、基板２６を２００〜４００℃にする
。
その後、ガス導入バルブ３０を開き、ガスを高周波電極
２２内の通路に流し、噴出口より基板加熱電極２５方向
に噴出させる一方で、スロットルバルブ２９の開度を調
整して、反応室２ｌからの排気量を調節し、反応室２ｌ
内の圧力を所定の圧力範囲にする。
２２内の通路に流し、噴出口より基板加熱電極２５方向
に噴出させる一方で、スロットルバルブ２９の開度を調
整して、反応室２ｌからの排気量を調節し、反応室２ｌ
内の圧力を所定の圧力範囲にする。
そして、その後、高周波電源２３からの高周波電圧を高
周波電極２２に印加して、反応室２ｌ内の高周波電極２
２と基板加熱電極２５との間の空間にプラズマを発生さ
せ、そのプラズマの作用によって基板２６にＳｉＮＳＳ
ｉＯ等の薄膜を形成することになる。ただし、このとき
、薄膜の形成に寄与しなかった未反応ガスや反応生成物
を含んだガスはガス整流板２７を通過して排気口２８よ
り排気されるが、基板加熱電極２５上に置かれた基板２
６の表面に沿って流れるガスは均一な流れとなり、排気
口２８の取り付け位置はガスの流れに対して影響しなく
なる。
周波電極２２に印加して、反応室２ｌ内の高周波電極２
２と基板加熱電極２５との間の空間にプラズマを発生さ
せ、そのプラズマの作用によって基板２６にＳｉＮＳＳ
ｉＯ等の薄膜を形成することになる。ただし、このとき
、薄膜の形成に寄与しなかった未反応ガスや反応生成物
を含んだガスはガス整流板２７を通過して排気口２８よ
り排気されるが、基板加熱電極２５上に置かれた基板２
６の表面に沿って流れるガスは均一な流れとなり、排気
口２８の取り付け位置はガスの流れに対して影響しなく
なる。
なお、この実施例によれば、反応室２１内に突出した基
板加熱電極２５が回転しないため、ダストの発生がなく
なる。また、高周波電極２２が反応室２１の天部の開口
２１ａに取り付けられので、反応室２ｌ内に存在する高
周波電極２５の表面積は従来に比べて減少し、放出ガス
が少なくなる。
板加熱電極２５が回転しないため、ダストの発生がなく
なる。また、高周波電極２２が反応室２１の天部の開口
２１ａに取り付けられので、反応室２ｌ内に存在する高
周波電極２５の表面積は従来に比べて減少し、放出ガス
が少なくなる。
ところで、上記実施例はノーズヒータ２５ａを使用して
いるが、この代わりに、ハロゲンランプを使用してもよ
い。また、上記実施例はプラズマＣＶＤ装置についての
説明であるが、この発明はプラズマＣＶＤ装置以外のプ
ラズマエッチング装置、プラズマ看合装置等のプラズマ
処理装置にも利用できる。
いるが、この代わりに、ハロゲンランプを使用してもよ
い。また、上記実施例はプラズマＣＶＤ装置についての
説明であるが、この発明はプラズマＣＶＤ装置以外のプ
ラズマエッチング装置、プラズマ看合装置等のプラズマ
処理装置にも利用できる。
（発明の効果）
この発明によれば、次のような効果が奏される。
（１）高周波電極の外周の一部が誘電率の低い絶縁物で
囲まれているので、浮遊静電容量が小さくなり、電力消
失を少なくすることが可能になる。
囲まれているので、浮遊静電容量が小さくなり、電力消
失を少なくすることが可能になる。
（２）反応室内に突出した基板加熱電極は回転しないた
め、ダストの発生がなくなる。
め、ダストの発生がなくなる。
（３）高周波電極は反応室の壁の第ｌの開口に取り付け
られので、反応室内に存在する高周波電極の表面積は従
来に比べて減少し、放出ガスが少なくなる。
られので、反応室内に存在する高周波電極の表面積は従
来に比べて減少し、放出ガスが少なくなる。
（４）ガス整流板を通過したガスが排気口より排気され
るため、基板加熱電極１二に訳かれた基板の表面に沿っ
て流れるガスは均一な流れとなり、排気口の取り付け位
置によるガスの流れに対する影響がなくなる。
るため、基板加熱電極１二に訳かれた基板の表面に沿っ
て流れるガスは均一な流れとなり、排気口の取り付け位
置によるガスの流れに対する影響がなくなる。
第１図はこの発明の実施例を示すプラズマ処理装置の説
明図である。第２図は従来のプラズマ処理装置の説明図
である。 図中、 ２１・・・・・・反応室 ２Ｌａ・・・・・反応室の天部の開口 （第１の開口） ２ｌｂ・・′・・・反応室の底部の開口（第２の開口） ２１ｃ・・・・・反応室の側壁 ２ ２ ● ２ ３ ・ ２ ５ ・ ２ ７ ・ ２ ８ ・ （反応室のその他の壁） ・高周波電極 ・絶縁物 ・基板加熱電極 ・ガス整流板 ・排気口
明図である。第２図は従来のプラズマ処理装置の説明図
である。 図中、 ２１・・・・・・反応室 ２Ｌａ・・・・・反応室の天部の開口 （第１の開口） ２ｌｂ・・′・・・反応室の底部の開口（第２の開口） ２１ｃ・・・・・反応室の側壁 ２ ２ ● ２ ３ ・ ２ ５ ・ ２ ７ ・ ２ ８ ・ （反応室のその他の壁） ・高周波電極 ・絶縁物 ・基板加熱電極 ・ガス整流板 ・排気口
Claims (1)
- １．反応室の壁の第１の開口に誘電率の低い絶縁物を介
して取り付けられ、その誘電率の低い絶縁物で外周の一
部を囲んだ高周波電極と、反応室の壁の第２の開口に取
り付けられ、反応室のその他の壁と間隔をもって反応室
内に突出した基板加熱電極とを反応室で対向して配置す
ると共に、突出した基板加熱電極と反応室のその他の壁
と間にガス整流板を設け、このガス整流板を通過したガ
スを排気口より排気すること特徴とするプラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30132389A JPH03162582A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30132389A JPH03162582A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162582A true JPH03162582A (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=17895483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30132389A Pending JPH03162582A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03162582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05269362A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-19 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| US7445535B2 (en) | 2003-12-11 | 2008-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source producing apparatus and method |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP30132389A patent/JPH03162582A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05269362A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-19 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| US7445535B2 (en) | 2003-12-11 | 2008-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source producing apparatus and method |
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