JPH03161941A - Manufacture of charge transfer device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電荷転送装置の製造方法に関し、特に、転送
電極の材料として高融点金属を含む材！！４を用いた電
荷転送装置の製造に適用して好適なものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing a charge transfer device, and particularly to a material containing a high melting point metal as a material for a transfer electrode! ! This is suitable for application to the manufacture of a charge transfer device using No. 4.
本発明は、電荷転送装置の製造方法において、シリコン
基板上に形成された酸化シリコン膜上に少なくとも窒化
シリコン膜をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する工
程と、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る
第１の転送電極を形成する工程と、第１の転送電極をマ
スクとして第１の絶縁膜をエンチングする工程と、第１
の転送電極を覆うように少なくとも窒化シリコン膜をそ
の下部に含む第２の絶縁膜を形成する工程と、第１の転
送電極に隣接して第２の絶縁膜上に高融点金属を含む材
料から成る第２の転送電極を形成する工程とを具備する
ことによって、第１の転送電極と第２の転送電極との間
の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができるとともに、
第１の転送電極の下のゲー１−絶縁膜と第２の転送電極
の下のケー１・絶縁膜とを同−構造とすることができる
ようにしたものである。The present invention provides a method for manufacturing a charge transfer device including the steps of: forming a first insulating film including at least a silicon nitride film under the silicon oxide film formed on a silicon substrate; a step of forming a first transfer electrode made of a material containing a high melting point metal; a step of etching the first insulating film using the first transfer electrode as a mask;
forming a second insulating film containing at least a silicon nitride film below the transfer electrode, and forming a second insulating film adjacent to the first transfer electrode from a material containing a high melting point metal; By comprising a step of forming a second transfer electrode consisting of
This allows the gate insulating film under the first transfer electrode and the gate insulating film under the second transfer electrode to have the same structure.
〔従来の技術」
電荷転送装置の一種にＣ Ｃ Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃ
ｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）撮像素子がある。従来、こ
のＣ Ｃ Ｄ撮像素子の転送電極の材料としては多結晶
シリコン（ｓ；） Ｉ模が用いられており、リン（Ｐ）
のトーピングや膜厚の最適化なとにより低抵抗化が達威
されている。しかし、多結晶Ｓ１膜ては１０Ω／口以下
のシー１・抵抗を尖現ずることは困難である。このため
、ｌＯΩ／［］以下のンーＩ・抵抗が要求される場合に
は、シート抵抗がより低い高融点金属ｌＩ焚や高融点金
属シリザイト膜を転送電極の材料として用いることが考
えられる。[Prior art] One type of charge transfer device is CCD (Charge C
(upledDevice) There is an image sensor. Conventionally, polycrystalline silicon (S;) I model has been used as the material for the transfer electrode of this CCD image sensor, and phosphorus (P)
Low resistance has been achieved by optimizing the toping and film thickness. However, with polycrystalline S1 films, it is difficult to achieve a S1 resistance of less than 10 Ω/hole. Therefore, if a resistance of less than lOΩ/[] is required, it is conceivable to use a refractory metal lI firing or a refractory metal silizite film, which has a lower sheet resistance, as the material for the transfer electrode.
このように中云送電極の材料として商融点金属膜や高融
点金属シリサイド膜を用いる場合、−眉目の転送電極と
７．層目の転送電極との間の層間絶縁膜の形成方法とし
ては、次のような方法が老えられる。第１の方法は、高
融点金属膜または高融点金属シリサイト膜上にＰがドー
プされた多結晶Ｓｉ膜を重ねた二層構造の膜や、高融点
金属膜または高融点金属シリサイド膜の上下をＰがトー
プされた多結晶Ｓｉ膜ではさんた三層構造の膜を用いて
−層目の転送電極を形成し、この二層構造または：層構
造の膜を直接熱酸化することにより層間絶縁膜を形成す
る方法である。第２の方法は、一層目の転送電極を形成
した後にＣＶＤ法により全面に層間絶縁膜として二酸化
シリコン（Ｓｉ○２）膜や窒化シリコン（ Ｓｉ３Ｎ４
）膜を形成し、一層目の転送電極の上方の部分における
この層間絶縁膜上にレジスＩ・パターンを形成した後、
このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜を工，
チングすることにより一層目の転送電極よりもその両側
にそれぞれ例えば０．２μｍ程度だけ幅が広くなるよう
に層間絶縁膜を残す方法である。In this way, when a commercial melting point metal film or a high melting point metal silicide film is used as the material for the middle transfer electrode, it is possible to use the -brow eye transfer electrode and 7. As a method for forming an interlayer insulating film between the transfer electrodes of the second layer, the following method is used. The first method is to use a two-layer structure film in which a polycrystalline Si film doped with P is layered on a high-melting point metal film or a high-melting point metal silicide film, or a film with a two-layer structure in which a high-melting point metal film or a high-melting point metal silicide film is stacked on top and bottom. A three-layered film sandwiched between P-topped polycrystalline Si films is used to form the -th layer transfer electrode, and interlayer insulation is achieved by directly thermally oxidizing this two-layered or :layered film. This is a method of forming a film. The second method is to form a silicon dioxide (Si○2) film or silicon nitride (Si3N4) film as an interlayer insulating film over the entire surface using the CVD method after forming the first layer of transfer electrodes.
) film is formed, and a resist I pattern is formed on this interlayer insulating film in the upper part of the first layer transfer electrode,
Using this resist pattern as a mask, the interlayer insulating film is fabricated.
This is a method of leaving an interlayer insulating film on both sides of the first layer transfer electrode so that the width thereof is, for example, about 0.2 μm wider than the first layer transfer electrode by etching.
しかし、上述の第１の方法は、多結晶Ｓｉ膜を熱酸化す
ることにより形成される層間絶縁膜に比べて耐圧の低い
層間絶縁膜しか形成することができないという問題があ
る。一方、上述の第２の方法は、層間絶縁膜をエソチン
グする際に用いるレジス１・パターンを一層目の転送電
極に対して自己整合的に形成することができないことか
ら、一層目の転送電極に対する眉間絶縁膜の合わせ精度
が悪い。このような理由により、一層目の転送電極の下
のゲート絶縁膜と二層目の転送電極の下のゲート絶縁膜
とを同一構造とすることば困難である。However, the first method described above has a problem in that only an interlayer insulating film having a lower breakdown voltage can be formed than an interlayer insulating film formed by thermally oxidizing a polycrystalline Si film. On the other hand, in the second method described above, the resist 1 pattern used when etching the interlayer insulating film cannot be formed in a self-aligned manner with respect to the first layer transfer electrode. The alignment accuracy of the glabellar insulating film is poor. For these reasons, it is difficult to make the gate insulating film under the first-layer transfer electrode and the gate insulating film under the second-layer transfer electrode the same structure.
従って本発明の目的は、第１の転送電極と第２の転送電
極との間の眉間絶縁膜の高耐圧化を図ることができる電
荷転送装置の製造方法を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a charge transfer device that can increase the withstand voltage of the glabellar insulating film between the first transfer electrode and the second transfer electrode.
本発明の他の目的は、第１の転送電極の下のゲート絶縁
膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁膜とを同一構造と
することができる電荷転送装置の製造方法を提供するこ
とにある。Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a charge transfer device in which a gate insulating film under a first transfer electrode and a gate insulating film under a second transfer electrode can have the same structure. It is in.
上記目的を達或するために、本発明は、電荷転送装置の
製造方法におい一で、シリコン基板（１）上に形成され
た酸化シリコン膜（２）上に少なくとも窒化シリコン膜
（３）をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する工程と
、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第１
の転送電極（７）を形成する上程と、第１の転送電極（
７）をマスクとして第１の絶縁膜をエンチングする王程
と、第１の転送電極（７）を覆うように少なくとも窒化
シリコン膜（８）をその下部に含む第２の絶縁膜を形成
する工程と、第１の転送電極（７）に隣接して第２の絶
縁膜上Ｃこ高融点金属を含む材料から成る第２の転送電
極（９）を形成する工程とを具備する。To achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a charge transfer device in which at least a silicon nitride film (3) is coated on a silicon oxide film (2) formed on a silicon substrate (1). A step of forming a first insulating film included in the lower part, and a step of forming a first insulating film made of a material containing a high melting point metal on the first insulating film.
The upper part where the transfer electrode (7) is formed and the first transfer electrode (7) are formed.
Step 7) of etching the first insulating film using the mask as a mask, and forming a second insulating film including at least a silicon nitride film (8) below it so as to cover the first transfer electrode (7). and forming a second transfer electrode (9) made of a material containing a high melting point metal on the second insulating film adjacent to the first transfer electrode (7).
上述のように構或された本発明の電荷転送装置の製造方
法によれば、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜
は酸化シリコン膜（２）及び第１の絶縁膜により形成さ
れ、第２の転送電極（９）のｒのゲー１・絶縁膜は酸化
シリコン膜（２）及び第２の絶縁膜により形成されるの
で、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜と第２の
転送電極（９）の下のケート絶縁膜どを同一構造とする
ことができる。一方、第１の転送電極（７）と第２の転
送電極（９）との間の層間絶縁膜は第２の絶縁膜により
形成される。この第２の絶縁膜は、ＣＶＤ法などの方法
により容易に形成することができる高耐圧の窒化シリコ
ン膜を含むので、転送電極の材料として高融点金属膜や
高融点金属シリ→ノ゛イド膜などの高融点金属を含む材
料を用いた場合においても、高耐圧の層間絶縁膜を得る
ことができる。According to the method for manufacturing a charge transfer device of the present invention configured as described above, the gate insulating film under the first transfer electrode (7) is formed of the silicon oxide film (2) and the first insulating film. The gate insulation film under the first transfer electrode (7) is The film and the gate insulating film under the second transfer electrode (9) can have the same structure. On the other hand, the interlayer insulating film between the first transfer electrode (7) and the second transfer electrode (9) is formed of a second insulating film. This second insulating film includes a high-voltage silicon nitride film that can be easily formed by a method such as a CVD method. Even when using a material containing a high melting point metal such as, a high breakdown voltage interlayer insulating film can be obtained.
以上により、第１の転送電極（７）と第２の転送電極（
９）との間の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができる
とともに、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜と
第２の転送電極（９）の下のゲート絶縁膜とを同一構造
とすることができる。As described above, the first transfer electrode (7) and the second transfer electrode (
9), and the gate insulating film under the first transfer electrode (7) and the gate insulating film under the second transfer electrode (9). can have the same structure.
？下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。この実施例は、本発明を埋め込みチャネルＣＣ
Ｄ （ＢＣＣＤ）の製造に適用した実施例である。なお
、実施例の全図において、同一の部分には同一の符号を
付す。? An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment demonstrates the present invention in embedded channel CC
This is an example applied to the production of D (BCCD). In addition, in all the drawings of the embodiment, the same parts are given the same reference numerals.
第１図Ａ〜第１図Ｅは本発明の一実施例によるＢＣＣＤ
の製造方法を工程順に示し、第２図はこの実施例による
製造方法により製造された１３ Ｃ ＣＤの転送電極の
平面図である。ここで、第１図已に示す断面は第２図の
ｘ−Ｘ線に沿っての断面に対応ずる。FIG. 1A to FIG. 1E are BCCDs according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a 13 C CD transfer electrode manufactured by the manufacturing method according to this embodiment. Here, the cross section shown in FIG. 1 corresponds to the cross section taken along line xx in FIG. 2.
この実施例によるＢＣＣＤの製造方法においては、第１
図Ａに示すように、まず例えばｐ型Ｓｉ基板１上に例え
ば熱酸化法によりＳｉＯ・膜２を形成した後、このＳｉ
○ｚｌ１＊２上に例えは減圧ＣＶＤ法によりＳｉ３Ｎ４
膜３を形成する。次に、これらのＳｉ３Ｎａ膜３及びＳ
ｉＯ■膜２を介してｐ型Ｓｉ基板１中に例えばヒ素（Ａ
ｓ）のようなｎ型不純物を選択的にイオン注入すること
により、例えばｎ゛型の半導体領域４を形成する。次に
、Ｓｉ３Ｎ４膜３上に一層目の転送電極形成用の材料と
して高融点金属を含む導体膜５を形成する。この導体膜
５としては、具体的には、例えばタングステン（Ｗ）膜
のような高融点金属膜、例えばタングステンシリサイＦ
（ＷＳｉｚ ）膜のような高融点金属シリザイド膜、
例えはＰのよ・うな不純物がドープされた多結晶Ｓｉ膜
上に高融点金属膜または高融点金属シリザイド膜を形成
した膜などを用いる。この後、この導体膜５上に、形成
すべき一層目の転送電極に対応した形状のレジストパタ
ーン６をリソグラフィーにより形成する。In the method for manufacturing a BCCD according to this embodiment, the first
As shown in FIG.
○For example, Si3N4 is deposited on zl1*2 by low pressure CVD method.
A film 3 is formed. Next, these Si3Na films 3 and S
For example, arsenic (A
By selectively ion-implanting n-type impurities such as s), an n-type semiconductor region 4, for example, is formed. Next, a conductor film 5 containing a high melting point metal is formed on the Si3N4 film 3 as a material for forming a first layer transfer electrode. Specifically, the conductor film 5 is a high melting point metal film such as a tungsten (W) film, for example, a tungsten silicide F film.
High melting point metal silicide film such as (WSiz) film,
For example, a film in which a high melting point metal film or a high melting point metal silicide film is formed on a polycrystalline Si film doped with an impurity such as P is used. Thereafter, a resist pattern 6 having a shape corresponding to the first layer transfer electrode to be formed is formed on the conductor film 5 by lithography.
次に、このレジストパターン６をマスクとして導体膜５
及びＳｉｓＮ４膜３を順次エッチングした後、レシスト
パターン６を除去する。これによって、第１図Ｂに示す
ように、高融点金属を含む導体膜から成る一層目の転送
電極７が形成されるとともに、この一層目の転送電極７
の下にＳｉ３Ｎ．膜３がこの転送電極７と同一形状に残
される。この一層目の転送電極７の下のＳｉｎｇ膜２及
びＳｉ３Ｎ４膜３によりこの一層目の転送電極７用のゲ
ー９
？絶縁膜が形成される。Next, using this resist pattern 6 as a mask, the conductor film 5 is
After sequentially etching the SisN4 film 3 and the SisN4 film 3, the resist pattern 6 is removed. As a result, as shown in FIG. 1B, a first layer transfer electrode 7 made of a conductive film containing a high melting point metal is formed, and this first layer transfer electrode 7
Si3N below. The membrane 3 is left in the same shape as the transfer electrode 7. The Sing film 2 and Si3N4 film 3 under this first layer transfer electrode 7 form a gate 9 for this first layer transfer electrode 7. An insulating film is formed.
次に、第１図Ｃに示すように、例えば減圧ＣＶＤ法によ
り全面にＳｉ３Ｎ，膜８を形成した後、このＳｉ３Ｎ４
膜８上に一層目の転送電極７に隣接して二層目の転送電
極９を形成する。この二層目の転送電極９を形成するに
は、一層目の転送電極７を形成した場合と同様に、Ｓｉ
３Ｎ４膜８上に上述の導体欣５と同様な高融点金属を含
む導体欣（図示せず）を形成し、この導体膜をエソチン
グによりパターンニングすればよい。一層目の転送電極
７の間におけるこの二層目の転送電極９の下のＳｉ○２
膜２及びＳｉ３Ｎ４膜３により、この二層目の転送電極
９用のゲート絶縁膜が形成される。また、一層目の転送
電極７と二層目の転送電極９との間のＳｉ３Ｎ４膜８に
より、この一層目の転送電極７と二層目の転送電極９と
の間の層間絶縁膜が形成される。Next, as shown in FIG.
A second layer transfer electrode 9 is formed on the film 8 adjacent to the first layer transfer electrode 7 . To form this second layer transfer electrode 9, Si
A conductor shell (not shown) containing a high melting point metal similar to the conductor shell 5 described above may be formed on the 3N4 film 8, and this conductor film may be patterned by ethoching. Si○2 below this second layer transfer electrode 9 between the first layer transfer electrodes 7
The film 2 and the Si3N4 film 3 form a gate insulating film for the second layer transfer electrode 9. Furthermore, the Si3N4 film 8 between the first layer transfer electrode 7 and the second layer transfer electrode 9 forms an interlayer insulating film between the first layer transfer electrode 7 and the second layer transfer electrode 9. Ru.
次に、第１図Ｄに示すように、この二層目の転送電極９
上に例えば熱酸化法によりＳｉＯ■膜１ｏを形成した後
、このＳｉＯｚ膜１０をマスクとして１０
Ｓ ｉ ３ Ｎ ａ膜８をエンチングする。これによっ
て、センザ一部のＳ ｉ ３ Ｎ ４膜８がエソチング
除去される。次に、このセンシ一部に例えばＡｓのよう
なｒｌ型不純物を選択的にイオン注入することによりｎ
型半導体領域１１を形成する，このｎ型半導体領域ｌ１
とｐ型Ｓｉ基板１とから成るｐｎ接合によりセンザーが
形成される。Next, as shown in FIG. 1D, this second layer transfer electrode 9
After forming an SiO2 film 1o thereon by, for example, thermal oxidation, the 10 Si 3 Na film 8 is etched using this SiOz film 10 as a mask. As a result, a portion of the Si 3 N 4 film 8 of the sensor is etched away. Next, by selectively ion-implanting rl type impurities such as As into a part of this sensor, n
This n-type semiconductor region l1 forming the type semiconductor region 11
A sensor is formed by a pn junction consisting of a p-type silicon substrate 1 and a p-type Si substrate 1.
次に、第１図已に示すように、例えばＣＶＤυ、により
全面に層間絶縁膜１２を形成し、この層間絶縁膜１２上
に例えばアルごニウム（ＡＩ）配線１３を形成した後、
全ＦｉＩＪ４こバノシ・＼−ソヨン股１４を形成して、
目的とするＢＣＣＤを完威させる。Next, as shown in FIG. 1, an interlayer insulating film 12 is formed on the entire surface by, for example, CVDυ, and after forming, for example, an argonium (AI) wiring 13 on this interlayer insulating film 12,
Form all FiIJ4 Kobanoshi ＼-Soyon crotch 14,
Achieve the desired BCCD.
ここで、眉間絶縁膜１２としては、例えばＳｉＯ。Here, the glabellar insulating film 12 is made of, for example, SiO.
膜及びリンシリケートガラス（ＰＳＧ）膜から成るもの
などを用いることができる。また、バンシヘーション膜
１４としては、例えばプラスマＣＶＤ法により形成され
たＳｉＮ膜などを用いることができる。A material made of a film and a phosphosilicate glass (PSG) film can be used. Further, as the banishment film 14, for example, a SiN film formed by plasma CVD method or the like can be used.
この完或状態にお＆Ｊる−層目の転送電極７及び二層目
の転送電極９のパターンを第２図に示す。The pattern of the transfer electrode 7 in the negative layer and the transfer electrode 9 in the second layer in this completed state is shown in FIG.
１ｌ
以上のように、この実施例によれば、−層口の転送電極
７と二層目の転送電極９との間の層間絶縁膜をＣＶＤ法
６こより形成された高耐圧のＳｉ３Ｎ４膜８により形成
しているので、転送電極の材料として高融点金属を含む
材料を用いた場合においても、一層目の転送電極７と二
層目の転送電極９との間の眉間絶縁膜の耐圧を十分に大
きくすることができる。また、一層目の転送電極７の下
のゲート絶縁膜はＳｉＯ２ｌｌＵ２及びｓｉ３Ｎａ膜３
により形成され、二層目の転送電極９の下のゲート絶縁
膜はＳｉＯｚ膜２及びＳ ｉ ３ Ｎ ａ膜８により形
成されるので、一層目の転送電極７の下のゲート絶縁膜
と二層目の転送電極９の下のゲート絶縁膜とを同一構造
とすることができる。これによって、電荷転送時に一層
目の転送電極７の下の部分のｐ型Ｓｉ基板１に形成され
るポテンシャル井戸と二層目の転送電極９の下の部分の
ｐ型Ｓｉ基板ｌに形成されるポテンシャル井戸との間に
ゲート絶縁膜の構造の違いによるポテンシャル差が生し
ることがなく、従って電荷の転送が容易となる。さらに
、一層目１２
の転送電極７は、金属元素に対するハリアとなるＳｊ３
Ｎ４膜でその周囲のかなりの部分を囲まれた構造となる
ので、この転送電極７中に含まれる金属元素の外部への
拡散を抑えることができ、従って転送電極７からセンサ
一部への金属元素の拡散を防止するこどができる。これ
によって、この実施例によるＢＣＣＤを撮像素子として
用いた場合において、金属汚染による画像欠陥の発生を
防止することができる。なお、高融点金属を含む材料の
使用により転送電極７．９の低抵抗化を図ることができ
ることは言うまでもない。1l As described above, according to this embodiment, the interlayer insulating film between the transfer electrode 7 at the layer entrance and the transfer electrode 9 at the second layer is formed by the high voltage Si3N4 film 8 formed by the CVD method 6. Therefore, even when a material containing a high melting point metal is used as the material for the transfer electrode, the withstand voltage of the glabella insulating film between the first layer transfer electrode 7 and the second layer transfer electrode 9 can be sufficiently maintained. Can be made larger. Further, the gate insulating film under the first layer transfer electrode 7 is a SiO2llU2 and si3Na film 3.
Since the gate insulating film under the second layer transfer electrode 9 is formed of the SiOz film 2 and the Si 3 Na film 8, the gate insulating film under the first layer transfer electrode 7 and the two-layer The gate insulating film under the transfer electrode 9 can have the same structure. As a result, potential wells are formed in the p-type Si substrate 1 under the first-layer transfer electrode 7 and in the p-type Si substrate l under the second-layer transfer electrode 9 during charge transfer. There is no difference in potential between the gate insulating film and the potential well due to the difference in structure of the gate insulating film, thus facilitating charge transfer. Furthermore, the transfer electrode 7 of the first layer 12 has Sj3 which acts as a harrier for metal elements.
Since it has a structure in which a considerable part of its periphery is surrounded by the N4 film, it is possible to suppress the diffusion of the metal elements contained in the transfer electrode 7 to the outside, and therefore, the metal elements contained in the transfer electrode 7 can be prevented from diffusing to the outside. It is possible to prevent the diffusion of elements. Thereby, when the BCCD according to this embodiment is used as an image sensor, it is possible to prevent image defects due to metal contamination. It goes without saying that the resistance of the transfer electrode 7.9 can be lowered by using a material containing a high melting point metal.
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではな《、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。Although the embodiments of the present invention have been specifically described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
例えば、上述の実施例におけるＳｉ．Ｎ４膜３８の上に
熱酸化法により薄いＳｉＯｚ膜を形成することにより、
−層目の転送電極７の下のケート絶縁膜及び二層目の転
送電極９の下のゲーＩ・絶縁膜をそれぞれＳ ｉ Ｏ
２ ／ Ｓ ｌ ３ Ｎ ａ ／ Ｓ ｉ Ｏ ２
（ Ｏ Ｎ Ｏ ）１３
？造とすることも可能である。For example, Si. By forming a thin SiOz film on the N4 film 38 by thermal oxidation,
- The gate insulating film under the transfer electrode 7 of the second layer and the gate insulating film under the transfer electrode 9 of the second layer are each made of SiO.
2 / S l 3 N a / S i O 2
(ONO)13? It is also possible to make it a structure.
また、上述の実施例においては、ＳｉＯ■膜１０をマス
クとしてＳｉ：＋Ｎｎｌ模８をエソチングする際に−・
層目の転送電極７も多少エッチングされる可能性がある
が、この−層目の転送電極７のエッチングを防止するた
めには、例えば二層目の転送電極形成用の導体膜をエソ
チングしてて層目の転送電極９を形成した後にセンナー
形成用のイオン注入を行えばよい。In addition, in the above-mentioned embodiment, when etching the Si:+Nnl pattern 8 using the SiO2 film 10 as a mask, -.
There is a possibility that the transfer electrode 7 in the second layer may also be etched to some extent, but in order to prevent the transfer electrode 7 in the negative layer from being etched, for example, the conductor film for forming the second layer transfer electrode may be etched. After forming the second layer of transfer electrode 9, ion implantation for forming a sensor may be performed.
さらに、上述の実施例においては、本発明をＢＣＣＤの
製造に適用した場合について説明したが、本発明は、Ｂ
ＣＣＤ以外の各種の電荷転送装置の製造に通用すること
が可能である。Furthermore, in the above-mentioned embodiments, the case where the present invention was applied to the manufacture of BCCD was explained, but the present invention
It can be used to manufacture various charge transfer devices other than CCDs.
本発明は、以上説明したように構或されているので、第
１の転送電極と第２の転送電極との間の眉間絶縁膜の高
耐圧化を図ることができるとともに、第１の転送電極の
下のゲート絶縁膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁膜
とを同一構造とする１４
ことができる。Since the present invention is constructed as described above, it is possible to increase the withstand voltage of the glabella insulating film between the first transfer electrode and the second transfer electrode, and also to increase the withstand voltage of the glabella insulating film between the first transfer electrode and the second transfer electrode. The gate insulating film under the second transfer electrode and the gate insulating film under the second transfer electrode can have the same structure.
第１図Ａ〜第１図Ｅは本発明の−実施例によるＢＣＣＤ
の製造方法を工程順に説明するための断面図、第２図は
第１図Ａ〜第１図Ｅに示す製造カ法により製造されたＢ
ＣＣＤの平面図である。
図面におりる主要な符号の説明
１：ｐ型Ｓｉ４板、 ２：ＳｉＯ．膜、 ３ ８：Ｓ
ｉ３Ｎ，ｌ膜、 ５：導体膜、 ７：一層目の転送電極
、 ９：二層目の転送電極。1A to 1E are BCCDs according to embodiments of the present invention.
2 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of B manufactured by the manufacturing method shown in FIGS. 1A to 1E in the order of steps.
FIG. 3 is a plan view of a CCD. Explanation of main symbols in the drawings 1: p-type Si4 plate, 2: SiO. Membrane, 3 8:S
i3N,l film, 5: conductor film, 7: first layer transfer electrode, 9: second layer transfer electrode.
Claims (1)
とも窒化シリコン膜をその下部に含む第１の絶縁膜を形
成する工程と、 上記第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第
１の転送電極を形成する工程と、 上記第１の転送電極をマスクとして上記第１の絶縁膜を
エッチングする工程と、 上記第１の転送電極を覆うように少なくとも窒化シリコ
ン膜をその下部に含む第２の絶縁膜を形成する工程と、 上記第１の転送電極に隣接して上記第２の絶縁膜上に高
融点金属を含む材料から成る第２の転送電極を形成する
工程とを具備することを特徴とする電荷転送装置の製造
方法。[Claims] A step of forming a first insulating film including at least a silicon nitride film under the silicon oxide film formed on a silicon substrate, and forming a high melting point metal on the first insulating film. a step of etching the first insulating film using the first transfer electrode as a mask; and at least a silicon nitride film covering the first transfer electrode. forming a second insulating film on the second insulating film adjacent to the first transfer electrode, and forming a second transfer electrode made of a material containing a high melting point metal; A method of manufacturing a charge transfer device, comprising the steps of:
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JPH03161941A true JPH03161941A (en) | 1991-07-11 |
| JP2830215B2 JP2830215B2 (en) | 1998-12-02 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5292680A (en) * | 1993-05-07 | 1994-03-08 | United Microelectronics Corporation | Method of forming a convex charge coupled device |
| US5670382A (en) * | 1992-07-29 | 1997-09-23 | Nikon Corporation | Method for producing a solid state imaging device |
| JP2007189020A (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | Solid-state image sensing device and method of manufacturing the same |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP30236889A patent/JP2830215B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US5670382A (en) * | 1992-07-29 | 1997-09-23 | Nikon Corporation | Method for producing a solid state imaging device |
| US5292680A (en) * | 1993-05-07 | 1994-03-08 | United Microelectronics Corporation | Method of forming a convex charge coupled device |
| JP2007189020A (en) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | Solid-state image sensing device and method of manufacturing the same |
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| JP2830215B2 (en) | 1998-12-02 |
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