JPH03159910A - 遷移金属炭化物の製造方法 - Google Patents
遷移金属炭化物の製造方法Info
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- JPH03159910A JPH03159910A JP1299553A JP29955389A JPH03159910A JP H03159910 A JPH03159910 A JP H03159910A JP 1299553 A JP1299553 A JP 1299553A JP 29955389 A JP29955389 A JP 29955389A JP H03159910 A JPH03159910 A JP H03159910A
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Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、遷移金属炭化物の製造方法に関するもので
ある。さらに詳しくは、この発明は、スクリューディス
クボールミル、振動ボールミル等を使用してのミリング
処理により遷移金属炭化物を製造する遷移金属炭化物の
新しい製造方法に関するものである。
ある。さらに詳しくは、この発明は、スクリューディス
クボールミル、振動ボールミル等を使用してのミリング
処理により遷移金属炭化物を製造する遷移金属炭化物の
新しい製造方法に関するものである。
(従来の技術とその課題〉
従来より、金属元素あるいは金属化合物の炭化法、補助
金属浴法、気相反応法等によって金属炭化物を製造する
方法が知られている。たとえば、T i Cの製造につ
いては、′I″jまたは1゛1化合物の炭化法、Coを
補助金属とした補助金属浴法、気相反応法等が使用され
ており、また特殊な方法としては、爆轟衝撃法、自己燃
焼法なども知られている。
金属浴法、気相反応法等によって金属炭化物を製造する
方法が知られている。たとえば、T i Cの製造につ
いては、′I″jまたは1゛1化合物の炭化法、Coを
補助金属とした補助金属浴法、気相反応法等が使用され
ており、また特殊な方法としては、爆轟衝撃法、自己燃
焼法なども知られている。
しかしながら、これらはいずれも原料の合金系を相当の
高温に加熱・保持して反応させることが必要であるため
、原料を高温に加熱するための加熱手段や保温手段が不
可欠となり、I!!造装置が複雑になると共に製造作業
の危険性も大きなものであった。このため、新しい機能
材料、超硬材料、耐熱材料等として注目されている金属
炭化物を工業的に簡便に、かつ安全に製造することので
きる新しい技術の開発が望まれていた。
高温に加熱・保持して反応させることが必要であるため
、原料を高温に加熱するための加熱手段や保温手段が不
可欠となり、I!!造装置が複雑になると共に製造作業
の危険性も大きなものであった。このため、新しい機能
材料、超硬材料、耐熱材料等として注目されている金属
炭化物を工業的に簡便に、かつ安全に製造することので
きる新しい技術の開発が望まれていた。
この発明は、以上の通りの$情を踏まえてなされたもの
であり、従来法の欠点を克服し、原料を磨砕・混練ずる
だけで格別な高温加熱処理をすることなく遷移金属の炭
化物を製造することのできる新しい金属炭化物の製造方
法を提供することを2 目的としている. (課題を解決するための手段) この発明は、上記の課題を解決するものとしで、真空お
よび/または不活性ガス雰囲気下に金属粉と炭素粉とを
ミリング処理して発熱反応させることを特徴とする遷移
金属炭化物の製造方法を提供する。
であり、従来法の欠点を克服し、原料を磨砕・混練ずる
だけで格別な高温加熱処理をすることなく遷移金属の炭
化物を製造することのできる新しい金属炭化物の製造方
法を提供することを2 目的としている. (課題を解決するための手段) この発明は、上記の課題を解決するものとしで、真空お
よび/または不活性ガス雰囲気下に金属粉と炭素粉とを
ミリング処理して発熱反応させることを特徴とする遷移
金属炭化物の製造方法を提供する。
この発明は、原料混合粉を格別に高温に設定・保持する
ことなく、ミリング処理により磨砕・混練するだけでそ
のミリング過程中に遷移金属炭素物の生成に有効な発熱
反応を起させ、遷移金属炭化物を製造するものである。
ことなく、ミリング処理により磨砕・混練するだけでそ
のミリング過程中に遷移金属炭素物の生成に有効な発熱
反応を起させ、遷移金属炭化物を製造するものである。
この発明に使用できる遷移金属粉としては、Ti,V,
Zr,Nb,Hf,Ta,ランタニド等の粉体、粒子を
例示することができる.また、炭素源としては、黒鉛等
を使用することができる。
Zr,Nb,Hf,Ta,ランタニド等の粉体、粒子を
例示することができる.また、炭素源としては、黒鉛等
を使用することができる。
遷移金属粉と炭素粉との配合割合は、配合する元素間の
状態図等から適宜定めることができ、たとえばTICを
製造する場合には、TiとCとの原子量比を61:39
〜37 : 63にすることができる。
状態図等から適宜定めることができ、たとえばTICを
製造する場合には、TiとCとの原子量比を61:39
〜37 : 63にすることができる。
このような原料にミリング処理を施す装置としては、真
空スクリューディスク式ボールミル、振動ボールミル等
の磨砕・混線装置を好適に使用することができる。この
うち、真空スクリューディスク式ボールミルは、容器中
心部のスクリューディスクの回転によって、原料混合粉
とボールとが上下方向の大きいベクトル振動をもつので
好ましい。また、振動ボールミルは容器が密閉型で反応
領域が狭く、容易に原料混合粉の全域に反応を起させる
ことができるので好ましい。
空スクリューディスク式ボールミル、振動ボールミル等
の磨砕・混線装置を好適に使用することができる。この
うち、真空スクリューディスク式ボールミルは、容器中
心部のスクリューディスクの回転によって、原料混合粉
とボールとが上下方向の大きいベクトル振動をもつので
好ましい。また、振動ボールミルは容器が密閉型で反応
領域が狭く、容易に原料混合粉の全域に反応を起させる
ことができるので好ましい。
ミリング処理の条件゛としては、真空および/.1たは
不活性ガス(ドライ)の雰囲気で、真空度をIXIO−
’Pa以下程度とすることができる。また、ミリング装
置に入れる原料混合粉やボールの量は、装置の容量、製
造スケール等に応じて適宜定めることができるが、たと
えば原料混合粉100gに対してボール(SUJ−2相
当材の鋼球)を3〜5 kg使用することができる.こ
の発明において、ミリング処理過程で生じる発熱反応は
、目視観察や原料混合粉の表面温度の測定により容易に
確認することができるので、遷移金属炭化物の製造を制
御することが容易となる。
不活性ガス(ドライ)の雰囲気で、真空度をIXIO−
’Pa以下程度とすることができる。また、ミリング装
置に入れる原料混合粉やボールの量は、装置の容量、製
造スケール等に応じて適宜定めることができるが、たと
えば原料混合粉100gに対してボール(SUJ−2相
当材の鋼球)を3〜5 kg使用することができる.こ
の発明において、ミリング処理過程で生じる発熱反応は
、目視観察や原料混合粉の表面温度の測定により容易に
確認することができるので、遷移金属炭化物の製造を制
御することが容易となる。
すなわち、ミリング処理過程における発熱や着火反応は
、ディスク回転数に応じてある一定時間が経過すると突
然開始されるが、このとき系内の真空度は急激に落ち、
混合粉の表面温度が3〜5K上昇し、容器内が一瞬白色
に輝くので、遷移金属炭化物の生成反応を容易に確認で
き、必要なミリング処理を制御することができる。また
、発熱や着火反応が生じるまでのミリング処理時間は原
料混合粉とボールとの質量比に比例して短くなるが、さ
らに、ミリング処理時間とディスク回転数との間には対
数グラフ上の直線関係があるので、この直線関係を基礎
にして遷移金属炭化物の生成に必要なミリング処理時間
を選択することが可能となる。
、ディスク回転数に応じてある一定時間が経過すると突
然開始されるが、このとき系内の真空度は急激に落ち、
混合粉の表面温度が3〜5K上昇し、容器内が一瞬白色
に輝くので、遷移金属炭化物の生成反応を容易に確認で
き、必要なミリング処理を制御することができる。また
、発熱や着火反応が生じるまでのミリング処理時間は原
料混合粉とボールとの質量比に比例して短くなるが、さ
らに、ミリング処理時間とディスク回転数との間には対
数グラフ上の直線関係があるので、この直線関係を基礎
にして遷移金属炭化物の生成に必要なミリング処理時間
を選択することが可能となる。
以下、この発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
5
q
実施例1
(’I’iCの製造)
−44μmのTi粉(大阪チタニウム製、TPS−35
0、平均粒径1G.4μm)80gと黒鉛粉(日本黒鉛
製、UCP、平均粒子径0.62μm)20gをビーカ
ー中で約30分撹拌し、混合粉とした。これを7.2w
φのCr鋼球(SUJ−2>3 kgと共に第1図に示
した真空スクリューディスク式ボールミルに入れ、真空
度2 X 1 0 −’tOrr以下、ディスク回転数
ioorpi冷水ジャケットへ送水量467 rrr/
s (水温284 〜287 K >としてミリング
処理した。このミリング処理は処理時間を変えてそれぞ
れ数度ずつ行った(最高処理時間432Ks)。
0、平均粒径1G.4μm)80gと黒鉛粉(日本黒鉛
製、UCP、平均粒子径0.62μm)20gをビーカ
ー中で約30分撹拌し、混合粉とした。これを7.2w
φのCr鋼球(SUJ−2>3 kgと共に第1図に示
した真空スクリューディスク式ボールミルに入れ、真空
度2 X 1 0 −’tOrr以下、ディスク回転数
ioorpi冷水ジャケットへ送水量467 rrr/
s (水温284 〜287 K >としてミリング
処理した。このミリング処理は処理時間を変えてそれぞ
れ数度ずつ行った(最高処理時間432Ks)。
また、Ti粉と黒鉛粉との混合粉20gに封ずるCr鋼
球の使用量を3〜5kg(混合粉と鋼球の質量比1:3
0〜1 : 50)の範囲で変化させ、さらに、ディス
ク回転数を100〜400rpI1の範囲で変化させて
、同様にしてミリング処理を行った。
球の使用量を3〜5kg(混合粉と鋼球の質量比1:3
0〜1 : 50)の範囲で変化させ、さらに、ディス
ク回転数を100〜400rpI1の範囲で変化させて
、同様にしてミリング処理を行った。
この場合、使用した真空スクリューディスク式6
ボールミルには、その反応系内の真空状態を慨測できる
ように真空計(1)と記録計を設け、反応に伴って発生
するガスを分析できるように四重極型質量分析計(Qu
adrapolc IIlass fllter)
( 2 )を設置した。また、このボールミル(3)の
容器上部にはZnSeガラスのfll察窓を設けて内部
を目視観察できるようにし、またそこに赤外線放射温度
計(4)を設置して混合粉の表面温度を測定できるよう
にした.さらに、このボールミルの容器と回転軸との間
には、大気が侵入するのを防止するためにArガスシー
ルジャクットを取り付け、また、ミリング処理で活性化
した粉末を外部に取り出す際の爆発的燃焼を防止するた
めに容器上部に安定化処理用グローブボックス(5)を
設置した。
ように真空計(1)と記録計を設け、反応に伴って発生
するガスを分析できるように四重極型質量分析計(Qu
adrapolc IIlass fllter)
( 2 )を設置した。また、このボールミル(3)の
容器上部にはZnSeガラスのfll察窓を設けて内部
を目視観察できるようにし、またそこに赤外線放射温度
計(4)を設置して混合粉の表面温度を測定できるよう
にした.さらに、このボールミルの容器と回転軸との間
には、大気が侵入するのを防止するためにArガスシー
ルジャクットを取り付け、また、ミリング処理で活性化
した粉末を外部に取り出す際の爆発的燃焼を防止するた
めに容器上部に安定化処理用グローブボックス(5)を
設置した。
ミリング処理に際しては、このような装置を使用して、
真空状態、反応に伴って発生するガス、混合粉の表面温
度等を観測し、また、ミリング処理前後の混合粉の特徴
をX#1回折、遊離炭素分析、SEM等で評価した。な
お、ボールミル(3)の容器から混合粉を取出して特徴
を調べる場合には、X線回折等に先立ち、予め混合粉を
Arガス(露点253K)を導入した安定化処理用グロ
ーブボックス(5)内に2日間放置し、安定化させた.
また、ミリング処理と自然着火する温度との関係をみる
ために、混合粉が発熱・着火反応を起こす直前までミリ
ング処理した混合粉について、その混合粉をボールミル
の容器から取出し、黒鉛ダイスに充填し、真空中(IX
IO’−2Pa以下)で0.33K/sで昇温し、自然
着火する温度を測定した。
真空状態、反応に伴って発生するガス、混合粉の表面温
度等を観測し、また、ミリング処理前後の混合粉の特徴
をX#1回折、遊離炭素分析、SEM等で評価した。な
お、ボールミル(3)の容器から混合粉を取出して特徴
を調べる場合には、X線回折等に先立ち、予め混合粉を
Arガス(露点253K)を導入した安定化処理用グロ
ーブボックス(5)内に2日間放置し、安定化させた.
また、ミリング処理と自然着火する温度との関係をみる
ために、混合粉が発熱・着火反応を起こす直前までミリ
ング処理した混合粉について、その混合粉をボールミル
の容器から取出し、黒鉛ダイスに充填し、真空中(IX
IO’−2Pa以下)で0.33K/sで昇温し、自然
着火する温度を測定した。
その結果、以下の通りの知見と反応成績を得た。
(A) ミリング処理における混合粉の表面温度の変
化 第2図に示したように、混合粉の表面温度はミリング処
理を開始した当初は連続的に上昇するが、ミリング処理
条件に応じて、ある一定時間を経過すると突然に反応を
起こし、瞬時に3〜5K上昇した。
化 第2図に示したように、混合粉の表面温度はミリング処
理を開始した当初は連続的に上昇するが、ミリング処理
条件に応じて、ある一定時間を経過すると突然に反応を
起こし、瞬時に3〜5K上昇した。
このとき目視により自然着火することがl
(B)
確認でき、10−2Paのレンジに設定しておいた真空
計はレンジアウトした。また、四重極型質量分析計では
m/z=2と28ガス成分が非常に多くなった。瞬間的
な発熱反応によりH2とCOが生成したと考えられる。
計はレンジアウトした。また、四重極型質量分析計では
m/z=2と28ガス成分が非常に多くなった。瞬間的
な発熱反応によりH2とCOが生成したと考えられる。
このm / z = 2に対し、m/z18のH20の
ピークが相対的に高いことから、吸着水素以外の水分子
によりH2が生成したものと考えられる。
ピークが相対的に高いことから、吸着水素以外の水分子
によりH2が生成したものと考えられる。
発熱反応を起こすまでのミリング処理時間とディスク回
転数との関係 発熱反応を起こすまでのミリング処理時間とディスク回
転数との間の関係を示したものがは第3図であり、この
第3図から両者の間には対数グラフ上の直線関係がある
こと、およびこのミリング処理時間ばらつきは、ディス
ク回転数が多いほど小さくなることが確認できた。
転数との関係 発熱反応を起こすまでのミリング処理時間とディスク回
転数との間の関係を示したものがは第3図であり、この
第3図から両者の間には対数グラフ上の直線関係がある
こと、およびこのミリング処理時間ばらつきは、ディス
ク回転数が多いほど小さくなることが確認できた。
なお、発熱反応を起こすまでのミリング処理時間につい
ては、混合粉とボールとの8 (C) 質量比に比例して短くなり、そのばらつきはこの質量比
に比例して小さくなることも確認できた。
ては、混合粉とボールとの8 (C) 質量比に比例して短くなり、そのばらつきはこの質量比
に比例して小さくなることも確認できた。
ミリング処理前後のX線回折の結果
第4図に示したように、70Ksのものは瞬間的な発熱
反応による自然着火と同時にミリング処理を停止したも
ののプロファイルを示している.また、比較のために、
市販のT i Cのプロファイルを最上部に示した。
反応による自然着火と同時にミリング処理を停止したも
ののプロファイルを示している.また、比較のために、
市販のT i Cのプロファイルを最上部に示した。
同図に示したように、発熱反応前においては、ミリング
処理の進行に伴い、Cのピークはブロード化して消滅ず
ること、一方、T1のピークはブロード化して低下ずる
ものの消滅はしないことが観察された。また、発熱反応
後においては、鋭く大きいTiCのピークとブロードで
小さいT1のピークが観察された.これにより、ミリン
グ処理過程での瞬間的な発熱反応によりTICが生成す
ることが確認された。
処理の進行に伴い、Cのピークはブロード化して消滅ず
ること、一方、T1のピークはブロード化して低下ずる
ものの消滅はしないことが観察された。また、発熱反応
後においては、鋭く大きいTiCのピークとブロードで
小さいT1のピークが観察された.これにより、ミリン
グ処理過程での瞬間的な発熱反応によりTICが生成す
ることが確認された。
(D)
(E)
なお、この発熱反応により生成した
TiC粉末は市販のT i C粉末に比べて(111
)に対する(200 )面の比強度が低く、配間性が見
られたが、発熱反応後にさらにミリング処理を施すこと
により市販のものと同様にすることができた。
)に対する(200 )面の比強度が低く、配間性が見
られたが、発熱反応後にさらにミリング処理を施すこと
により市販のものと同様にすることができた。
遊離炭素の分析
この分析により、発熱反応後の粉末にはTicが92.
5 〜93.OIIaSS%含有されていることが確認
できた。
5 〜93.OIIaSS%含有されていることが確認
できた。
自然着手温度の測定
混合粉を発熱・着火反応を起こす直前までミリング処理
して取出し、黒鉛ダイスに充填し、真空中(IXIO−
2Pa以下)で0.33K/sで昇温し、自然着火する
温度を測定したところ、ディスク回転数100〜400
rpmのいずれで処理したものも740〜870Kで自
然着火した。比較のためにミリング処理をしない混合粉
についても同様に測定したところ、1270Kでも自然
着火しなかった。これにより、ミリング処理によって混
合粉が活性化し、Ti−C系混合粉の反応開始温度を著
しく低下させられることが確認された。
して取出し、黒鉛ダイスに充填し、真空中(IXIO−
2Pa以下)で0.33K/sで昇温し、自然着火する
温度を測定したところ、ディスク回転数100〜400
rpmのいずれで処理したものも740〜870Kで自
然着火した。比較のためにミリング処理をしない混合粉
についても同様に測定したところ、1270Kでも自然
着火しなかった。これにより、ミリング処理によって混
合粉が活性化し、Ti−C系混合粉の反応開始温度を著
しく低下させられることが確認された。
実施例2
進動ボールミルを使用し、実施例1と同様にしてTi粉
と黒鉛粉との混合粉をミリング処理することによりTi
Cを製造し、反応前後の特徴を評価した。
と黒鉛粉との混合粉をミリング処理することによりTi
Cを製造し、反応前後の特徴を評価した。
その結果、発熱反応後の粉末には未反応ゴ1のピークは
観察されず、′]゛iは完全にT i Cとなっていた
。
観察されず、′]゛iは完全にT i Cとなっていた
。
スクリ、2−ディスク式ボールミルを使用した実施例1
の場合には若干の未反応Tiが残存していたのに対し、
振動ボールミルを使用した場合には未反応Tiが観測さ
れなかった.この差異は、スクリューディスク式ボール
ミルを.tiJ!用した場合には吸着ガスの蒸発によっ
てガス流が生じ、そのガス流に一部の粉末がまきあげら
れ、反応に関与しない混合粉が生じるが、振動ボールミ
ルを使用し11 た場合には容器が密閉型で反応領域が狭く、混合粉の全
域に反応が及ぶためと考えられる。
の場合には若干の未反応Tiが残存していたのに対し、
振動ボールミルを使用した場合には未反応Tiが観測さ
れなかった.この差異は、スクリューディスク式ボール
ミルを.tiJ!用した場合には吸着ガスの蒸発によっ
てガス流が生じ、そのガス流に一部の粉末がまきあげら
れ、反応に関与しない混合粉が生じるが、振動ボールミ
ルを使用し11 た場合には容器が密閉型で反応領域が狭く、混合粉の全
域に反応が及ぶためと考えられる。
(発明の効果)
以上、詳しく説明したように、この発明によれば、原料
混合粉を高温に加熱することなく、ミリング処理を施す
だけで、そのミリング処理過程中に遷移金属炭化物を合
成することができるので、工業的に有利に遷移金属炭化
物を製造することが可能となる。
混合粉を高温に加熱することなく、ミリング処理を施す
だけで、そのミリング処理過程中に遷移金属炭化物を合
成することができるので、工業的に有利に遷移金属炭化
物を製造することが可能となる。
第1図は、真空スクリューディスク式ボールミルの概略
構成図である。 第2図は、ミリング処理過程中の、ミリング処理時間と
混合粉の表面温度との関係を示した相関図である。 第3図は、ディスク回転数と発熱・、着火反応を起こす
までのミリング処理時間との関係を示した相関図である
。 第4図は、ミリング処理前後の混合粉のXIa回折プロ
ファイル図である. 1 2 1・・・真 空 計 2・・・四重極質量分析計 3・・・ボ ー ル ミ ル 4・・・赤外線放射温度計 5・・・グローブボックス 6・・・モータ、トランスミッション 7・・・真空ポンプ
構成図である。 第2図は、ミリング処理過程中の、ミリング処理時間と
混合粉の表面温度との関係を示した相関図である。 第3図は、ディスク回転数と発熱・、着火反応を起こす
までのミリング処理時間との関係を示した相関図である
。 第4図は、ミリング処理前後の混合粉のXIa回折プロ
ファイル図である. 1 2 1・・・真 空 計 2・・・四重極質量分析計 3・・・ボ ー ル ミ ル 4・・・赤外線放射温度計 5・・・グローブボックス 6・・・モータ、トランスミッション 7・・・真空ポンプ
Claims (1)
- (1)真空および/または不活性ガス雰囲気下に遷移金
属粉と炭素粉とをミリング処理して発熱反応させること
を特徴とする遷移金属炭化物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1299553A JPH0674126B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 遷移金属炭化物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1299553A JPH0674126B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 遷移金属炭化物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03159910A true JPH03159910A (ja) | 1991-07-09 |
JPH0674126B2 JPH0674126B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=17874111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1299553A Expired - Lifetime JPH0674126B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 遷移金属炭化物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0674126B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002053495A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-11 | Groupe Minutia Inc. | Refractory hard metals in powder form for use in the manufacture of electrodes |
CN102910628A (zh) * | 2011-08-05 | 2013-02-06 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 高熔点过渡金属碳化物超细粉体的合成方法 |
US10611638B2 (en) | 2014-03-21 | 2020-04-07 | Höganäs Ab (Publ) | Process for manufacturing a metal carbide, nitride, boride, or silicide in powder form |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1299553A patent/JPH0674126B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002053495A1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-07-11 | Groupe Minutia Inc. | Refractory hard metals in powder form for use in the manufacture of electrodes |
CN102910628A (zh) * | 2011-08-05 | 2013-02-06 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 高熔点过渡金属碳化物超细粉体的合成方法 |
US10611638B2 (en) | 2014-03-21 | 2020-04-07 | Höganäs Ab (Publ) | Process for manufacturing a metal carbide, nitride, boride, or silicide in powder form |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0674126B2 (ja) | 1994-09-21 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |