JPH03156848A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents
走査型電子顕微鏡Info
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- JPH03156848A JPH03156848A JP1294893A JP29489389A JPH03156848A JP H03156848 A JPH03156848 A JP H03156848A JP 1294893 A JP1294893 A JP 1294893A JP 29489389 A JP29489389 A JP 29489389A JP H03156848 A JPH03156848 A JP H03156848A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子線照射に伴い試料表面より放出された2次
電子を増倍し2次電子検出電極によって検出するように
した走査型電子顕微鏡に関するものである。
電子を増倍し2次電子検出電極によって検出するように
した走査型電子顕微鏡に関するものである。
[従来の技術]
従来から、電子銃より出た電子線を電子光学系および偏
向器を経て試料に照射し、その照射面より放出された2
次電子を2次電子検出電極によって検出するようにした
走査型電子顕微鏡においては、前記試料室内に低圧ガス
を送り込み、このガス分子に前記2次電子を衝突させて
増倍することにより、大きな出力を得るようにしている
。この2次電子増倍用ガスとしては2次電子増倍係数の
大きい水蒸気ガスが用いられている。
向器を経て試料に照射し、その照射面より放出された2
次電子を2次電子検出電極によって検出するようにした
走査型電子顕微鏡においては、前記試料室内に低圧ガス
を送り込み、このガス分子に前記2次電子を衝突させて
増倍することにより、大きな出力を得るようにしている
。この2次電子増倍用ガスとしては2次電子増倍係数の
大きい水蒸気ガスが用いられている。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、走査型電子顕微鏡の2次電子検出電極とかア
パーチャは非常に汚れ易く、−度汚れると、−旦鏡筒内
の真空を落として新しいものと交換するか若しくは掃除
していた。そのため、その作業が面倒であり、また交換
若しくは掃除後、真空ポンプによって筐体内を真空排気
し、再度高い真空度にするには時間がかかる。さらにま
た、アパーチャに関しては電子線を走査してクリニング
することも行われてはいるが、この方法はアパーチャの
上面、すなわち電子銃側の面のみに限られ、試料側の下
面まではクリニングすることができないという欠点を有
している。
パーチャは非常に汚れ易く、−度汚れると、−旦鏡筒内
の真空を落として新しいものと交換するか若しくは掃除
していた。そのため、その作業が面倒であり、また交換
若しくは掃除後、真空ポンプによって筐体内を真空排気
し、再度高い真空度にするには時間がかかる。さらにま
た、アパーチャに関しては電子線を走査してクリニング
することも行われてはいるが、この方法はアパーチャの
上面、すなわち電子銃側の面のみに限られ、試料側の下
面まではクリニングすることができないという欠点を有
している。
したがって、本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたもので、その目的とするところは、2次電子の
増倍効果大で、しかも鏡筒の真空を落とすことなくアパ
ーチャの上下面および2次電子検出電極を効果的にクリ
ニングし得るようにした走査型電子顕微鏡を提供するこ
とにある。
なされたもので、その目的とするところは、2次電子の
増倍効果大で、しかも鏡筒の真空を落とすことなくアパ
ーチャの上下面および2次電子検出電極を効果的にクリ
ニングし得るようにした走査型電子顕微鏡を提供するこ
とにある。
U課題を解決するための手段]
本発明は上記目的を達成するためになされたもので、そ
の第1の目的は、電子銃からの電子線を電子光学系及び
偏向器を通して、気体のコンダクタンスの小さいアパー
チャから気体の導入されている試料室内の試料に入射さ
せると共に、前記試料室内に、前記試料より射出された
2次電子を検出する2次電子検出電極を設けた走査型電
子顕微鏡において、前記試料室内に導入される気体とし
て酸素ガスあるいは酸素を主成分とするガスを用いたも
のである。
の第1の目的は、電子銃からの電子線を電子光学系及び
偏向器を通して、気体のコンダクタンスの小さいアパー
チャから気体の導入されている試料室内の試料に入射さ
せると共に、前記試料室内に、前記試料より射出された
2次電子を検出する2次電子検出電極を設けた走査型電
子顕微鏡において、前記試料室内に導入される気体とし
て酸素ガスあるいは酸素を主成分とするガスを用いたも
のである。
また、第2の発明は、前記2次電子検出電極に放電を起
こすに十分な電圧を印加する電源装置を設け、放電によ
って鏡筒白金属部品をクリニングしたものである。
こすに十分な電圧を印加する電源装置を設け、放電によ
って鏡筒白金属部品をクリニングしたものである。
また、第3の発明は、!素ガスの放電最低電圧より高い
電圧を2次電子検出電極に印加し、試料室圧力を最も放
電し易い圧力より低圧側の放電を起こさない圧力に制御
するガス導入制御装置を設けたものである。
電圧を2次電子検出電極に印加し、試料室圧力を最も放
電し易い圧力より低圧側の放電を起こさない圧力に制御
するガス導入制御装置を設けたものである。
[作用コ
2次電子増倍用ガスに要求される性質としては、■放電
電圧が高く、高いバイアス電圧を2次電子検出電極に印
加できること、 ■電子と衝突した時にイオン−電子生成確率が高いこと
、 ■小さいpa積(試料室の圧力pと、試料−2次電子検
出電極間距wldの積)で2次電子増倍作用が最大にな
ること、等が挙げられる。
電圧が高く、高いバイアス電圧を2次電子検出電極に印
加できること、 ■電子と衝突した時にイオン−電子生成確率が高いこと
、 ■小さいpa積(試料室の圧力pと、試料−2次電子検
出電極間距wldの積)で2次電子増倍作用が最大にな
ること、等が挙げられる。
そこで、N20.0□、N2、N2、A、、。
等のガスを比較すると、上記0項に対しては、N20が
最も良く、550■程度の放電電圧を持っている0次い
で02で450Vの放電電圧、N2、N2、Ne、A、
He等では300■とされる。
最も良く、550■程度の放電電圧を持っている0次い
で02で450Vの放電電圧、N2、N2、Ne、A、
He等では300■とされる。
■項のイオン−電子生成確率については02はAに次い
で2番目によい生成確率を有する。0項のdp積につい
ては、02 : 4. 1m54orr、空気:6、
Om[Torr 、 N2 : 6.3mm4orr
+H2:12mm4orr +A : 20mm°T
orr +N2 : 40+m4orr 、H20:〜
10 朋4orrで、02が最もよい。
で2番目によい生成確率を有する。0項のdp積につい
ては、02 : 4. 1m54orr、空気:6、
Om[Torr 、 N2 : 6.3mm4orr
+H2:12mm4orr +A : 20mm°T
orr +N2 : 40+m4orr 、H20:〜
10 朋4orrで、02が最もよい。
以上の点から0□はN20と同様、2次電子増倍用ガス
に適しているといえる。また、2次電子検出電極に放電
を起こすに十分な電圧を印加すると、02は2次電子検
出電極等に付着した汚れをスパッタリングし、クリニン
グ作用を発揮する。
に適しているといえる。また、2次電子検出電極に放電
を起こすに十分な電圧を印加すると、02は2次電子検
出電極等に付着した汚れをスパッタリングし、クリニン
グ作用を発揮する。
この時、アパーチャの試料室側の面がクリニングされる
。
。
ガス導入制御装置によって酸素ガスあるいは酸素を主成
分とするガスの分圧をハイドロカーボンの分圧よりも大
きくすると、ハイドロカーボンからのカーボンが付着す
る速度より602ガスによるカーボンのスッパタ速度が
大きくなりクリニング効果は増大する。
分とするガスの分圧をハイドロカーボンの分圧よりも大
きくすると、ハイドロカーボンからのカーボンが付着す
る速度より602ガスによるカーボンのスッパタ速度が
大きくなりクリニング効果は増大する。
[実施例]
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明に係る走査型電子顕微鏡の一実施例を示
す概略構成図である。同図において、走査型電子顕微鏡
は、コンデンサレンズ2、ビーム偏向コイル(偏向器)
3および対物レンズ4を含む鏡筒1と、電子銃6を有し
て前記鏡筒1の上に設けられた電子銃室5と、試料8が
載置される試料台9と2次電子検出電極10を有して前
記鏡筒1の下に設けられた試料室7とを備えている。
す概略構成図である。同図において、走査型電子顕微鏡
は、コンデンサレンズ2、ビーム偏向コイル(偏向器)
3および対物レンズ4を含む鏡筒1と、電子銃6を有し
て前記鏡筒1の上に設けられた電子銃室5と、試料8が
載置される試料台9と2次電子検出電極10を有して前
記鏡筒1の下に設けられた試料室7とを備えている。
鏡筒1と電子銃室5との境、鏡筒1の途中及びM筒1と
試料室7との境にはそれぞれ気体のコンダクタンスの小
さい圧力制限アパーチャ11.12.13が設けられ、
個々独立に真空排気されるように構成されている。
試料室7との境にはそれぞれ気体のコンダクタンスの小
さい圧力制限アパーチャ11.12.13が設けられ、
個々独立に真空排気されるように構成されている。
この場合、鏡筒1のアパーチャ12より上の室14はイ
オンポンプ15によって真空排気され、アパーチャ11
の下面側においてI X 10−’Torr、アパーチ
ャ12の上面側においてI X L O−’Torrと
される。一方、鏡筒1のアパーチャ12.13間の室1
6はターボ分子ボン117によって真空排気され、アパ
ーチャ12の下面側において約IX 10−4Torr
、アパーチャ13の上面側において約Q、1Torrと
される。また、この室16にはバルブ18の切替操作に
よって02ガスの供給源(図示せず)に接続されるよう
に構成されている。
オンポンプ15によって真空排気され、アパーチャ11
の下面側においてI X 10−’Torr、アパーチ
ャ12の上面側においてI X L O−’Torrと
される。一方、鏡筒1のアパーチャ12.13間の室1
6はターボ分子ボン117によって真空排気され、アパ
ーチャ12の下面側において約IX 10−4Torr
、アパーチャ13の上面側において約Q、1Torrと
される。また、この室16にはバルブ18の切替操作に
よって02ガスの供給源(図示せず)に接続されるよう
に構成されている。
電子銃室15はイオンポンプ20によって真空排気され
、アパーチャ11の上面側においてIX 10−9To
rrとされる。
、アパーチャ11の上面側においてIX 10−9To
rrとされる。
試料室7はバルブ21を介して02ガスの供給源(ガス
導入制御装置)22に接続されて02ガス〈あるいは0
2を主成分とするガス)の供給を受けると同時に、バル
ブ23を介してロータリポンプ24に接続され真空排気
されることにより、ESEM(Environment
al Scanning Etectron M
icroscope)動作に最適な圧力(数Torr)
に制御されている。
導入制御装置)22に接続されて02ガス〈あるいは0
2を主成分とするガス)の供給を受けると同時に、バル
ブ23を介してロータリポンプ24に接続され真空排気
されることにより、ESEM(Environment
al Scanning Etectron M
icroscope)動作に最適な圧力(数Torr)
に制御されている。
したがって、長時間使用時に汚れが発生するのは2次電
子検出電極10と圧力制限アパーチャ13の上下面とさ
れる。
子検出電極10と圧力制限アパーチャ13の上下面とさ
れる。
2次電子検出電fi10は絶縁材料からなるスペーサ2
6を介して試料室7内に配設され、スイッチ27.28
の切替操作によってクリニング用電源2つと増幅器30
に選択的に接続されるように構成されている。そして、
増幅器30は表示装置31に接続されている。
6を介して試料室7内に配設され、スイッチ27.28
の切替操作によってクリニング用電源2つと増幅器30
に選択的に接続されるように構成されている。そして、
増幅器30は表示装置31に接続されている。
なお、32は絶縁材料からなるスペーサである。
このような構成において、試料8の観察に際しては前記
各ポンプ15.17.20.24によって鏡筒1、電子
銃室5および試料室7内を真空排気し、上記値の真空度
に設定保持する。この時、試料室7には02ガス供給源
22より0□ガスが供給される。そして、2次電子検出
電極10はスイッチ28によって増幅器30に接続され
、スイッチ28はOFFとされる。
各ポンプ15.17.20.24によって鏡筒1、電子
銃室5および試料室7内を真空排気し、上記値の真空度
に設定保持する。この時、試料室7には02ガス供給源
22より0□ガスが供給される。そして、2次電子検出
電極10はスイッチ28によって増幅器30に接続され
、スイッチ28はOFFとされる。
電子jI6から放射された電子線は、アパーチャ11.
12.13を通って試料室7に入射する際、コンデンサ
レンズ2と対物レンズ4によって細く絞られ、ビーム偏
向コイル3によって偏向されることで試料8の表面を走
査する。電子線を試料表面に照射すると、試料表面から
2次電子が放出され、この2次電子は試料室7内の0□
ガス分子と衝突して増倍され、2次電子検出電極10に
よって検出され電気信号に変換される。そして、2次電
子検出電極10による検出信号は増幅器30によってさ
らに増幅され、表示装置31に波形やSEM像として表
示される。
12.13を通って試料室7に入射する際、コンデンサ
レンズ2と対物レンズ4によって細く絞られ、ビーム偏
向コイル3によって偏向されることで試料8の表面を走
査する。電子線を試料表面に照射すると、試料表面から
2次電子が放出され、この2次電子は試料室7内の0□
ガス分子と衝突して増倍され、2次電子検出電極10に
よって検出され電気信号に変換される。そして、2次電
子検出電極10による検出信号は増幅器30によってさ
らに増幅され、表示装置31に波形やSEM像として表
示される。
この場合、02ガスは上記した通り2次電子増倍作用を
有し、H20ガスを用いた場合と同程度のS/N比の画
像が得られる。また、カーボンが付着する速度よりも酸
素ガスによりカーボンがスッパヴタエッチされる速度が
速いため試料表面を汚す恐れがない。
有し、H20ガスを用いた場合と同程度のS/N比の画
像が得られる。また、カーボンが付着する速度よりも酸
素ガスによりカーボンがスッパヴタエッチされる速度が
速いため試料表面を汚す恐れがない。
2次電子検出電極10およびアパーチャ13が試料8や
装置内壁面から放出された分子や粒子さらには真空排気
時の空気やオイル中に含まれている各種分子や粒子によ
って汚染された場合は、バルブ21を開いて試料室7内
に02ガスを供給してその圧力をクリニングに適した圧
力まで上昇させると共に、スイッチ27をONにしてス
イッチ28をクリニング用電源29側に切替え、2次電
子検出電極10に放電を起こすに十分な電圧を一定時間
印加すればよい、電圧の印加方向は被りリニング物であ
る2次電子検出電極10とアパーチャ13に02ガスの
イオンが入射する方向あるいは交番電圧とされる。この
時、o2ガスの分圧をクリニングすべきハイドロカーボ
ンの分圧より大きく設定すると、クリニング効果を増大
させることができる。また、o2ガスによるクリニング
は、電圧印加のみで行えるため、−旦真空を落とす必要
がなく、作業が簡単で、しかもH20ガスに比べてクリ
ニング効果が大きく遥かに長時間クリニングの必要がな
いと云う利点を有する。
装置内壁面から放出された分子や粒子さらには真空排気
時の空気やオイル中に含まれている各種分子や粒子によ
って汚染された場合は、バルブ21を開いて試料室7内
に02ガスを供給してその圧力をクリニングに適した圧
力まで上昇させると共に、スイッチ27をONにしてス
イッチ28をクリニング用電源29側に切替え、2次電
子検出電極10に放電を起こすに十分な電圧を一定時間
印加すればよい、電圧の印加方向は被りリニング物であ
る2次電子検出電極10とアパーチャ13に02ガスの
イオンが入射する方向あるいは交番電圧とされる。この
時、o2ガスの分圧をクリニングすべきハイドロカーボ
ンの分圧より大きく設定すると、クリニング効果を増大
させることができる。また、o2ガスによるクリニング
は、電圧印加のみで行えるため、−旦真空を落とす必要
がなく、作業が簡単で、しかもH20ガスに比べてクリ
ニング効果が大きく遥かに長時間クリニングの必要がな
いと云う利点を有する。
第2図は放電電圧の(圧力) (距離)積(pd槓)依
存性であるPa5chenの曲線とESEMの動作条件
(圧力)(試料−2次電子検出電極間距w1)積と、2
次電子検出電極10に与えるバイアス電圧との関係を示
す図である。同図において、AはH20ガスを用いた場
合の従来のESEMの動作条件、Bは0□ガスを用いた
場合の本発明の動作条件、Cは本発明での放電によるク
リユング時の動作条件をそれぞれ示す。
存性であるPa5chenの曲線とESEMの動作条件
(圧力)(試料−2次電子検出電極間距w1)積と、2
次電子検出電極10に与えるバイアス電圧との関係を示
す図である。同図において、AはH20ガスを用いた場
合の従来のESEMの動作条件、Bは0□ガスを用いた
場合の本発明の動作条件、Cは本発明での放電によるク
リユング時の動作条件をそれぞれ示す。
この図から明らかなように、02ガスを従来のH20ガ
スの代わりに2次電子増倍用ガスとして使用すると、放
電電圧が小さくなるが、動作電圧を第2図に示したよう
に高真空側にずらすことによって放電電圧を上昇させ、
大きいバイアス電圧での使用が可能である。
スの代わりに2次電子増倍用ガスとして使用すると、放
電電圧が小さくなるが、動作電圧を第2図に示したよう
に高真空側にずらすことによって放電電圧を上昇させ、
大きいバイアス電圧での使用が可能である。
なお、アパーチャ13の上面をクリニングする場合は、
バルブ18を開いて鏡筒1の下室16内に02ガス若し
くは02ガスを主成分とするガスを導入して2次電子検
出電極10に高電圧を印加し、放電を起こさせるか、電
子線でアパーチャ上面を走査すればよい。
バルブ18を開いて鏡筒1の下室16内に02ガス若し
くは02ガスを主成分とするガスを導入して2次電子検
出電極10に高電圧を印加し、放電を起こさせるか、電
子線でアパーチャ上面を走査すればよい。
[発明の効果コ
以上説明したように本発明に係る走査型電子顕微鏡によ
れば、従来の水蒸気ガスの代わりに酸素ガスまたは酸素
ガスを主成分とするガスを試料室内に導入するようにし
たので、2次電子増倍効果とクリニング効果に優れ、特
に水蒸気ガスと比較して長時間の使用に耐え、また真空
を落としたりすることなく、ガスの圧力変化と放電電圧
の印加のみで2次電子検出電極とアパーチャのクリニン
グが可能である。
れば、従来の水蒸気ガスの代わりに酸素ガスまたは酸素
ガスを主成分とするガスを試料室内に導入するようにし
たので、2次電子増倍効果とクリニング効果に優れ、特
に水蒸気ガスと比較して長時間の使用に耐え、また真空
を落としたりすることなく、ガスの圧力変化と放電電圧
の印加のみで2次電子検出電極とアパーチャのクリニン
グが可能である。
第1図は本発明に係る走査型電子顕微鏡の一実施例を示
す概略構成図、第2図は放電電圧のく圧力)(距離)積
(ρd積)依存性であるPa5chenの曲線とESE
Mの動作束#(圧力)(試料−2次電子検出電極間距離
)積と2次電子検出を極10に与えるバイアス電圧との
関係を示す図である。 1・・・鏡筒、2・・・コンデンサレンズ、3・・・ビ
ーム偏向コイル、4・・・対物レンズ、5・・・電子銃
室、6・・・電子銃、7・・・試料室、8・・・試料、
10・・・2次電子検出電極、11.12.13・・・
アパーチャ、29・・・クリニング用電源。
す概略構成図、第2図は放電電圧のく圧力)(距離)積
(ρd積)依存性であるPa5chenの曲線とESE
Mの動作束#(圧力)(試料−2次電子検出電極間距離
)積と2次電子検出を極10に与えるバイアス電圧との
関係を示す図である。 1・・・鏡筒、2・・・コンデンサレンズ、3・・・ビ
ーム偏向コイル、4・・・対物レンズ、5・・・電子銃
室、6・・・電子銃、7・・・試料室、8・・・試料、
10・・・2次電子検出電極、11.12.13・・・
アパーチャ、29・・・クリニング用電源。
Claims (3)
- (1)電子銃からの電子線を電子光学系及び偏向器を通
して、気体のコンダクタンスの小さいアパーチャから気
体の導入されている試料室内の試料に入射させると共に
、前記試料室内に、前記試料より射出された2次電子を
検出する2次電子検出電極を設けた走査型電子顕微鏡に
おいて、 前記試料室内に導入される気体として酸素ガスあるいは
酸素を主成分とするガスを用いたことを特徴とする走査
型電子顕微鏡。 - (2)電子銃からの電子線を電子光学系及び偏向器を通
して、気体のコンダクタンスの小さいアパーチャから気
体の導入されている試料室内の試料に入射させると共に
、前記試料室内に、前記試料より射出された2次電子を
検出する2次電子検出電極を設けた走査型電子顕微鏡に
おいて、 前記2次電子検出電極に放電を起こすに十分な電圧を印
加する電源装置を設け、試料室あるいは鏡筒内に酸素ガ
スを導入し、放電によつて鏡筒内金属部品をクリニング
するたことを特徴とする走査型電子顕微鏡。 - (3)請求項1記載の走査型電子顕微鏡において、酸素
ガスの放電最低電圧より高い電圧を2次電子検出電極に
印加し、試料室圧力を最も放電し易い圧力より低圧側の
放電を起こさない圧力に制御するガス導入制御装置を設
けたことを特徴とする走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1294893A JPH03156848A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 走査型電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1294893A JPH03156848A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 走査型電子顕微鏡 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03156848A true JPH03156848A (ja) | 1991-07-04 |
Family
ID=17813615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1294893A Pending JPH03156848A (ja) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | 走査型電子顕微鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03156848A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011003426A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡 |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP1294893A patent/JPH03156848A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011003426A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡 |
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