JPH0315369B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0315369B2
JPH0315369B2 JP61085783A JP8578386A JPH0315369B2 JP H0315369 B2 JPH0315369 B2 JP H0315369B2 JP 61085783 A JP61085783 A JP 61085783A JP 8578386 A JP8578386 A JP 8578386A JP H0315369 B2 JPH0315369 B2 JP H0315369B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
npn transistor
collector
transistor
emitter
whose
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61085783A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62242410A (en
Inventor
Kenji Kano
Shintaro Mori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61085783A priority Critical patent/JPS62242410A/en
Publication of JPS62242410A publication Critical patent/JPS62242410A/en
Publication of JPH0315369B2 publication Critical patent/JPH0315369B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、3角波の発振信号を出力する弛張発
振回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a relaxation oscillation circuit that outputs a triangular wave oscillation signal.

〔従来の技術〕 従来の弛張発振回路を第5図、第6図に示す。
電圧比較器を用いた弛張発振回路としては、一般
に、1電圧比較器方式の回路と2電圧比較器方式
の回路とがある。第5図は1電圧比較器方式の回
路を示し、第6図は2電圧比較器方式の回路を示
す。
[Prior Art] A conventional relaxation oscillation circuit is shown in FIGS. 5 and 6.
Relaxation oscillation circuits using voltage comparators generally include a one-voltage comparator type circuit and a two-voltage comparator type circuit. FIG. 5 shows a one-voltage comparator type circuit, and FIG. 6 shows a two-voltage comparator type circuit.

第5図において、Q1〜Q9はトランジスタ、
X1〜X3は節点、Iaは定電流源、Ra,Rbは抵
抗、CTは充放電コンデンサ、T1は電圧Vccの電
源が供給される電源端子、T2は接地に接続され
る接地端子、T3は3角波の発振信号を外部へ出
力するための出力端子である。
In FIG. 5, Q1 to Q9 are transistors,
X1 to X3 are nodes, Ia is a constant current source, Ra and Rb are resistors, CT is a charging/discharging capacitor, T1 is a power supply terminal to which voltage Vcc power is supplied, T2 is a grounding terminal connected to ground, and T3 is a This is an output terminal for outputting a triangular wave oscillation signal to the outside.

次にこのように構成された弛張発振回路の動作
を第7図の動作波形を用いて説明する。まず、Q
5,Q7がオン状態にあり、第7図cに示す節点
X2の電位(第7図cの点線は節点X1の電位を
示す)が第7図aに示す節点X1の電位より高い
場合を考える。この状態で充放電コンデンサCT
の電荷は抵抗Rbを通つて放電されるため、節点
X2の電位は時間と共に下がる。節点X2の電位
が節点X1の電位より低くなると、定電流源Ia、
トランジスタQ1〜Q4で構成される電圧比較器
は第7図bに示す節点X3の電位を低レベルにす
るように働く。
Next, the operation of the relaxation oscillation circuit configured as described above will be explained using the operating waveforms shown in FIG. First, Q
Consider the case where Q7 is in the on state and the potential at node X2 shown in FIG. 7c (the dotted line in FIG. 7c indicates the potential at node X1) is higher than the potential at node X1 shown in FIG. 7a. . In this state, charge/discharge capacitor CT
Since the charge at the node X2 is discharged through the resistor Rb, the potential at the node X2 decreases with time. When the potential of node X2 becomes lower than the potential of node X1, constant current source Ia,
A voltage comparator composed of transistors Q1 to Q4 operates to lower the potential at node X3 shown in FIG. 7b to a low level.

これによりトランジスタQ5,Q7はオフし、
節点X1の電位は上昇し、充放電コンデンサCT
の放電パスはなくなるために充放電コンデンサ
CTには抵抗Raからの充電電流のみが流れる。こ
のため、節点X2の電位は時間と共に上昇する。
節点X2の電位が節点X1の電位より高くなる
と、定電流源Ia,Q1〜Q4で構成される電圧比
較器は節点X3の電位を高レベルにするように働
く。これによりトランジスタQ5,Q7はオン
し、節点X1の電位は下がり、最初の状態に戻
る。
This turns off transistors Q5 and Q7,
The potential of node X1 increases, and the charge/discharge capacitor CT
The discharge path of the charge-discharge capacitor disappears
Only the charging current from resistor Ra flows through CT. Therefore, the potential at the node X2 increases with time.
When the potential at node X2 becomes higher than the potential at node X1, the voltage comparator composed of constant current sources Ia, Q1 to Q4 operates to raise the potential at node X3 to a high level. As a result, transistors Q5 and Q7 are turned on, and the potential at node X1 decreases, returning to the initial state.

次に、第6図の弛張発振回路の構成について説
明する。第6図において、Q10〜Q18はトラ
ンジスタ、Y1〜Y6は節点、Ibは定電流源、
Rcは抵抗である。第6図において第5図と同一
部分又は相当部分には同一符号が付してある。
Next, the configuration of the relaxation oscillation circuit shown in FIG. 6 will be explained. In FIG. 6, Q10 to Q18 are transistors, Y1 to Y6 are nodes, Ib is a constant current source,
Rc is resistance. In FIG. 6, the same or corresponding parts as in FIG. 5 are given the same reference numerals.

次に、このように構成された弛張発振回路の動
作を第8図の動作波形を用いて説明する。まず第
8図dに示す節点Y2の電位(第8図dに示す点
線L2は節点Y1の電位、点線L3は節点Y3の
電位を示す)が節点Y1と節点Y3の電位の中間
にあり、第8図aに示す節点Y5の電位が低レベ
ル、第8図bに示す節点Y6の電位が高レベルの
状態にある場合を考える。節点Y2の電位が節点
Y1と節点Y3の電位の中間にある場合、トラン
ジスタQ3,Q16は共にオフの状態にある。ト
ランジスタQ16,Q18、抵抗Rcで構成され
る回路はRSラツチを構成しているため、トラン
ジスタQ3,Q16が共にオフの場合、前の状態
を維持している。
Next, the operation of the relaxation oscillation circuit configured as described above will be explained using the operating waveforms shown in FIG. First, the potential of the node Y2 shown in FIG. 8d (the dotted line L2 shown in FIG. 8d shows the potential of the node Y1, and the dotted line L3 shows the potential of the node Y3) is between the potentials of the nodes Y1 and Y3. Consider a case where the potential at the node Y5 shown in FIG. 8a is at a low level and the potential at the node Y6 shown in FIG. 8b is at a high level. When the potential of node Y2 is between the potentials of nodes Y1 and Y3, both transistors Q3 and Q16 are in an off state. Since the circuit composed of transistors Q16 and Q18 and resistor Rc constitutes an RS latch, the previous state is maintained when both transistors Q3 and Q16 are off.

節点Y5の電位が低レベルの時、第8図cに示
す節点Y4の電位も低レベルにあり、トランジス
タQ5はオフ状態にある。この状態では充放電コ
ンデンサCTへ抵抗Raを通して充電電流が流れる
ため、節点Y2の電位は時間と共に上昇する。節
点Y2の電位が節点Y3の電位より高くなると、
定電流源Ia、トランジスタQ1〜Q4で構成され
る電圧比較器が働き、トランジスタQ3がオンす
る。これにより、節点Y5の電位が高レベル、節
点Y6の電位が低レベル、節点Y4の電位が高レ
ベルとなり、トランジスタQ5はオンする。トラ
ンジスタQ5がオンすると、充放電コンデンサ
CTから抵抗Rbを通して放電電流が流れるため、
節点Y2の電位は時間と共に下降する。節点Y2
の電位が節点Y1の電位より低くなると、定電流
源Ib、トランジスタQ10〜Q15で構成される
電圧比較器が働き、トランジスタQ16がオンす
る。これにより、節点Y5の電位は低レベル、節
点Y6の電位は高レベルとなり、最初の状態に戻
る。
When the potential at node Y5 is at a low level, the potential at node Y4 shown in FIG. 8c is also at a low level, and transistor Q5 is in an off state. In this state, a charging current flows through the resistor Ra to the charging/discharging capacitor CT, so the potential at the node Y2 increases with time. When the potential of node Y2 becomes higher than the potential of node Y3,
A voltage comparator composed of constant current source Ia and transistors Q1 to Q4 operates, and transistor Q3 is turned on. As a result, the potential at the node Y5 becomes a high level, the potential at the node Y6 becomes a low level, and the potential at the node Y4 becomes a high level, and the transistor Q5 is turned on. When transistor Q5 turns on, the charging/discharging capacitor
Since discharge current flows from CT through resistor Rb,
The potential at node Y2 decreases with time. Node Y2
When the potential at node Y1 becomes lower than the potential at node Y1, a voltage comparator composed of constant current source Ib and transistors Q10 to Q15 is activated, and transistor Q16 is turned on. As a result, the potential at the node Y5 becomes a low level, and the potential at the node Y6 becomes a high level, returning to the initial state.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

第9図は、第5図、第6図の弛張発振回路では
高周波で発振周波数精度が得られなくなることを
説明するための波形図である。発振周波数精度が
得られなくなる理由は、充放電コンデンサCTの
充放電波形が電圧比較器の基準電圧を通過してか
ら充放電用トランジスタQ5が感応するまでに応
答遅れがあるからである。この応答遅れの各ケー
スを第9図a,bに示す。第9図aに示すケース
は、充放電コンデンサCTの充放電波形が電圧比
較器の基準電圧を通過してから充放電用トランジ
スタQ5が感応し始めるまでに遅延tsがある場合
である。この遅延は波形のオーバシユートOSを
もたらす。第9図bに示すケースでは、充放電用
トランジスタQ5は感応し始めているがオンとオ
フの中間状態にとどまつている場合である。この
場合、第9図bに示すように、中間状態にとどま
る時間ts分とフラツトネスFNを生じる。
FIG. 9 is a waveform diagram for explaining that the relaxation oscillation circuits of FIGS. 5 and 6 cannot obtain oscillation frequency accuracy at high frequencies. The reason why oscillation frequency accuracy cannot be obtained is that there is a response delay after the charging/discharging waveform of the charging/discharging capacitor CT passes the reference voltage of the voltage comparator until the charging/discharging transistor Q5 is sensitive to it. Each case of this response delay is shown in FIGS. 9a and 9b. The case shown in FIG. 9a is a case where there is a delay ts from when the charging/discharging waveform of the charging/discharging capacitor CT passes the reference voltage of the voltage comparator until the charging/discharging transistor Q5 starts to be sensitive. This delay results in waveform overshoot OS. In the case shown in FIG. 9b, the charging/discharging transistor Q5 has started to respond, but remains in an intermediate state between on and off. In this case, as shown in FIG. 9b, a time ts for remaining in the intermediate state and a flatness FN occur.

第5図、第6図の弛張発振回路は、信号のパス
の中に横方向PNPトランジスタを含んでいるこ
と、および充放電用トランジスタQ5に飽和動作
を行なわせているため、第9図a,bに示すよう
な応答遅れが生じ易い。
The relaxation oscillator circuits shown in FIGS. 5 and 6 include a lateral PNP transistor in the signal path, and the charge/discharge transistor Q5 performs saturation operation. A response delay as shown in b is likely to occur.

本発明はこのような点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、高周波において
も発振周波数が安定である弛張発振回路を得るこ
とにある。
The present invention has been made in view of these points, and its purpose is to obtain a relaxation oscillation circuit whose oscillation frequency is stable even at high frequencies.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

このような目的を達成するために本発明は、エ
ミツタが第1の定電流源に接続された第1の
NPNトランジスタと、エミツタが第1のNPNト
ランジスタのエミツタに接続された第2のNPN
トランジスタと、第1のNPNトランジスタのコ
レクタ・電源間に接続された第1の抵抗と、第2
のNPNトランジスタのコレクタ・電源間に接続
された第2の抵抗と、ベースが第1のNPNトラ
ンジスタのコレクタにコレクタが電源に接続され
た第3のNPNトランジスタと、ベースが第2の
NPNトランジスタのコレクタにコレクタが電源
に接続された第4のNPNトランジスタと、エミ
ツタが第2の定電流源に接続された第5のNPN
トランジスタと、エミツタが第2の定電流源にコ
レクタが第2のNPNトランジスタのベースに接
続された第6のNPNトランジスタと、第3の
NPNトランジスタのエミツタ・第5のNPNトラ
ンジスタのベース間に接続された第3の抵抗と、
第4のNPNトランジスタのエミツタ・第6の
NPNトランジスタのベース間に接続された第4
の抵抗と、第3とNPNトランジスタのエミツ
タ・第5のNPNトランジスタのコレクタ間に接
続された第5の抵抗と、第5のNPNトランジス
タのコレクタ・第6のNPNトランジスタのコレ
クタ間に接続された第6の抵抗と、第5及び第6
のNPNトランジスタのベース間に接続されて、
第6のNPNトランジスタのベースとの接続点に
流れる電流と比例した電流を、第5のNPNトラ
ンジスタのベースとの接続点に流すようにした、
第7及び第8のNPNトランジスタと電圧レベル
シフト手段から成るカレントミラー回路と、エミ
ツタが第3の定電流源にベースが第3のNPNト
ランジスタのエミツタにコレクタが接地に接続さ
れた第1のPNPトランジスタと、エミツタが第
3の定電流源にベースが第4のNPNトランジス
タのエミツタにコレクタが第1のNPNトランジ
スタのベースに接続された第2のPNPトランジ
スタと、第2とPNPトランジスタのコレクタ・
接地間に接続された第4の定電流源と、第2の
PNPトランジスタのコレクタ・接地間に接続さ
れた充放電コンデンサとを設けるようにしたもの
である。
In order to achieve such an object, the present invention provides a first constant current source whose emitter is connected to a first constant current source.
an NPN transistor and a second NPN whose emitter is connected to the emitter of the first NPN transistor
a first resistor connected between the transistor and the collector/power supply of the first NPN transistor;
a second resistor connected between the collector of the NPN transistor and the power supply; a third NPN transistor whose base is connected to the collector of the first NPN transistor and the collector to the power supply;
A fourth NPN transistor whose collector is connected to the power supply, and a fifth NPN transistor whose emitter is connected to the second constant current source.
a sixth NPN transistor whose emitter is connected to the second constant current source and whose collector is connected to the base of the second NPN transistor;
a third resistor connected between the emitter of the NPN transistor and the base of the fifth NPN transistor;
The emitter of the fourth NPN transistor and the sixth
The fourth transistor connected between the bases of the NPN transistor
A fifth resistor connected between the emitter of the third and NPN transistors and the collector of the fifth NPN transistor, and the collector of the fifth NPN transistor and the collector of the sixth NPN transistor. a sixth resistor, a fifth and a sixth resistor;
connected between the bases of the NPN transistor of
A current proportional to the current flowing through the connection point with the base of the sixth NPN transistor is caused to flow through the connection point with the base of the fifth NPN transistor.
a current mirror circuit consisting of seventh and eighth NPN transistors and voltage level shifting means, and a first PNP whose emitter is connected to a third constant current source, whose base is connected to the emitter of the third NPN transistor, and whose collector is connected to ground. a second PNP transistor whose emitter is connected to a third constant current source, whose base is connected to the emitter of the fourth NPN transistor and whose collector is connected to the base of the first NPN transistor;
a fourth constant current source connected between ground;
A charge/discharge capacitor is provided between the collector of the PNP transistor and ground.

〔作用〕[Effect]

本発明においては、充放電を制御しているトラ
ンジスタは飽和動作を行なわない。
In the present invention, the transistor controlling charging and discharging does not perform saturation operation.

〔実施例〕〔Example〕

本発明に係わる弛張発振回路の一実施例を第1
図に示す。第1図において、I1〜I4は定電流
源i1〜i4の第1〜第4の定電流源、N1〜N
8は第1〜第8のNPNトランジスタ、P1は第
1のPNPトランジスタ、P2は充放電を制御す
るための第2のPNPトランジスタ、R1〜R6
は抵抗値r1〜r6の第1〜第6の抵抗、R7は
第1の電圧レベルシフト手段をなす抵抗値r7の
抵抗、R8は第2の電圧レベルシフト手段をなす
抵抗値r8の抵抗、CTは充放電コンデンサ、
BTは電圧Vccの直流電源、T1は電圧Vccの直流
電源が供給される電源端子、T2は接地と接続さ
れている接地端子、T3は3角波の発振信号が出
力される出力端子、A〜Fは節点である。尚、第
7及び第8のNPNトランジスタ7,8と抵抗R
7,R8によりカレントミラー回路が構成され
る。
A first embodiment of the relaxation oscillation circuit according to the present invention will be described below.
As shown in the figure. In FIG. 1, I1 to I4 are the first to fourth constant current sources of constant current sources i1 to i4, and N1 to N
8 is the first to eighth NPN transistors, P1 is the first PNP transistor, P2 is the second PNP transistor for controlling charging and discharging, R1 to R6
are first to sixth resistors with resistance values r1 to r6, R7 is a resistor with a resistance value r7 which constitutes the first voltage level shifting means, R8 is a resistor with a resistance value r8 which constitutes the second voltage level shifting means, CT is a charge/discharge capacitor,
BT is a DC power supply with a voltage of Vcc , T1 is a power supply terminal to which a DC power supply of a voltage of Vcc is supplied, T2 is a grounding terminal connected to the ground, T3 is an output terminal from which a triangular wave oscillation signal is output, A to F are nodes. Note that the seventh and eighth NPN transistors 7 and 8 and the resistor R
7 and R8 constitute a current mirror circuit.

次に、このように構成された弛張発振回路の動
作について第4図の動作波形を用いて説明する。
まず、第4図fに示す節点Fの電位(点線L4は
節点Aの電位を示す)が第4図aに示す節点Aの
電位より高い場合を考える。この時、NPNトラ
ンジスタN1はオン、NPNトランジスタN2は
オフ状態にあるため、第4図bを示す節点Bの電
位をVB、第4図cに示す節点Cの電位をVC、
第4図dに示す節点Dの電位をVD、第4図eに
示す節点Eの電位をVEとすると、次の関係が成
立する。
Next, the operation of the relaxation oscillation circuit configured as described above will be explained using the operating waveforms shown in FIG. 4.
First, consider the case where the potential at node F (the dotted line L4 indicates the potential at node A) shown in FIG. 4f is higher than the potential at node A shown in FIG. 4a. At this time, the NPN transistor N1 is on and the NPN transistor N2 is off, so the potential at node B shown in FIG. 4b is set to VB, and the potential at node C shown in FIG. 4c is set to VC.
Assuming that the potential at node D shown in FIG. 4d is VD and the potential at node E shown in FIG. 4e is VE, the following relationship holds true.

VB<VC …(1) VD<VE …(2) したがつて、NPNトランジスタN5はオフ、
NPNトランジスタN6はオン状態にある。この
場合の節点Aの電位VAは次式のようになる。
VB<VC …(1) VD<VE …(2) Therefore, NPN transistor N5 is off,
NPN transistor N6 is in an on state. In this case, the potential VA at node A is expressed by the following equation.

VA=Vcc−r1・i1−(r5+r6)・i2 −VBE3 …(3) ここで、VBE3はNPNトランジスタ3ベース・
エミツタ間電圧である。(1)式に示すようにVB<
VCであるから、PNPトランジスタP1はオン、
PNPトランジスタP2はオフであり、充放電コ
ンデンサCTからi4の放電電流が流れ、節点F
の電位は時間と共に下がる。節点F点の電位が節
点Aの電位より低くなると、NPNトランジスタ
N1はオフし始め、節点Bの電位は上昇し始め、
節点Aの電位も上昇し始めるため、さらにNPN
トランジスタN1のオフの程度が大きくなる。こ
の正帰還現象により、NPNトランジスタN1は
完全にオフ、NPNトランジスタN2は完全にオ
ンの状態に至る。
VA=V cc −r1・i1−(r5+r6)・i2 −V BE3 …(3) Here, V BE3 is NPN transistor 3 base・
It is the voltage between emitters. As shown in equation (1), VB<
Since VC, PNP transistor P1 is on,
The PNP transistor P2 is off, and a discharge current of i4 flows from the charging/discharging capacitor CT, and the node F
The potential of decreases with time. When the potential at node F becomes lower than the potential at node A, NPN transistor N1 begins to turn off, and the potential at node B begins to rise.
Since the potential at node A also begins to rise, NPN
The degree to which transistor N1 is turned off increases. Due to this positive feedback phenomenon, the NPN transistor N1 is completely turned off and the NPN transistor N2 is completely turned on.

NPNトランジスタN1が完全にオフ、NPNト
ランジスタN2が完全にONの状態で、次の関係
が成立している。
When the NPN transistor N1 is completely off and the NPN transistor N2 is completely on, the following relationship holds true.

VB>VC …(4) VD>VE …(5) したがつて、NPNトランジスタN5はオン、
NPNトランジスタN6はオフ状態にある。この
場合、節点Aの電位VAは次式のようになる。
VB>VC …(4) VD>VE …(5) Therefore, NPN transistor N5 is on,
NPN transistor N6 is in an off state. In this case, the potential VA at node A is expressed by the following equation.

VA=Vcc−r5・i2−VBE3 …(6) この場合の節点Aの電位は、(3)式の値に比べ、
r1・i1+r6・i2だけ高くなつている。
VA=V cc −r5・i2−V BE3 …(6) In this case, the potential of node A is compared to the value of equation (3),
It is higher by r1・i1+r6・i2.

(4)式に示すようにVB>VCであるから、PNP
トランジスタP1はオフ、PNPトランジスタP
2はオンである。i3>i4であるとすると、充放電
コンデンサCTにはi3−i4の充電電流が流れ、
節点Fの電位は時間と共に上昇する。節点Fの電
位が節点Aの電位より高くなると、NPNトラン
ジスタN1はオンし始めるため、節点Bの電位は
下降し始め、節点Aの電位も下降し始め、さらに
NPNトランジスタN1のオンの程度が大きくな
る。この正帰還現象により、NPNトランジスタ
N1は完全にオン、NPNトランジスタN2は完
全にオフの状態に至り、最初の状態に戻る。
As shown in equation (4), since VB > VC, PNP
Transistor P1 is off, PNP transistor P
2 is on. Assuming that i3>i4, a charging current of i3-i4 flows through the charging/discharging capacitor CT,
The potential at node F increases with time. When the potential of node F becomes higher than the potential of node A, NPN transistor N1 starts to turn on, so the potential of node B starts to fall, the potential of node A also starts to fall, and further.
The degree to which the NPN transistor N1 is turned on increases. Due to this positive feedback phenomenon, the NPN transistor N1 is completely turned on and the NPN transistor N2 is completely turned off, returning to the initial state.

第2図は本発明の第2の実施例を示す回路図で
ある。第2図の回路は第1図の抵抗R7,R8を
NPNトランジスタN9で一体化したものであり、
第1の実施例と同様の効果を奏するものである。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. The circuit in Figure 2 uses resistors R7 and R8 in Figure 1.
It is integrated with NPN transistor N9,
This embodiment provides the same effects as the first embodiment.

第3図は本発明の第3の実施例を示す回路図で
ある。第3図の回路は第1図の抵抗R7,R8と
NPNトランジスタN7,N8との配置を入れ替
えたものであり、第1の実施例と同様の効果を奏
するものである。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention. The circuit in Figure 3 uses resistors R7 and R8 in Figure 1.
The arrangement of the NPN transistors N7 and N8 is exchanged, and the same effect as in the first embodiment is achieved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、第1〜第4の定
電流源と第1〜第8のNPNトランジスタと第1、
第2のPNPトランジスタと第1〜第6の抵抗と
第1、第2の電圧レベルシフト手段と充放電コン
デンサとを設けるとこにより、正帰還のルートに
おいて第1、第2のPNPトランジスタのベース
入力までをすべてスピードの速いNPNトランジ
スタとすることができ、充放電を制御している第
2のPNPトランジスタを飽和動作させる必要が
なく、ベース拡散容量の大きいPNPトランジス
タのベースを出力インピーダンスの低いエミツタ
フオロワで制御してベース拡散容量を速く充放電
できるため、従来の回路と比べて応答遅れを極め
て少なくすることができ、高周波でも精度のよい
弛張発振回路を得ることができる効果がある。
As explained above, the present invention includes the first to fourth constant current sources, the first to eighth NPN transistors, and the first to fourth constant current sources.
By providing the second PNP transistor, the first to sixth resistors, the first and second voltage level shift means, and the charge/discharge capacitor, the base input of the first and second PNP transistors is connected to the positive feedback route. The second PNP transistor that controls charging and discharging does not need to operate in saturation mode, and the base of the PNP transistor with a large base diffusion capacitance can be replaced with an emitter follower with a low output impedance. Since the base diffusion capacitance can be charged and discharged quickly under control, response delay can be extremely reduced compared to conventional circuits, and a relaxation oscillation circuit with high precision even at high frequencies can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係わる弛張発振回路の一実施
例を示す回路図、第2図は本発明の第2の実施例
を示す回路図、第3図は本発明の第3の実施例を
示す回路図、第4図は第1図の回路の動作を説明
するための波形図、第5図、第6図は従来の弛張
発振回路を示す回路図、第7図は第5図の回路の
動作を説明するための波形図、第8図は第6図の
回路の動作を説明するための波形図、第9図は従
来の回路における発振周波数精度を説明するため
の波形図である。 I1〜I4……定電流源、N1〜N8……
NPNトランジスタ、P1,P2……PNPトラン
ジスタ、R1〜R8……抵抗、CT……充放電コ
ンデンサ、BT……直流電源、T1……電源端
子、T2……接地端子、T3……出力端子、A〜
F……節点。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the relaxation oscillation circuit according to the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention, and Fig. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the invention. 4 is a waveform diagram for explaining the operation of the circuit in FIG. 1, FIGS. 5 and 6 are circuit diagrams showing conventional relaxation oscillation circuits, and FIG. 7 is the circuit in FIG. 5. 8 is a waveform diagram for explaining the operation of the circuit of FIG. 6, and FIG. 9 is a waveform diagram for explaining the oscillation frequency accuracy in the conventional circuit. I1-I4...constant current source, N1-N8...
NPN transistor, P1, P2...PNP transistor, R1-R8...resistor, CT...charging/discharging capacitor, BT...DC power supply, T1...power terminal, T2...ground terminal, T3...output terminal, A ~
F...Node.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 エミツタが第1の定電流源に接続された第1
のNPNトランジスタと、エミツタが第1のNPN
トランジスタのエミツタに接続された第2の
NPNトランジスタと、第1のNPNトランジスタ
のコレクタと電源との間に接続された第1の抵抗
と、第2のNPNトランジスタのコレクタと電源
との間に接続された第2の抵抗と、ベースが第1
のNPNトランジスタのコレクタに接続されコレ
クタが電源に接続された第3のNPNトランジス
タと、ベースが第2のNPNトランジスタのコレ
クタに接続されコレクタが電源に接続された第4
のNPNトランジスタと、エミツタが第2の定電
流源に接続された第5のNPNトランジスタと、
エミツタが第2の定電流源に接続されコレクタが
第2のNPNトランジスタのベースに接続された
第6のNPNトランジスタと、第3のNPNトラン
ジスタのエミツタと第5のNPNトランジスタの
ベースとの間に接続された第3の抵抗と、第4の
NPNトランジスタのエミツタと第6のNPNトラ
ンジスタのベースとの間に接続された第4の抵抗
と、第3のNPNトランジスタのエミツタと第5
のNPNトランジスタのコレクタとの間に接続さ
れた第5の抵抗と、第5のNPNトランジスタの
コレクタと第6のNPNトランジスタのコレクタ
との間に接続された第6の抵抗と、第5及び第6
のNPNトランジスタのベース間に接続されて、
第6のNPNトランジスタのベースとの接続点に
流れる電流と比例した電流を、第5のNPNトラ
ンジスタのベースとの接続点に流すようにした、
第7及び第8のNPNトランジスタと電圧レベル
シフト手段から成るカレントミラー回路と、エミ
ツタが第3の定電流源に接続されベースが第3の
NPNトランジスタのエミツタに接続されコレク
タが接地に接続された第1のPNPトランジスタ
と、エミツタが第3の定電流源に接続されベース
が第4のNPNトランジスタのエミツタに接続さ
れコレクタが第1のNPNトランジスタのベース
に接続された第2のPNPトランジスタと、第2
のPNPトランジスタのコレクタと接地との間に
接続された第4の定電流源と、第2のPNPトラ
ンジスタのコレクタと接地との間に接続された充
放電コンデンサとを備え、第2のPNPトランジ
スタのコレクタから3角波の発振信号を出力する
ことを特徴とする弛張発振回路。
1 The first emitter is connected to the first constant current source.
and the emitter is the first NPN transistor.
the second connected to the emitter of the transistor
an NPN transistor; a first resistor connected between the collector of the first NPN transistor and the power supply; a second resistor connected between the collector of the second NPN transistor and the power supply; 1st
a third NPN transistor whose base is connected to the collector of the second NPN transistor and whose collector is connected to the power supply; and a fourth NPN transistor whose base is connected to the collector of the second NPN transistor and whose collector is connected to the power supply.
a fifth NPN transistor whose emitter is connected to a second constant current source;
between a sixth NPN transistor whose emitter is connected to the second constant current source and whose collector is connected to the base of the second NPN transistor; and between the emitter of the third NPN transistor and the base of the fifth NPN transistor. the third resistor connected and the fourth
a fourth resistor connected between the emitter of the NPN transistor and the base of the sixth NPN transistor;
a fifth resistor connected between the collector of the fifth NPN transistor and the collector of the sixth NPN transistor; 6
connected between the bases of the NPN transistor of
A current proportional to the current flowing through the connection point with the base of the sixth NPN transistor is caused to flow through the connection point with the base of the fifth NPN transistor.
A current mirror circuit consisting of seventh and eighth NPN transistors and voltage level shifting means, an emitter connected to a third constant current source and a base connected to the third constant current source.
A first PNP transistor whose emitter is connected to the emitter of the NPN transistor and whose collector is connected to ground, and whose emitter is connected to a third constant current source and whose base is connected to the emitter of a fourth NPN transistor whose collector is connected to the first NPN transistor. a second PNP transistor connected to the base of the transistor;
a fourth constant current source connected between the collector of the second PNP transistor and ground; and a charging/discharging capacitor connected between the collector of the second PNP transistor and ground; A relaxation oscillation circuit characterized in that a triangular wave oscillation signal is output from a collector.
JP61085783A 1986-04-14 1986-04-14 Relaxation oscillation circuit Granted JPS62242410A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61085783A JPS62242410A (en) 1986-04-14 1986-04-14 Relaxation oscillation circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61085783A JPS62242410A (en) 1986-04-14 1986-04-14 Relaxation oscillation circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62242410A JPS62242410A (en) 1987-10-23
JPH0315369B2 true JPH0315369B2 (en) 1991-02-28

Family

ID=13868480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61085783A Granted JPS62242410A (en) 1986-04-14 1986-04-14 Relaxation oscillation circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62242410A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3982342B2 (en) * 2002-03-28 2007-09-26 ヤマハ株式会社 Triangular wave generation circuit in class D amplifier and class D amplifier using the triangular wave generation circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62242410A (en) 1987-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04315207A (en) Power supply circuit
JPH0315369B2 (en)
JP3607309B2 (en) Oscillator
US5841306A (en) Pulse generator for generating output pulse of a predetermined width
JPH0315368B2 (en)
JP3640801B2 (en) Voltage controlled oscillator
JP3744780B2 (en) Oscillator circuit
JPH0353803B2 (en)
JPS5843299Y2 (en) Trapezoidal wave generation circuit
JPH11150448A (en) Oscillation circuit
JPH0659020B2 (en) Unstable multivibrator
JPH11205095A (en) Voltage control oscillation circuit
JP2772957B2 (en) Level switching circuit
JPH057778Y2 (en)
JP3586973B2 (en) Switching circuit
JP3874577B2 (en) Voltage controlled oscillator circuit
JPH062345Y2 (en) Proximity switch
JPH0462611B2 (en)
JPH05160690A (en) Oscillator
JPH05122023A (en) Semiconductor circuit device
JPH0250513A (en) Triangular wave generating circuit
JPS62281616A (en) Ecl output circuit
JPS60165827A (en) Voltage controlled oscillator
JPH03270406A (en) Peak current hold circuit
JPH09116393A (en) Comparator circuit

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term