JPH0250513A - Triangular wave generating circuit - Google Patents

Triangular wave generating circuit

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JPH0250513A
JPH0250513A JP19991488A JP19991488A JPH0250513A JP H0250513 A JPH0250513 A JP H0250513A JP 19991488 A JP19991488 A JP 19991488A JP 19991488 A JP19991488 A JP 19991488A JP H0250513 A JPH0250513 A JP H0250513A
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JP
Japan
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transistor
circuit
emitter
triangular wave
voltage
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JP19991488A
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Japanese (ja)
Inventor
Kyoichi Takahashi
恭一 高橋
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

PURPOSE:To attain high speed and to improve the temperature characteristic by executing temperature compensation of a threshold voltage having a hysteresis characteristic to determine an oscillation frequency and using an emitter follower output circuit. CONSTITUTION:The collector output voltage of differential transistors Q3 and Q4 to execute a voltage comparing action is supplied to the base of transistors Q1 and Q2 to constitute respective emitter follower output circuits. At the emitter of a transistor Q1, a constant current transistor Q8 is provided and at the emitter of a transistor Q2, a constant current source transistor Q6 is provided. A band gap circuit to form a constant current having a positive temperature characteristic to cancel the temperature dependency having the voltage between the base and the emitter of an output transistor is used. Through the second emitter follower output circuit of the collector output of the other differential transistor, a switching control to reset a capacitor to constitute the time constant circuit of one differential transistor is executed. Thus, high speed can be attained and the temperature characteristics can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、三角波発生回路に関し、例えばスイッチン
グレギュレータ等に用いられるものに利用して有効な技
術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a triangular wave generation circuit, and relates to a technique that is effective for use in, for example, a switching regulator.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

三角波発生回路は、例えばスイッチングレギュレータに
利用される。スイッチングレギュレータは、三角波と出
力電圧に対応した基準電圧からパルス幅変調信号を形成
してスイッチング制御を行うことにより、上記パルス幅
変調信号におけるパルスデューティに対応した所望の出
力電圧を得るようにするものである。
A triangular wave generating circuit is used, for example, in a switching regulator. A switching regulator forms a pulse width modulation signal from a triangular wave and a reference voltage corresponding to the output voltage and performs switching control to obtain a desired output voltage corresponding to the pulse duty of the pulse width modulation signal. It is.

三角波発生回路の例としては、例えば1981年6月3
0日発行「集積回路応用ハンドブック1頁150〜頁1
51がある。
As an example of a triangular wave generation circuit, for example, June 3, 1981
Published on 0th “Integrated Circuit Application Handbook 1 page 150-1
There are 51.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

高速化(高周波数化)を図った三角波発生回路を得るに
は、低出力インピーダンスのエミッタフォロワ出力回路
を用いればよい。しかしながら、このようにすると、ト
ランジスタのベース、エミッタ間電圧の持つ温度依存性
により、温度特性が悪くなる。
In order to obtain a triangular wave generation circuit that achieves high speed (high frequency), an emitter follower output circuit with low output impedance may be used. However, in this case, the temperature characteristics deteriorate due to the temperature dependence of the voltage between the base and emitter of the transistor.

この発明の目的は、高速化と温度特性の改選を図った三
角波発生回路を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a triangular wave generation circuit that achieves high speed and improved temperature characteristics.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、電圧比較動作を行う一方の差動トランジスタ
のコレクタ出力を受けて他方の差動トランジスタのベー
スに帰還させることによりヒステリシス特性を持つ基準
電圧を形成する第1のエミッタフォロワ出力回路として
出力トランジスタのベース、エミッタ間電圧の持つ温度
依存性を相殺させるような正の温度特性を持つ定電流ト
ランジスタを設け、他方差動トランジスタのコレクタ出
力を第2のエミッタフォロワ出力回路を介して上記一方
の差動トランジスタのベースに設けられた時定数回路を
構成するキャパシタをリセ−/ )させるトランジスタ
のスイッチ制御を行う。
That is, the output transistor is used as a first emitter follower output circuit that receives the collector output of one differential transistor that performs a voltage comparison operation and feeds it back to the base of the other differential transistor to form a reference voltage with hysteresis characteristics. A constant current transistor with positive temperature characteristics that cancels out the temperature dependence of the voltage between the base and emitter is provided, and the collector output of the other differential transistor is connected to one of the differential transistors through a second emitter follower output circuit. Controls the switch of the transistor that resets the capacitor that constitutes the time constant circuit provided at the base of the transistor.

〔作 用〕[For production]

上記した手段よれば、発振周波数を決定するヒステリシ
ス特性を持つスレッシッルド電圧の温度補償を行うこと
ができるから、エミッタフォロワ出力回路を用いること
により高速化を図りつつ、温度特性の改善を図ることが
できる。
According to the above means, it is possible to perform temperature compensation for the threshold voltage having hysteresis characteristics that determines the oscillation frequency, so it is possible to improve the temperature characteristics while increasing the speed by using the emitter follower output circuit. .

〔実施例〕〔Example〕

第1図には、この発明に係る三角波発生回路の一実施例
の回路図が示されている。同図の各回路素子は、特に制
限されないが、時定数回路を構成する抵抗とキャパシタ
を除いて公知の半導体集積回路の製造技術によって、単
結晶シリコンのような1個の半導体基板上において形成
される。
FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of a triangular wave generating circuit according to the present invention. Each circuit element in the figure is formed on a single semiconductor substrate such as single-crystal silicon by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique, except for the resistor and capacitor that constitute the time constant circuit, although this is not particularly limited. Ru.

差動トランジスタQ3と04は、電圧比較動作を行う。Differential transistors Q3 and 04 perform a voltage comparison operation.

差動トランジスタQ3と04の共通エミッタには、動作
電流を流す定電流トランジスタQ7が設けられる。差動
トランジスタQ3とQ4のコレクタには、負荷抵抗R1
とR2がそれぞれ設けられる。上記各差動トランジスタ
Q3とQ4のコレクタ出力電圧は、それぞれエミッタフ
ォロワ出力回路を構成するトランジスタQ1とQ2のベ
ースに供給される。トランジスタQ1のエミッタには抵
抗R3を介して定電流トランジスタQ8が設けられる。
A constant current transistor Q7 through which an operating current flows is provided at the common emitter of the differential transistors Q3 and 04. A load resistor R1 is connected to the collectors of the differential transistors Q3 and Q4.
and R2 are provided, respectively. The collector output voltages of the differential transistors Q3 and Q4 are respectively supplied to the bases of transistors Q1 and Q2 forming emitter follower output circuits. A constant current transistor Q8 is provided at the emitter of the transistor Q1 via a resistor R3.

トランジスタQ2のエミッタには抵抗R4を介して定電
流源トランジスタQ6が設けられる0発振回路を構成す
るため、差動トランジスタQlのコレクタ出力は、上記
エミッタフォロワ出力トランジスタQl、エミッタ抵抗
R3を介して他方の差動作トランジスタQ4のベースに
供給される。差動トランジスタQ1のベースは、外部端
子を介して充電用抵抗RTとキャパシタCTからなる時
定数回路が設けら、上記キャパシタCTには、並列にリ
セット用トランジスタQ5が設けられ、このトランジス
タQ5のベースには、上記他方の差動トランジスタQ4
のコレクタ出力に対応して設けられる上記エミッタフォ
ロワ出力回路の出力信号が供給される。
Since the emitter of the transistor Q2 constitutes a zero oscillation circuit in which a constant current source transistor Q6 is provided via a resistor R4, the collector output of the differential transistor Ql is connected to the emitter follower output transistor Ql and the other via the emitter resistor R3. is supplied to the base of the differential operation transistor Q4. A time constant circuit consisting of a charging resistor RT and a capacitor CT is connected to the base of the differential transistor Q1 via an external terminal, and a reset transistor Q5 is connected in parallel to the capacitor CT. , the other differential transistor Q4
The output signal of the emitter follower output circuit provided corresponding to the collector output of is supplied.

エミッタが回路の接地電位に接続されたトランジスタQ
9のベースとコレクタとの間には、トランジスタQIO
のエミッタとベースが結合される。
Transistor Q whose emitter is connected to the circuit ground potential
Between the base and collector of 9 is a transistor QIO.
The emitter and base of are combined.

上記トランジスタQIOのコレクタは、動作電圧VRが
供給される。上記トランジスタQ9のコレクタには、定
電流源が設けられる。これにより、上記トランジスタQ
9には、定電流源で形成された定電流11が流れるよう
にされる。
The collector of the transistor QIO is supplied with the operating voltage VR. A constant current source is provided at the collector of the transistor Q9. As a result, the above transistor Q
9, a constant current 11 formed by a constant current source is caused to flow therethrough.

上記発振回路O8Cは、差動トランジスタQ4がオン状
態で差動トランジスタQ3がオフ状態のとき、差動トラ
ンジスタQ4のベースに供給される基準電圧VAは、次
式(1)により表される。
In the oscillation circuit O8C, when the differential transistor Q4 is on and the differential transistor Q3 is off, the reference voltage VA supplied to the base of the differential transistor Q4 is expressed by the following equation (1).

VA=VR−VIEOI−R3・ 12   ・ ・ 
−・ ・(llここで、■□。1は、トランジスタQ1
のベース。
VA=VR-VIEOI-R3・12・・
−・・(llHere, ■□.1 is the transistor Q1
base of.

エミッタ間電圧である。このように差動トランジスタQ
4がオン状態のとき、トランジスタQ5には、VRVm
tot  I 1  (R2+R4)の電圧が与えられ
てオフ状態になる。それ故、キャパシタCTには、抵抗
RTを介して充電動作が行われる。
is the emitter voltage. In this way, the differential transistor Q
4 is on, transistor Q5 has VRVm
A voltage of tot I 1 (R2+R4) is applied to turn it off. Therefore, a charging operation is performed on the capacitor CT via the resistor RT.

上記キャパシタCTの電位が、上記(11式で示した基
準電圧VA (VLH)に達すると、差動トランジスタ
Q3がオン状態に、差動トランジスタQ4がオフ状態に
切り換えられる。上記トランジスタQ3のオン状態によ
り、上記基準電圧VAは、次式(2)のように変化する
When the potential of the capacitor CT reaches the reference voltage VA (VLH) shown in equation 11 above, the differential transistor Q3 is switched on and the differential transistor Q4 is switched off. Therefore, the reference voltage VA changes as shown in the following equation (2).

VA”’VCVIIEGI  R1・II  R3・I
2・・・・・・・・(2) それ故、上記トランジスタQ4のオフ状態に応じて、そ
の出力レベルがll−R2の電圧降下分だけ高くなり、
トランジスタQ5がオン状態になってキャパシタCTの
放電動作が行われる。
VA"'VCVIIEGI R1・II R3・I
2... (2) Therefore, depending on the off state of the transistor Q4, its output level increases by the voltage drop of ll-R2,
Transistor Q5 is turned on and the capacitor CT is discharged.

上記キャパシタCTの放電動作により、差動トランジス
タQ3のベース電位が上記(2)式の基準電圧VA (
VTL)に達すると、再び差動トランジスタQ4がオン
状態に差動トランジスタQ3がオフ状態に切り換えられ
る。上記のような電圧VAとVBの変化の一例が第2図
の波形図に示されており、以下、同様な動作の繰り返し
により発振動作を行うものであり、上記キャパシタCT
における電圧VBが三角波となる。
Due to the discharging operation of the capacitor CT, the base potential of the differential transistor Q3 increases to the reference voltage VA (
VTL), the differential transistor Q4 is turned on and the differential transistor Q3 is turned off again. An example of the changes in the voltages VA and VB as described above is shown in the waveform diagram in FIG.
The voltage VB at is a triangular wave.

上記差動トランジスタQ4のベースに供給される基準電
圧VAは、式(1)をハイレベル側のスレッショルド電
圧VT)(とじ、(2)の電圧をロウレベルのスレッシ
タルト電圧VTLとするようなヒステリシス特性を持つ
。この実施例では、高速化のために、エミッタフォロワ
出力回路を用いるため、上記スレッショルド電圧VTH
とVTLがエミッタフォロワ出力トランジスタQ1のベ
ース、エミッタ間電圧VIE、Iを含むものとなり、温
度依存性を持つものとなってしまう。
The reference voltage VA supplied to the base of the differential transistor Q4 has a hysteresis characteristic such that equation (1) is combined with the high-level threshold voltage VT) and the voltage in (2) is set as the low-level threshold voltage VTL. In this embodiment, in order to increase the speed, an emitter follower output circuit is used, so the above threshold voltage VTH
VTL includes the base-to-emitter voltage VIE, I of the emitter follower output transistor Q1, and has temperature dependence.

この実施例では、上記のような温度依存性の改善のため
に、上記基準電圧VA (VTR,VTL)を決める定
電流I2を形成するトランジスタQ8は、その入力側電
流ミラートランジスタQ9に対してエミッタ面積を大き
くするとともに、エミッタ抵抗R5を設けて、いわゆる
バンドギャップ回路を構成し、定電流I2に正の温度係
数を持たせる。これにより、定電流■2の持つ正の温度
係数による電流増加分Δ■2と抵抗R3との電圧降下分
と上記トランジスタQlのベース、エミッタ間電圧■□
。1の持つ負の温度係数とを相殺させることができる。
In this embodiment, in order to improve the temperature dependence as described above, the transistor Q8 that forms the constant current I2 that determines the reference voltage VA (VTR, VTL) has an emitter with respect to the input current mirror transistor Q9. The area is increased and an emitter resistor R5 is provided to form a so-called bandgap circuit, so that the constant current I2 has a positive temperature coefficient. As a result, the current increase Δ■2 due to the positive temperature coefficient of the constant current ■2, the voltage drop across the resistor R3, and the voltage between the base and emitter of the transistor Ql ■□
. The negative temperature coefficient of 1 can be canceled out.

これにより、温度が−20”Cから一ト85°Cで、周
波数変動をせいぜい5%前後におさめることができる。
As a result, when the temperature ranges from -20"C to 85°C, frequency fluctuations can be kept to around 5% at most.

これにより、上記のようにエミッタフォロワ出力回路を
通して電圧比較回路の切り換え動作を行うことにより高
速動作化(高周波数化)を図りつつ、温度特性の改善を
図った三角波発生回路を得ることができる。
Thereby, it is possible to obtain a triangular wave generation circuit that achieves high-speed operation (higher frequency) and improved temperature characteristics by performing the switching operation of the voltage comparator circuit through the emitter follower output circuit as described above.

上記三角波VBは、基準電圧■0と比較することにより
、パルス幅変調信号PWMを形成する等に用いられる0
例えば、スイッチングレギュレータでは、上記パルス幅
変調信号PWMに従いスイッチ素子を制御して、そのス
イッチ出力電圧を平滑して形成される出力電圧レベルを
制御するものでである。
The triangular wave VB is compared with the reference voltage 0, which is used to form a pulse width modulation signal PWM.
For example, in a switching regulator, a switch element is controlled in accordance with the pulse width modulation signal PWM, and an output voltage level formed by smoothing the switch output voltage is controlled.

上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。すなわち、 (1)電圧比較動作を行う一方の差動トランジスタのコ
レクタ出力を受けて他方の差動トランジスタのベースに
帰還させることによりヒステリシス特性を持つ基準電圧
を形成する第1のエミッタフォロワ出力回路として出力
トランジスタのベース、エミッタ間電圧の持つ温度依存
性を相殺させるような正の温度特性を持つ定を流を形成
するバンドギャップ回路を用い、他方差動トランジスタ
のコレクタ出力を第2のエミッタフォロワ出力回路を介
して上記一方の差動トランジスタのベースに設けられた
時定数回路を構成するキャパシタをリセットさせるトラ
ンジスタのスイッチ制御を行う。この構成におては、発
振周波数を決定するヒステリシス特性を持つスレッシタ
ルト電圧の温度補償を行うことができるから、エミッタ
フォロワ出力回路を用いることにより高速化を図りつつ
、温度特性の改善を図ることができるという効果が得ら
れる。
The effects obtained from the above examples are as follows. (1) As a first emitter follower output circuit that receives the collector output of one differential transistor that performs a voltage comparison operation and feeds it back to the base of the other differential transistor to form a reference voltage with hysteresis characteristics. A bandgap circuit is used that forms a constant current with positive temperature characteristics that cancels out the temperature dependence of the voltage between the base and emitter of the output transistor, and the collector output of the differential transistor is used as the second emitter follower output. A transistor switch is controlled via a circuit to reset a capacitor forming a time constant circuit provided at the base of one of the differential transistors. In this configuration, it is possible to perform temperature compensation for the threshold voltage with hysteresis characteristics that determines the oscillation frequency, so it is possible to improve the temperature characteristics while increasing the speed by using an emitter follower output circuit. You can get the effect that you can.

(2)上記正の温度係数を持つ定電流回路として、電流
ミラー形態の出力トランジスタのエミンタ面積を大きく
するというバンドギャップ回路を用いることによって、
簡単な構成で高速で高安定の三角波発生回路を得ること
ができるという効果が得られる。
(2) By using a bandgap circuit in which the emitter area of the current mirror output transistor is increased as the constant current circuit with the above positive temperature coefficient,
The effect is that a high-speed and highly stable triangular wave generation circuit can be obtained with a simple configuration.

(3)上記三角波を得るための充電用抵抗とキャパシタ
を外部部品とすることにより、温度依存性及びバラツキ
の小さいものを用いることができるから、高精度の三角
波発生回路を得ることができるという効果が得られる。
(3) By using the charging resistor and capacitor for obtaining the above-mentioned triangular wave as external components, it is possible to use ones with small temperature dependence and variation, so it is possible to obtain a highly accurate triangular wave generation circuit. is obtained.

(4)上記(11により、精度の高い三角波が得られる
から、高速で高精度のスイッチングレギュレータを得る
ことができるという効果が得られる。
(4) Since a highly accurate triangular wave can be obtained according to (11) above, it is possible to obtain an effect that a high-speed and highly accurate switching regulator can be obtained.

以上本発明者によりなされた発明を実施例に基づき具体
的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない0例えば、発振回路に用い
られるエミッタフォロワ回路は、ダーリントン形態の出
力トランジスタを用いるものとしてもよい。動作電圧V
Rは、特に制限されないが、安定化電源回路により構成
することが望ましい。時定数回路を構成するキャパシタ
と抵抗とは、半導体集積回路に内蔵させるものであって
もよい。トランジスタQ9に定電流11を流す定電流源
回路の構成は、種々の実施形態を採ることができるもの
である。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned Examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, an emitter follower circuit used in an oscillation circuit may use a Darlington-type output transistor. Operating voltage V
Although R is not particularly limited, it is desirable to configure it with a stabilized power supply circuit. The capacitor and resistor constituting the time constant circuit may be built into the semiconductor integrated circuit. The configuration of the constant current source circuit that causes constant current 11 to flow through transistor Q9 can take various embodiments.

この発明に係る三角波発生回路は、前記のようにパルス
幅変調等に用いられる狭い意味での三角波を形成するも
の他、温度補償された高安定の発振回路としても利用で
きることはいうまでもないであろう。
It goes without saying that the triangular wave generating circuit according to the present invention can be used not only to form triangular waves in a narrow sense used for pulse width modulation as described above, but also as a highly stable oscillation circuit that is temperature compensated. Probably.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、電圧比較動作を行う一方の差動トランジス
タのコレクタ出力を受けて他方の差動トランジスタのベ
ースに帰還させることによりヒステリシス特性を持つ基
準電圧を形成する第1のエミッタフォロワ出力回路とし
て出力トランジスタのベース、エミッタ間電圧の持つ温
度依存性を相殺させるような正の温度特性を持つ定電流
を形成するバンドギャップ回路を用い、他方差動トラン
ジスタのコレクタ出力を第2のエミッタフォロワ出力回
路を介して上記一方の差動トランジスタのベースに設け
られた時定数回路を構成するキャパシタをリセットさせ
るトランジスタのスイッチM 御を行う。この構成にお
ては、発振周波数を決定するヒステリシス特性を持つス
レッショルド電圧の温度補償を行うことができるから、
エミッタフォロワ出力回路を用いることにより高速化を
図りつつ、温度特性の改善を図ることができる。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows. That is, the output transistor is used as a first emitter follower output circuit that receives the collector output of one differential transistor that performs a voltage comparison operation and feeds it back to the base of the other differential transistor to form a reference voltage with hysteresis characteristics. Using a bandgap circuit that forms a constant current with positive temperature characteristics that cancels out the temperature dependence of the voltage between the base and emitter, the collector output of the differential transistor is connected via a second emitter follower output circuit. A switch M of a transistor that resets a capacitor forming a time constant circuit provided at the base of one of the differential transistors is controlled. In this configuration, it is possible to perform temperature compensation for the threshold voltage with hysteresis characteristics that determines the oscillation frequency.
By using an emitter follower output circuit, it is possible to increase the speed and improve the temperature characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明の一実施例を示す回路図、第21!
Iは、その動作を説明するための波形図である。 01〜QIO・・トランジスタ、R1−R5・・抵抗、
RT・・外付抵抗、CT・・外付キャパシタ
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, No. 21!
I is a waveform diagram for explaining the operation. 01~QIO...transistor, R1-R5...resistance,
RT: External resistor, CT: External capacitor

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、一方の差動トランジスタのコレクタ出力を受けて他
方の差動トランジスタのベースに帰還させることにより
ヒステリシス特性を持つ基準電圧を形成し、エミッタフ
ォロワ出力トランジスタと、そのベース、エミッタ間電
圧の持つ温度依存性を相殺させるような正の温度特性を
持つ定電流トランジスタとを含む第1のエミッタフォロ
ワ出力回路と、他方差動トランジスタのコレクタ出力を
受け、上記一方の差動トランジスタのベースに設けられ
た充電用抵抗とキャパシタとからなる時定数回路におけ
るキャパシタをリセットさせるトランジスタをスイッチ
制御する第2のエミッタフォロワ出力回路とを具備する
ことを特徴とする三角波発生回路。 2、上記第1のエミッタフォロワ出力回路に設けられる
正の温度特性を持つ定電流トランジスタは、電流ミラー
形態の出力側トランジスタであり、その入力側トランジ
スタに対してエミッタ面積が大きく設定されたバンドギ
ャップ回路から構成されるものであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の三角波発生回路。 3、上記時定数回路を構成するキャパシタと抵抗とは、
外部端子を介して接続されるものであることを特徴とす
る三角波発生回路。
[Claims] 1. A reference voltage having hysteresis characteristics is formed by receiving the collector output of one differential transistor and feeding it back to the base of the other differential transistor, and an emitter follower output transistor, its base, a first emitter follower output circuit including a constant current transistor having a positive temperature characteristic that cancels the temperature dependence of the emitter voltage; and a first emitter follower output circuit that receives the collector output of the other differential transistor; A triangular wave generating circuit comprising: a second emitter follower output circuit that switches and controls a transistor that resets a capacitor in a time constant circuit that includes a charging resistor and a capacitor provided at the base of the triangular wave generating circuit. 2. The constant current transistor with positive temperature characteristics provided in the first emitter follower output circuit is a current mirror type output side transistor, and has a band gap whose emitter area is set larger than that of the input side transistor. 2. The triangular wave generating circuit according to claim 1, wherein the triangular wave generating circuit is comprised of a circuit. 3. What are the capacitors and resistors that make up the above time constant circuit?
A triangular wave generation circuit characterized in that it is connected via an external terminal.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005102148A (en) * 2003-08-28 2005-04-14 Renesas Technology Corp Frequency generating circuit, and communication system using the same

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