JPH0250514A - Triangular wave generating circuit - Google Patents

Triangular wave generating circuit

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JPH0250514A
JPH0250514A JP19991588A JP19991588A JPH0250514A JP H0250514 A JPH0250514 A JP H0250514A JP 19991588 A JP19991588 A JP 19991588A JP 19991588 A JP19991588 A JP 19991588A JP H0250514 A JPH0250514 A JP H0250514A
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JP
Japan
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transistor
voltage
circuit
base
emitter
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Application number
JP19991588A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadashi Matsuoka
正 松岡
Kyoichi Takahashi
恭一 高橋
Shigeo Shimizu
清水 茂雄
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To attain high speed and to improve the temperature characteristic by selecting the number of transistors of a diode form at a level shifting circuit so that the voltage between the base and emitter of a transistor cannot be included in the voltage supplied to the resistance to form the base potential and the constant current of a differential transistor with a reference voltage as a starting point. CONSTITUTION:The base and collector voltage of a transistor Q16 of a diode form to constitute a level shifting circuit are supplied to the base of an emitter follower transistor Q9 to supply an action voltage to an oscillation circuit OSC. The voltage of a transistor Q17 is supplied to the base of an emitter follower transistor Q12 to supply an action voltage VC' to a constant current source circuit IG. With a reference voltage as a starting point, the number of transistors of the diode mode at a level shifting circuit is selected so that the voltage between the base and emitter of the transistor cannot be included in the voltage supplied to the resistance to form the base potential and constant current of the differential transistor. Thus, while gaining high speed the temperature characteristics can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、三角波発生回路に関し、例えばスイッチン
グレギュレータ等に用いられるものに利用して有効な技
術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a triangular wave generation circuit, and relates to a technique that is effective for use in, for example, a switching regulator.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

三角波発生回路は、例えばスイッチングレギュレータに
利用される。スイッチングレギュレータは、三角波と出
力電圧に対応した基準電圧からパルス幅変調信号を形成
してスイッチング制御を行うことにより、上記パルス幅
変調信号におけるパルスデューティに対応した所望の出
力電圧を得るようにするものである。
A triangular wave generating circuit is used, for example, in a switching regulator. A switching regulator forms a pulse width modulation signal from a triangular wave and a reference voltage corresponding to the output voltage and performs switching control to obtain a desired output voltage corresponding to the pulse duty of the pulse width modulation signal. It is.

三角波発生回路の例としては、例えば1981年6月3
0日発行「集積回路応用ハンドブック1頁150〜頁1
51がある。
As an example of a triangular wave generation circuit, for example, June 3, 1981
Published on 0th “Integrated Circuit Application Handbook 1 page 150-1
There are 51.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

高速化(高周波数化)を図った三角波発生回路を得るに
は、低出力インピーダンスのエミッタフォロワ出力回路
を用いればよい。しかしながら、このようにすると、ト
ランジスタのベース、エミッタ間電圧の持つ温度依存性
により、温度特性が悪くなる。
In order to obtain a triangular wave generation circuit that achieves high speed (high frequency), an emitter follower output circuit with low output impedance may be used. However, in this case, the temperature characteristics deteriorate due to the temperature dependence of the voltage between the base and emitter of the transistor.

この発明の目的は、高速化と温度特性の改選を図った三
角波発生回路を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a triangular wave generation circuit that achieves high speed and improved temperature characteristics.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、第1のエミッタフォロワトランジスタを介し
て動作電圧が供給され、エミッタフォロワ出力回路を用
いた発振回路と、第2のエミッタフォロワトランジスタ
を介して動作電圧が供給され、上記発振回路を構成する
差動トランジスタとそのエミッタフォロワ出力回路の動
作電流を形成する定電流源回路とにより三角波発生回路
を構成し、上記発振回路及び定電流源回路の動作電圧を
所定の基準電圧がベースに供給された第1のトランジス
タと、この第1のトランジスタにエミッタが共通接続さ
れたダイオード形態の第2のトランジスタと、上記第2
のトランジスタに直列形態に接続された複。数からなる
ダイオード形態のトランジスタからなるレベルシフト回
路で形成するものとし、上記基準電圧を起点として差動
トランジスタのベース電位及び定電流を形成する抵抗に
供給される電圧にトランジスタのベース、エミッタ間電
圧が含まれないようにレベルシフト回路におけるダイオ
ード形態のトランジスタの数を選ぶようにする。
That is, the operating voltage is supplied through the first emitter follower transistor, and the operating voltage is supplied through the oscillation circuit using the emitter follower output circuit and the second emitter follower transistor, and the difference forming the oscillation circuit is A triangular wave generation circuit is composed of a dynamic transistor and a constant current source circuit that forms the operating current of its emitter follower output circuit, and the operating voltage of the oscillation circuit and constant current source circuit is generated by a triangular wave generator whose base is supplied with a predetermined reference voltage. a second transistor in the form of a diode whose emitter is commonly connected to the first transistor;
The transistors connected in series form. The voltage between the base and emitter of the transistor is determined by the voltage supplied to the resistor that forms the base potential of the differential transistor and the constant current, starting from the reference voltage. The number of diode-type transistors in the level shift circuit should be selected so that the level shift circuit does not include

〔作 用〕[For production]

上記した手段よれば、エミッタフォロワ出力回路を用い
ることにより高速化が図られ、上記レベルシフト回路を
用いることにより、発振回路のスレッシヲルド電圧及び
定電流を決定する回路にトランジスタのベース、エミッ
タ間電圧を含まないようにできるから温度特性の改善を
図ることができる。
According to the above means, speed is increased by using the emitter follower output circuit, and by using the level shift circuit, the voltage between the base and emitter of the transistor is applied to the circuit that determines the threshold voltage and constant current of the oscillation circuit. Since it can be avoided, temperature characteristics can be improved.

〔実施例〕〔Example〕

第1図には、この発明に係る三角波発生回路の一実施例
の回路図が示されている。同図の各回路素子は、時定数
回路を構成する抵抗とキャパシタを除いて公知の半導体
集積回路の製造技術によって、単結晶シリコンのような
1個の半導体基板上において形成される。
FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of a triangular wave generating circuit according to the present invention. Each circuit element in the figure, except for a resistor and a capacitor constituting a time constant circuit, is formed on a single semiconductor substrate such as single-crystal silicon by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique.

この実施例において、三角波発生回路は、同図において
点線で示すように、発振回路08C1定電流源回路IG
及びバイアス回路BIASから構成される。
In this embodiment, the triangular wave generation circuit includes an oscillation circuit 08C1 a constant current source circuit IG, as shown by a dotted line in the figure.
and a bias circuit BIAS.

発振回路O8Cは、次のような各回路素子から構成され
る。差動トランジスタQ3とQ4は、電圧比較動作を行
う。差動トランジスタQ3とQ4の共通エミッタには、
動作電流を流す定電流トランジスタQ7が設けられる。
The oscillation circuit O8C is composed of the following circuit elements. Differential transistors Q3 and Q4 perform a voltage comparison operation. The common emitter of differential transistors Q3 and Q4 has
A constant current transistor Q7 is provided to flow an operating current.

差動トランジスタQ3とQ4のコレクタには、負荷抵抗
R1とR2がそれぞれ設けられる。上記各差動トランジ
スタQ3とQ4のコレクタ出力電圧は、それぞれエミッ
タフォロワ出力回路を構成するトランジスタQ1とQ2
のベースに供給される。トランジスタQ1のエミッタに
は抵抗R3を介して定電流トランジスタQ8が設けられ
る。トランジスタQ2のエミッタには抵抗R4を介して
定電流源トランジスタQ6が設けられる。発振回路を構
成するため、差動トランジスタQ1のコレクタ出力は、
上記エミッタフォロワ出力トランジスタQ1、エミッタ
抵抗R3を介して他方の差動作トランジスタQ4のベー
スに供糺される。差動トランジスタQ1のベースは、外
部端子を介して充電用抵抗RTとキャパシタCTからな
る時定数回路が設けら、上記キャパシタCTには、並列
にリセット用トランジスタQ5が設けられ、このトラン
ジスタQ5のベースには、上記他方の差動トランジスタ
Q4のコレクタ出力に対応して設けられる上記エミッタ
フォロワ出力回路の出力信号が供給される。
Load resistors R1 and R2 are provided at the collectors of differential transistors Q3 and Q4, respectively. The collector output voltages of the differential transistors Q3 and Q4 are the same as those of the transistors Q1 and Q2, respectively, which constitute the emitter follower output circuit.
supplied to the base of A constant current transistor Q8 is provided at the emitter of the transistor Q1 via a resistor R3. A constant current source transistor Q6 is provided at the emitter of the transistor Q2 via a resistor R4. To configure the oscillation circuit, the collector output of the differential transistor Q1 is
It is connected to the base of the other differential operation transistor Q4 via the emitter follower output transistor Q1 and emitter resistor R3. A time constant circuit consisting of a charging resistor RT and a capacitor CT is connected to the base of the differential transistor Q1 via an external terminal, and a reset transistor Q5 is connected in parallel to the capacitor CT. is supplied with an output signal from the emitter follower output circuit provided corresponding to the collector output of the other differential transistor Q4.

上記発振回路には、エミッタフォロワトランジスタQ9
を介して動作電圧VCが与えられる。
The above oscillation circuit includes an emitter follower transistor Q9.
An operating voltage VC is applied through the VC.

定電流源回路IGは、次の各回路素子により構成される
。エミッタが回路の接地電位に結合されたトランジスタ
QIOのベースとコレクタには、トランジスタQllの
エミッタ、ベースが結合される。上記トランジスタQl
lのコレクタは、電源電圧Vに結合される。上記トラン
ジスタQIOのコレクタには、定電流を設定する抵抗R
5が設けられる。この抵抗R5の他端には、動作電圧を
供給するエミッタフォロワトランジスタQ12が設けら
れる。上記トランジスタQIOは、上記定電流トランジ
スタQ6ないしQ8と電流ミラー形態に接続され、トラ
ンジスタQIOとトランジスタQ6ないしQ8のエミツ
タ面積比を等しくすると、トランジスタQIOに定電流
ioが流れるものとすると、同じ電流値にされた定電流
ioが上記各定電流トランジスタQ6ないしQ8にも流
れるようにされる。
Constant current source circuit IG is composed of the following circuit elements. The emitter and base of a transistor Qll are coupled to the base and collector of a transistor QIO whose emitter is coupled to the ground potential of the circuit. The above transistor Ql
The collector of l is coupled to the supply voltage V. The collector of the transistor QIO has a resistor R that sets a constant current.
5 is provided. An emitter follower transistor Q12 that supplies an operating voltage is provided at the other end of the resistor R5. The transistor QIO is connected to the constant current transistors Q6 to Q8 in a current mirror configuration, and if the emitter area ratios of the transistor QIO and the transistors Q6 to Q8 are made equal, then assuming that a constant current io flows through the transistor QIO, the current value will be the same. The constant current io thus set also flows through each of the constant current transistors Q6 to Q8.

上記発振回路O3Cは、差動トランジスタQ4がオン状
態で差動トランジスタQ3がオフ状態のとき、差動トラ
ンジスタQ4のベースに供給される基準電圧VAは、次
式11>により表される。
In the oscillation circuit O3C, when the differential transistor Q4 is on and the differential transistor Q3 is off, the reference voltage VA supplied to the base of the differential transistor Q4 is expressed by the following equation 11>.

VA−VC−VaEQ、−R3・io ・・・・・(1
)ここで、VIIEQIは、トランジスタQ1のベース
VA-VC-VaEQ, -R3・io (1
) where VIIEQI is the base of transistor Q1.

エミッタ間電圧である。このように差動トランジスタQ
4がオン状態のとき、トランジスタQ5には、VC’A
atoz  i o (R2+R4)の電圧が与えられ
てオフ状態になる。それ故、キャパシタCTには、抵抗
RTを介して充電動作が行われる。
is the emitter voltage. In this way, the differential transistor Q
4 is on, transistor Q5 has VC'A
A voltage of atoz io (R2+R4) is applied to turn it off. Therefore, a charging operation is performed on the capacitor CT via the resistor RT.

上記キャパシタCTの電位が、上記+11式で示した基
準電圧VAに達すると、差動トランジスタQ3がオン状
態に、差動トランジスタQ4がオフ状態に切り換えられ
る。上記トランジスタQ3のオン状態により、上記基準
電圧VAは、次式(2)のように変化する。
When the potential of the capacitor CT reaches the reference voltage VA shown by the formula +11, the differential transistor Q3 is turned on and the differential transistor Q4 is turned off. Depending on the on state of the transistor Q3, the reference voltage VA changes as shown in the following equation (2).

VA−VCVmta+  jO(R1+R3)  ・・
(21それ故、上記トランジスタQ4のオフ状態に応じ
て、その出力レベルが1o−R2の電圧降下分だけ高く
なり、トランジスタQ5がオン状態になり、キャパシタ
CTの放電動作を行う。
VA-VCVmta+ jO(R1+R3)...
(21) Therefore, in accordance with the off-state of the transistor Q4, its output level increases by the voltage drop of 1o-R2, and the transistor Q5 becomes on-state, performing a discharging operation of the capacitor CT.

上記キャパシタCTの放電動作により、差動トランジス
タQ3のベース電位が上記(2)式の電位に達すると、
再び差動トランジスタQ4がオン状態に差動トランジス
タQ3がオフ状態に切り換えられる。上記のような電圧
VAとVBの変化の一例が第2図の波形図に示されてお
り、以下、同様な動作の操り返しにより発振動作を行う
ものであり、上記電圧VBが三角波となる。
When the base potential of the differential transistor Q3 reaches the potential expressed by equation (2) above due to the discharging operation of the capacitor CT,
The differential transistor Q4 is turned on and the differential transistor Q3 is turned off again. An example of the changes in the voltages VA and VB as described above is shown in the waveform diagram of FIG. 2. Hereinafter, the oscillation operation is performed by repeating the same operation, and the voltage VB becomes a triangular wave.

上記差動トランジスタQ4のベースに供給される基準電
圧VAは、式(1)と(2)の電圧をVTRとVTLの
ようなヒステリシス特性を持ち、トランジスタQ1のベ
ース、エミッタ間電圧VllEQ+を含むので、温度依
存性を持つ。また、定電流toは、抵抗R5の他端に供
給される電圧■C゛ とすると、次式(3)により求め
られる。
The reference voltage VA supplied to the base of the differential transistor Q4 has a hysteresis characteristic similar to that of VTR and VTL, and includes the voltage VllEQ+ between the base and emitter of the transistor Q1. , has temperature dependence. Further, the constant current to is determined by the following equation (3), assuming that the voltage supplied to the other end of the resistor R5 is ■C'.

io= (VC’−2Vmt)/R5・・・・1312
Vmiは、トランジスタQIOとQllのへ一ス、エミ
ッタ間電圧である。それ故、式(3)から明らかなよう
に定電流ioも上記トランジスタQ10とQllのベー
ス、エミッタ間電圧■。による温度依存性を持つ。
io= (VC'-2Vmt)/R5...1312
Vmi is the hemi-emitter voltage of transistors QIO and Qll. Therefore, as is clear from equation (3), the constant current io is also equal to the voltage between the base and emitter of the transistors Q10 and Qll. It has temperature dependence.

この実施例では、上記のような温度依存性の改善のため
に、次のようなバイアス回路BTASが設けられる。
In this embodiment, the following bias circuit BTAS is provided in order to improve the temperature dependence as described above.

電源電圧Vは、抵抗R6とR7により分圧される。上記
電源電圧Vは、安定化電源回路により形成され、少なく
とも温度依存性を持たないものである。上記分圧電圧V
Dは、トランジスタQ13のベースに供給される。この
トランジスタQ13とエミッタを共通化したダイオード
形態のトランジスタQ14が設けられる。上記トランジ
スタQ13とQ14の共通化されたエミッタには、エミ
ッタ抵抗R9が設けられる。
Power supply voltage V is divided by resistors R6 and R7. The power supply voltage V is formed by a stabilized power supply circuit and has at least no temperature dependence. The above divided voltage V
D is supplied to the base of transistor Q13. A diode-type transistor Q14 having a common emitter with this transistor Q13 is provided. An emitter resistor R9 is provided at the common emitters of the transistors Q13 and Q14.

上記ダイオード形態のトランジスタQ14には、同じく
ダイオード形!虚にされたトランジスタQ15ないしQ
17が直列形態に設けられ、抵抗R8を介して上記電源
電圧Vに結合される。
The diode type transistor Q14 mentioned above also has a diode type! Deactivated transistors Q15 to Q
17 are provided in series and are coupled to the power supply voltage V via a resistor R8.

この実施例では、上記レベルシフト回路を構成するダイ
オード形態のトランジスタQ16のベース、コレクタ電
圧が、発振回路OSCに動作電圧を供給するエミッタフ
ォロワトランジスタQ9のベースに供給される。また、
レベルシフト回路を構成するダイオード形態のトランジ
スタQ17のベース、コレクタ電圧が、定電流源回路I
Cに動作電圧vC゛ を供給するエミッタフォロワトラ
ンジスタQ12のベースに供給される。
In this embodiment, the base and collector voltages of a diode-type transistor Q16 constituting the level shift circuit are supplied to the base of an emitter follower transistor Q9 that supplies an operating voltage to the oscillation circuit OSC. Also,
The base and collector voltages of the diode-type transistor Q17 constituting the level shift circuit are constant current source circuit I
It is supplied to the base of an emitter follower transistor Q12 which supplies an operating voltage vC' to C.

上記バイアス回路BIASは、上記分圧電圧VDをトラ
ンジスタQ13とQ14のベース、エミッタ間電圧で相
殺させ、上記トランジスタQ16からは分圧電圧VDを
、トランジスタQ15とQ16のベース、エミッタ間電
圧2VIEだけレベルシフト(” 2 Vmi)する。
The bias circuit BIAS cancels the divided voltage VD with the voltage between the base and emitter of transistors Q13 and Q14, and outputs the divided voltage VD from the transistor Q16 to a level equal to the voltage 2VIE between the base and emitter of transistors Q15 and Q16. Shift ("2 Vmi).

これによって、上記発振回路O8Cに供給される動作電
圧VCは、上記バイアス回路BIASから供給される電
圧CVD+2V□)がトランジスタQ9のベース、エミ
ッタを通して供給される結果、VD+VIEになる。
As a result, the operating voltage VC supplied to the oscillation circuit O8C becomes VD+VIE as a result of the voltage CVD+2V□ supplied from the bias circuit BIAS being supplied through the base and emitter of the transistor Q9.

この動作電圧VCを上記式(1)及び(2)に代入する
ことによって、次式(4)及び(5)が得られる。
By substituting this operating voltage VC into the above equations (1) and (2), the following equations (4) and (5) are obtained.

VA (VTH) =VD−R3・i o  −・・1
4)VA(VTL)=VD−to(R1+R3)  f
21上記のようなバイアス回路BIASを通して発振回
路OSCの動作電圧VCを形成することにより、上記エ
ミッタフォロワ出力回路における温度依存性を相殺させ
ることができる。
VA (VTH) =VD-R3・io −・・1
4) VA (VTL) = VD-to (R1+R3) f
21 By forming the operating voltage VC of the oscillation circuit OSC through the bias circuit BIAS as described above, the temperature dependence in the emitter follower output circuit can be offset.

上記バイアス回路BIAS゛は、上記トランジスタQ1
7からは分圧電圧VDを、トランジスタQ15〜Q17
のベース、エミッタ間電圧3Vstだけレベルシフト(
+3v□)する、これによって、上記定電流源回路IG
に供給される動作電圧VC゛は、上記バイアス回路BI
ASから供給される電圧(V D + 2 Vat)が
トランジスタQ12のベース、エミッタを通して供給さ
れる結果、VD+2Vgtになる。この動作電圧vC゛
 を上記式(3)に代入することによって、次式(6)
が得られる。
The bias circuit BIAS' includes the transistor Q1
7, the divided voltage VD is applied to the transistors Q15 to Q17.
Level shift by 3Vst between base and emitter voltage (
+3v□), thereby the constant current source circuit IG
The operating voltage VC' supplied to the bias circuit BI
The voltage (V D + 2 Vat) supplied from AS is supplied through the base and emitter of transistor Q12, resulting in VD + 2 Vgt. By substituting this operating voltage vC' into the above equation (3), the following equation (6) can be obtained.
is obtained.

1o=vD/R5・・・・・(6) 上記のようなバイアス回路BIASを通して定電流源回
路IGの動作電圧vc’を形成することにより、上記電
流ミラー回路を構成するトランジスタQIOの温度依存
性を相殺させることができる。これにより、定電流io
も温度依存性を持なくできるから、式(4)及び(5)
から明らかなように温度依存性を改善した三角波発生回
路を得ることができる。また、上記のようにエミッタフ
ォロワ出力回路を通して電圧比較回路の切り換え動作を
行うものであるため高速動作化が可能になる。
1o=vD/R5 (6) By forming the operating voltage vc' of the constant current source circuit IG through the bias circuit BIAS as described above, the temperature dependence of the transistor QIO constituting the current mirror circuit is reduced. can be offset. This results in constant current io
can also be made to have no temperature dependence, so Equations (4) and (5)
As is clear from the above, it is possible to obtain a triangular wave generation circuit with improved temperature dependence. Furthermore, since the switching operation of the voltage comparator circuit is performed through the emitter follower output circuit as described above, high-speed operation is possible.

上記三角波VBは、基準電圧VOと比較することにより
、パルス幅変調信号PV/Mを形成する等に用いられる
0例えば、スイッチングレギュレータでは、上記パルス
幅変調信号PWMに従いスイッチ素子を制御して、その
スイッチ出力電圧を平滑して形成される出力電圧レベル
を制御するものでである。
The triangular wave VB is used to form a pulse width modulation signal PV/M by comparing it with a reference voltage VO. For example, in a switching regulator, a switching element is controlled according to the pulse width modulation signal PWM, and the This is to control the output voltage level formed by smoothing the switch output voltage.

上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。すなわち、 (1)第1のエミッタフォロワトランジスタを介して動
作電圧が供給され、エミッタフォロワ出力回路を用いた
発振回路と、第2のエミッタフォロワトランジスタを介
して動作電圧が供給され、上記発振回路を構成する差動
トランジスタとそのエミッタフォロワ出力回路の動作電
流を形成する定電流源回路とにより三角波発生回路を構
成し、上記発振回路及び定電流源回路の動作電圧を所定
の基準電圧かベースに供給された第1のトランジスタと
、この第1のトランジスタにエミッタが共通接続された
ダイオード形態の第2のトランジスタと、上記第2のト
ランジスタに直列形態に接続された複数からなるダイオ
ード形態のトランジスタからなるレベルシフト回路で形
成するものとし、上記基準電圧を起点として差動トラン
ジスタのベース電位及び定電流を形成する抵抗に供給さ
れる電圧にトランジスタのベース、エミッタ間電圧が含
まれないようにレベルシフト回路におけるダイオード形
態のトランジスタの数を選ぶようにすることにより、エ
ミッタフォロワ出力回路を用いることにより高速化を図
りつつ、上記レベルシフト回路を用いることにより、発
振回路のスレッショルド電圧及び定電流を決定する回路
に1−ランジスタのベース、エミッタ間電圧を含まない
ようにできるから温度特性の改善を図ることができると
いう効果が得られる。
The effects obtained from the above examples are as follows. That is, (1) an operating voltage is supplied via the first emitter follower transistor, an oscillation circuit using an emitter follower output circuit, and an operating voltage is supplied via the second emitter follower transistor, and the above oscillation circuit is A triangular wave generation circuit is formed by the constituent differential transistors and a constant current source circuit that forms the operating current of the emitter follower output circuit, and the operating voltage of the oscillation circuit and constant current source circuit is supplied to a predetermined reference voltage or base. a diode-type second transistor whose emitter is commonly connected to the first transistor; and a plurality of diode-type transistors connected in series to the second transistor. The level shift circuit is configured such that the base voltage of the differential transistor and the voltage supplied to the resistor that forms the constant current do not include the voltage between the base and emitter of the transistor, starting from the reference voltage. A circuit that determines the threshold voltage and constant current of the oscillation circuit by selecting the number of diode-type transistors in the oscillator circuit and increasing the speed by using an emitter follower output circuit, and by using the level shift circuit described above. Since the voltage between the transistor 1 and the base and emitter of the transistor can be excluded from the voltage, the temperature characteristics can be improved.

(2)上記三角波を得るための充電用抵抗とキャパシタ
を外部部品とすることにより、温度依存性及びバラツキ
の小さいものを用いることができるから、高精度の三角
波発生回路を得ることができるという効果が得られる。
(2) By using the charging resistor and capacitor for obtaining the triangular wave as external components, it is possible to use ones with small temperature dependence and variation, which has the effect of making it possible to obtain a highly accurate triangular wave generation circuit. is obtained.

(3)上記(1)により、精度の高い三角波が得られる
から、高速で高精度のスイッチングレギュレータを得る
ことができるという効果が得られる。
(3) According to (1) above, a highly accurate triangular wave can be obtained, resulting in the effect that a high-speed and highly accurate switching regulator can be obtained.

以上本発明者によりなされた発明を実施例に基づき具体
的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることばいうまでもない。例えば、発振回路に用い
られるエミッタフォロワ回路は、ダーリントン形態の出
力トランジスタを用いるものとしてもよい。この場合に
は、上記動作電圧VCは、トランジスタQ17から得る
ようにすればよい。このように発振回路のスレッショル
ド電圧を決めるトランジスタのベース、エミッタ間電圧
に対応して、上記レベルシフトを行うダイオードの数を
決めればよい。このことは、定電流源回路においても同
様である。時定数回路を構成するキャパシタと抵抗とは
、半導体集積回路に内蔵させるものであってもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples above, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned Examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. do not have. For example, the emitter follower circuit used in the oscillation circuit may use a Darlington type output transistor. In this case, the operating voltage VC may be obtained from the transistor Q17. The number of diodes that perform the level shift may be determined in accordance with the voltage between the base and emitter of the transistor that determines the threshold voltage of the oscillation circuit. This also applies to constant current source circuits. The capacitor and resistor constituting the time constant circuit may be built into the semiconductor integrated circuit.

この発明に係る三角波発生回路は、前記のようにパルス
幅変調等に用いられる狭い意味での三角波を形成するも
の他、温度補償された高安定の発振回路としても利用で
きることはいうまでもないであろう。
It goes without saying that the triangular wave generating circuit according to the present invention can be used not only to form triangular waves in a narrow sense used for pulse width modulation as described above, but also as a highly stable oscillation circuit that is temperature compensated. Probably.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、第1のエミッタフォロワトランジスタを介
して動作電圧が供給され、エミッタフォロワ出力回路を
用いた発振回路と、第2のエミッタフォロワトランジス
タを介して動作電圧が供給され、上記発振回路を構成す
る差動トランジスタとそのエミッタフォロワ出力回路の
動作電流を形成する定電流源回路とにより三角波発生回
路を構成し、上記発振回路及び定電流源回路の動作電圧
を所定の基準電圧がベースに供給された第1のトランジ
スタと、この第1のトランジスタにエミッタが共通接続
されたダイオード形態の第2のトランジスタと、上記第
2のトランジスタに直列形態に接続された複数からなる
ダイオード形態のトランジスタからなるレベルシフト回
路で形成するものとし、上記基準電圧を起点として差動
トランジスタのベース電位及び定電流を形成する抵抗に
供給される電圧にトランジスタのベース、エミッタ間電
圧が含まれないようにレベルシフト回路におけるダイオ
ード形態のトランジスタを数を選ぶようにすることによ
り、エミッタフォロワ出力回路を用いることにより高速
化を図りつつ、上記レベルシフト回路を用いることによ
り、発振回路のスレッショルド電圧及び定電流を決定す
る回路にトランジスタのベース、エミッタ間電圧を含ま
ないようにできるから温度特性の改善を図ることができ
る。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows. That is, the operating voltage is supplied through the first emitter follower transistor, and the operating voltage is supplied through the oscillation circuit using the emitter follower output circuit and the second emitter follower transistor, and the difference forming the oscillation circuit is A triangular wave generation circuit is composed of a dynamic transistor and a constant current source circuit that forms the operating current of its emitter follower output circuit, and the operating voltage of the oscillation circuit and constant current source circuit is generated by a triangular wave generator whose base is supplied with a predetermined reference voltage. 1 transistor, a diode-type second transistor whose emitter is commonly connected to the first transistor, and a plurality of diode-type transistors connected in series to the second transistor. The diode configuration in the level shift circuit is such that the base voltage of the differential transistor and the voltage supplied to the resistor that forms the constant current with the reference voltage as a starting point do not include the voltage between the base and emitter of the transistor. By selecting the number of transistors in the oscillator circuit, the speed can be increased by using an emitter follower output circuit. Since the voltage between the base and the emitter can be eliminated, the temperature characteristics can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明の一実施例を示す回路図、第2図は
、その動作を説明するための波形図である。 O20・ ・発振回路、 IG・・定電流源回路、 IAS ・バイアス回路 第 図 第 図 PVM■し−「■−丁
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a waveform diagram for explaining its operation. O20・・Oscillation circuit, IG・・Constant current source circuit, IAS・Bias circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、第1のエミッタフォロワトランジスタを介して動作
電圧が供給され、一方の差動トランジスタのコレクタ出
力を受け、他方の差動トランジスタのベースに帰還させ
る第1のエミッタフォロワ出力回路と、他方差動トラン
ジスタのコレクタ出力を受け、上記一方の差動トランジ
スタのベースに設けられた充電用抵抗とキャパシタとか
らなる時定数回路におけるキャパシタをリセットさせる
トランジスタをスイッチ制御する第2のエミッタフォロ
ワ出力回路とからなる発振回路と、第2のエミッタフォ
ロワトランジスタを介して動作電圧が供給され、上記差
動トランジスタと第1及び第2のエミッタフォロワ出力
回路の動作電流を形成する定電流源回路と、所定の基準
電圧がベースに供給された第1のトランジスタと、この
第1のトランジスタにエミッタが共通接続されたダイオ
ード形態の第2のトランジスタと、上記第2のトランジ
スタに直列形態に接続された複数からなるダイオード形
態のトランジスタからなるレベルシフト回路とを含み、
上記基準電圧を起点として差動トランジスタのベース電
位及び定電流を形成する抵抗に供給される電圧にトラン
ジスタのベース、エミッタ間電圧が含まれないようにレ
ベルシフト回路におけるダイオード形態のトランジスタ
を数を選んで上記第1及び第2のエミッタフォロワトラ
ンジスタのベースに供給する電圧を形成することを特徴
とする三角波発生回路。 2、上記レベルシフト回路を構成するダイオード形態の
トランジスタの数は3個であり、そのうちの2個分のダ
イオード形態のトランジスタにより形成された電圧は、
上記第1のエミッタフォロワ出力トランジスタのベース
に供給され、3個分のダイオード形態のトランジスタに
より形成された電圧は、上記第2のエミッタフォロワ出
力トランジスタのベースに供給されるものであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の三角波発生回路
。 3、上記時定数回路を構成するキャパシタと抵抗とは、
外部端子を介して接続されるものであることを特徴とす
る三角波発生回路。
[Claims] 1. A first emitter follower output to which an operating voltage is supplied via the first emitter follower transistor, receives the collector output of one differential transistor, and feeds it back to the base of the other differential transistor. and a second emitter that receives the collector output of the other differential transistor and controls the transistor that resets the capacitor in the time constant circuit that includes a charging resistor and a capacitor provided at the base of the one differential transistor. an oscillation circuit consisting of a follower output circuit; and a constant current source circuit to which an operating voltage is supplied via a second emitter follower transistor and forms an operating current for the differential transistor and the first and second emitter follower output circuits. a first transistor whose base is supplied with a predetermined reference voltage; a second transistor in the form of a diode whose emitter is commonly connected to the first transistor; and a second transistor connected in series to the second transistor. and a level shift circuit consisting of a plurality of diode-type transistors,
The number of diode-type transistors in the level shift circuit is selected so that the base potential of the differential transistor and the voltage supplied to the resistor that forms the constant current starting from the above reference voltage do not include the voltage between the base and emitter of the transistor. A triangular wave generation circuit, wherein a voltage is formed to be supplied to the bases of the first and second emitter follower transistors. 2. The number of diode-type transistors constituting the level shift circuit is three, and the voltage generated by two of them is:
The voltage supplied to the base of the first emitter follower output transistor and formed by three diode-type transistors is supplied to the base of the second emitter follower output transistor. A triangular wave generation circuit according to claim 1. 3. What are the capacitors and resistors that make up the above time constant circuit?
A triangular wave generation circuit characterized in that it is connected via an external terminal.
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