JPH0315329B2 - - Google Patents
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- JPH0315329B2 JPH0315329B2 JP10866982A JP10866982A JPH0315329B2 JP H0315329 B2 JPH0315329 B2 JP H0315329B2 JP 10866982 A JP10866982 A JP 10866982A JP 10866982 A JP10866982 A JP 10866982A JP H0315329 B2 JPH0315329 B2 JP H0315329B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明は積層回路部品とその製造方法に関し、
高誘電率を有した酸化チタン系、チタン酸バリウ
ム系コンデンサーを有する回路において集積度の
高い電気回路を構成しようとするものである。 一般に磁器コンデンサーは電子回路中に信頼
性、高性能を利用して多く用いられている。特に
最近では実装技術の進歩が著しく、チツプコンデ
ンサーやチツプ抵抗等リードレス部品が実用化さ
れ普及してきた。チツプコンデンサーに関しては
セラミツク製造技術であるグリーンシート工法の
発達に伴い積層型コンデンサーとして高容量のコ
ンデンサーが得られるために、小型化され電子機
器の小型・高密度化に重要な役割を果している。
小型、高容量化の要望から用いられる磁器コンデ
ンサーとして誘電率の高い材料が望まれる。数多
く用いられる磁器コンデンサーを更に高密度実装
を実現するために複数個のコンデンサーを1つの
チツプに構成すると実装密度が上るとともに接地
端子が内部電極で共通的に用いることができるた
め、端子電極数は単機能チツプコンデンサーで構
成するときより少なくて良い特長を有するように
なる。更に次のステツプとして磁器コンデンサー
の表面を用いて機能回路を構成することが考えら
れる。このときにコンデンサーが高誘電率である
ために電極間に分布容量が発生し、回路上問題が
あつた。この問題を解決する方法として誘電体素
子の必要な部分に再結晶性焼結型低温ガラス層よ
りなる絶縁層を設け、この絶縁層上に抵抗を設け
る方法(特公昭43−18015号)、或いは誘電体素子
上に略全面的にこの誘電体素子と熱膨張が略等し
い弱誘電体の層を形成し、この弱誘電体層上に上
記コンデンサー自体に跨つてR.IC素子等の電気
部品を装着する方法(特公昭46−40129号)等の
技術が見られる。このことを第1図の概略図を用
いて説明する。第1図において1は誘電体層、2
は内部電極、3は配線電極、4は厚膜抵抗、5は
半導体素子、6は低誘電率層(ガラス)を示す。
誘電体層1上にガラス等の低誘電体層6を設ける
ことによつて配線電極3、厚膜抵抗4、半導体素
子5が誘電体層1と直接に接触しない構成となつ
ている。この方法は平面回路を構成するときには
有効であるが、3次元的に構成する場合、例えば
誘電体層1の両面に回路実装するとき、或いは平
面回路を構成し誘電体層1の端部を通つてマザー
ボード(プリント基板)へ信号回路を構成すると
きが考えられる。何れの場合にも誘電体層1の端
部を配線経路に取る必要があり、このままでは分
布容量が発生する。そこでガラス等の低誘電率材
料を端部にも施こすことが考えられるが、通常途
布、或いは印刷で行なう場合、誘電体層1のエツ
ジ部での処理が製造技術的に困難である。その理
由は誘電体素子の寸法ばらつき、焼結時の反りが
あるためである。エツジ部で配線電極3の下部に
必らず低誘電率6層が介在していなければいけな
いのであるが、端部4面にわたつて処理すること
は工数、歩留まりの点で問題がある。 本発明はこれらの問題点を解決するために為さ
れたもので、分布容量を電気回路として実用でき
る領域まで下げ、3次元的に電気回路を構成でき
るようにした積層回路部品を提供するものであ
る。この目的を達成するために本発明はアルミニ
ウム、ニツケル、クロム、銅、タングステン、マ
グネシウムの内少なくとも1種を有機バインダー
を用いてペースト状態とし、その後これを用いて
印刷、塗布或いは浸漬法の何れかの方法でチツプ
状磁器コンデンサーに膜を形成し、大気中或いは
酸化雰囲気中にて800〜1400℃の温度で熱処理し、
斯かる後磁器コンデンサー上に導体、抵抗、半導
体素子を装着することを特徴とする。 以下本発明の一実施例について第2図,第3図
に基づき詳述する。図において11は誘電体層、
12は内部電極、13は配線電極、14は厚膜抵
抗、15は半導体素子、16はワイヤ、17は拡
散層を表わす。ところでこのような積層回路部品
を製造するに当つて簡単に説明すると、先ず誘電
体層11、内部電極12の構造を持つチツプ状コ
ンデンサーの表層部に内部電極12に達しない範
囲で各種イオンを熱拡散により拡散させ、低誘電
率化した拡散層17を形成する。この拡散層17
はチツプ形状の六面に形成する。この拡散層17
の上部の平面部に配線電極13、厚膜抵抗14を
形成し、一方の平面には半導体素子15が装着さ
れ、ワイヤボンデイングによつてAu又はAlのワ
イヤ16にて配線する。このときに上下面及び内
部電極12との接続は端部で行なう。又このとき
の端部での接続はやはり拡散層17上に構成する
のでエツジ部での接続も問題なく行なうことがで
きる。 次に製造法について詳細に説明する。内部電極
12と強誘電体層11とを一層以上積層して少な
くとも1個以上のコンデンサーを有した積層型コ
ンデンサーを構成する。通常その焼結温度は1000
〜1400℃で行なわれる。その後、この強誘電体基
板の表面(チツプ状のときでは六面)に一定厚み
の強誘電体を構成する以外の異種イオンを拡散さ
せ、表層部のみ低誘電率化しようとするもので、
これが拡散層17である。拡散層17の厚みを内
部電極12層まで至らないようにするためには、
グリーンシートの積層を行なうときに予じめ厚く
積層すると良い。これは焼結のときの反り或いは
基板としての強度を十分に確保する点でも有効で
ある。一例として基板厚みは1mm前後が最適であ
る。断面方向で内部電極12が中心部に1/3の厚
みで構成され、上面に1/3、下面に1/3の電極層を
持たない強誘電体層(容量値に関与しない部分)
を構成することが考えられる。この積層チツプ状
強誘電体基板の表面に一定厚みの元素を表面から
拡散させる。元素としては熱拡散が起り易いこと
と低誘電率化することに効果が大きいことが要求
される。この要求に対してアルミニウム、ニツケ
ル、クロム、銅、タングステン、マグネシウムの
金属粉末がこれらの要求に答え得る特性を示すこ
とが分かつた。拡散させる方法として上記金属粉
末の内、少なくとも1種に有機バインダーを加え
てペースト状態にし、内部電極を有して焼結され
た積層誘電体に印刷、塗布或いは浸漬法の何れか
の方法で金属ペーストの膜を作る。斯かる後にこ
の金属元素が金属イオンとして或いは金属酸化物
として積層誘電体基板へ拡散する温度で熱処理を
行なう。熱処理温度としては800〜1400℃が最適
である。800℃以下では熱拡散が起らないし、
1400℃以上では強誘電体層の特性を劣化させる。
熱処理するときの雰囲気としては大気中、或いは
酸化雰囲気中にて行なうことが好ましい。このよ
うに本発明方法では熱拡散という技術を用いるこ
とによつて表層部に均一に低誘電体層を構成でき
るために、分布容量を実用範囲内に下げて3次元
的に回路構成できる素子の製造が可能になつた。
この基板を用いて、一方に導体、抵抗を装着して
機能回路が得られ、他にCRモジユール、LCモジ
ユールとしても実現可能で用途は広いものがあ
る。 以下具体例について説明する。 〔具体例1〕 誘電率4500の特性を有するチタン酸バリウムの
シートと内部電極材としてのパラジウムを交互に
積層し、12×12mm、厚み1.2mmのチツプ状に打ち
抜く。このようにして積層した誘電体チツプを焼
成温度1350℃、焼成時間2時間の焼成条件にて焼
結した。一体焼結された積層コンデンサーは9×
9mm、厚み0.9mmとなつた。内部電極層は厚み方
向に3等分した中央部に介在し、複数個のコンデ
ンサーを構成する電極パターンとなつている。又
コンデンサー用内部電極の引出線は焼結された積
層体の周辺部に設けてある。このようにして得ら
れた積層コンデンサーに第1表に示すところの金
属粉末をポリエチレングリコール、カルビトール
系有機バインダーを用いてペースト状態として印
刷、塗布或いは浸漬法の何れかを用いて膜を構成
する。その後乾燥し、第1表に示す熱処理温度、
雰囲気で熱拡散を行なう。このようにして処理さ
れた積層コンデンサーの拡散面にAg/Pd導体ペ
ーストを用いて電極幅0.5mm、長さ4mm、電極間
隔0.4mmの電極パターンを印刷し、850℃−10分で
焼付を行なう。このようにして拡散面上に構成し
た電極間の容量をキヤパシタンスブリツジを用い
て測定した結果も第1表に示す。この結果より拡
散層が低誘電率化していることが分る。又拡散層
の厚みはX線マイクロアナライザーにて0.1〜0.2
mmの範囲で起つていることを確認した。尚端子電
極を設けている縁端部は50μm程度研摩すること
によつて新しいパラジウム内部電極が露出してく
る。このように本発明方法にて高誘電率の表層部
に3次元的に均一な低誘電率層を構成でき、コン
デンサーを基板とした高密度回路部品が得られ
た。
高誘電率を有した酸化チタン系、チタン酸バリウ
ム系コンデンサーを有する回路において集積度の
高い電気回路を構成しようとするものである。 一般に磁器コンデンサーは電子回路中に信頼
性、高性能を利用して多く用いられている。特に
最近では実装技術の進歩が著しく、チツプコンデ
ンサーやチツプ抵抗等リードレス部品が実用化さ
れ普及してきた。チツプコンデンサーに関しては
セラミツク製造技術であるグリーンシート工法の
発達に伴い積層型コンデンサーとして高容量のコ
ンデンサーが得られるために、小型化され電子機
器の小型・高密度化に重要な役割を果している。
小型、高容量化の要望から用いられる磁器コンデ
ンサーとして誘電率の高い材料が望まれる。数多
く用いられる磁器コンデンサーを更に高密度実装
を実現するために複数個のコンデンサーを1つの
チツプに構成すると実装密度が上るとともに接地
端子が内部電極で共通的に用いることができるた
め、端子電極数は単機能チツプコンデンサーで構
成するときより少なくて良い特長を有するように
なる。更に次のステツプとして磁器コンデンサー
の表面を用いて機能回路を構成することが考えら
れる。このときにコンデンサーが高誘電率である
ために電極間に分布容量が発生し、回路上問題が
あつた。この問題を解決する方法として誘電体素
子の必要な部分に再結晶性焼結型低温ガラス層よ
りなる絶縁層を設け、この絶縁層上に抵抗を設け
る方法(特公昭43−18015号)、或いは誘電体素子
上に略全面的にこの誘電体素子と熱膨張が略等し
い弱誘電体の層を形成し、この弱誘電体層上に上
記コンデンサー自体に跨つてR.IC素子等の電気
部品を装着する方法(特公昭46−40129号)等の
技術が見られる。このことを第1図の概略図を用
いて説明する。第1図において1は誘電体層、2
は内部電極、3は配線電極、4は厚膜抵抗、5は
半導体素子、6は低誘電率層(ガラス)を示す。
誘電体層1上にガラス等の低誘電体層6を設ける
ことによつて配線電極3、厚膜抵抗4、半導体素
子5が誘電体層1と直接に接触しない構成となつ
ている。この方法は平面回路を構成するときには
有効であるが、3次元的に構成する場合、例えば
誘電体層1の両面に回路実装するとき、或いは平
面回路を構成し誘電体層1の端部を通つてマザー
ボード(プリント基板)へ信号回路を構成すると
きが考えられる。何れの場合にも誘電体層1の端
部を配線経路に取る必要があり、このままでは分
布容量が発生する。そこでガラス等の低誘電率材
料を端部にも施こすことが考えられるが、通常途
布、或いは印刷で行なう場合、誘電体層1のエツ
ジ部での処理が製造技術的に困難である。その理
由は誘電体素子の寸法ばらつき、焼結時の反りが
あるためである。エツジ部で配線電極3の下部に
必らず低誘電率6層が介在していなければいけな
いのであるが、端部4面にわたつて処理すること
は工数、歩留まりの点で問題がある。 本発明はこれらの問題点を解決するために為さ
れたもので、分布容量を電気回路として実用でき
る領域まで下げ、3次元的に電気回路を構成でき
るようにした積層回路部品を提供するものであ
る。この目的を達成するために本発明はアルミニ
ウム、ニツケル、クロム、銅、タングステン、マ
グネシウムの内少なくとも1種を有機バインダー
を用いてペースト状態とし、その後これを用いて
印刷、塗布或いは浸漬法の何れかの方法でチツプ
状磁器コンデンサーに膜を形成し、大気中或いは
酸化雰囲気中にて800〜1400℃の温度で熱処理し、
斯かる後磁器コンデンサー上に導体、抵抗、半導
体素子を装着することを特徴とする。 以下本発明の一実施例について第2図,第3図
に基づき詳述する。図において11は誘電体層、
12は内部電極、13は配線電極、14は厚膜抵
抗、15は半導体素子、16はワイヤ、17は拡
散層を表わす。ところでこのような積層回路部品
を製造するに当つて簡単に説明すると、先ず誘電
体層11、内部電極12の構造を持つチツプ状コ
ンデンサーの表層部に内部電極12に達しない範
囲で各種イオンを熱拡散により拡散させ、低誘電
率化した拡散層17を形成する。この拡散層17
はチツプ形状の六面に形成する。この拡散層17
の上部の平面部に配線電極13、厚膜抵抗14を
形成し、一方の平面には半導体素子15が装着さ
れ、ワイヤボンデイングによつてAu又はAlのワ
イヤ16にて配線する。このときに上下面及び内
部電極12との接続は端部で行なう。又このとき
の端部での接続はやはり拡散層17上に構成する
のでエツジ部での接続も問題なく行なうことがで
きる。 次に製造法について詳細に説明する。内部電極
12と強誘電体層11とを一層以上積層して少な
くとも1個以上のコンデンサーを有した積層型コ
ンデンサーを構成する。通常その焼結温度は1000
〜1400℃で行なわれる。その後、この強誘電体基
板の表面(チツプ状のときでは六面)に一定厚み
の強誘電体を構成する以外の異種イオンを拡散さ
せ、表層部のみ低誘電率化しようとするもので、
これが拡散層17である。拡散層17の厚みを内
部電極12層まで至らないようにするためには、
グリーンシートの積層を行なうときに予じめ厚く
積層すると良い。これは焼結のときの反り或いは
基板としての強度を十分に確保する点でも有効で
ある。一例として基板厚みは1mm前後が最適であ
る。断面方向で内部電極12が中心部に1/3の厚
みで構成され、上面に1/3、下面に1/3の電極層を
持たない強誘電体層(容量値に関与しない部分)
を構成することが考えられる。この積層チツプ状
強誘電体基板の表面に一定厚みの元素を表面から
拡散させる。元素としては熱拡散が起り易いこと
と低誘電率化することに効果が大きいことが要求
される。この要求に対してアルミニウム、ニツケ
ル、クロム、銅、タングステン、マグネシウムの
金属粉末がこれらの要求に答え得る特性を示すこ
とが分かつた。拡散させる方法として上記金属粉
末の内、少なくとも1種に有機バインダーを加え
てペースト状態にし、内部電極を有して焼結され
た積層誘電体に印刷、塗布或いは浸漬法の何れか
の方法で金属ペーストの膜を作る。斯かる後にこ
の金属元素が金属イオンとして或いは金属酸化物
として積層誘電体基板へ拡散する温度で熱処理を
行なう。熱処理温度としては800〜1400℃が最適
である。800℃以下では熱拡散が起らないし、
1400℃以上では強誘電体層の特性を劣化させる。
熱処理するときの雰囲気としては大気中、或いは
酸化雰囲気中にて行なうことが好ましい。このよ
うに本発明方法では熱拡散という技術を用いるこ
とによつて表層部に均一に低誘電体層を構成でき
るために、分布容量を実用範囲内に下げて3次元
的に回路構成できる素子の製造が可能になつた。
この基板を用いて、一方に導体、抵抗を装着して
機能回路が得られ、他にCRモジユール、LCモジ
ユールとしても実現可能で用途は広いものがあ
る。 以下具体例について説明する。 〔具体例1〕 誘電率4500の特性を有するチタン酸バリウムの
シートと内部電極材としてのパラジウムを交互に
積層し、12×12mm、厚み1.2mmのチツプ状に打ち
抜く。このようにして積層した誘電体チツプを焼
成温度1350℃、焼成時間2時間の焼成条件にて焼
結した。一体焼結された積層コンデンサーは9×
9mm、厚み0.9mmとなつた。内部電極層は厚み方
向に3等分した中央部に介在し、複数個のコンデ
ンサーを構成する電極パターンとなつている。又
コンデンサー用内部電極の引出線は焼結された積
層体の周辺部に設けてある。このようにして得ら
れた積層コンデンサーに第1表に示すところの金
属粉末をポリエチレングリコール、カルビトール
系有機バインダーを用いてペースト状態として印
刷、塗布或いは浸漬法の何れかを用いて膜を構成
する。その後乾燥し、第1表に示す熱処理温度、
雰囲気で熱拡散を行なう。このようにして処理さ
れた積層コンデンサーの拡散面にAg/Pd導体ペ
ーストを用いて電極幅0.5mm、長さ4mm、電極間
隔0.4mmの電極パターンを印刷し、850℃−10分で
焼付を行なう。このようにして拡散面上に構成し
た電極間の容量をキヤパシタンスブリツジを用い
て測定した結果も第1表に示す。この結果より拡
散層が低誘電率化していることが分る。又拡散層
の厚みはX線マイクロアナライザーにて0.1〜0.2
mmの範囲で起つていることを確認した。尚端子電
極を設けている縁端部は50μm程度研摩すること
によつて新しいパラジウム内部電極が露出してく
る。このように本発明方法にて高誘電率の表層部
に3次元的に均一な低誘電率層を構成でき、コン
デンサーを基板とした高密度回路部品が得られ
た。
誘電率100の特性を有する酸化チタンを用いて
グリーンシートを作成し、内部電極として白金−
パラジウムを交互に積層し、11×11mm、厚み1.1
mmのチツプ状に切断する。このようにして切断さ
れた誘電体チツプを焼成温度1400℃、焼成時間2
時間の焼成条件にて焼結した。一体焼結された積
層コンデンサーは9×9mm、厚み0.9mmとなつた。
内部電極は厚み方向に3等分した中央部に介在
し、複数個のコンデンサーを構成している。又、
コンデンサー用内部電極の引出線は具体例1と同
じである。このようにして得られた酸化チタン積
層コンデンサーに第2表に示すところの金属粉末
を具体例1と同じ有機バインダーを用いてペース
トとし、斯かる後に浸漬法と印刷法を用いて厚膜
構成し第2表に示す熱処理を行なつた。このよう
にして処理された酸化チタン積層コンデンサーの
拡散面に具体例1で用いた電極パターンを構成
し、電極間容量を測定した。そのときの結果を第
2表に示す。又拡散層の確難はX線マイクロアナ
ライザーによつて行ない、内部電極層まで達して
いないことを確認した。
グリーンシートを作成し、内部電極として白金−
パラジウムを交互に積層し、11×11mm、厚み1.1
mmのチツプ状に切断する。このようにして切断さ
れた誘電体チツプを焼成温度1400℃、焼成時間2
時間の焼成条件にて焼結した。一体焼結された積
層コンデンサーは9×9mm、厚み0.9mmとなつた。
内部電極は厚み方向に3等分した中央部に介在
し、複数個のコンデンサーを構成している。又、
コンデンサー用内部電極の引出線は具体例1と同
じである。このようにして得られた酸化チタン積
層コンデンサーに第2表に示すところの金属粉末
を具体例1と同じ有機バインダーを用いてペース
トとし、斯かる後に浸漬法と印刷法を用いて厚膜
構成し第2表に示す熱処理を行なつた。このよう
にして処理された酸化チタン積層コンデンサーの
拡散面に具体例1で用いた電極パターンを構成
し、電極間容量を測定した。そのときの結果を第
2表に示す。又拡散層の確難はX線マイクロアナ
ライザーによつて行ない、内部電極層まで達して
いないことを確認した。
【表】
本発明は以上述べたように実施し得るものであ
り、酸化チタン、チタン酸バリウム系積層コンデ
ンサー表層部を熱拡散によつて低誘電率化し、そ
の上面に電極、抵抗を構成し、半導体素子を実装
できる高密度回路部品が実現できた。
り、酸化チタン、チタン酸バリウム系積層コンデ
ンサー表層部を熱拡散によつて低誘電率化し、そ
の上面に電極、抵抗を構成し、半導体素子を実装
できる高密度回路部品が実現できた。
第1図は従来例を示す断面図、第2図は本発明
の一実施例を示す断面図、第3図は同平面図であ
る。 11……誘電体層、12……内部電極、13…
…配線電極、14……厚膜抵抗、15……半導体
素子、16……ワイヤ、17……拡散層。
の一実施例を示す断面図、第3図は同平面図であ
る。 11……誘電体層、12……内部電極、13…
…配線電極、14……厚膜抵抗、15……半導体
素子、16……ワイヤ、17……拡散層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 チツプ状磁器コンデンサーに熱拡散によつて
低誘電体化した表層部を設け、この表層部上に導
体、抵抗、半導体素子を実装した積層回路部品。 2 チツプ状磁器コンデンサーをチタン及びチタ
ン酸バリウム系磁器コンデンサーとした特許請求
の範囲第1項記載の積層回路部品。 3 アルミニウム、ニツケル、クロム、銅、タン
グステン、マグネシウムの内少なくとも1種を有
機バインダーを用いてペースト状態とし、その後
これを用いて印刷、塗布或いは浸漬法の何れかの
方法でチツプ状磁器コンデンサーに膜を形成し、
大気中或いは酸化雰囲気中にて800〜1400℃の温
度で熱処理し、斯かる後磁器コンデンサー上に導
体、抵抗、半導体素子を装着する積層回路部品の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10866982A JPS58225627A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 積層回路部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10866982A JPS58225627A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 積層回路部品とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58225627A JPS58225627A (ja) | 1983-12-27 |
JPH0315329B2 true JPH0315329B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=14490672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10866982A Granted JPS58225627A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 積層回路部品とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58225627A (ja) |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP10866982A patent/JPS58225627A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58225627A (ja) | 1983-12-27 |
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