JPH03152512A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
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- JPH03152512A JPH03152512A JP1291895A JP29189589A JPH03152512A JP H03152512 A JPH03152512 A JP H03152512A JP 1291895 A JP1291895 A JP 1291895A JP 29189589 A JP29189589 A JP 29189589A JP H03152512 A JPH03152512 A JP H03152512A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示パネル、特にアクティブマトリックス
方式の液晶表示パネルの改善に関する。
方式の液晶表示パネルの改善に関する。
アクティブマトリックス方式の液晶表示パネルは見易い
諧調、動画表示がおこなえるために各分野で使用されて
いる。しかし、単純マトリックス方式に比べて、その製
造工程が複雑なために歩留の向上、高品質化が重要な懸
案となっている。
諧調、動画表示がおこなえるために各分野で使用されて
いる。しかし、単純マトリックス方式に比べて、その製
造工程が複雑なために歩留の向上、高品質化が重要な懸
案となっている。
3、発明の詳細な説明
〔概 要〕
アクティブマトリックス方式などの液晶表示パネルの改
善に関し、 〔従来の技術〕 アクティブマトリックス型の液晶表示パネルには、例え
ば240 X 960個の画素がマトリックス状に配置
され、その各々に能動素子として薄膜トランジスタ(T
PTと呼ぶ)が配置されており、第5図にそのアクティ
ブマトリックス型液晶表示パネルの概要図を示し、記号
1は画素電極、2はTPT、3はデータバスライン(ド
レインバスライン)、4はスキャンバスライン(ゲート
バスライン)である。第6図はそのうちの1画素の平面
図を細かく図示しているが、図中の記号は第5図と同一
部位に同一記号が付けである。
善に関し、 〔従来の技術〕 アクティブマトリックス型の液晶表示パネルには、例え
ば240 X 960個の画素がマトリックス状に配置
され、その各々に能動素子として薄膜トランジスタ(T
PTと呼ぶ)が配置されており、第5図にそのアクティ
ブマトリックス型液晶表示パネルの概要図を示し、記号
1は画素電極、2はTPT、3はデータバスライン(ド
レインバスライン)、4はスキャンバスライン(ゲート
バスライン)である。第6図はそのうちの1画素の平面
図を細かく図示しているが、図中の記号は第5図と同一
部位に同一記号が付けである。
また、第7図は第6図のAA断面図であって、記号1は
ITO膜からなる画素電極、3はデータバスライン、5
.6は透明基板(ガラス基板)。
ITO膜からなる画素電極、3はデータバスライン、5
.6は透明基板(ガラス基板)。
7はITO膜からなる共通電極、8,9は配向膜。
10は液晶を示している。
ところで、このような液晶表示パネルに封じ込まれた液
晶が不純物によって汚染されている場合にはパネルの表
示品質が損なわれ、汚染のために液晶の抵抗が低下して
表示特性が悪化する。それは液晶の抵抗が低下すると各
画素に書き込んだ電圧が液晶を通してリークする現象が
著しくなるからである。特に、アクティブマトリックス
型の液晶表示パネルではその影響が甚だしく、従って、
液晶に混入する不純物(陰イオンや陽イオンなど)を除
去することが大切になる。
晶が不純物によって汚染されている場合にはパネルの表
示品質が損なわれ、汚染のために液晶の抵抗が低下して
表示特性が悪化する。それは液晶の抵抗が低下すると各
画素に書き込んだ電圧が液晶を通してリークする現象が
著しくなるからである。特に、アクティブマトリックス
型の液晶表示パネルではその影響が甚だしく、従って、
液晶に混入する不純物(陰イオンや陽イオンなど)を除
去することが大切になる。
そこで、従来より、液晶をパネルに注入する直前に、液
晶をシリカゲルなどの吸着性物質でろ過し、吸着性物質
に不純物を吸着させて不純物濃度を減少させ、その液晶
をパネルに注入する方法が採られている。
晶をシリカゲルなどの吸着性物質でろ過し、吸着性物質
に不純物を吸着させて不純物濃度を減少させ、その液晶
をパネルに注入する方法が採られている。
そうすれば、元来から液晶中に混入していた不純物を除
去することができる。しかし、パネル完成後に配向膜表
面やパネル内面から溶は出す不純物も存在して、そのた
めに液晶が汚染されて、次第に表示品質が低下する問題
は解消されない。
去することができる。しかし、パネル完成後に配向膜表
面やパネル内面から溶は出す不純物も存在して、そのた
めに液晶が汚染されて、次第に表示品質が低下する問題
は解消されない。
従って、現在、液晶表示パネルが完成した後の液晶汚染
を防止する手段として、(1)パネル中に配置するスペ
ーサ(液晶を注入する間隙を一定に保持するために液晶
中に内在させるもの)の表面を吸着性物質とする技法(
特開昭62−67519号参照)や(2)吸着能力のあ
る配向膜を用いる技法が提案されている。
を防止する手段として、(1)パネル中に配置するスペ
ーサ(液晶を注入する間隙を一定に保持するために液晶
中に内在させるもの)の表面を吸着性物質とする技法(
特開昭62−67519号参照)や(2)吸着能力のあ
る配向膜を用いる技法が提案されている。
しかし、(1)の技法は内在させるスペーサを高密度に
しないと発生する不純物を吸着する効果が薄く、そのた
めに、スペーサ密度を高めるとコントラストの低下2表
示むらなどの表示欠陥が生じるという欠点が生じる。ま
た、(2)の技法は配向膜の本来の目的である配向性を
制限して悪くする問題が起きる。特に、アクティブマト
リックス型の液晶表示パネルでは液晶の抵抗低下の影響
が表示品質に非・常に敏感であり、上記した技法では効
果ある解決策ではない。
しないと発生する不純物を吸着する効果が薄く、そのた
めに、スペーサ密度を高めるとコントラストの低下2表
示むらなどの表示欠陥が生じるという欠点が生じる。ま
た、(2)の技法は配向膜の本来の目的である配向性を
制限して悪くする問題が起きる。特に、アクティブマト
リックス型の液晶表示パネルでは液晶の抵抗低下の影響
が表示品質に非・常に敏感であり、上記した技法では効
果ある解決策ではない。
本発明はこのような問題点を解消させて、液晶表示パネ
ルの完成後における表示品質の低下を減少させるように
した液晶表示パネルを提案するものである。
ルの完成後における表示品質の低下を減少させるように
した液晶表示パネルを提案するものである。
その課題は、第2図に示すように、一対の透明基板5.
6の間に液晶10が封じ込まれた液晶表示パネルにおい
て、前記透明基板の間の非画素領域(例えば、バスライ
ン)の全部または一部に液晶に接した吸着性物質11を
設けてなる液晶表示パネルによって解決される。
6の間に液晶10が封じ込まれた液晶表示パネルにおい
て、前記透明基板の間の非画素領域(例えば、バスライ
ン)の全部または一部に液晶に接した吸着性物質11を
設けてなる液晶表示パネルによって解決される。
即ち、本発明は、画素間領域であるデータバスライン、
スキャンバスラインなど非画素領域上に吸着性物質を液
晶に接して設けた構造にする。そのように構成すれば、
液晶表示パネルにおける吸着性物質が占める面積は20
%程度に広くなって、液晶中に溶出する不純物を吸着す
る能力が大きくなり、表示品質を高く、しかも、長く維
持できる。
スキャンバスラインなど非画素領域上に吸着性物質を液
晶に接して設けた構造にする。そのように構成すれば、
液晶表示パネルにおける吸着性物質が占める面積は20
%程度に広くなって、液晶中に溶出する不純物を吸着す
る能力が大きくなり、表示品質を高く、しかも、長く維
持できる。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明すると
、第1図は本発明にががる実施例の1画素子面図で、本
図は第6図と同一の平面図であり、第6図と同一部位に
同一記号が付けであるが、図中の斜線で示す部分、即ち
、データバスライン3゜スキャンバスライン4の液晶に
接する部分にMg0(マグネシャ)11からなる吸着性
物質を介在させる。また、第2図は第1図のBB断面図
を示し、第2図は第7図と同一断面図であって、同一部
位に同一記号が付けであるが、データバスライン3上に
吸着性物質の?IgO11を積層した図を示している。
、第1図は本発明にががる実施例の1画素子面図で、本
図は第6図と同一の平面図であり、第6図と同一部位に
同一記号が付けであるが、図中の斜線で示す部分、即ち
、データバスライン3゜スキャンバスライン4の液晶に
接する部分にMg0(マグネシャ)11からなる吸着性
物質を介在させる。また、第2図は第1図のBB断面図
を示し、第2図は第7図と同一断面図であって、同一部
位に同一記号が付けであるが、データバスライン3上に
吸着性物質の?IgO11を積層した図を示している。
例えば、画素の大きさを200μm角とすると、画素間
に縦横に存在するこれらバスラインは幅20μm程度の
ラインになり、パネルの画素数を640×400とする
とパネルの約20%に吸着性物質のMgOを設けること
になる。
に縦横に存在するこれらバスラインは幅20μm程度の
ラインになり、パネルの画素数を640×400とする
とパネルの約20%に吸着性物質のMgOを設けること
になる。
Mg0(マグネシャ)11の被着は5 X 10−3T
oorの圧力下で熱抵抗蒸着法により1ooo人の厚さ
に成長させることによっておこなう。そうして、バスラ
インと同時にパターンニングして形成する。
oorの圧力下で熱抵抗蒸着法により1ooo人の厚さ
に成長させることによっておこなう。そうして、バスラ
インと同時にパターンニングして形成する。
上記の実施例において、画素数を640 X 400と
した液晶表示パネルを完成し、それを90日経過した後
、その電気光学特性を測定した結果を第3図に示してい
る。横軸は印加電圧、縦軸は液晶の透過率で、曲線lが
従来例1曲線■が本発明にかかる実施例のデータであり
、本発明にかかる実施例の方が低電圧で光学変化が起こ
ることが確認された。これは液晶の不純物による汚染が
防止されて電圧リークが減少し、書込み電圧が効果的に
液晶層に印加されるためと解釈される。
した液晶表示パネルを完成し、それを90日経過した後
、その電気光学特性を測定した結果を第3図に示してい
る。横軸は印加電圧、縦軸は液晶の透過率で、曲線lが
従来例1曲線■が本発明にかかる実施例のデータであり
、本発明にかかる実施例の方が低電圧で光学変化が起こ
ることが確認された。これは液晶の不純物による汚染が
防止されて電圧リークが減少し、書込み電圧が効果的に
液晶層に印加されるためと解釈される。
また、上記実施例は配向膜9をパターンニングし、画素
電極l上の画素部のみに配向膜9を形成した例であるが
、第4図の本発明にかかる他の実施例の断面図に示すよ
うに、配向膜19を全面に形成して、その上の非画素領
域であるデータバスライン3とスキャンバスライン4上
に液晶10に接してMgOを形成する構成としてもよい
、形成方法は全面に配向1!J19を形成し、次いで、
MgOを蒸着してパターンニングすれば良く、有機樹脂
膜からなる配向膜19の上では無機材料膜のMgOは容
易にエツチングしてパターンニングできる。なお、第4
図において他の記号は第2図と同一部位に同一記号が付
けである。
電極l上の画素部のみに配向膜9を形成した例であるが
、第4図の本発明にかかる他の実施例の断面図に示すよ
うに、配向膜19を全面に形成して、その上の非画素領
域であるデータバスライン3とスキャンバスライン4上
に液晶10に接してMgOを形成する構成としてもよい
、形成方法は全面に配向1!J19を形成し、次いで、
MgOを蒸着してパターンニングすれば良く、有機樹脂
膜からなる配向膜19の上では無機材料膜のMgOは容
易にエツチングしてパターンニングできる。なお、第4
図において他の記号は第2図と同一部位に同一記号が付
けである。
また、非画素領域とは厳密には画素電極1上の領域を除
く他の領域を意味し、バスラインだけでなく、能動素子
であるT F T eI域も非画素領域であり、そのT
FTSI域上にも絶縁膜を介してMg0(吸着性物質)
を液晶に接して(液晶は透明基板間の全面に注入されて
いる)配置することもでき、そうすれば、更に液晶の不
純物による汚染防止の効果を高めることができる。
く他の領域を意味し、バスラインだけでなく、能動素子
であるT F T eI域も非画素領域であり、そのT
FTSI域上にも絶縁膜を介してMg0(吸着性物質)
を液晶に接して(液晶は透明基板間の全面に注入されて
いる)配置することもでき、そうすれば、更に液晶の不
純物による汚染防止の効果を高めることができる。
なお、本発明は単純マトリックス型液晶パネルなどにも
適用可能であり、また、吸着性物質はMgOに限るもの
ではなく、他の材料を用いることもできる。
適用可能であり、また、吸着性物質はMgOに限るもの
ではなく、他の材料を用いることもできる。
以上の説明から明らかなように、本発明によればパネル
中の液晶抵抗を高くしかも長く維持できて、液晶の不純
物汚染による表示品質の低下の少ない液晶表示パネルを
得ることができる。
中の液晶抵抗を高くしかも長く維持できて、液晶の不純
物汚染による表示品質の低下の少ない液晶表示パネルを
得ることができる。
第1図は本発明にかかる実施例の1画素平面図、第2図
は第1図のBB断面図、 第3図は電気光学特性図、 第4図は本発明にかかる他の実施例の断面図、第5図は
アクティブマトリックス型液晶表示パネルの概要図、 第6図は1画素の平面図、 第7図は第6図のAA断面図である。 図において、 1はITO膜からなる画素電極、 2は薄膜トランジスタ(TPT)、 3はデータバスライン、 4はスキャンバスライン、 5.6は透明基板(ガラス基板)、 7はITO膜からなる共通電極、 8.9.19は配向膜、 10は液晶、 11はMgO(吸着性物質) を示している。 第1 図 f1図のB−8 fr面(2) 第5図 1あ系(7)平面図 第6図 電工ff> 第3図 矛す図1ニア)AA内面図 第7図
は第1図のBB断面図、 第3図は電気光学特性図、 第4図は本発明にかかる他の実施例の断面図、第5図は
アクティブマトリックス型液晶表示パネルの概要図、 第6図は1画素の平面図、 第7図は第6図のAA断面図である。 図において、 1はITO膜からなる画素電極、 2は薄膜トランジスタ(TPT)、 3はデータバスライン、 4はスキャンバスライン、 5.6は透明基板(ガラス基板)、 7はITO膜からなる共通電極、 8.9.19は配向膜、 10は液晶、 11はMgO(吸着性物質) を示している。 第1 図 f1図のB−8 fr面(2) 第5図 1あ系(7)平面図 第6図 電工ff> 第3図 矛す図1ニア)AA内面図 第7図
Claims (2)
- (1)一対の透明基板(5)、(6)の間に液晶(10
)が封じ込まれた液晶表示パネルにおいて、前記透明基
板の間の非画素領域の全部または一部に液晶に接した吸
着性物質(11)を設けてなることを特徴とする液晶表
示パネル。 - (2)前記非画素領域は各画素に設けたアクティブ素子
を共通に制御するためのバスライン(3)、(4)であ
り、このバスライン上に吸着性物質(11)を設けたこ
とを特徴とする請求項(1)記載の液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1291895A JPH03152512A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1291895A JPH03152512A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03152512A true JPH03152512A (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=17774846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1291895A Pending JPH03152512A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03152512A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001183683A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルならびにその製造方法および駆動方法 |
US8081153B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-12-20 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and video display device |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP1291895A patent/JPH03152512A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001183683A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルならびにその製造方法および駆動方法 |
US8081153B2 (en) | 2006-08-30 | 2011-12-20 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and video display device |
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