JPH03150456A - ガス漏れ検知装置 - Google Patents
ガス漏れ検知装置Info
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- JPH03150456A JPH03150456A JP2246789A JP24678990A JPH03150456A JP H03150456 A JPH03150456 A JP H03150456A JP 2246789 A JP2246789 A JP 2246789A JP 24678990 A JP24678990 A JP 24678990A JP H03150456 A JPH03150456 A JP H03150456A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Emergency Alarm Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガス漏れ検知装置に係り、特にヒータ線加熱の
ためにパルス電源を使うとともにヒータ線に電圧を印加
している期間と印加していない期間にわたり、常にヒー
タ線の断線を検出可能としたものである。
ためにパルス電源を使うとともにヒータ線に電圧を印加
している期間と印加していない期間にわたり、常にヒー
タ線の断線を検出可能としたものである。
従来からＣｏ、メタン、ＬＰＧ、水素並びにその他の可
燃性ガスを感知する物質として−０３゜ＳｎＯ，ＺｎＯ
等の還元型半導体とＣｏｏ、 Ｎｉｐ、 Ｃｕ２Ｏ等の
酸化型半導体と称する（以下これ等を金属酸化物半導体
と総称する）ものが知られており、ガスイオンを吸着し
たときに生ずるこれ等金属酸化物半導体の導電度或は抵
抗値の変化による電気変化を利用して下記の構成のよう
にガス検知素子を単体として作成し警報装置と組合せガ
ス漏れ警報装置に用いられている。このガス検知素子と
しては、通常第１図に示ずようにヒータ線１ａを磁器製
管１ｂ内に貫通せしめて更にこの磁器製管１ｂの外側面
に金属酸化物半導体層或は抵抗体層ＩＣを設けその上に
電極１ｄ＋ 、１ｄ２を間隔をおいて対峙ぜしめた所謂
傍熱型素子と第２図に路線図で示すようにヒータ線が１
対の電極の一方１ｄ３を兼ねた直熱型素子とが用いられ
ている。又ガス検知素子１としては第１図の場合の変形
としてヒータ線１ａを磁器製管ｌｂ内を通すことなく半
導体層または抵抗体層１ｃの外側に設けることもできる
。
燃性ガスを感知する物質として−０３゜ＳｎＯ，ＺｎＯ
等の還元型半導体とＣｏｏ、 Ｎｉｐ、 Ｃｕ２Ｏ等の
酸化型半導体と称する（以下これ等を金属酸化物半導体
と総称する）ものが知られており、ガスイオンを吸着し
たときに生ずるこれ等金属酸化物半導体の導電度或は抵
抗値の変化による電気変化を利用して下記の構成のよう
にガス検知素子を単体として作成し警報装置と組合せガ
ス漏れ警報装置に用いられている。このガス検知素子と
しては、通常第１図に示ずようにヒータ線１ａを磁器製
管１ｂ内に貫通せしめて更にこの磁器製管１ｂの外側面
に金属酸化物半導体層或は抵抗体層ＩＣを設けその上に
電極１ｄ＋ 、１ｄ２を間隔をおいて対峙ぜしめた所謂
傍熱型素子と第２図に路線図で示すようにヒータ線が１
対の電極の一方１ｄ３を兼ねた直熱型素子とが用いられ
ている。又ガス検知素子１としては第１図の場合の変形
としてヒータ線１ａを磁器製管ｌｂ内を通すことなく半
導体層または抵抗体層１ｃの外側に設けることもできる
。
尚、これ等ガス検知素子にヒータ線を使用するのは、通
常前述の半導体を１００℃〜４００℃の高温度に加熱す
るとガスの吸着反応が促進されるので微量のガスを感知
できるようにガスの検出感度をあげるためであるが、な
かには通常はヒータ線を加熱せず低い温度状態でガスを
吸着せしめることにより、その導電度が変えることを利
用する場合もあり、この場合はガスを素子から脱着する
ためにヒータ線を用いるのであるが、（例えば特開昭４
９９０１９７号公報）、本発明装置は後者のヒータ線を
間欠的に加熱するタイプに関するものである。このよう
なガス検知素子を用いたガス漏れ警報装置では常に正常
な動作態勢を必要とするが、しばしば断線事故が起こる
ため、ガス検知素子を加熱するヒータ線に流れる電流を
監視して断線を検出したり半導体にけずれたり傷がつい
たり電極の接触不良つまり、ガス検知素子の破損に起因
するガス検知素子の出力の有無を監視して断線を検出し
たりすることが提案されている。しかもガス検知素子は
比較的寿命が短いため常にガス検知素子の動作には監視
が必要であり、ガス検知素子の故障によるガス漏れ時の
不作動の事故による危険を防止することは重要である。
常前述の半導体を１００℃〜４００℃の高温度に加熱す
るとガスの吸着反応が促進されるので微量のガスを感知
できるようにガスの検出感度をあげるためであるが、な
かには通常はヒータ線を加熱せず低い温度状態でガスを
吸着せしめることにより、その導電度が変えることを利
用する場合もあり、この場合はガスを素子から脱着する
ためにヒータ線を用いるのであるが、（例えば特開昭４
９９０１９７号公報）、本発明装置は後者のヒータ線を
間欠的に加熱するタイプに関するものである。このよう
なガス検知素子を用いたガス漏れ警報装置では常に正常
な動作態勢を必要とするが、しばしば断線事故が起こる
ため、ガス検知素子を加熱するヒータ線に流れる電流を
監視して断線を検出したり半導体にけずれたり傷がつい
たり電極の接触不良つまり、ガス検知素子の破損に起因
するガス検知素子の出力の有無を監視して断線を検出し
たりすることが提案されている。しかもガス検知素子は
比較的寿命が短いため常にガス検知素子の動作には監視
が必要であり、ガス検知素子の故障によるガス漏れ時の
不作動の事故による危険を防止することは重要である。
このような点を考慮して本発明はガス検知素子のヒータ
線の断線を検出表示することができるガス漏れ警報装置
を提供するものである。
線の断線を検出表示することができるガス漏れ警報装置
を提供するものである。
更に本発明では、ヒータ線の加熱電源としてパルス発生
器よりのパルス電圧を用いたちのて、これにより検知素
子を高温状態と低温状態つまり加熱期間と加熱停止期間
をもなぜることになり、ガス検知素子の特性であるガス
検出とガス脱着とを円滑に行うものである。
器よりのパルス電圧を用いたちのて、これにより検知素
子を高温状態と低温状態つまり加熱期間と加熱停止期間
をもなぜることになり、ガス検知素子の特性であるガス
検出とガス脱着とを円滑に行うものである。
尚パルス電圧を用いることによりガス検知素子を低温に
するためにヒータ線に電圧を印加しない期間をこれにあ
てることになるが、これはヒータに電流が流れない点で
は断線と同じ現象をもつことになる。
するためにヒータ線に電圧を印加しない期間をこれにあ
てることになるが、これはヒータに電流が流れない点で
は断線と同じ現象をもつことになる。
本発明ではこのようなヒータに電圧を印加していない期
間においてもガス検知素子のヒータ線における断線を確
実に検出するものである。
間においてもガス検知素子のヒータ線における断線を確
実に検出するものである。
次に本発明の一実施例回路構成図について第３図て説明
する。尚、第４図は第３図における主要部分のパルスジ
ェネレータの波形に応じた時間線図である。
する。尚、第４図は第３図における主要部分のパルスジ
ェネレータの波形に応じた時間線図である。
図ではＰＧはパルスジェネレータ、１は第１図で示すガ
ス検知素子であり、ヒータ線１ａと半導体１ｃ（正確に
は電極１ｄ、とｌｄ２間に接続される半導体の導電度或
は抵抗値）とを監視回路接続に含んでいる。パルスジェ
ネレータＰＧにダイオードＤをへて接続する側のヒータ
線１ａは十電源より直列抵抗Ｒｌ、 Ｒ２をへて接続さ
れ、抵抗Ｒ１とＲ２の接続部は１ヘランジスタＱ１のベ
ースに接続される。ヒータ線１ａの他端は抵抗Ｒ３をへ
て接地されるとともに抵抗Ｒ１をへてトランジスタＱ２
のベースに接続される。ガス検知素子１の半導体ＩＣの
１方電極側は抵抗Ｒ３をへて接地されるとともに比較器
ＣＯＭ、の＋側入力端子と比較器Ｃ０Ｍ２の一側入力端
子に接続され、他方電極側は十電源端子Ｂ１に接続され
る。トランジスタＱ１のコレクタは抵抗Ｒ７をへて接地
されるとともにノア回路ＮＯＲの一方端子に接続され、
トランジスタＱ２のコレクタは抵抗Ｒ６をへて十電源端
子Ｂ、に接続されるとともに、インバータＩＮＶをへて
ノア回路ＮＯＲの他端子に接続される。比較器ＣＯＭ、
の−個入力端子は抵抗Ｒ８をへて十電源端子Ｂ１に、又
抵抗Ｒ５をへて接地Ｅする。又比較器ＣＯＭ、の出力側
は抵抗Ｒ１゜。
ス検知素子であり、ヒータ線１ａと半導体１ｃ（正確に
は電極１ｄ、とｌｄ２間に接続される半導体の導電度或
は抵抗値）とを監視回路接続に含んでいる。パルスジェ
ネレータＰＧにダイオードＤをへて接続する側のヒータ
線１ａは十電源より直列抵抗Ｒｌ、 Ｒ２をへて接続さ
れ、抵抗Ｒ１とＲ２の接続部は１ヘランジスタＱ１のベ
ースに接続される。ヒータ線１ａの他端は抵抗Ｒ３をへ
て接地されるとともに抵抗Ｒ１をへてトランジスタＱ２
のベースに接続される。ガス検知素子１の半導体ＩＣの
１方電極側は抵抗Ｒ３をへて接地されるとともに比較器
ＣＯＭ、の＋側入力端子と比較器Ｃ０Ｍ２の一側入力端
子に接続され、他方電極側は十電源端子Ｂ１に接続され
る。トランジスタＱ１のコレクタは抵抗Ｒ７をへて接地
されるとともにノア回路ＮＯＲの一方端子に接続され、
トランジスタＱ２のコレクタは抵抗Ｒ６をへて十電源端
子Ｂ、に接続されるとともに、インバータＩＮＶをへて
ノア回路ＮＯＲの他端子に接続される。比較器ＣＯＭ、
の−個入力端子は抵抗Ｒ８をへて十電源端子Ｂ１に、又
抵抗Ｒ５をへて接地Ｅする。又比較器ＣＯＭ、の出力側
は抵抗Ｒ１゜。
Ｒ１１をへて接地されるとともに、抵抗Ｒ１ｏとＲの接
続部はトランジスタ（又はサイリスタのようなゲート極
付半導体）Ｑ３のゲート極に結ばれ、このトランジスタ
Ｑ３のアノードは警報表示灯ＬＥＤ、抵抗Ｒ３２をへて
警報表示用端子Ｂ２に接続され、トランジスタＱ３のカ
ソードは接地Ｅされる。又ノア回路ＮＯＲの出力側は抵
抗Ｒ１３をへて、比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端子に接続
され、又この＋側入力端子は抵抗Ｒ１４をへて」−電源
端子Ｂｔに接続される。比較器Ｃ０Ｍ２の出力側は抵抗
Ｒ，，，Ｒ，６をへて接地されるとともに、抵抗Ｒ１５
とＲ１６の接続部がトランジスタ（又はサイリスタのよ
うなグー１〜極付半導体）Ｑ、のゲートに結ばれ、トラ
ンジスタＱ４のアノードは故障表示灯ＬＥＤ２をへて故
障表示端子Ｂ３に接続され、トランジスタＱ、のカソー
ドは接地される。第４図はパルスジェネレータＰＧのパ
ルス電圧に対しヒータ線１ａ、抵抗Ｒ５の電圧降下、ト
ランジスタＱ、、Ｑ、のオンオフ、インバータ回路ＩＮ
Ｖの反転状況、ノア回路Ｎ０Ｒ１比較器Ｃ０Ｍ２の出力
差ひにトランジスタＱ、の出力に関する波形を示してい
る。
続部はトランジスタ（又はサイリスタのようなゲート極
付半導体）Ｑ３のゲート極に結ばれ、このトランジスタ
Ｑ３のアノードは警報表示灯ＬＥＤ、抵抗Ｒ３２をへて
警報表示用端子Ｂ２に接続され、トランジスタＱ３のカ
ソードは接地Ｅされる。又ノア回路ＮＯＲの出力側は抵
抗Ｒ１３をへて、比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端子に接続
され、又この＋側入力端子は抵抗Ｒ１４をへて」−電源
端子Ｂｔに接続される。比較器Ｃ０Ｍ２の出力側は抵抗
Ｒ，，，Ｒ，６をへて接地されるとともに、抵抗Ｒ１５
とＲ１６の接続部がトランジスタ（又はサイリスタのよ
うなグー１〜極付半導体）Ｑ、のゲートに結ばれ、トラ
ンジスタＱ４のアノードは故障表示灯ＬＥＤ２をへて故
障表示端子Ｂ３に接続され、トランジスタＱ、のカソー
ドは接地される。第４図はパルスジェネレータＰＧのパ
ルス電圧に対しヒータ線１ａ、抵抗Ｒ５の電圧降下、ト
ランジスタＱ、、Ｑ、のオンオフ、インバータ回路ＩＮ
Ｖの反転状況、ノア回路Ｎ０Ｒ１比較器Ｃ０Ｍ２の出力
差ひにトランジスタＱ、の出力に関する波形を示してい
る。
なお、本実施例では、抵抗Ｒ３とトランジスタを、抵抗
Ｒ，，Ｒ２とトランジスタＱ１とダイオードＤが第２の
電流検出手段を、インバータＩＮＶとノア回路ＮＯＲで
なる論理回路がヒータ断線判別手段を、それぞれ構成し
ている。
Ｒ，，Ｒ２とトランジスタＱ１とダイオードＤが第２の
電流検出手段を、インバータＩＮＶとノア回路ＮＯＲで
なる論理回路がヒータ断線判別手段を、それぞれ構成し
ている。
次に第３図に関して第４図と関連づけて本発明装置の動
作説明を行う。まずガス検知素子１が正常な場合、パル
スジェネレータＰＧよりのパルス電圧に従ってヒータ線
１ａに電圧が印加される期間には抵抗Ｒ３の電圧降下が
発生し、トランジスタＱ２はオンとなるが、トランジス
タＱ１はオフとなり、ノア回路ＮＯＲのトランジスタロ
１側の入力はＬ（ロー）となり、又トランジスタロ２側
はオンで、インバータ回路ＩＮＶをへてノア回路ＮＯＲ
の他方の入力はＨ（ハイ）となり、ノア回路ＮＯＲの出
力はして比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端子には電源電圧を
抵抗Ｒ１４とＲ３３で分割した電圧が加わる。又比較器
Ｃ０Ｍ２の一側入力端子には半導体１ｃに流れる電流が
正常であれば、予め抵抗Ｒ５の電圧降下が＋側入力端子
電圧より高く設定されていて比較器Ｃ０Ｍ２は出力をだ
さず、トランジスタＱ、はオフて故障表示灯Ｌ Ｅ Ｄ
２は点灯しない。又パルスジェネレータＰＧよりのパ
ルス電圧に従ってヒータ線１ａに電圧が印加されない期
間には抵抗Ｒ３の電圧降下はなくて、トランジスタＱ２
はオフてインバータ回路ＩＮＶをへてノア回路ＮＯＲの
一端にはＬが与えられる。又トランジスタＱ１は、パル
スジェネレータＰＧが出力を生じない時には抵抗Ｒ，に
生じる電圧降下によりオンとなり、ノア回路ＮＯＲの他
端にＨが与えられ、ノア回路ＮＯＲの出力はしてこの場
合も、比較回路Ｃ０Ｍ２は出力をださずトランジスタＱ
、をオフにしたま＼であり、故障表示灯ＬＥＤ２も点灯
しない。
作説明を行う。まずガス検知素子１が正常な場合、パル
スジェネレータＰＧよりのパルス電圧に従ってヒータ線
１ａに電圧が印加される期間には抵抗Ｒ３の電圧降下が
発生し、トランジスタＱ２はオンとなるが、トランジス
タＱ１はオフとなり、ノア回路ＮＯＲのトランジスタロ
１側の入力はＬ（ロー）となり、又トランジスタロ２側
はオンで、インバータ回路ＩＮＶをへてノア回路ＮＯＲ
の他方の入力はＨ（ハイ）となり、ノア回路ＮＯＲの出
力はして比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端子には電源電圧を
抵抗Ｒ１４とＲ３３で分割した電圧が加わる。又比較器
Ｃ０Ｍ２の一側入力端子には半導体１ｃに流れる電流が
正常であれば、予め抵抗Ｒ５の電圧降下が＋側入力端子
電圧より高く設定されていて比較器Ｃ０Ｍ２は出力をだ
さず、トランジスタＱ、はオフて故障表示灯Ｌ Ｅ Ｄ
２は点灯しない。又パルスジェネレータＰＧよりのパ
ルス電圧に従ってヒータ線１ａに電圧が印加されない期
間には抵抗Ｒ３の電圧降下はなくて、トランジスタＱ２
はオフてインバータ回路ＩＮＶをへてノア回路ＮＯＲの
一端にはＬが与えられる。又トランジスタＱ１は、パル
スジェネレータＰＧが出力を生じない時には抵抗Ｒ，に
生じる電圧降下によりオンとなり、ノア回路ＮＯＲの他
端にＨが与えられ、ノア回路ＮＯＲの出力はしてこの場
合も、比較回路Ｃ０Ｍ２は出力をださずトランジスタＱ
、をオフにしたま＼であり、故障表示灯ＬＥＤ２も点灯
しない。
しかし検知素子１のヒータ線１ａが断線した場合、トラ
ンジスタＱ、、Ｑ２は共にオフとなり、ノア回路ＮＯＲ
の出力がＨとなって比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端子電圧
が高くなり、比較器ＣＯＭ ２は出力をとりだし、トラ
ンジスタＱ、のゲートに電圧が加えられてトランジスタ
Ｑ、はオンとなり、故障表示灯ＬＥＤ２は点灯し故障を
知らせるとともに故障信号を外部の受信機側に与える。
ンジスタＱ、、Ｑ２は共にオフとなり、ノア回路ＮＯＲ
の出力がＨとなって比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端子電圧
が高くなり、比較器ＣＯＭ ２は出力をとりだし、トラ
ンジスタＱ、のゲートに電圧が加えられてトランジスタ
Ｑ、はオンとなり、故障表示灯ＬＥＤ２は点灯し故障を
知らせるとともに故障信号を外部の受信機側に与える。
又検知素子１の半導体１ｃが断線した場合、抵抗Ｒ５の
電圧降下ははゾ０■て比較器ＣＯＭ、は働かないが、比
較器ＣＯＭ ２の一側入力端子は低下し→−一側入力端
子抵抗Ｒ１，とＲ，、：ｌによる分割電圧より低くなる
ので比較器ＣＯＭ ２の出力がとりだされ、トランジス
タＱ、のゲート電圧を適当にあけるので、これをオンと
し、故障表示灯ＬＥＤ２を点灯して、故障表示を行う。
電圧降下ははゾ０■て比較器ＣＯＭ、は働かないが、比
較器ＣＯＭ ２の一側入力端子は低下し→−一側入力端
子抵抗Ｒ１，とＲ，、：ｌによる分割電圧より低くなる
ので比較器ＣＯＭ ２の出力がとりだされ、トランジス
タＱ、のゲート電圧を適当にあけるので、これをオンと
し、故障表示灯ＬＥＤ２を点灯して、故障表示を行う。
尚ガス検知素子１のガス検知にあたっては半導体１ｃの
抵抗値が変わり減じることにより、流れる電流は増して
抵抗Ｒ７の電圧降下が大となり、比較器ＣＯＭ、の−側
入力端子に加わる」−出電源端子より抵抗Ｒ８をへた電
圧より大となり比較器ＣＯＭ、は出力をとりだしトラン
ジスタＱ３のゲート電圧を上昇せしめて、これをオンと
し警報表示灯ＬＥＤ、を点灯するとともに警報信号を受
信機側に与えるのである。
抵抗値が変わり減じることにより、流れる電流は増して
抵抗Ｒ７の電圧降下が大となり、比較器ＣＯＭ、の−側
入力端子に加わる」−出電源端子より抵抗Ｒ８をへた電
圧より大となり比較器ＣＯＭ、は出力をとりだしトラン
ジスタＱ３のゲート電圧を上昇せしめて、これをオンと
し警報表示灯ＬＥＤ、を点灯するとともに警報信号を受
信機側に与えるのである。
第５図はガス検知素子のヒータと電極の一方を兼用せし
めた場合の実施例回路構成図で、第３図０ のように受信機送出タイプと異なりガス探知器タイプの
ものであるが、勿論受信機送出タイプに用いることもて
きる。
めた場合の実施例回路構成図で、第３図０ のように受信機送出タイプと異なりガス探知器タイプの
ものであるが、勿論受信機送出タイプに用いることもて
きる。
第５図で１は第２図で示すタイプのガス検知素子でｌｄ
３がヒータ兼１方電極、］、 ｄ ２は他方電極で間に
半導体１ｃを介在せしめるものであり、パルスジェネレ
ータＰＧ、比較器ｃ ＯＭ 、 、Ｃ０Ｍ２、ノア回路
Ｎ０Ｒ１警報表示灯ＬＥＤ１、故障表示灯ＬＥＤ２は便
宜上第３図と同じ符号を使用するものとする。まずパル
スジェネレータＰＧよりダイオードＤをへてガス検知素
子１のヒータ兼一方電１Ｆｆ１１ ｄ、をへて抵抗Ｒ２
，より電源Ｅ、の＋側端子に接続され抵抗Ｒ２１の素子
１側の接続点は抵抗Ｒ２，をへてトランジスタＱ６のベ
ースに与えられる。又パルスジェネレータＰＧよりダイ
オードＤをへてトランジスタＱ５のエミッタに、更にダ
イオードＤをへて抵抗Ｒ，，，Ｒ，，をへて接地され、
抵抗Ｒ１８とＲ１，の接続点はトランジスタＱ５のベー
スに接続され、トランジスタＱ５のコレクタは抵抗Ｒ２
゜をへて接地されるとともにノア回路ＮＯＲ１ の１方入力端子に接続される。
３がヒータ兼１方電極、］、 ｄ ２は他方電極で間に
半導体１ｃを介在せしめるものであり、パルスジェネレ
ータＰＧ、比較器ｃ ＯＭ 、 、Ｃ０Ｍ２、ノア回路
Ｎ０Ｒ１警報表示灯ＬＥＤ１、故障表示灯ＬＥＤ２は便
宜上第３図と同じ符号を使用するものとする。まずパル
スジェネレータＰＧよりダイオードＤをへてガス検知素
子１のヒータ兼一方電１Ｆｆ１１ ｄ、をへて抵抗Ｒ２
，より電源Ｅ、の＋側端子に接続され抵抗Ｒ２１の素子
１側の接続点は抵抗Ｒ２，をへてトランジスタＱ６のベ
ースに与えられる。又パルスジェネレータＰＧよりダイ
オードＤをへてトランジスタＱ５のエミッタに、更にダ
イオードＤをへて抵抗Ｒ，，，Ｒ，，をへて接地され、
抵抗Ｒ１８とＲ１，の接続点はトランジスタＱ５のベー
スに接続され、トランジスタＱ５のコレクタは抵抗Ｒ２
゜をへて接地されるとともにノア回路ＮＯＲ１ の１方入力端子に接続される。
ガス検知素子１の他方電極１ｄ２は、抵抗Ｒ２２をへて
接地されるとともに比較器ＣＯＭ、の十入力端子、比較
器Ｃ０Ｍ２の一人力に接続される。
接地されるとともに比較器ＣＯＭ、の十入力端子、比較
器Ｃ０Ｍ２の一人力に接続される。
トランジスタＱ６のコレクタは抵抗Ｒ２４をへて接地さ
れるとともにノア回路ＮＯＲの他方端子に接続される。
れるとともにノア回路ＮＯＲの他方端子に接続される。
ノア回路ＮＯＨの出力は抵抗Ｒ３ｏをへて比較器Ｃ０Ｍ
２の＋側入力端子に与えられ、電源Ｅ１の電圧が直列抵
抗Ｒ２５，Ｒ２６の両端に与えられ、抵抗Ｒ２，とＲ２
６の接続部は比較器ＣＯＭの一側入力端子に接続される
。比較器ＣＯＭ、の出力は抵抗Ｒ２７，Ｒ２，をへて接
地され、抵抗Ｒ２７とＲ２Ｂの接続部はトランジスタ又
はＳＣＲのようなゲト極付半導体Ｑ７のゲト極に接続さ
れ、トランジスタＱ７のアノードは警報表示灯ＬＥＤ、
抵抗Ｒ２，をへて電源Ｅ１の子端子に同カソードは接地
される。比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端子は、＋電源端子
より抵抗Ｒ８１をへて与えられ、比較器Ｃ０Ｍ２の出力
側は抵抗Ｒ３２をへて故障表示灯ＬＥＤ２より接地に結
ばれる。その他Ｅ２はパル２ スジエネレータＰＧの電源である。又、第６図は第５図
におけるパルスジェネレータＰＧに対するヒータ線兼電
［１１ｄｒ、ｌヘランリスタＱ５．Ｑ６、ノア回路Ｎ０
Ｒ１比較器Ｃ０Ｍ２、故障表示灯ＬＥＤ２の応動波形線
図である。なお、本実施例では、抵抗Ｒ２１とトランジ
スタＱ６が第１の電流検出手段を、抵抗Ｒ１８＋ Ｒ，
、とトランジスタＱ５とダイオードＤが第２の電流検出
手段を、ノア回路ＮＯＲでなる論理回路がヒータ断線判
別手段を、それぞれ構成している。次に第５図における
本実装置の実施例の動作説明を行うと、まずガス検知素
子１が正常な場合ヒータにパルスジェネレータＰＧより
パルス電圧が印加されている期間には、抵抗Ｒ１ａには
電圧降下が生じないなめにトランジスタＱ５はオフにさ
れて抵抗Ｒ２ｏつよりノア回路ＮＯＲの一方の入力はＬ
（ロー）となるが、トランジスタＱ６のベースには抵抗
Ｒ２１の電圧降下により所定の電圧が与えられてオンと
なり、ノア回路ＮＯＨの他方入力はＨとなり、ノア回路
ＮＯＲの出力はしてあり、比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端
３ 子には電源電圧を抵抗Ｒ３１とＲ３ｏで分割した電圧が
加わっており、−側入力端子に加わる抵抗Ｒ２２の両端
電圧は＋側入力端子電圧より高く設定されていて、比較
器Ｃ０Ｍ２は出力をとりださず故障表示灯ＬＥＤ２を点
灯しない。又パルスジェネレータＰＧがパルス出力を生
じていない時、つまりヒータに電圧が印加されていない
期間にはトランジスタＱ６はオフでノア回路ＮＯＲの一
方入力端子にはＬが加わるが、トランジスタＱ５は抵抗
Ｒ１ｅに生じる電圧降下によりオンとなりノア回路ＮＯ
Ｒの他方入力端子にはＨが加わり、ノア回路ＮＯＲの出
力はＬで前述と同様故障表示灯ＬＥＤ２は点灯しない。
２の＋側入力端子に与えられ、電源Ｅ１の電圧が直列抵
抗Ｒ２５，Ｒ２６の両端に与えられ、抵抗Ｒ２，とＲ２
６の接続部は比較器ＣＯＭの一側入力端子に接続される
。比較器ＣＯＭ、の出力は抵抗Ｒ２７，Ｒ２，をへて接
地され、抵抗Ｒ２７とＲ２Ｂの接続部はトランジスタ又
はＳＣＲのようなゲト極付半導体Ｑ７のゲト極に接続さ
れ、トランジスタＱ７のアノードは警報表示灯ＬＥＤ、
抵抗Ｒ２，をへて電源Ｅ１の子端子に同カソードは接地
される。比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端子は、＋電源端子
より抵抗Ｒ８１をへて与えられ、比較器Ｃ０Ｍ２の出力
側は抵抗Ｒ３２をへて故障表示灯ＬＥＤ２より接地に結
ばれる。その他Ｅ２はパル２ スジエネレータＰＧの電源である。又、第６図は第５図
におけるパルスジェネレータＰＧに対するヒータ線兼電
［１１ｄｒ、ｌヘランリスタＱ５．Ｑ６、ノア回路Ｎ０
Ｒ１比較器Ｃ０Ｍ２、故障表示灯ＬＥＤ２の応動波形線
図である。なお、本実施例では、抵抗Ｒ２１とトランジ
スタＱ６が第１の電流検出手段を、抵抗Ｒ１８＋ Ｒ，
、とトランジスタＱ５とダイオードＤが第２の電流検出
手段を、ノア回路ＮＯＲでなる論理回路がヒータ断線判
別手段を、それぞれ構成している。次に第５図における
本実装置の実施例の動作説明を行うと、まずガス検知素
子１が正常な場合ヒータにパルスジェネレータＰＧより
パルス電圧が印加されている期間には、抵抗Ｒ１ａには
電圧降下が生じないなめにトランジスタＱ５はオフにさ
れて抵抗Ｒ２ｏつよりノア回路ＮＯＲの一方の入力はＬ
（ロー）となるが、トランジスタＱ６のベースには抵抗
Ｒ２１の電圧降下により所定の電圧が与えられてオンと
なり、ノア回路ＮＯＨの他方入力はＨとなり、ノア回路
ＮＯＲの出力はしてあり、比較器Ｃ０Ｍ２の＋側入力端
３ 子には電源電圧を抵抗Ｒ３１とＲ３ｏで分割した電圧が
加わっており、−側入力端子に加わる抵抗Ｒ２２の両端
電圧は＋側入力端子電圧より高く設定されていて、比較
器Ｃ０Ｍ２は出力をとりださず故障表示灯ＬＥＤ２を点
灯しない。又パルスジェネレータＰＧがパルス出力を生
じていない時、つまりヒータに電圧が印加されていない
期間にはトランジスタＱ６はオフでノア回路ＮＯＲの一
方入力端子にはＬが加わるが、トランジスタＱ５は抵抗
Ｒ１ｅに生じる電圧降下によりオンとなりノア回路ＮＯ
Ｒの他方入力端子にはＨが加わり、ノア回路ＮＯＲの出
力はＬで前述と同様故障表示灯ＬＥＤ２は点灯しない。
次にヒータ線１ｄ３が断線した場合、トランジスタＱ９
．Ｑｓはともにオフとなり、ノア回路ＮＯＨの２人力に
Ｌが加わって出力は１１となり、比較器Ｃ０Ｍ２の出力
がとりだされ故障表示灯ＬＥＤ２は点灯して故障を知ら
せる。又、ガス検知素子の半導体１ｃが断線すると抵抗
Ｒ２２の両端電圧ははゾ０となり、比較器Ｃ０Ｍ２の一
側入力端子は当然＋側入力端子より低くなって比較４ 器Ｃ０Ｍ２は出力をとりだし、故障表示灯ＬＥＤ。
．Ｑｓはともにオフとなり、ノア回路ＮＯＨの２人力に
Ｌが加わって出力は１１となり、比較器Ｃ０Ｍ２の出力
がとりだされ故障表示灯ＬＥＤ２は点灯して故障を知ら
せる。又、ガス検知素子の半導体１ｃが断線すると抵抗
Ｒ２２の両端電圧ははゾ０となり、比較器Ｃ０Ｍ２の一
側入力端子は当然＋側入力端子より低くなって比較４ 器Ｃ０Ｍ２は出力をとりだし、故障表示灯ＬＥＤ。
を点灯して故障を知らせる。又ガス検知素子が正常状態
にあってガス吸着が行われると、半導体１Ｃの抵抗値か
減じて電流か増し、抵抗Ｒ２２の電圧降下は増して比較
器ＣＯＭ、の１−側入力端子に加わる電圧か大となって
比較器ＣＯＭ、より出力をとりだし、トランジスタＱ７
のゲート電圧をあげてこれをオンとし、警報表示灯Ｌ
Ｅ Ｄ 、を点灯することになり、ガス検出を知らせる
ことができる。
にあってガス吸着が行われると、半導体１Ｃの抵抗値か
減じて電流か増し、抵抗Ｒ２２の電圧降下は増して比較
器ＣＯＭ、の１−側入力端子に加わる電圧か大となって
比較器ＣＯＭ、より出力をとりだし、トランジスタＱ７
のゲート電圧をあげてこれをオンとし、警報表示灯Ｌ
Ｅ Ｄ 、を点灯することになり、ガス検出を知らせる
ことができる。
以上のようにこの発明によれば、パルス電源によりガス
検知素子を低温と高温とに交互に加熱するガス漏れ検知
装置において、ガス検知素子のヒータ線に電圧を印加し
ている期間においても印加していない期間においても、
ガス検知素子のヒータ線の断線を確実に検出することが
できる。
検知素子を低温と高温とに交互に加熱するガス漏れ検知
装置において、ガス検知素子のヒータ線に電圧を印加し
ている期間においても印加していない期間においても、
ガス検知素子のヒータ線の断線を確実に検出することが
できる。
第１図４２図は、本発明に用いるガス検知素子の１実施
例斜面図と他の実施例路線図、第３図、第５図は本発明
の異なる実施例の回路構成図、第４図、胆（ロ）ト第６
図は同第３図、第５図の該当部のパルスジェネレータに
対する応動波形線図である。 図て１はガス検知素子、ｌａ、］、ｄ：＋はヒータ線、
１ｃは半導体、ＣＯＭ、、ＣＯＭ＋は比較器、ＰＧはパ
ルスジェネレータ、Ｑ１〜Ｑ７は１〜ランジスタ、Ｒ１
−Ｒ３２は抵抗、ＬＥＤ、、ＬＥＤ２は表示灯、ＩＮＶ
はインバータ、ＮＯＲはノア回路、Ｄはダイオード、Ｅ
ｌは電源、Ｅ２はパルスジェネレータ用電源。 鬼２図 ３ ｌｄ２
例斜面図と他の実施例路線図、第３図、第５図は本発明
の異なる実施例の回路構成図、第４図、胆（ロ）ト第６
図は同第３図、第５図の該当部のパルスジェネレータに
対する応動波形線図である。 図て１はガス検知素子、ｌａ、］、ｄ：＋はヒータ線、
１ｃは半導体、ＣＯＭ、、ＣＯＭ＋は比較器、ＰＧはパ
ルスジェネレータ、Ｑ１〜Ｑ７は１〜ランジスタ、Ｒ１
−Ｒ３２は抵抗、ＬＥＤ、、ＬＥＤ２は表示灯、ＩＮＶ
はインバータ、ＮＯＲはノア回路、Ｄはダイオード、Ｅ
ｌは電源、Ｅ２はパルスジェネレータ用電源。 鬼２図 ３ ｌｄ２
Claims (1)
- （１）パルス電源によりヒータ線の加熱期間と加熱停止
期間を設け、前記加熱停止期間のヒータ線を加熱せず低
温状態でガスを吸着せしめることにより、金属酸化物半
導体の導電度又は抵抗値の変化を利用してガス漏れ検出
を行い、前記加熱期間のヒータ線の加熱により前記ガス
を素子より脱着するタイプのガス検知素子を警報装置と
組合せてガス漏れ検出警報を行うガス漏れ検知装置にお
いて、 前記ヒータ線を通じて流れる加熱用電流を検出する第１
の電流検出手段と、 前記パルス電源による加熱停止期間に、前記ヒータ線に
断線検出用の電流を供給するとともに、該供給電流を検
出する第２の電流検出手段と、前記第１の電流検出手段
と第２の電流検出手段とのいずれもが電流を検出しなく
なった時に前記ヒータ線の断線を判別して断線信号を出
力するヒータ断線判別手段と、 を設けてなることを特徴とするガス漏れ検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2246789A JPH03150456A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | ガス漏れ検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2246789A JPH03150456A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | ガス漏れ検知装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58178215A Division JPS6070345A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | ガス漏れ検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150456A true JPH03150456A (ja) | 1991-06-26 |
| JPH052939B2 JPH052939B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=17153697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2246789A Granted JPH03150456A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | ガス漏れ検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03150456A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50146490U (ja) * | 1974-05-21 | 1975-12-04 | ||
| JPS5145810A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-19 | Hitachi Ltd | |
| JPS53160995U (ja) * | 1977-05-25 | 1978-12-16 | ||
| JPS5515080A (en) * | 1978-07-20 | 1980-02-01 | Nichicon Capacitor Ltd | Applying unit of gas-sensitive element |
| JPS57163859A (en) * | 1982-03-01 | 1982-10-08 | Fuigaro Giken Kk | Gas detector |
| JPS57184961A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Detecting device |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP2246789A patent/JPH03150456A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50146490U (ja) * | 1974-05-21 | 1975-12-04 | ||
| JPS5145810A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-19 | Hitachi Ltd | |
| JPS53160995U (ja) * | 1977-05-25 | 1978-12-16 | ||
| JPS5515080A (en) * | 1978-07-20 | 1980-02-01 | Nichicon Capacitor Ltd | Applying unit of gas-sensitive element |
| JPS57184961A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Detecting device |
| JPS57163859A (en) * | 1982-03-01 | 1982-10-08 | Fuigaro Giken Kk | Gas detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052939B2 (ja) | 1993-01-13 |
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