JPH03147550A - 光磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気記録媒体にオーバライド可能な光磁気記
録方法に関する。

［従来技術］ 近年、情報に関連する産業の進展に伴い、扱われる情報
苗も増大化Ｊる傾向にある。このため、光学式ヘッド（
ピックアップ）を用いて光ビームの集光照射により、情
報を高密度に記録できる光学式情報記録再生装置が実用
化された。この光学式（情報）記録再生装置においてら
、浦人、書換え（ＴＪ能な光磁気方式の装置が従来の磁
気方式の装置の代りに使用できるものとして注目される
。

これまでの光磁気方式の装置は、バイアス磁界を光磁気
記録媒体の磁化方向と反対向きに印加した状態で、光ビ
ームの集光照射により情報の記録を行い、記録情報を３
換えるには、バイアス磁界の向きを逆にした状態で再び
光ビームを照（ト）して、元の磁化方向に揃えた後でな
いと行えない。

このため、バイアス磁界を記録情報に応じて変調する磁
界変調方式等が提案されている。しかし、これらの方法
も各々欠点を有している。例えば磁界変調方式では、コ
イルのインダクタンスが大きくなり、従ってｆ４い周波
数での変調が困難になり、＾い情報記録速度を実現する
ことができない。

このため、特開昭６２−１５４３４７号公報の従来例で
は、第１２図に示すような構造の光磁気記録媒体９１を
用いて、オーバライＩ・可能な光磁気記録方法を開示し
ている。

この媒体９１は、透明基板９２の１主面上に光磁気記録
層９３と非磁性層９４と、バイアス磁性層９５とを順次
被ｎし、更にこのバイアス磁性層９５の上に保護層９６
を積層被着したものである。

上記バイアス磁性層９５は、室温から磁化が消失するキ
ューリ点の間で自発磁化の向きが反転する補償点を右す
るフェリ磁性体で構成される。

一方、光磁気記録層９３は、上記補償点よりも高いキュ
ーリ点を有する磁性材で構成される。しかして、透明基
板９２側から、記録信号でその強麿を変調した光ビーム
を集光照射することにより、光磁気記録層９３の磁化を
反転あるいは非反転して情報を記録できるようにしてい
る。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来例は、１ビームにより光磁気記録層９３及びバ
イアス磁性層９５での温度を制御するため両層９３．９
５を構成する材料に大きな制約が生じる。例えば光磁気
記録層９３の磁化をバイアス磁性層９５の磁化方向と反
対方向の磁化にする場合には、高レベル照射光で光磁気
記録層９３の温度をキューリ点以上で、且つバイアス磁
性層９５の温度を補償点以上にしなければならない（第
１の条件とする。）。

又、バイアス磁性層９５の磁化方向と同一方向に磁化さ
せるには、低レベルの照射光で光磁気記録Ｆ１９３をキ
ューリ点近傍に、且つバイアス磁性層９５の温度を補償
点以下にしなければならない（第２の条件とする。）。

例えば第１の条件の場合、バイアス磁性層９５には光磁
気記録層９３（及び非磁性層９４）を透過した光ビーム
で加熱されると考えられるので、バイアス磁性１１９５
を補償点以上に加熱することが困難になる。これを緩和
するには、光磁気記録層９３を構成する材質として光透
過率が大きいものが必要になったり、補償点が低い材質
でバイアス磁性層９５を形成する等、材質に大きな制約
を課すことになってしまう。

逆に照射ビームのパワーを高くした場合には、光磁気記
録ＷＪ９３がキューリ点からかなりａ潟になってしまう
ことが予想され、照射後に光磁気記録層９３がキューリ
点以下になる時刻前にバイアス磁性１１９５が補償点以
下に下がってしまい、反転記録できなくなる可能性があ
る。

第１の条件について述べたが、さらに第２の条件を満た
さなければならないので、この従来例は記録条件を満足
することが困難になり、仮に満足できても高速度で記録
が可能になる条件とか、記録を確実に行うことができる
条件等を満たすことが困難になることが予想される。

本発明は上述した点にかんがみてなされたもので、記録
媒体への制約が少なく、オーバライドによる記録を行う
ことができる光磁気記録方法を提供することを目的とす
る。

［問題点を解決する手段及び作用］ 本発明では断熱層を挟むように情報を保持する第１の磁
性体層と、この第１の磁性体層にバイアス磁界を与える
ためのもので、室温とキューリ温度との間に補償温度を
有するフェリ磁性体からなる第２の磁性体層とを設けた
光磁気記録媒体に対し、第１の磁性体層には第１の光ビ
ームのスポット照射によりキューリ温度近傍ないしはキ
ューリ温度以上に上昇させるように第１の光ビームの出
射パワーを設定すると共に、該第１の光ビームのスポッ
トと対向して、前記第２の磁性体層上に記録情報に応じ
て第２の光ビームを高レベルと零レベルを含む低レベル
とでスポット照射し、高レベルで照射された瞬間は補償
温度とキューリ温度との間になるように第２の光ビーム
のパワーを設定することにより、各磁性体層の材質にあ
まり制約されることなく、オーバライドで情報を記録で
きるようにしている。

［実施例］ 以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。

第１図ないし第６図は本発明の１実施例に係り、第１図
は第１実施例の方法で光磁気記録媒体に光を照射してい
る様子を示す図、第２図は第１実施例に係る光磁気記録
再生装置の構成図、第３図は第２１ｉ１１性体層の温度
に対する磁化を示す特性図、第４図は第１１ｉｔ＆性体
層の温度に対する磁化を示す特性図、第５図は再生モー
ド及び記録モードにお【ノる第１ビーム及び第２ビーム
の強度を示１説明図、第６図は記録する様子を示す説明
図である。

第２図に示すように第１実施例に係る光磁気記録再生装
置１は、スピンドルモータ２によって、回転駆動される
円板状光磁気記録媒体（以下、光磁気ディスクと記す。

）３の一方の面に対向して第１のヘッド、つまり記録再
生用ヘッド４が配設され、このヘッド４が搭載されたキ
ャリッジはＶ０Ｖ５等のヘッド移動（送り）機構にて光
磁気ディスク３の半径方向に移動できるようにしである
。

又、上記光磁気ディスク３の他方の面に対向して、第２
のヘッドつまりバイアス磁界生成（制御）用ヘッド６が
配設され、このヘッド６は可動棒（板）７を介してＶ２
Ｖ５に取付けられ、光磁気ディスク３の半径方向に移動
できるようにしである。

上記両ＶｃＭ５．ｌ、ＶＣＭ制御回路９によって目標ト
ラック近傍にアクセスできるように制御される。

上記記録再生用ヘッド４は、次のような構成である。

レーザダイオード１１で発光された光ビームはコリメー
タレンズ１２によって、拡散する光ビームから平行ビー
ムにされた後、ビームスプリッタ１３に入射され、一部
が透過して全反射ミラー１４に入射され、全反射されて
対物レンズ１５によって集光されて光磁気ディスク３に
照射され、第１のビームスポットが形成される。

この光磁気ディスク３で反射された光は、対物レンズ１
５、全反射ミラー１４を経てビームスプリッタ１３に進
み、一部が反射されて第２のビームスプリッタ１６によ
り透過光と反射光とに分けられる。

反射光は副部信号（サーボ信号）の生成に用いられ、透
過光は再生モードにおける情報再生に用いられる。

即ち、反射光は第２図の紙面垂直方向に配設した臨界角
プリズム１７を経て４分割の光検出器１８で受光され、
この光検出器１８の加減算処理した信号にてトラックエ
ラー信号及びフォーカスエラー信号が生成され、図示し
ない位相補償回路、ドライブ回路をそれぞれ経てレンズ
アクヂュエータを構成するトラッキング用コイル２１、
フォーカシング用コイル２２に供給され、対物レンズ１
５を経て光磁気ディスク３に照射される第１のビームス
ポットが目標トラックに追尾するトラッキング状態及び
光ビームスポットが最小となるフォーカシング状態とな
るように制御される。

一方、透過光は検出子２３によって、磁気的カー効果に
よってカー回転した一方の偏光方向の光成分のみが透過
され、集光レンズ２４によって集光され、光検出器２５
にて受光され、光電変換したその出力信号を増幅及び２
値化１６等して、光磁気ディスク３の磁化の向きに対応
した情報が再生される。

上記レーデダイオード１１は、ＡＰＣ回路２６によって
その光ビームの出射パワーが自動制御される。

このレーザダイオード１１は、再生モードではその出射
パワーが小さく記録モードでは大きくなるように制御さ
れる。記録モードにおいても、出射パワーが記録するた
めの変調信号で変調されることなく、一定パワーで連続
点灯される。

一方、バイアス用ヘッド６は、第２のレーずダイオード
２７の光ビームが第２の対物レンズ２８により集光され
て光磁気ディスク３に照射され、第２の（ビーム）スポ
ットが形成される。

このレーザダイオード２７は、記録モードで使用される
ものであり（従って、再生モードでは点灯されない。）
、この記録モードにおいてはＬＤ変調回路２９によって
記録情報に応じてパルス的に点灯／消灯（非点灯）する
。

ところで、光磁気ディスク３は第１図に示１゛ような構
造である。

透明基板３１上に情報を記録保持するための第１磁性体
ＷＪ（記録層）３２が形成され、この第１磁性体１ｉ１
３２の上に断熱層３３を介して前記第１磁性体に記録に
必要な磁界を供給するためのバイアス磁界を生成する第
２磁性体層（バイアス層）３４が形成されている。

上記第１１１性体層３２は、従来の光磁気記録媒体に用
いられている磁性体で構成できる。

又、上記第２磁性体層３４はＴｂ　Ｆｅ　Ｃｏ等の希土
類遷移金Ｊｉ！（Ｒａｒｅ　ｅａｒｔｈｓ−Ｔｒａｎｓ
ｉｔｉｏｎ　ｍｅｔａｌ以下ＲＥ−ＴＯと略記）膜より
なるフェリ磁性体で構成され、第３図に示すような特性
を示す。

この第３図は温度Ｔに対する磁化特性を示すもので、フ
ェリ磁性体を構成する２つの成分ＲＥ。

ＴＭの各磁化ＭＲ、ＭＴは互いに逆方向を向いており、
それぞれの磁化ＭＲ、ＭＴが温度に対して異なった特性
を示すが、キューリ温度Ｔｃ２では各磁化ＭＲ、Ｍｖは
消失づる。

この場合、室温Ｔｒｏｏｍでは、磁化ＭＲ，Ｍ丁はＭＲ
＞ＭＴであり、補償温度ＴＣＯＩＩｌｐではＭＲ＝ＭＴ
、補償渇瓜Ｔ　ｃｏｍｐからキューリ温度Ｔｃ２の間で
はＭＲ＜Ｍｖとなる。

従って、トータルの磁化Ｍｓは室温Ｔ　ｒｏｏｍ近傍の
温度（Ｔ　＜　Ｔ　ｃｏｍｐ）とＴＣｏｉ＋）＜　Ｔ　
＜　７　ｃ２の温度とでは向きが逆転する。第２磁性体
層３４の温度を制ｍすることにより、その磁化１ｙｌｓ
を制御層ることができる。この磁化ＭＳによる第１磁性
体層３２への磁界をバイアス磁界として利用Ｊるバイア
ス層が形成されており、このバイアス磁界にＪ、り記録
に必要な磁界を断熱層３３を介して隣接する第１磁性体
層３２に供給するようにしている。

一方、第１１ｉ性体層３２を構成する磁性体は、例えば
第４図に示すように、キューリ温度Ｔｅｌ以下で磁化を
有するフェロ磁性特性のものを用いることができる。

このキューリ温度ＴＣ１は、第２磁性体層３４を構成す
るフェリ磁性体のキューリ温度Ｔｃ２より高くても低く
ても良いし、その補償温度Ｔ　ｃｏｍｐより高くても低
くても良い。（但し、室温よりは高い温度である。） 従って、従来例に比べて内磁性体層３２．３４を構成す
る材質に対する制約は非常に少ない。

上記断熱層３３は、第１磁性体層３２と第２１ｎ性体層
３４とを熱的に分離できる熱抵抗が大きく、第２磁性体
１ｉ！３４の磁化による磁界を少い漏れで第１磁性体層
３２に供給できる高透過率であるものが望ましいが、実
際上は通常の保護膜として用いられるＳｉ　Ｏ，Ｓｉ３
Ｎ　４等の誘電体膜でも十分である。

尚、上記光磁気ディスク３は、第１ｍ性体層３２の透明
基板３１側の面に、つまり第１ビームが照射される側の
面に同心円状又はスパイラル状トラック溝が形成しであ
る。

上記光磁気ディスク３に集光照射する記録再生用ヘッド
４による第１光ビームは、第１磁性体層３２上にスポッ
ト状に照射され、その第１スポツト（もう１つのスポッ
トと区別Ｊ°るため第１スポツトと記す。）の径はフォ
ーカス制御手段により、回折限界近くまで絞り込まれ、
第５図に示づように再生時には低パワーによる連続照射
、記録時には高パワーで連続照射される。

記録時における高パワーでの第１スポツト照０］により
、第１磁性体層３２におけるその照射部分は、該第１１
１性体層３２を構成する磁性体がぞのキューリ温度ＴＣ
Ｉ近傍ないしはキューリ温度Ｔ（１以上に加熱されるよ
うにレープダイオード１１による光ビームのパワーが設
定される。再生時にはキューリ温度Ｔｅ３近くにならな
い低パワーに設定される。

一方、記録時に使用されるバイアス用ヘッド６は、記録
時には情報信号に応対して第５図に示Ｊ゛ようにパルス
状に点灯／非点灯し、点灯時にＪ３ける第２磁性体層３
４上の第２スポツ１〜照射部分は補償温度Ｔ　ＣｏＩＩ
Ｉｌｌ以上（但しキューリ温度Ｔｃ２以下）に加熱され
るように、レープダイオード２７の出射パワーが設定さ
れている。

このバイアス用ヘッド６による第２磁性体層３４に照射
された際の第２スポツトの径は、第１スポツト径に比べ
て十分大きくても良い。このため、第２図に示す装置１
では、焦点距離の長い対物レンズ２８により、固定焦点
で光磁気ディスク３に集光照射している。焦点距離を長
くしているので１光磁気デイスク３に面ぶれがあっても
その影響をあまり受けないようにしている。（大ぎな面
ぶれがある光磁気ディスクの場合にはフォーカス制御を
行うようにすれば良い。） この第２スポツトの位置は、第１スボツ１〜位置に対向
する位置に形成されるように、バイアス用ヘッド６は半
径方向の位置制御がＶ２Ｖ５によって行われる。

この半径方向の位置制御においても、第２スポツトの径
は第１スポツトの径に比べて大きいので、回転の際に若
干のディスク偏心が存在しても、第１スポツトに対向１
６部分に第２スポツトが保持されることになり、ディス
ク偏心の影響は少ない。

上記第２スポツトの径を大きくできるので、第２磁性体
層３４上でのこの第２スボツ１〜照射部分の磁化が反転
した面積を大きくでき、第１磁性体層３２に必要とされ
るバイアス磁界の大きさを容易に実現できる。（これに
対し、従来例では記録層９３にフォーカスされたビーム
スボッ１〜の透過光にＪ、る加熱によりバイアス磁性層
９５の磁化を生成するので、このバイアス磁性層９５上
でのスポット面積は小ざいものに制約されるため必要と
されるバイアス磁界を得ることが困難になる可能性があ
る。） 上記光磁気ディスク３を用いた装置１によって、第１実
施例の方法により情報の記録を行う作用を以下に説明す
る。

この記録を行うに先だち、第２磁性体層３４は予め一方
向に磁化が向くように揃えられる。（例えば、第１図に
示すように上向きとづる。）次に、Ｖ０Ｖ５．８を用い
て、情泪を記録サベき目標トラックに各ヘッド４．６を
粗移動させる。

この粗移動は、例えば図示しない外部スケール等にて行
う。この粗移動により、各ヘッド４．６は目標トラック
近傍に設定される。ヘッド４はさらにトラッキング用コ
イル２１により、対物レンズ１５を移動して精アクセス
するプロセスに移り、目標トラックにアクセスし、トラ
ッキングサーボ状−態になる。

しかして、第１のレーザダイオード１１は、その第１ビ
ームの強度が大きくなるように第５図に示すように高い
パワーレベルで連続点灯し、その第１ビームは第１磁性
体層３２上に微小な第１スポツトとなるように照射され
る。この照射により、照射部分は加熱される。

一方、第２のレーザダイオード２７は、ＬＤ変調回路２
９からの記録情報に対応した変調信号が供給され、この
レーザダイオード２７はパルス状に点灯／非点灯し、こ
の第２ビームが第２磁性体層３４に照射され、第１スポ
ツトより大きな径の第２スポツトとなる。

この場合の様子を第６図に示ず。第６図（ａ）は例えば
第２のレーザダイオード２７が点灯した状態（第６図の
例えば時刻ｔｌ＞での第２磁性体層３４に第２ビームス
ポツトが形成された状態を示し、第２磁性体ＦＰ１３４
におけるこの第２ビームスポット部分は補償温度Ｔｃｏ
ｍｐ以上に加熱されるので、この図（ａ）のように磁化
が反転づる（下向きとなる。）。反転したこの磁化によ
り、第１ビームが照射される第１１ａ性体層３２におけ
る第１ビームスポット部分には反転磁界（下向きの磁界
）が印加される。

この第１ビームスポット部分は、キューリ温度Ｔｃｌな
いしはそれ以上に加熱されるの１で、第１ビームスポツ
トの位置が移ると温度が下がるので、キューリ温度１”
ｃｌ下になるに際し、上記反転磁界により第１磁性体層
３２の第６図（ａ）で示した第１ビームスポット位置の
磁化は下向きになる。つまり第２のレーザダイオード２
７が高パワーで発光した場合、第１ビームが照射された
第１磁性体ｆｆ１３２部分は下向きの磁化に設定され、
その磁化状ｍ；を保持する。一方、第２ビームが照射さ
れたことにより生じた反転磁化は第２ビームが消灯され
たり（第６図（ｂ）に示す）、第２ビームが移動される
と補ｔｆ度Ｔｃｏａ＋ｐ以下に下がるので、元の上向き
の状態に戻ることになる。

この場合、第１磁性体層３２と第２磁性体居３４とは断
熱１１３３により熱的に隔離されるので、相互の照射ス
ポットによる熱的影響は少ない。

一方、第２のレーザビーム２７が非点灯した場合（例え
ば第５図の時刻ｔ２）には、第６図（Ｃ）に示すように
第１ビームスポツトの部分には、第２磁性体層３４から
上向きの磁界が印加されるので、第１ビームスポット位
置が移動した際のキューリ温度ＴＣ１以下に下がる時に
、上向きの磁化になり、その磁化状態を保持する。

従って、第２のレーザダイオード２７への変調信号に対
応した該レーザダイオード２７の点灯／非点灯に応じて
第１磁性体ｗａ３２に下向き／上向きの磁化を設定保持
できる。

上記第６図を参照して説明した記録方法において、第６
図（ａ）　、　（Ｃ）における第１ビームが照射される
前のその部分の磁化の向きはいずれであっても良く、第
２のレープダイオード２７の点灯で下向き、非点灯で上
向きの磁化に一意的に設定できる。

従って、従来の磁気ヘッドで記録する場合と同様に、前
の磁化方向に無関係に（消去を行うことなり）、所望と
する情報に自換えることができる、いわゆるオーバライ
ドを行うことができる。

この実施例の方法によれば、消去を行うことなく記録情
報の書換えを行うことができるので、データを高速で記
録したりできる。

又、この方法においては、従来例のような２つの磁性体
層３２．３４の間で温度に対する磁化特性の制約は殆ど
ないし、各光ビームの出射パワーをそれぞれ独立的に設
定できるので、記録に適した条件で記録を行うことがで
きる。

尚、再生時の動作はバイアス用ヘッド６を用いないで、
バイアス磁界印加手段を備えた通常の光磁気装置と同様
であるのでその説明を省−略する。

第２図の装置１では、バイアス用ヘッド６を記録再生用
ヘッド４と別のＶ０Ｖ８で移動する構成にしであるが、
第７図及び第８図のような構造にして、Ｖ２Ｖ５を省く
こともできる。

この装置４１では第２図の記録再生用ヘッド４に、第２
のレーザダイオード２７及び第２の対物レンズ２８′を
収納して光磁気ヘッド本体４２を構成している。

上記第２の対物レンズ２８′を経て出射される光ビーム
は光磁気ヘッド本体４２の移動方向とは直交する平面内
で、且つ第１の対物レンズ１５の光軸とも直交する方向
に出射され、この方向には第８図に示すようにほぼ口字
状の導光板４３の一方の端面が対向配置されている。こ
の導光板４３は、固定部材４４によって装置筐体等に固
定されている。

上記導光板４３は、対物レンズ２８′により、集光され
た光を口字状に伝送し、光磁気ディスク３に対向する他
方の端面から出射し、対物レンズ１５により集光照射さ
れる第１ビームスポット部分に対向する第２磁性体層３
４上に第２ビームスポツトになる。

しかして、光磁気ヘッド本体４２が半径方向に移動する
と、対物レンズ２８′から導光板４３の一方の端面に照
射される光ビームの位置も等しい距離移動し、常時第１
ビームスポツトに対向する位置に第２ビームスポツトを
形成できるようにしである。この導光板４３の幅（ディ
スク半径方向の長さ）は、光磁気ディスク３の最内周〜
最外周トラックをカバーできるようにしである。

上記対物レンズ２８′は、導光板４３を経て第２磁性体
層３４上で所望とするスポット径となるように大きな焦
点距離に設定しである。この場合、焦点距離を非常に大
きく設定できるので、光磁気ディスク３の面ぶれとか、
光磁気ヘッド本体４２が移動された場合におけるがたが
多少あっても、彰費されることが少ない。

上記第２のレーザダイオード２７にはＬＤ変調回路２９
から記録すべき情報に対応した変調信号で発光すること
は第２図の場合と同様である。

この装置４１を用いると、バイアス用ヘッドを独立で動
かす場合よりも可動機構を少なくできる。

以上述べたように、この発明の方法によれば、第１及び
第２磁性体層３２．３４を別々の光ビームを照射するの
で、各ビームのパワーを独立的に可変設定でき、これら
の設定により最適の記録条件ないしはこれに近い条件で
記録を行うことができる。

このため、記録ミスを少なくでき、且つ再生時において
も読み誤りの少ない再生を可能にする。

尚、第２のレーザダイオード２７をパルス状に点灯／非
点灯づ゛る時の時間幅を点灯時と非点灯時とで、等しく
するものに限らず異なるレートに設定してら良い。

又、第２のレープダイオード２７をパルス状に点灯／非
点灯Ｊるものに限らず、第９図に示すように出射パワー
を高レベルと低レベルとなるように切換えて磁化を下向
き／上向きにするようにしても良い。

又、第１のレープダイオード１１の出射パワーも一定レ
ベルにづるものに限らず、記録情報に応じである程疾変
えるようにしても良い。又、高周波唄畳信号で断続的に
発光させるようにしても良い。

又、第７図及び第８図に示ず装ｖ！１４１において、導
光板４３の出射端面をｆｆ１１０図に示すようにシリン
ドリカルレンズ部５１を設け、この出射端面から出射さ
れる第２ビームの断面形状を９５１１図のようにトラッ
クを横断する半径方向側が長軸となり、トラックの接線
方向が短軸となる長円形状となるようにしても良い。

尚、第２磁性体層３４への光照射による湯度上界、下降
の速度は、熱伝導の良い多層膜構造にすることにより、
例えば６．ｎ５ｅｃ以下で補償温度Ｔｒｏｏ＋ｍとＴ　
Ｃ０ＩＩｐ＜　Ｔ　＜　Ｔ　ｃ２間で変調が可能にでき
、十分高速で情報の記録が可能になる。

尚、既存の光磁気記録媒体における片面記録用媒体にバ
イアス層となる第２磁性体層を形成１れば、本発明の光
磁気ディスクとして使用できる。

尚、光磁気記録媒体としてはディスク形状の乙のに限ら
ず、カード状のものでも良い。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、バイアス磁界を生成
する対２磁性体層に対して、情報記録用の第１磁性体層
に照射される第１光ビームとは異なる第２光ビームを用
いているので、内磁性体層の材質等の制約が少なく、記
録に適した条件でオーバライドによる記録を行うことが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図は本発明の第１実施例に係り、第１
図は光磁気ディスクの構造を示す断面図、第２図は第１
実施例に係る光磁気記録再生装置の構成図、第３図は第
２磁性体層の温度に対づる磁化を示す特性図、第４図は
第１ｖｆｉ性体層の温度に対りる磁化を示す特性図、第
５図は再生モード及び記録モードにお番ノる第１ビーム
及び第２ビームの強度を示１説明図、第６図は記録づる
様子を示す説明図、第７図は光磁気記録再生装置の他の
実施例を示す構成図、第８図は第７図の側面図、第９図
は第２磁性体層に照射される第２ビームの強度がパルス
状に高レベルと低レベルに切換えられる様子を示す説明
図、第１０図は導光板の出ｏ４端面にシリンドリカルレ
ンズ部を設けた光磁気記録再生装置の主要部を示づ側面
図、第１１図はシリンドリカルレンズ部から出射された
第２光ビームによる照射スポット形状を示す説明図、第
１２図は従来例の光磁気記録方法に係る光磁気記録媒体
を示す断面図である。 １・・・光磁気記録再生装置　３・・・光磁気ディスク
４・・・記録再生用ヘッド　　６・・・バイアス用ヘッ
ド１１・・・レーデダイオード ２７・・・レーザダイオード ３１・・・透明基板　　　　　３２・・・第１磁性体層
３３・・・断熱層　　　　　　３４・・・第２磁性体居
第 ■ 図 （ｂｌ 第 図 ３皮 勇ｉモード 寡乙ｎモード 一関 第９図 第 ０図 手続ネ…正書輸発） 第１１図 第１２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 断熱層を挟むように情報を保持する第１の磁性体層と、
   この第１の磁性体層にバイアス磁界を与えるためのもの
   で、室温とキューリ温度との間に補償温度を有するフェ
   リ磁性体からなる第２の磁性体層とを設けた光磁気記録
   媒体に対し、前記第１の磁性体層には第１の光ビームの
   スポット照射によりキューリ温度近傍ないしはキューリ
   温度以上に上界させるように前記第１の光ビームの出射
   パワーを設定すると共に、該第１の光ビームのスポット
   と対向して、前記第２の磁性体層上に記録情報に応じて
   第２の光ビームを高レベルと零レベルを含む低レベルと
   でスポット照射し、高レベルで照射された瞬間は補償温
   度とキューリ温度との間になるように前記第２の光ビー
   ムのパワーを設定することにより、前記光磁気記録媒体
   に情報を記録可能とする光磁気記録方法。