JPH03144992A - Method and device for holding data of mass storage memory using nonvolatile memory - Google Patents

Method and device for holding data of mass storage memory using nonvolatile memory

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JPH03144992A
JPH03144992A JP1284305A JP28430589A JPH03144992A JP H03144992 A JPH03144992 A JP H03144992A JP 1284305 A JP1284305 A JP 1284305A JP 28430589 A JP28430589 A JP 28430589A JP H03144992 A JPH03144992 A JP H03144992A
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refresh
memory
volatile memory
outputs
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幹男 小俣
Takeshi Matoba
的場 武
Junichi Kamibayashi
上林 純一
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Kokusai Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To make the device small and inexpensive on the whole by refreshing the nonvolatile memory with a signal for generating refresh timing (RT) from an RT signal generating circuit and an arbritrating circuit. CONSTITUTION:When a microprocessor 3 starts access, an address signal S2 is generated and inputted to a memory selection part 14 and an address switching circuit 20 and the selection part 14 outputs a memory select signal S3 to the arbitrating circuit 15 when the signal corresponds to an address indicating the nonvolatile memory 12. The circuit 15 arbitrates an RT signal S1 outputted by a frequency divider 13 and the signal S3 from the selection part 14 and outputs the signal S3 to a delay element 16 and a switching part 19, which outputs the signal S3 to the memory 12 as a column address strobe signal. The element 16 inputs the signal S4 generated by delaying the signal S3 to an address switch 20 to perform switching from a column address to a row address and outputs it to the memory 12. A delay element 17 delays the signal S4 to input its to the memory 12 as a row address strobe signal, thereby refreshing the memory 12.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プロセッサ応用装置内において、装置内のシ
ステム設定用パラメータ及び装置が外部に対して出力す
るデータ等を、装置の主電源が切断された後も保持し、
再度装置の主電源が投入された時にこの保持されたデー
タを再使用する装置のデータ保持方法及び装置に係り、
特に揮発性メモリを用いた大容量メモリのデータ保持方
法及び装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention provides system setting parameters in a processor application device, data outputted from the device to the outside, etc., when the main power of the device is turned off. hold even after being
Concerning data retention methods and devices for devices that reuse this retained data when the main power of the device is turned on again,
In particular, the present invention relates to a data retention method and apparatus for a large-capacity memory using volatile memory.

〔従来技術〕[Prior art]

従来、マイクロプロセッサ応用装置のデータ保持は、第
4図示のような構成により実現されていた。マイクロプ
ロセッサ3は、主電源6から電力を供給され、発振子1
のタイミングにより、マイクロプロセッサ周辺部2の制
御及びメモリ制御部4を通じ、不揮発性メモリ5内のデ
ータの参照及び更新を行っていた。
Conventionally, data retention in a microprocessor application device has been realized by a configuration as shown in FIG. The microprocessor 3 is supplied with power from the main power supply 6 and is powered by the oscillator 1.
At this timing, data in the nonvolatile memory 5 is referenced and updated through the control of the microprocessor peripheral section 2 and the memory control section 4.

第4図で主電源6の電圧がマイクロプロセッサ3の動作
が不安定になるレベルまで低下すると、メモリ制御部4
は不揮発性メモリ5に供給する電源を、主電源6からバ
ックアップ電源7に切り換え、同時にマイクロプロセッ
サ3からの不揮発性メモリ5の参照及び更新を禁止し、
不揮発性メモリ5に記憶されたデータの保持を行ってい
た。
In FIG. 4, when the voltage of the main power supply 6 drops to a level that makes the operation of the microprocessor 3 unstable, the memory control unit 4
switches the power supply to the nonvolatile memory 5 from the main power supply 6 to the backup power supply 7, and at the same time prohibits the microprocessor 3 from referencing and updating the nonvolatile memory 5,
The data stored in the non-volatile memory 5 was held.

第5図は第4図においてメモリ制御部4の構成を詳しく
図示した場合の構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a detailed configuration of the memory control section 4 in FIG. 4. As shown in FIG.

第5図に示すようにメモリ制御部4はマイクロプロセッ
サ3からのアドレス情報を基に不揮発性メモリ5にセレ
クト情報を出力するメモリセレクト部8と、主電源6の
出力を常に監視し、ある−定の電圧以下に下がった時、
不揮発性メモリ5に供給する電源を主電源6からバック
アップ電源7に切換える電源制御部10と、電源制御部
10からの信号によりマイクロプロセッサ3から不揮発
性メモリ5の参照、更新の許可、禁止を行うメモリ入出
力制御19の3構成部に大別され構成されている。
As shown in FIG. 5, the memory control unit 4 constantly monitors the output of the main power supply 6 and the memory select unit 8 that outputs selection information to the nonvolatile memory 5 based on the address information from the microprocessor 3. When the voltage drops below a certain level,
A power supply control unit 10 switches the power supply to the nonvolatile memory 5 from the main power supply 6 to a backup power supply 7, and a signal from the power supply control unit 10 allows the microprocessor 3 to refer to the nonvolatile memory 5, permit or prohibit updating. The memory input/output control unit 19 is roughly divided into three components.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記のような従来の例では、メモリ制御部4内は、複雑
な構造にはなっていないが、保持するデータの量が増え
ると、比較的高価な不揮発性メモリ5が多く必要になり
、またこの不揮発性メモリを実装するため、大きなスペ
ースが必要になり、装置が大きくかつ高価なものになる
という課題があった。
In the conventional example described above, the inside of the memory control unit 4 does not have a complicated structure, but as the amount of data to be held increases, a large amount of relatively expensive non-volatile memory 5 is required. In order to implement this non-volatile memory, a large space is required, resulting in a large and expensive device.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明方法は上記の課題を解決するため、第1゜第2図
示のように記憶保持のためにリフレッシュ動作が必要な
揮発性メモリ12のリフレッシュサイクル時にリフレッ
シュタイミング信号S1を発生する回路13からのリフ
レッシュ要求と、プロセッサ3からのアクセスを調停す
る回路15により自動的にリフレッシュ信号Ss = 
Saを発生し、この発生したリフレッシュ信号s、 、
 Ssを揮発性メモリ12に入力することにより自動的
に揮発性メモリ12のリフレッシュを行うと共に発振子
1′、及び第1.第2、第3遅延素子、及び切換部19
.揮発性メモリ12、  リフレッシュタイミング発生
回路13及び調停回路15をバックアップ電源7よりバ
ックアップすることによって、主電源6の状態にかかわ
らず揮発性メモリ12の内容を保持することを特徴とす
る。
In order to solve the above-mentioned problems, the method of the present invention has the following advantages: As shown in FIGS. The refresh signal Ss =
The generated refresh signals s, ,
By inputting Ss into the volatile memory 12, the volatile memory 12 is automatically refreshed, and the oscillator 1' and the first . Second and third delay elements and switching section 19
.. By backing up the volatile memory 12, the refresh timing generation circuit 13, and the arbitration circuit 15 from the backup power supply 7, the contents of the volatile memory 12 are retained regardless of the state of the main power supply 6.

本発明装置は同じ課題を解決するため、第1゜第2図示
のように記憶保持のためにリフレッシュ動作が必要な揮
発性メモリ12のリフレッシュサイクル時にリフレッシ
ュタイミング信号S1を発生する回路13と、このリフ
レッシュタイミング信号S。
In order to solve the same problem, the device of the present invention includes a circuit 13 that generates a refresh timing signal S1 during a refresh cycle of a volatile memory 12 that requires a refresh operation to retain memory, as shown in the first and second figures. Refresh timing signal S.

とプロセッサ3からのアクセスを調停しリフレッシュサ
イクル時にリフレッシュタイミングを作る信号S3を出
力する回路15と、この調停回路15より出力するリフ
レッシュタイミング信号53を入力し揮発性メモリ12
のリフレッシュを行うリフレッシュ信号Ss 、Ssを
出力するリフレッシュ信号発生手段21と、発振子1′
、及び第1.第2.第3遅延素子、及び切換部19.揮
発性メモリ12.IJフレッシュタイミング発生回路1
3及び調停回路15をバックアップするバックアップ電
源7とよりなる構成としたものである。
and a circuit 15 that outputs a signal S3 that arbitrates accesses from the processor 3 and creates a refresh timing during a refresh cycle, and a volatile memory 12 that receives a refresh timing signal 53 output from this arbitration circuit 15.
a refresh signal Ss for refreshing, a refresh signal generating means 21 for outputting Ss, and an oscillator 1'
, and the first. Second. Third delay element and switching section 19. Volatile memory 12. IJ fresh timing generation circuit 1
3 and a backup power supply 7 for backing up the arbitration circuit 15.

〔作 用〕[For production]

リフレッシュサイクル時にリフレッシュタイミング信号
発生回路13より出力するリフレッシュタイミングを作
る信号53とプロセッサ3からのアクセスが調停回路1
5により調停され、これより出力するリフレッシュタイ
ミングを作る信号S3がリフレッシュ信号発生手段21
に入力され、これより出力するリフレッシュ信号Ss 
、S8により揮発性メモリ12がリフレッシュされてデ
ータの保持が行われることになる。
The signal 53 that generates the refresh timing output from the refresh timing signal generation circuit 13 during the refresh cycle and the access from the processor 3 are connected to the arbitration circuit 1.
5, the signal S3 that creates the refresh timing to be output is sent to the refresh signal generating means 21.
The refresh signal Ss inputted to and outputted from this
, S8, the volatile memory 12 is refreshed and data is retained.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。 The present invention will be described in detail below based on the drawings.

第1図は本発明方法及び装置の一実施例の構成の概要を
示すブロック図、第2図はその構成を詳細に図示したブ
ロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an overview of the structure of an embodiment of the method and apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing the structure in detail.

まず、本実施例の構成を説明する。First, the configuration of this embodiment will be explained.

本実施例におけるデータの保持は第1.第2図示のよう
な構成により実現される。
Data retention in this embodiment is as follows. This is realized by a configuration as shown in the second diagram.

マイクロプロセッサ3は発振子1のタイミングにより、
マイクロプロセッサ周辺部2の制御を行う。マイクロプ
ロセッサ3からの揮発性メモリ12の参照、更新はメモ
リ制御B11を通じて行われる。
The microprocessor 3 uses the timing of the oscillator 1 to
Controls the microprocessor peripheral section 2. References and updates to the volatile memory 12 from the microprocessor 3 are performed through the memory control B11.

13は揮発性メモリ12がリフレッシュを必要とされる
周期まで発振子lの出力を分周してリフレッシュタイミ
ング信号53を発生する分周器、14はアクセス開始時
にプロセッサ3に発生するアドレス信号S2を入力し当
該アドレス信号S2が揮発性メモリ12を指す信号の時
メモリセレクト信号S3を出力するメモリセレクト部、
15はリフレッシュタイミング信号Slとメモリセレク
ト信号S3を入力しこれらの調停を行いメモリセレクト
信号53のみの入力時はメモリセレクト信号S3を出力
し9 リフレッシュタイミング信号53の入力時は切換
信号S8を出力し、かつマイクロプロセッサ3にリフレ
ッシュサイクル中を示すリフレッシュサイクル信号S7
を出力する調停回路である。
A frequency divider 13 generates a refresh timing signal 53 by dividing the output of the oscillator I until the period at which the volatile memory 12 needs to be refreshed, and a frequency divider 14 generates an address signal S2 generated in the processor 3 at the start of access. a memory select unit that outputs a memory select signal S3 when the input address signal S2 is a signal pointing to the volatile memory 12;
15 inputs the refresh timing signal Sl and the memory select signal S3, arbitrates between them, and outputs the memory select signal S3 when only the memory select signal 53 is input; 9 outputs the switching signal S8 when the refresh timing signal 53 is input. , and a refresh cycle signal S7 indicating to the microprocessor 3 that a refresh cycle is in progress.
This is an arbitration circuit that outputs

19はこの調停回路15より切換信号53が入力されて
いない時はメモリセレクト信号53を列アドレスストロ
ーブ信号としてそのまま揮発性メモリ12に出力し、切
換信号S0が入力されている時は後記第3遅延素子18
の出力信号S6を列アドレスストローブ信号として出力
する切換部、16は調停回路15より出力するメモリセ
レクト信号またはリフレッシュタイミングを作る信号5
3を一定時間遅らせて出力する第1遅延素子、17はこ
の第1遅延素子16より出力する信号S4を一定時間遅
らせて行アドレスストローブ信号53として揮発性メモ
リ12に出力する第2遅延素子、18はこの第2遅延素
子17の出力信号53を一定時間遅らせて切換部19に
出力する第3遅延素子である。
19 outputs the memory select signal 53 as a column address strobe signal to the volatile memory 12 as it is when the switching signal 53 is not input from the arbitration circuit 15, and outputs the memory select signal 53 as a column address strobe signal to the volatile memory 12 as it is, and when the switching signal S0 is input, it outputs the memory select signal 53 as a column address strobe signal to the volatile memory 12. Element 18
A switching unit 16 outputs the output signal S6 as a column address strobe signal, and 16 is a memory select signal output from the arbitration circuit 15 or a signal 5 that creates a refresh timing.
17 is a second delay element that delays the signal S4 output from the first delay element 16 for a certain period of time and outputs it to the volatile memory 12 as a row address strobe signal 53, 18 is a third delay element that delays the output signal 53 of the second delay element 17 by a certain period of time and outputs the delayed signal to the switching section 19.

20は第1遅延素子16の出力信号S4とアドレス信号
S2を入力し該出力信号53をアドレス切換信号として
アドレス信号53の揮発性メモU12に出力するアドレ
ス切換器である。
20 is an address switch which inputs the output signal S4 of the first delay element 16 and the address signal S2 and outputs the output signal 53 as an address switching signal to the volatile memory U12 of the address signal 53.

7は揮発性メモリ129分周器13及び調停回路15を
バックアップするバックアップ電源、6は主電源である
7 is a backup power source for backing up the volatile memory 129, frequency divider 13 and arbitration circuit 15, and 6 is a main power source.

メモリ制御部11は分周器13.メモリセレクト部14
、調停回路15.第1〜第3遅延素子16〜18よりな
るリフレッシュ信号発生手段21と切換部19及びアド
レス切換器20よりなる。
The memory control unit 11 includes a frequency divider 13. Memory select section 14
, arbitration circuit 15. The refresh signal generation means 21 includes first to third delay elements 16 to 18, a switching section 19, and an address switch 20.

次に本実施例の作用を第3図のタイミングチャートを参
照して説明する。
Next, the operation of this embodiment will be explained with reference to the timing chart of FIG.

まず、マイクロプロセッサ3が揮発性メモリ12にアク
セスする動作について記述する。
First, the operation of the microprocessor 3 to access the volatile memory 12 will be described.

マイクロプロセッサ3がアクセスを開始するとアドレス
信号S2が発生する。このアドレス信号S2は、メモリ
セレクト部14とアドレス切換器2(12)に入力され
る。メモリセレクト部14は、入力されたアドレス信号
53lが揮発性メモリ12を指すアドレスの時、メモリ
セレクト信号S3を調停回路15に出力する。調停回路
15は、分周器13より出力するりフレッシータイミン
グ信号S1とメモリセレクトB14より出力するメモリ
セレクト信号S3の調停を行い、メモリセレクト信号S
3のみの入力の場合は第1遅延素子16と切換部19に
メモリセレクト信号S3を、そのまま出力する。切換信
号S8.  IJフレッシュサイクル信号53の出力は
変化しない。切換部19は切換信号S8が入力されてい
ないので、メモリセレクト信号S3を列アドレスストロ
ーブ信号として揮発性メモリ12にそのまま出力する。
When microprocessor 3 starts accessing, address signal S2 is generated. This address signal S2 is input to the memory select section 14 and address switch 2 (12). The memory select section 14 outputs a memory select signal S3 to the arbitration circuit 15 when the input address signal 53l is an address pointing to the volatile memory 12. The arbitration circuit 15 arbitrates between the fresh timing signal S1 output from the frequency divider 13 and the memory select signal S3 output from the memory select B14, and outputs the memory select signal S.
In the case of only 3 inputs, the memory select signal S3 is output to the first delay element 16 and the switching section 19 as is. Switching signal S8. The output of the IJ fresh cycle signal 53 does not change. Since the switching unit 19 does not receive the switching signal S8, it directly outputs the memory select signal S3 to the volatile memory 12 as a column address strobe signal.

第1遅延素子16は、メモクセ1/クト信号S3を一定
時間遅らせて第2遅延素子17及びアドレス切換器2(
12)に出力する。アドレス切換器20は第1遅延素子
16からの出力信号53によりアドレス信号S2を、列
アドレスから行アドレスに切換えて揮発性メモU12に
出力する。SIlはアドレス切換器20の出力信号であ
る。
The first delay element 16 delays the memox 1/cut signal S3 for a certain period of time, and the second delay element 17 and the address switch 2 (
12). The address switch 20 switches the address signal S2 from a column address to a row address in response to the output signal 53 from the first delay element 16 and outputs it to the volatile memory U12. SI1 is the output signal of the address switch 20.

第2遅延素子17は第1遅延素子16の出力信号S4を
一定時間遅らせて行アドレスストローブ信号として揮発
性メモリ12及び第3遅延素子18に出力する。
The second delay element 17 delays the output signal S4 of the first delay element 16 by a certain period of time and outputs it to the volatile memory 12 and the third delay element 18 as a row address strobe signal.

第3遅延素子18は第2遅延素子17の出力信号S。The third delay element 18 receives the output signal S of the second delay element 17.

を一定時間遅らせて、リフレッシュ用の信号S6を作り
、切換部19に出力する。
is delayed for a certain period of time to generate a refresh signal S6, which is output to the switching section 19.

このようにアドレスを時分割にて入力するのは、揮発性
メモリ12が外形寸法を小形にするためアドレス入力を
、時分割にしているためである。
The reason why addresses are inputted in a time-division manner in this manner is that addresses are inputted in a time-division manner in order to reduce the external dimensions of the volatile memory 12.

次に揮発性メモリ12の内容を再書込みする動作につい
て記す。メモリのリフレッシュは列アドレス信号と、行
アドレス信号のタイミングを入れ換えることによりリフ
レッシュされる揮発性メモリ12を使用しているため、
列アドレス信号と、行アドレス信号のタイミングを入れ
換えて、実現している。
Next, the operation of rewriting the contents of the volatile memory 12 will be described. Memory refresh uses the volatile memory 12, which is refreshed by swapping the timings of the column address signal and row address signal.
This is achieved by swapping the timings of the column address signal and row address signal.

リフレッシュのタイミング信号S1は、発振子1′の出
力を分周器13により揮発性メモリ12がリフレッシュ
を必要とされる周期まで分周して作られる。
The refresh timing signal S1 is generated by frequency dividing the output of the oscillator 1' by a frequency divider 13 to a period at which the volatile memory 12 needs to be refreshed.

この分周された信号は、MPUの動作に直接関係しない
ため、コストを下げるため発振子1′は発振子1と同じ
ものを使用してもかまわない。分周器13により作られ
たリフレッシュタイミング信号Slは、調停回路15に
入力される。調停回路15はこの入力を受け、マイクロ
プロセッサ3からメモリセレクト部14を通してアクセ
スがあるかどうかを判定する。マイクロプロセッサ3か
らのアクセスがある時には、アクセスが終わるまで待ち
、ない場合には、そのまますぐに調停回路15より切換
部19に切換信号53を出力し、かつリフレッシュサイ
クル中を示す、リフレッシュサイクル信号53をマイク
ロプロセッサ3に出力する。また同時にリフレッシュタ
イミングを作る信号53を第1遅延素子16及び切換部
19に出力する。
Since this frequency-divided signal is not directly related to the operation of the MPU, the same oscillator 1' as the oscillator 1 may be used to reduce costs. The refresh timing signal Sl generated by the frequency divider 13 is input to the arbitration circuit 15. The arbitration circuit 15 receives this input and determines whether there is an access from the microprocessor 3 through the memory select section 14. When there is an access from the microprocessor 3, it waits until the access is finished, and if there is no access, it immediately outputs the switching signal 53 from the arbitration circuit 15 to the switching section 19, and also outputs a refresh cycle signal 53 indicating that the refresh cycle is in progress. is output to the microprocessor 3. At the same time, a signal 53 for creating refresh timing is output to the first delay element 16 and the switching section 19.

マイクロプロセッサ3は調停回路15からのリフレッシ
ュサイクル信号53が入力されると、リフレッシュと、
メモリアクセスの競合をさけるため、メモリのアクセス
はリフレッシュサイクル信号S。
When the refresh cycle signal 53 from the arbitration circuit 15 is input, the microprocessor 3 performs a refresh operation.
To avoid memory access contention, memory access is performed using the refresh cycle signal S.

がなくなるまで行わない。Don't do it until it runs out.

第1遅延素子16は、調停回路15からのリフレッシュ
タイミングを作る信号S3を受け、当該信号S。
The first delay element 16 receives a signal S3 from the arbitration circuit 15 that creates a refresh timing, and receives the signal S3.

を一定時間遅らせて、アドレス切換器20及び第2遅延
素子17に出力するアドレス切換器20は第1遅延素子
16の出力により揮発性メモリ12に入力するアドレス
を切り換える (ただし、リフレッシュ中はメモリへの
アドレス入力は無視される〉。
The address switch 20 switches the address input to the volatile memory 12 based on the output of the first delay element 16. (However, during refresh, the address that is input to the volatile memory 12 is output to the address switch 20 and the second delay element 17. address input will be ignored.

第2遅延素子17は第1遅延素子16の出力信号S4を
受け、当該信号53を一定時間遅らせて、揮発性メモリ
12及び第3遅延素子18に出力する。揮発性メモリ1
2には、この第2遅延素子17の出力信号Ssが行アド
レスストローブ信号として入力される。
The second delay element 17 receives the output signal S4 of the first delay element 16, delays the signal 53 for a certain period of time, and outputs the delayed signal to the volatile memory 12 and the third delay element 18. volatile memory 1
2, the output signal Ss of the second delay element 17 is inputted as a row address strobe signal.

第3遅延素子18は、第2遅延素子17の出力信号S5
を一定時間遅らせて切換部19に出力する。切換部19
は切換信号53が調停回路15より入力されているため
、この第3遅延素子18の出力信号S6を、列アドレス
ストローブ信号として、揮発性メモリ12に出力する。
The third delay element 18 receives the output signal S5 of the second delay element 17.
is output to the switching section 19 after a certain period of delay. Switching section 19
Since the switching signal 53 is inputted from the arbitration circuit 15, the output signal S6 of the third delay element 18 is outputted to the volatile memory 12 as a column address strobe signal.

この時、すでに行アドレスストローブ信号53が揮発性
メモリ12に入力されているため先に記したように揮発
性メモリ12はリフレッシュモードとなり、メモリ12
内のデータリフレッシュが自動的に行われる。
At this time, since the row address strobe signal 53 has already been input to the volatile memory 12, the volatile memory 12 enters the refresh mode as described above, and the memory 12
The data within is automatically refreshed.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述のように本発明によれば、記憶保持のためにリフレ
ッシュ動作が必要な揮発性メモリ12のリフレッシュサ
イクル時にリフレッシュタイミング信号SIを発生する
回路13からのリフレッシュ要求と、プロセッサ3から
のアクセスを調停する回路15により自動的にリフレッ
シュ信号s、 、 53!を発生し、この発生したリフ
レッシュ信号Ss 、Ssを揮発性メモリ12に入力す
ることにより自動的に揮発性メモリ12のリフレッシュ
を行うと共に揮発性メモリ12.リフレッシュタイミン
グ発生回路13及び調停回路15をバックアップ電源7
よりバックアップすることによって、主電源6の状態に
かかわらず揮発性メモリ12の内容を保持することを特
徴とするデータ保持方法及び装置であるので、従来、使
用していた不揮発性メモリを比較的安価で小形の揮発性
メモリ12に置き換え、かつこの揮発性メモリ12のリ
フレッシュを行う回路を構成することにより大容量メモ
リのデータ保持を必要とする装置全体を安価で小形にで
きる効果を奏する。
As described above, according to the present invention, the refresh request from the circuit 13 that generates the refresh timing signal SI and the access from the processor 3 are arbitrated during the refresh cycle of the volatile memory 12 that requires a refresh operation for memory retention. The refresh signal s, , 53! By inputting the generated refresh signals Ss and Ss to the volatile memory 12, the volatile memory 12 is automatically refreshed, and the volatile memory 12. The refresh timing generation circuit 13 and the arbitration circuit 15 are powered by a backup power supply 7.
This data retention method and device is characterized by retaining the contents of the volatile memory 12 regardless of the state of the main power supply 6 by backing up the contents of the volatile memory 12. By replacing this with a small-sized volatile memory 12 and configuring a circuit for refreshing this volatile memory 12, the entire device that requires data retention in a large-capacity memory can be made smaller and cheaper.

【図面の簡単な説明】 第1ri!Jは本発明方法及び装置の一実施例の構成の
概要を示すブロック図、第2図はその構成を詳細に図示
したブロック図、第3図は本実施例の動作を説明するた
めのタイミングチャート、第4図は従来方法及び装置の
一例の概要を示すブロック図、第5図はその構成を詳細
に図示したブロック図である。 3・・・・・・(マイクロ〉プロセッサ、6・・・・・
・主電源、7・・・・・・バックアップ電源、12・・
・・・・揮発性メモリ、13・・・・・・リフレッシュ
タイミング信号発生回路(分周器)、14・・・・・・
メモリセレクト部、15・・・・・・調停回路、16・
・・・・・第1遅延素子、17・・・・・・第2遅延素
子、18・・・・・・第3遅延素子、19・・・・・・
切換器、21・・・・・・リフレッシュ信号発生手段、
Sl・・・・・リフレッシュタイミング信号、S2’・
・・・・アドレス信号、Ss・・・・・・メモリセレク
ト信号、リフレッシュタイミングを作る信号9列アドレ
スストローブ信号、53・・・・・・第1遅延素子16
の出力信号、S5・・・・・・リフレッシュ信号(第2
遅延素子17の出力信号2行アドレスストローブ信号)
、Sl・・・・・リフレッシュ信号(第3遅延素子18
の出力信号9列アドレスストローブ信号)、S7・・・
・・・リフレッシュサイクル信号、Sa・・・・・・切
換信号。 箋1白 算9謂 ア
[Brief explanation of drawings] 1st ri! J is a block diagram showing an overview of the configuration of one embodiment of the method and apparatus of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing the configuration in detail, and FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of this embodiment. , FIG. 4 is a block diagram showing an overview of an example of a conventional method and apparatus, and FIG. 5 is a block diagram showing its configuration in detail. 3... (micro) processor, 6...
・Main power supply, 7... Backup power supply, 12...
... Volatile memory, 13 ... Refresh timing signal generation circuit (frequency divider), 14 ...
Memory selection section, 15... Arbitration circuit, 16.
...First delay element, 17... Second delay element, 18... Third delay element, 19...
Switcher, 21... Refresh signal generating means,
Sl...Refresh timing signal, S2'...
...Address signal, Ss...Memory select signal, signal for creating refresh timing 9 column address strobe signal, 53...First delay element 16
output signal, S5... Refresh signal (second
Output signal of delay element 17 (2-row address strobe signal)
, Sl...Refresh signal (third delay element 18
output signal 9 column address strobe signal), S7...
...Refresh cycle signal, Sa...Switching signal. Paper 1 Hakusan 9 A

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)記憶保持のためにリフレッシュ動作が必要な揮発
性メモリ(12)のリフレッシュサイクル時にリフレッ
シュタイミング信号S_1を発生する回路(13)から
のリフレッシュ要求と、プロセッサ(3)からのアクセ
スを調停する回路(15)により自動的にリフレッシュ
信号S_5、S_6を発生し、この発生したリフレッシ
ュ信号S_5、S_6を揮発性メモリ(12)に入力す
ることにより自動的に揮発性メモリ(12)のリフレッ
シュを行うと共に発振子(1′)、及び第1、第2、第
3遅延素子、及び切換部(19)、揮発性メモリ(12
)、リフレッシュタイミング発生回路(13)及び調停
回路(15)をバックアップ電源(7)によりバックア
ップすることによって、主電源(6)の状態にかかわら
ず揮発性メモリ(12)の内容を保持することを特徴と
する揮発性メモリを用いた大容量メモリのデータ保持方
法。
(1) Arbitrates between the refresh request from the circuit (13) that generates the refresh timing signal S_1 during the refresh cycle of the volatile memory (12) that requires a refresh operation for memory retention, and the access from the processor (3) The circuit (15) automatically generates refresh signals S_5, S_6, and the generated refresh signals S_5, S_6 are input to the volatile memory (12) to automatically refresh the volatile memory (12). together with an oscillator (1'), first, second, and third delay elements, a switching section (19), and a volatile memory (12).
), the refresh timing generation circuit (13) and the arbitration circuit (15) are backed up by the backup power supply (7), so that the contents of the volatile memory (12) can be retained regardless of the state of the main power supply (6). A data retention method in large-capacity memory using volatile memory.
(2)記憶保持のためにリフレッシュ動作が必要な揮発
性メモリ(12)のリフレッシュサイクル時にリフレッ
シュタイミング信号S_1を発生する回路(13)と、
このリフレッシュタイミング信号S_1とプロセッサ(
3)からのアクセスを調停しリフレッシュサイクル時に
リフレッシュタイミングを作る信号S_3を出力する回
路(15)と、この調停回路(15)より出力するリフ
レッシュタイミング信号S_1を入力し揮発性メモリ(
12)のリフレッシュを行うリフレッシュ信号S_5、
S_6を出力するリフレッシュ信号発生手段(21)と
、発振子(1′)、及び第1、第2、第3遅延素子及び
切換部(19)の、揮発性メモリ(12)、リフレッシ
ュタイミング発生回路口及び調停回路(15)をバック
アップするバックアップ電源(7)とよりなる揮発性メ
モリを用いた大容量メモリのデータ保持装置。
(2) a circuit (13) that generates a refresh timing signal S_1 during a refresh cycle of a volatile memory (12) that requires a refresh operation to retain memory;
This refresh timing signal S_1 and the processor (
A circuit (15) that outputs a signal S_3 that arbitrates access from the volatile memory (3) and creates a refresh timing during a refresh cycle, and a refresh timing signal S_1 output from this arbitration circuit (15) is input to the volatile memory (15).
12) refresh signal S_5 for refreshing;
A refresh signal generating means (21) that outputs S_6, an oscillator (1'), a volatile memory (12) of the first, second and third delay elements and a switching section (19), and a refresh timing generation circuit. A large-capacity memory data holding device using a volatile memory consisting of a backup power source (7) that backs up a road exit and an arbitration circuit (15).
(3)記憶保持のためにリフレッシュ動作が必要な揮発
性メモリ(12)のリフレッシュサイクル時にリフレッ
シュタイミング信号S_1を発生する回路(13)と、
アクセス開始時に発生するプロセッサ(3)のアドレス
信号S_2を入力し当該アドレス信号S_2が揮発性メ
モリ(12)を指す信号の時メモリセレクト信号S_3
を出力するメモリセレクト部(14)と、このメモリセ
レクト信号53とリフレッシュタイミング信号S_1を
入力しこれらの調停を行い、メモリセレクト信号S_3
のみの入力時はメモリセレクト信号S_3を出力し、リ
フレッシュタイミング信号S_1の入力時はリフレッシ
ュタイミングを作る信号S_3と切換信号S_8を出力
し、かつリフレッシュサイクル中を示すリフレッシュサ
イクル信号S_7をプロセッサ(3)に出力する調停回
路(15)と、この調停回路(15)より切換信号S_
8が入力されていない時はメモリセレクト信号S_3を
列アドレスストローブ信号としてそのまま揮発性メモリ
(12)に出力し、切換信号S_8が入力されている時
は後記第3遅延信号(18)の出力信号S_6を列アド
レスストローブ信号として出力する切換部(19)と、
調停回路(15)より出力するメモリセレクト信号また
はリフレッシュタイミングを作る信号S_3を一定時間
遅らせて出力する第1遅延素子(16)と、この第1遅
延素子(16)より出力する信号S_4を一定時間遅ら
せて行アドレスストローブ信号S_5として揮発性メモ
リ(12)に出力する第2遅延素子(17)と、この第
2遅延素子(17)の出力信号S_5を一定時間遅らせ
て切換部(19)に出力する第3遅延素子(18)と、
発振子(1′)、及び第1、第2、第3遅延素子及び切
換部(19)、及び揮発性メモリ(12)、リフレッシ
ュタイミング信号発生回路(13)及び調停回路(15
)をバックアップするバックアップ電源(7)とよりな
る揮発性メモリを用いた大容量メモリのデータ保持装置
(3) a circuit (13) that generates a refresh timing signal S_1 during a refresh cycle of the volatile memory (12) that requires a refresh operation to retain memory;
When the address signal S_2 of the processor (3) generated at the start of access is input and the address signal S_2 is a signal pointing to the volatile memory (12), a memory select signal S_3 is generated.
A memory select section (14) that outputs a
When the refresh timing signal S_1 is input, the memory select signal S_3 is outputted, and when the refresh timing signal S_1 is inputted, the signal S_3 that creates the refresh timing and the switching signal S_8 are outputted, and the refresh cycle signal S_7 indicating that the refresh cycle is in progress is sent to the processor (3). An arbitration circuit (15) outputs a switching signal S_ from this arbitration circuit (15) to
8 is not input, the memory select signal S_3 is output as a column address strobe signal to the volatile memory (12), and when the switching signal S_8 is input, it is output as the output signal of the third delay signal (18) described later. a switching unit (19) that outputs S_6 as a column address strobe signal;
A first delay element (16) that delays the memory select signal output from the arbitration circuit (15) or the signal S_3 that creates the refresh timing by a certain period of time and outputs the signal S_4 output from the first delay element (16) for a certain period of time. A second delay element (17) outputs the delayed row address strobe signal S_5 to the volatile memory (12), and outputs the output signal S_5 of the second delay element (17) to the switching unit (19) after delaying it by a certain period of time. a third delay element (18),
An oscillator (1'), first, second, and third delay elements and switching units (19), a volatile memory (12), a refresh timing signal generation circuit (13), and an arbitration circuit (15).
) A large-capacity memory data retention device using a volatile memory consisting of a backup power source (7) for backing up the power source (7).
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