JP2664258B2 - Method and apparatus for holding data in large-capacity memory using volatile memory - Google Patents

Method and apparatus for holding data in large-capacity memory using volatile memory

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JP2664258B2
JP2664258B2 JP1284305A JP28430589A JP2664258B2 JP 2664258 B2 JP2664258 B2 JP 2664258B2 JP 1284305 A JP1284305 A JP 1284305A JP 28430589 A JP28430589 A JP 28430589A JP 2664258 B2 JP2664258 B2 JP 2664258B2
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memory
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武 的場
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プロセッサ応用装置内において、装置内の
システム設定用パラメータ及び装置が外部に対して出力
するデータ等を,装置の主電源が切断された後も保持
し、再度装置の主電源が投入された時にこの保持された
データを再使用する装置のデータ保持方法及び装置に係
り、特に揮発性メータを用いた大容量メモリのデータ保
持方法及び装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a processor applied device in which a main power supply of a device disconnects a system setting parameter in the device and data output from the device to the outside. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for retaining data after the data has been stored and reusing the retained data when the main power of the apparatus is turned on again, and in particular, a method for retaining data in a large-capacity memory using a volatile meter. And an apparatus.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、マイクロプロセッサ応用装置のデータ保持は、
第4図示のような構成により実現されていた。マイクロ
プロセッサ3は、主電源6から電力を供給され、発振子
1のタイミングにより、マイクロプロセッサ周辺部2の
制御及びメモリ制御部4を通じ、不揮発性メモリ5内の
データの参照及び更新を行っていた。
Conventionally, data retention of microprocessor application equipment
This is realized by the configuration as shown in FIG. The microprocessor 3 is supplied with power from the main power supply 6, controls the microprocessor peripheral unit 2, and refers to and updates data in the nonvolatile memory 5 through the control of the microprocessor peripheral unit 2 and the memory control unit 4 at the timing of the oscillator 1. .

第4図で主電源6の電圧がマイクロプロセッサ3の動
作が不安定になるレベルまで低下すると、メモリ制御部
4は不揮発性メモリ5に供給する電源を、主電源6から
バックアップ電源7に切り換え、同時にマイクロプロセ
ッサ3からの不揮発性メモリ5の参照及び更新を禁止
し、不揮発性メモリ5に記憶されたデータの保持を行っ
ていた。
In FIG. 4, when the voltage of the main power supply 6 decreases to a level at which the operation of the microprocessor 3 becomes unstable, the memory control unit 4 switches the power supply to the nonvolatile memory 5 from the main power supply 6 to the backup power supply 7, At the same time, the reference and update of the nonvolatile memory 5 from the microprocessor 3 are prohibited, and the data stored in the nonvolatile memory 5 is held.

第5図は第4図においてメモリ制御部4の構成を詳し
く図示した場合の構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing the configuration when the configuration of the memory control unit 4 is shown in detail in FIG.

第5図に示すようにメモリ制御部4はマイクロプロセ
ッサ3からのアドレス情報を基に不揮発性メモリ5にセ
レクト情報を出力するメモリセレクト部8と、主電源6
の出力を常に監視し、ある一定の電圧以下に下がった
時、不揮発性メモリ5に供給する電源を主電源6からバ
ックアップ電源7に切換える電源制御部10と、電源制御
部10からの信号によりマイクロプロセッサ3から不揮発
性メモリ5の参照,更新の許可,禁止を行うメモリ入出
力制御部9の3構成部に大別され構成されている。
As shown in FIG. 5, a memory control unit 4 outputs a select information to a nonvolatile memory 5 based on address information from the microprocessor 3 and a main power supply 6.
And a power supply control unit 10 for switching the power supply to the nonvolatile memory 5 from the main power supply 6 to the backup power supply 7 when the voltage drops below a certain voltage. It is roughly divided into three components of a memory input / output control unit 9 for referring to the non-volatile memory 5 from the processor 3 and permitting / prohibiting updating.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上記のような従来の例では、メモリ制御部4内は、複
雑な構造にはなっていないが、保持するデータの量が増
えると、比較的高価な不揮発性メモリ5が多く必要にな
り、またこの不揮発性メモリを実装するため、大きなス
ペースが必要になり、装置が大きくかつ高価なものにな
るという課題があった。
In the conventional example as described above, the inside of the memory control unit 4 does not have a complicated structure. However, when the amount of data to be stored increases, a relatively expensive nonvolatile memory 5 needs to be increased. There is a problem that a large space is required to mount the nonvolatile memory, and the device becomes large and expensive.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明方法は上記の課題を解決するため、第1,第2図
示のように記憶保持のためにリフレッシュ動作が必要な
揮発性メモリ12のリフレッシュイネーブル時に発振子
1′から基準となるタイミング信号をリフレッシュタイ
ミング信号発生回路13に入力してこれより出力するリフ
レッシュイネーブル信号S1と,アクセス開始時にプロセ
ッサ3からのアドレス信号Sをメモリセレクト部14に入
力してこれより出力するメモリセレクト信号Sseを調停
回路15により調停し、リフレッシュイネーブル信号S1
はメモリセレクト信号Sseの入力時に該回路15より出力
するリフレッシュタイミング信号S3を、遅延素子を使用
したリフレッシュ信号発生手段21により遅延させてリフ
レッシュ信号S5,S6を取出し、調停回路15より出力する
リフレッシュタイミング信号S3と,リフレッシュ信号発
生手段21より得られるリフレッシュ信号S6を切換部19で
切換え出力し、この切換部より得られるリフレッシュ信
号S10とリフレッシュ信号発生手段21より得られるリフ
レッシュ信号S5を揮発性メモリ12に入力することにより
自動的に揮発性メモリ12のリフレッシュを行うと共に、
揮発性メモリ12,リフレッシュタイミング発生回路13及
び調停回路15をバックアップ電源7によりバックアップ
することによって、主電源6の状態にかかわらず揮発性
メモリ12の内容を保持することを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problem, the method of the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, uses a reference timing signal from the oscillator 1 'when a refresh operation of the volatile memory 12 requiring a refresh operation for storing data is enabled. and refresh enable signals S 1 to output from this is input to the refresh timing signal generation circuit 13 that arbitrates the memory select signal Sse outputs than this by entering the starting time of access address signal S from the processor 3 to the memory select part 14 The refresh timing signal S 3 arbitrated by the circuit 15 and output from the circuit 15 when the refresh enable signal S 1 or the memory select signal Sse is input is delayed by the refresh signal generation means 21 using a delay element, and the refresh signal S 5 , taken out S 6, the refresh timing signal S 3 is output at the arbitration circuit 15 And switching the output at a refresh signal S 6 the switching unit 19 obtained from the refresh signal generating means 21, a refresh signal S 5 obtained from the refresh signal S 10 and the refresh signal generating means 21 obtained from this switching section in the volatile memory 12 By inputting, the volatile memory 12 is automatically refreshed,
The volatile memory 12, the refresh timing generation circuit 13, and the arbitration circuit 15 are backed up by the backup power supply 7, so that the contents of the volatile memory 12 are retained regardless of the state of the main power supply 6.

本発明装置は同じ課題を解決するため、第1,第2図示
のように記憶保持のためにリフレッシュ動作が必要な揮
発性メモリ12のリフレッシュイネーブル時に発振子1′
から基準となるタイミング信号を入力してリフレッシュ
イネーブル信号S1を発生する回路13と、このリフレッシ
ュイネーブル信号S1とプロセッサ3からのアドレス信号
Sをメモリセレクト部14に入力してこれより出力するメ
モリセレクト信号Sseを調停し、リフレッシュイネーブ
ル時に使用するリフレッシュタイミング信号S3及び切換
信号S8を出力する回路15と、この調停回路15より出力す
るリフレッシュタイミング信号S3を入力し揮発性メモリ
12のリフレッシュを行うリフレッシュ信号S5,S6を出力
する遅延素子を使用したリフレッシュ信号発生手段21
と、調停回路15より出力するリフレッシュタイミング信
号S3と,リフレッシュ信号発生手段21より得られるリフ
レッシュ信号S6を切換え出力する切換部19と、揮発性メ
モリ12,リフレッシュタイミング発生回路13及び調停回
路15をバックアップするバックアップ電源7を備え、切
換部19及びリフレッシュ信号発生手段21より出力するリ
フレッシュ信号S5,S10を揮発性メモリ12に入力してリフ
レッシュすることを特徴とする。
In order to solve the same problem, the device of the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, shows the oscillator 1 ′ when the volatile memory 12 which requires a refresh operation for storing data is refresh-enabled.
A circuit 13 for generating a refresh enable signals S 1 to input timing signal as a reference from the memory to output from this by entering the address signal S from the refresh enable signals S 1 and the processor 3 to the memory select part 14 arbitrates the select signal Sse, a circuit 15 for outputting a refresh timing signal S 3 and the switching signal S 8 used during refresh enable inputs a refresh timing signal S 3 is output at the arbitration circuit 15 a volatile memory
Refresh signal generating means 21 using delay elements for outputting refresh signals S 5 and S 6 for performing a refresh of 12
When a refresh timing signal S 3 is output at the arbitration circuit 15, a switching unit 19 for outputting switching the refresh signal S 6 obtained from the refresh signal generating means 21, the volatile memory 12, the refresh timing generating circuit 13 and the arbitration circuit 15 A backup power supply 7 is provided for backing up data, and refresh signals S 5 and S 10 output from the switching unit 19 and the refresh signal generating means 21 are input to the volatile memory 12 for refreshing.

〔作 用〕(Operation)

リフレッシュイネーブル時にリフレッシュタイミング
信号発生回路13より出力するリフレッシュイネーブル信
号S1と,プロセッサ3からのアドレス信号S2をメモリセ
レクト部14に入力してこれより出力するメモリセレクト
信号Sseが調停回路15により調停され、これより出力す
るリフレッシュタイミング信号S3がリフレッシュ信号発
生手段21に入力され、これよりリフレッシュ信号S5,S6
が出力される。この手段21より得られるリフレッシュ信
号S6が切換部19よりリフレッシュ信号S10として出力さ
れ、このリフレッシュ信号S10と前記手段21より出力さ
れるリフレッシュ信号S5により揮発性メモリ12がリフレ
ッシュされてデータの保持が行われることになる。
And refresh enable signals S 1 that is output from the refresh timing signal generating circuit 13 during the refresh enable, arbitration by the memory select signal Sse arbitration circuit 15 that outputs than this by entering the address signal S 2 from the processor 3 to the memory select part 14 is, the refresh timing signal S 3 is output at which is input to the refresh signal generating means 21, which from the refresh signal S 5, S 6
Is output. Refresh signal S 6 obtained from this unit 21 is output as the refresh signal S 10 from the switching unit 19, the data is volatile memory 12 is refreshed by refresh signals S 5 output as the refresh signal S 10 from the unit 21 Will be held.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面に基づいて本発明の実施例を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明方法及び装置の一実施例の構成の概要
を示すブロック図、第2図はその構成を詳細に図示した
ブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the outline of the configuration of an embodiment of the method and apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing the configuration in detail.

まず、本実施例の構成を説明する。 First, the configuration of the present embodiment will be described.

本実施例におけるデータの保持は第1,第2図示のよう
な構成により実現される。
Data retention in the present embodiment is realized by the configuration as shown in the first and second drawings.

マイクロプロセッサ3は発振子1のタイミングによ
り、マイクロプロセッサ周辺部2の制御を行う。マイク
ロプロセッサ3からの揮発性メモリ12の参照,更新はメ
モリ制御部11を通じて行われる。
The microprocessor 3 controls the microprocessor peripheral unit 2 according to the timing of the oscillator 1. The reference and update of the volatile memory 12 from the microprocessor 3 are performed through the memory control unit 11.

13は揮発性メモリ12がリフレッシュを必要とされる周
期まで発振子1′の出力を分周してリフレッシュイネー
ブル信号S1を発生する分周器、14はアクセス開始時にプ
ロセッサ3に発生するアドレス信号S2を入力し当該アド
レス信号S2が揮発性メモリ12を指す信号の時メモリセレ
クト信号Sseを出力するメモリセレクト部である。
13 volatile memory 12 is a frequency divider for generating a refresh enable signals S 1 by dividing the output of the oscillator 1 'to cycle required for refreshing, 14 address signals generated in the processor 3 at the start access the address signal S 2 enter the S 2 is a memory select part for outputting a memory select signal Sse when the signal points to the volatile memory 12.

15はリフレッシュイネーブル信号S1とメモリセレクト
信号Sseを入力しこれらの調停を行いメモリセレクト信
号Sseの入力時はメモリセレクト信号Sseをリフレッシュ
タイミング信号S3として出力し,リフレッシュイネーブ
ル信号S1の入力時はリフレッシュイネーブル信号S1をリ
フレッシュタイミング信号S3と切換信号S8として出力
し,かつマイクロプロセッサ3にリフレッシュサイクル
中を示すリフレッシュサイクル信号S7を出力する調停回
路である。
15 when the input of the memory select signal Sse arbitrates them, type refresh enable signals S 1 and the memory select signal Sse outputs memory select signal Sse as the refresh timing signal S 3, when the input of the refresh enable signals S 1 is a arbitration circuit for outputting a refresh cycle signal S 7 that outputs a refresh enable signals S 1 and the switching signal S 8 refresh timing signal S 3, and the microprocessor 3 shows the in refresh cycle.

19はこの調停回路15より切換信号S8が入力されていな
い時は、リフレッシュタイミング信号S3を列アドレスス
トローブ信号S10として不揮発性メモリ12に出力し,切
換信号S8が入力されている時は後記第3遅延素子18の出
力信号S6を列アドレスストローブ信号S10として出力す
る切換部である。
19 when the signal S 8 switching from the arbitration circuit 15 is not input outputs the refresh timing signal S 3 as a column address strobe signal S 10 to the nonvolatile memory 12, when the switching signal S 8 is input it is a switching unit for outputting the output signal S 6 of the later explained third delay element 18 as a column address strobe signal S 10.

16は調停回路15より出力するリフレッシュタイミング
信号S3を一定時間遅らせてアドレス切換信号S4を出力す
る第1遅延素子、17はこの第1遅延素子16より出力する
アドレス切換信号S4を一定時間遅らせて行アドレススト
ローブ信号S5として揮発性メモリ12に出力する第2遅延
素子、18はこの第2遅延素子17より出力する行アドレス
ストローブ信号S5を一定時間遅らせてリフレッシュ信号
S6を切換部19に出力する第3遅延素子である。
16 the first delay element for outputting a refresh timing signal S 3 of the delayed predetermined time address switching signal S 4 that is output from the arbiter circuit 15, a predetermined time an address switching signal S 4 that is output from the first delay element 16 is 17 the second delay element for outputting the volatile memory 12 as the row address strobe signal S 5 with a delay, 18 refresh signal a row address strobe signal S 5 for output from the second delay element 17 delayed a predetermined time
A third delay element for outputting the S 6 to switching unit 19.

20は第1遅延素子16より出力するアドレス切換信号S4
とアドレス信号S2を入力しアドレス切換信号S4によりア
ドレス信号S2を列,行アドレス信号S9に切換えて揮発性
メモリ12に出力するアドレス切換器である。
20 is an address switching signal S 4 output from the first delay element 16
An address signal inputted to S 2 address switching signal S 4 by the column address signal S 2, which is the address switcher is switched to a row address signal S 9 and outputs the volatile memory 12.

7は揮発性メモリ12,分周器13及び調停回路15をバッ
クアップするバックアップ電源、6は主電源である。
7, a backup power supply for backing up the volatile memory 12, the frequency divider 13, and the arbitration circuit 15, and 6 a main power supply.

メモリ制御部11は分周器13,メモリセレクト部14,調停
回路15,第1〜第3遅延素子16〜18よりなるリフレッシ
ュ信号発生手段21と切換部19及びアドレス切換器20並び
に第5図中のメモリ入出力制御部と電源制御部とよりな
り、メモリ入出力制御部と電源制御部は図示していな
い。
The memory control unit 11 includes a frequency divider 13, a memory selection unit 14, an arbitration circuit 15, a refresh signal generation unit 21 including a first to a third delay element 16 to 18, a switching unit 19, an address switching unit 20, and FIG. The memory input / output control unit and the power control unit are not shown.

次に本実施例の作用を第3図のタイミングチャートを
参照して説明する。
Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG.

まず、マイクロプロセッサ3が揮発性メモリ12にアク
セスする動作について記述する。
First, an operation in which the microprocessor 3 accesses the volatile memory 12 will be described.

マイクロプロセッサ3がアクセス開始するとアドレス
信号S2が発生する。このアドレス信号S2は、メモリセレ
クト部14とアドレス切換器20に入力される。メモリセレ
クト部14は、入力されたアドレス信号S2が揮発性メモリ
12を指すアドレスの時、メモリセレクト部Sseを調停回
路15に出力する。調停回路15は、分周器13より出力する
リフレッシュイネーブル信号S1とメモリセレクト部14よ
り出力するメモリセレクト信号Sseの調停を行い、メモ
リセレクト信号Sseの入力の場合は第1遅延素子16と切
換部19にメモリセレクト信号Sseを、リフレッシュタイ
ミング信号S3として出力する。切換信号S8,リフレッシ
ュサイクル信号S7の出力は変化しない。切換部19は切換
信号S8が入力されていないので、リフレッシュタイミン
グ信号S3を列アドレスストローブ信号S10として揮発性
メモリ12に出力する。
The microprocessor 3 by the address signal S 2 is generated when starting the access. The address signal S 2 is input to the memory select part 14 and the address switching unit 20. Memory select part 14, the address signal S 2 input volatile memory
When the address indicates 12, the memory selection unit Sse is output to the arbitration circuit 15. Arbitration circuit 15 arbitrates the memory select signal Sse is output at the refresh enable signals S 1 and the memory select part 14 to output from the frequency divider 13, and for input of a memory select signal Sse switching a first delay element 16 the memory select signal Sse to section 19, and outputs it as the refresh timing signal S 3. The output of the switching signal S 8 and the refresh cycle signal S 7 does not change. Since switching portion 19 is switching signal S 8 is not input, and outputs the refresh timing signal S 3 as a column address strobe signal S 10 to the volatile memory 12.

第1遅延素子16は、リフレッシュタイミング信号S3
一定時間遅らせて得られるアドレス切換信号S4を第2遅
延素子17及びアドレス切換器20に出力する。アドレス切
換部20は第1遅延素子16からのアドレス切換信号S4によ
りアドレス信号S2を、列アドレス信号から行アドレス信
号に切換えて揮発性メモリ12に出力する。S9はアドレス
切換器20よりの出力する列,行アドレス信号である。
The first delay element 16 outputs an address switching signal S 4 obtained by delaying the refresh timing signal S 3 fixed time to a second delay element 17 and the address switching unit 20. The address switching section 20 outputs the address signal S 2 by the address switching signal S 4 from the first delay element 16 is switched from the column address signal to the row address signal to the volatile memory 12. S 9 columns that output from the address switching unit 20, a row address signal.

第2遅延素子17は第1遅延素子16より出力するアドレ
ス切換信号S4を一定時間遅らせて行アドレスストローブ
信号S5として揮発性メモリ12及び第3遅延素子18に出力
する。
The second delay element 17 outputs the volatile memory 12 and the third delay element 18 as a row address strobe signal S 5 by delaying an address switching signal S 4 that is output from the first delay element 16 fixed time.

第3遅延素子18は第2遅延素子17より出力する行アド
レスストローブ信号S5を一定時間遅らせて、リフレッシ
ュ信号S6を作り、切換部19に出力するが、アクセス時な
ので、切換部19よりリフレッシュ用の列アドレスストロ
ーブ信号S10を出力しない。
The third delay element 18 delays the row address strobe signal S 5 that is outputted from the second delay element 17 a certain time, to make a refresh signal S 6, but output to the switching unit 19, so when accessing refresh from switching portion 19 does not output the column address strobe signal S 10 of use.

このようにアドレス時分割にて入力するのは、揮発性
メモリ12が外形寸法を小形にするためアドレス入力を、
時分割にしているためである。データの参照,更新はメ
モリ入出力制御部により従来と同様に行われる。
In this manner, the address is input in a time-division manner because the volatile memory 12 has an address input in order to make the external dimensions small.
This is due to time sharing. Reference and update of data are performed by the memory input / output control unit in the same manner as in the related art.

次に揮発性メモリ12の内容をリフレッシュする動作に
ついて記す。メモリのリフレッシュは、列アドレススト
ローブ信号S11と、行アドレスストローブ信号S5のタイ
ミングを入れ換えて、実現している。
Next, an operation of refreshing the contents of the volatile memory 12 will be described. Refresh memory includes a column address strobe signal S 11, by interchanging the timing of the row address strobe signal S 5, it is realized.

リフレッシュのイネーブル信号S1は、発振子1′の出
力を分周器13により揮発性メモリ12がリフレッシュを必
要とされる周期まで分周して作られる。この分周された
信号は、マイクロプロセッサ3の動作に直接関係しない
ため、コストを下げるため発振子1′は発振子1と同じ
ものを使用してもかまわない。分周器13により作られた
リフレッシュイネーブル信号S1は、調停回路15に入力さ
れる。調停回路15はこの入力を受け、マイクロプロセッ
サ3からメモリセレクト部14を通してアクセスがあるか
どうか判定する。マイクロプロセッサ3からのアクセス
がある時には、アクセスが終わるまで待ち、ない場合に
は、そのまますぐ調停回路15より切換部19に切換信号S8
を出力し、かつリフレッシュサイクル中を示す。リフレ
ッシュサイクル信号S7をマイクロプロセッサ3に出力す
る。また同時にリフレッシュタイミング信号S3を第1遅
延素子16及び切換部19に出力する。
The refresh enable signal S 1 is generated by dividing the output of the oscillator 1 ′ by the frequency divider 13 to a period in which the volatile memory 12 needs to be refreshed. Since the frequency-divided signal is not directly related to the operation of the microprocessor 3, the same oscillator 1 'as the oscillator 1 may be used to reduce the cost. Refresh enable signals S 1, made by the frequency divider 13 is input to the arbitration circuit 15. The arbitration circuit 15 receives this input and determines whether or not there is access from the microprocessor 3 through the memory select unit 14. When there is an access from the microprocessor 3, the process waits until the access is completed. When there is no access, the arbitration circuit 15 immediately sends the switching signal S 8 to the switching unit 19 as it is.
And indicates that a refresh cycle is being performed. Outputs a refresh cycle signal S 7 to the microprocessor 3. And it outputs the refresh timing signal S 3 to the first delay element 16 and switching unit 19 at the same time.

マイクロプロセッサ3は調停回路15からのリフレッシ
ュサイクル信号S7が入力されると、リフレッシュと、メ
モリアクセスの競合をさけるため、メモリのアクセスは
リフレッシュサイクル信号S7がなくなるまで行わない。
When the microprocessor 3 has a refresh cycle signal S 7 from the arbitration circuit 15 is input, a refresh, to avoid memory access contention, the access of the memory is not performed until the refresh cycle signal S 7 is eliminated.

第1遅延素子16は、調停回路15からのリフレッシュタ
イミング信号S3を受け、当該信号S3を一定時間遅らせ
て、アドレス切換器20及び第2遅延素子17に出力する。
アドレス切換器20は第1遅延素子16より出力するアドレ
ス切換信号S4により揮発性メモリ12に入力するアドレス
を切り換える。
The first delay element 16 receives the refresh timing signal S 3 from the arbitration circuit 15, delays the signal S 3 fixed time, and outputs the address switching device 20 and the second delay element 17.
Address switching unit 20 switches the address to be input to the volatile memory 12 by the address switch signal S 4 that is output from the first delay element 16.

第2遅延素子17は第1遅延素子16より出力するアドレ
ス切換信号S4を受け、当該信号S4を一定時間遅らせて、
行アドレスストローブ信号S5として揮発性メモリ12及び
第3遅延素子18に出力する。
The second delay element 17 receives an address switching signal S 4 that is output from the first delay element 16, delays the signal S 4 fixed time,
Outputting as a row address strobe signal S 5 in the volatile memory 12 and the third delay element 18.

第3遅延素子18は、第2遅延素子17より出力する行ア
ドレスストローブ信号S5を一定時間遅らせてリフレッシ
ュ信号S6として切換部19に出力する。切換部19は切換信
号S8が調停回路15より入力されているため、この第3遅
延素子18より出力するリフレッシュ信号S6を、リフレッ
シュ用の列アドレスストローブ信号S10として、揮発性
メモリ12に出力する。この時、すでに行アドレスストロ
ーブ信号S5が揮発性メモリ12に入力されているため先に
記したように揮発性メモリ12はリフレッシュモードとな
り、列アドレスストローブ信号S10と行アドレスストロ
ーブ信号S5のタイミングの入れ換えによりメモリ12内の
データリフレッシュが自動的に行われる。
The third delay element 18 outputs the switching portion 19 to the row address strobe signal S 5 that is outputted from the second delay element 17 as the refresh signal S 6 delayed a predetermined time. Since the switching signal S 8 is input from the arbitration circuit 15, the switching unit 19 converts the refresh signal S 6 output from the third delay element 18 into the volatile memory 12 as a refresh column address strobe signal S 10. Output. At this time, already volatile memory 12 as the row address strobe signal S 5 is noted above because it is input to the volatile memory 12 is a refresh mode, the column address strobe signal S 10 and the row address strobe signal S 5 The data in the memory 12 is automatically refreshed by changing the timing.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

上述のように本発明によれば、記憶保持のためにリフ
レッシュ動作が必要な揮発性メモリ12のリフレッシュイ
ネーブル時にリフレッシュイネーブル信号S1を発生する
回路13からのリフレッシュ要求と,プロセッサ3からの
アクセスを調停する回路15により自動的にリフレッシュ
信号S5,S10を発生し、この発生したリフレッシュ信号
S5,S10を揮発性メモリ12に入力することにより自動的に
揮発性メモリ12のリフレッシュを行うと共に揮発性メモ
リ12,リフレッシュタイミング発生回路13及び調停回路1
5をバックアップ電源7よりバックアップすることによ
って、主電源6の状態にかかわらず揮発性メモリ12の内
容を保持することを特徴とするデータ保持方法及び装置
であるので、従来,使用していた不揮発性メモリを比較
的安価で小形の揮発性メモリ12に置き換え、かつこの揮
発性メモリ12のリフレッシュを行う回路を安価で簡易な
リフレッシュタイミング信号発生回路13,メモリセレク
ト部14,調停回路15,遅延素子によるリフレッシュ信号発
生手段21及び切換部19で構成することにより大容量メモ
リのデータ保持を必要とする装置全体を安価で小形にで
きるばかりでなく、揮発性メモリ12以外にリフレッシュ
タイミング信号発生回路13及び調整回路15をバックアッ
プするだけなので、消費電力を極力少なくすることがで
きる効果を奏する。
According to the present invention as described above, the refresh request from the circuit 13 for generating a refresh enable signals S 1 when the refresh enable a refresh operation is necessary volatile memory 12 for storing and holding, the access from the processor 3 automatically generating a refresh signal S 5, S 10 by the circuit 15 that arbitrates, the generated refresh signal
The volatile memory 12 is automatically refreshed by inputting S 5 and S 10 to the volatile memory 12, and the volatile memory 12, the refresh timing generation circuit 13 and the arbitration circuit 1
5 is backed up by the backup power supply 7 to retain the contents of the volatile memory 12 irrespective of the state of the main power supply 6. The memory is replaced by a relatively inexpensive and small volatile memory 12, and a circuit for refreshing the volatile memory 12 is provided by an inexpensive and simple refresh timing signal generation circuit 13, a memory select unit 14, an arbitration circuit 15, and a delay element. With the refresh signal generating means 21 and the switching unit 19, not only can the entire device requiring data retention in a large-capacity memory be inexpensive and small, but also a refresh timing signal generating circuit 13 and an adjustment unit can be provided in addition to the volatile memory 12. Since only the circuit 15 is backed up, there is an effect that power consumption can be minimized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明方法及び装置の一実施例の構成の概要を
示すブロック図、第2図はその構成を詳細に図示したブ
ロック図、第3図は本実施例の動作を説明するためのタ
イミングチャート、第4図は従来方法及び装置の一例の
概要を示すブロック図、第5図はその構成を詳細に図示
したブロック図である。 3……(マイクロ)プロセッサ、6……主電源、7……
バックアップ電源、12……揮発性メモリ、13……リフレ
ッシュタイミング信号発生回路(分周器)、14……メモ
リセレクト部、15……調停回路、16……第1遅延素子、
17……第2遅延素子、18……第3遅延素子、19……切換
部、21……リフレッシュ信号発生手段、S1……リフレッ
シュイネーブル信号、S2……アドレス信号、Sse……メ
モリセレクト信号、S3……リフレッシュタイミング信
号、S4……アドレス切換信号、S5……リフレッシュ信号
(行アドレスストローブ信号)、S6……リフレッシュ信
号、S7……リフレッシュサイクル信号、S8……切換信
号、S9……列,行アドレス信号、S10……リフレッシュ
信号(列アドレスストローブ信号)。
FIG. 1 is a block diagram showing the outline of the configuration of an embodiment of the method and apparatus of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing the configuration in detail, and FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of this embodiment. FIG. 4 is a block diagram showing an outline of an example of a conventional method and apparatus, and FIG. 5 is a block diagram showing the configuration in detail. 3 ... (micro) processor, 6 ... main power supply, 7 ...
Backup power supply, 12 volatile memory, 13 refresh timing signal generation circuit (frequency divider), 14 memory select unit, 15 arbitration circuit, 16 first delay element,
17 second delay element, 18 third delay element, 19 switching section, 21 refresh signal generation means, S 1 refresh enable signal, S 2 address signal, Sse memory select Signal, S 3 … refresh timing signal, S 4 … address switching signal, S 5 … refresh signal (row address strobe signal), S 6 … refresh signal, S 7 … refresh cycle signal, S 8 … Switching signal, S 9 ... Column, row address signal, S 10 ... Refresh signal (column address strobe signal).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−225968(JP,A) 特開 昭63−64532(JP,A) 特開 平1−116994(JP,A) ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-60-225968 (JP, A) JP-A-63-64532 (JP, A) JP-A-1-116994 (JP, A)

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】揮発性メモリ(12)のリフレッシュイネー
ブル時に基準となるタイミング信号をリフレッシュタイ
ミング信号発生回路(13)に入力してこれより出力する
リフレッシュイネーブル信号(S1)と,アクセス開始時
にプロセッサ(3)からのアドレス信号(S2)をメモリ
セレクト部(14)に入力してこれより出力するメモリセ
レクト信号(Sse)を調停回路(15)により調停し、リ
フレッシュイネーブル信号(S1)又はメモリセレクト信
号(Sse)の入力時に該回路(15)より出力するリフレ
ッシュタイミング信号(S3)を、遅延素子を使用したリ
フレッシュ信号発生手段(21)により遅延させてリフレ
ッシュ信号(S5,S6)を取出し、調停回路(15)により
出力するリフレッシュタイミング信号(S3)と,リフレ
ッシュ信号発生手段(21)より得られるリフレッシュ信
号(S6)を切換部(19)で切換え出力し、この切換部よ
り得られるリフレッシュ信号(S10)とリフレッシュ信
号発生手段(21)より得られるリフレッシュ信号(S5
を揮発性メモリ(12)に入力することにより自動的に揮
発性メモリ(12)のリフレッシュを行うと共に、揮発性
メモリ(12),リフレッシュタイミング発生回路(13)
及び調停回路(15)をバックアップ電源(7)によりバ
ックアップすることによって、主電源(6)の状態にか
かわらず揮発性メモリ(12)の内容を保持することを特
徴とする揮発性メモリを用いた大容量メモリのデータ保
持方法。
1. A refresh timing signal generating circuit (13) which inputs a timing signal which is a reference when refreshing a volatile memory (12) to a refresh timing signal generating circuit (13), and outputs a refresh enable signal (S 1 ) from the processor at the start of access. The address signal (S 2 ) from (3) is input to the memory select section (14), and the memory select signal (Sse) output from the address signal (S 2 ) is arbitrated by the arbitration circuit (15), and the refresh enable signal (S 1 ) or The refresh timing signal (S 3 ) output from the circuit (15) when the memory select signal (Sse) is input is delayed by the refresh signal generating means (21) using a delay element to refresh the refresh signals (S 5 , S 6). ) taken out, and the refresh timing signal outputted by the arbitration circuit (15) (S 3), the refresh signal generating means (21 More resulting refresh signal (S 6) and switching output a switching unit (19), the refresh signal obtained from the switching section (S 10) and the refresh signal generating means (21) a refresh signal obtained from (S 5)
Is input to the volatile memory (12), the volatile memory (12) is automatically refreshed, and the volatile memory (12) and the refresh timing generation circuit (13)
A volatile memory characterized by retaining the contents of the volatile memory (12) irrespective of the state of the main power supply (6) by backing up the arbitration circuit (15) with a backup power supply (7). Data retention method for large-capacity memory.
【請求項2】揮発性メモリ(12)のリフレッシュイネー
ブル時に基準となるタイミング信号を入力してリフレッ
シュイネーブル信号(S1)を発生する回路(13)と、こ
のリフレッシュイネーブル信号(S1)とプロセッサ
(3)からのアドレス信号(S2)をメモリセレクト部
(14)に入力してこれより出力するメモリセレクト信号
(Sse)を調停し,リフレッシュイネーブル時に使用す
るリフレッシュタイミング信号(S3)及び切換信号
(S8)を出力する回路(15)と、この調停回路(15)よ
り出力するリフレッシュタイミング信号(S3)を入力し
揮発性メモリ(12)のリフレッシュを行うリフレッシュ
信号(S5,S6)を出力する遅延素子を使用したリフレッ
シュ信号発生手段(21)と、調停回路(15)より出力す
るリフレッシュタイミング信号(S3)と,リフレッシュ
信号発生手段(21)より得られるリフレッシュ信号
(S6)を切換え出力する切換部(19)と、揮発性メモリ
(12),リフレッシュタイミング発生回路(13)及び調
停回路(15)をバックアップするバックアップ電源
(7)を備え、切換部(19)及びリフレッシュ信号発生
手段(21)より出力するリフレッシュ信号(S5,S10)を
揮発性メモリ(12)に入力してリフレッシュすることを
特徴とする揮発性メモリを用いた大容量メモリのデータ
保持装置。
2. A circuit (13) for generating a refresh enable signal (S 1 ) by inputting a timing signal serving as a reference when refreshing a volatile memory (12), a refresh enable signal (S 1 ) and a processor The address signal (S 2 ) from (3) is input to the memory select section (14), the memory select signal (Sse) output from the address signal is arbitrated, the refresh timing signal (S 3 ) used at the time of refresh enable and switching are performed. signal circuit (15) for outputting (S 8), the refresh signal (S 5, to perform a refresh input to the volatile memory refresh timing signal outputted from the (S 3) the arbitration circuit (15) (12) S 6 ) A refresh signal generating means (21) using a delay element for outputting a signal, and a refresh timing signal (11) output from an arbitration circuit (15). And S 3), a refresh signal obtained from the refresh signal generating means (21) (switching portion (19 to S 6) the switching output), volatile memory (12), the refresh timing generating circuit (13) and arbitration circuits ( includes a backup power source for backing up 15) (7), the refresh is input to switching unit (19) and the refresh signal generating means (refresh signal output from the 21) (S 5, S 10) a volatile memory (12) A data storage device for a large-capacity memory using a volatile memory.
【請求項3】揮発性メモリ(12)のリフレッシュイネー
ブル時に基準となるタイミング信号を入力してリフレッ
シュイネーブル信号(S1)を発生する回路(13)と、ア
クセス開始時に発生するプロセッサ(3)のアドレス信
号(S2)を入力し当該アドレス信号(S2)が揮発性メモ
リ(12)を指す信号の時メモリセレクト信号(Sse)を
出力するメモリセレクト部(14)と、このメモリセレク
ト信号(Sse)とリフレッシュイネーブル信号(S1)を
入力しこれらの調停を行い、メモリセレクト信号(Ss
e)の入力時はメモリセレクト信号(Sse)をリフレッシ
ュタイミング信号(S3)として出力し,リフレッシュイ
ネーブル信号(S1)の入力時はリフレッシュイネーブル
信号(S1)をリフレッシュタイミング信号(S3)と切換
信号(S8)として出力し,かつリフレッシュサイクル中
を示すリフレッシュサイクル信号(S7)をプロセッサ
(3)に出力する調停回路(15)と、この調停回路(1
5)より切換信号(S8)が入力されていない時はリフレ
ッシュタイミング信号(S3)を列アドレスストローブ信
号(S10)として揮発性メモリ(12)に出力し、切換信
号(S8)が入力されている時は後記第3遅延素子(18)
より出力するリフレッシュ信号(S6)を列アドレススト
ローブ信号(S10)として出力する切換部(19)と、調
停回路(15)より出力するリフレッシュタイミング信号
(S3)を一定時間遅らせてアドレス切換信号としてアド
レス切換器(20)に出力する第1遅延素子(16)と、こ
の第1遅延素子(16)より出力するアドレス切換信号
(S4)を一定時間遅らせて行アドレスストローブ信号
(S5)として揮発性メモリ(12)に出力する第2遅延素
子(17)と、この第2遅延素子(17)より出力する行ア
ドレスストローブ信号(S5)を一定時間遅らせてリフレ
ッシュ信号(S6)として切換部(19)に出力する第3遅
延素子(18)と、揮発性メモリ(12),リフレッシュタ
イミング信号発生回路(13)及び調停回路(15)をバッ
クアップするバックアップ電源(7)とよりなる揮発性
メモリを用いた大容量メモリのデータ保持装置。
3. A circuit (13) for generating a refresh enable signal (S 1 ) by inputting a timing signal which is a reference when refreshing a volatile memory (12), and a processor (3) generated at the start of access. memory select part for outputting a memory selection signal (Sse) when the address signal (S 2) receives a signal corresponding address signal (S 2) is pointing to the volatile memory (12) and (14), the memory selection signal ( Sse) and the refresh enable signal (S 1 ) are input and arbitrated, and the memory select signal (Ss
Input memory select signal e) (outputs Sse) as a refresh timing signal (S 3), the refresh enable signal (S 1 input at the time of refresh enable signal) (S 1) refresh timing signal (S 3 a) a switching signal and the arbitration circuit outputs a (S 8), and outputs the refresh cycle signal indicating that the refresh cycle (S 7) to the processor (3) (15), the arbitration circuit (1
When the switching signal (S 8 ) is not input from 5), the refresh timing signal (S 3 ) is output to the volatile memory (12) as the column address strobe signal (S 10 ), and the switching signal (S 8 ) When input, the third delay element (18) described later
A switching unit (19) that outputs a refresh signal (S 6 ) output from the switching unit as a column address strobe signal (S 10 ), and a refresh timing signal (S 3 ) output from the arbitration circuit (15) is delayed by a fixed time to switch addresses. an address switching unit first delay element outputs (20) (16) as the signal, the first delay element (16) is output from the address switching signal (S 4) for a predetermined time delay in row address strobe signal (S 5 ) And a row address strobe signal (S 5 ) output from the second delay element (17) to the volatile memory (12) and a refresh signal (S 6 ) by delaying the row address strobe signal (S 5 ) for a predetermined time. A third delay element (18) for outputting to the switching unit (19) as a backup power supply for backing up the volatile memory (12), the refresh timing signal generation circuit (13) and the arbitration circuit (15). A large-capacity memory data holding device using a volatile memory comprising a source (7).
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