JPH0314326B2 - - Google Patents

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JPH0314326B2
JPH0314326B2 JP59162519A JP16251984A JPH0314326B2 JP H0314326 B2 JPH0314326 B2 JP H0314326B2 JP 59162519 A JP59162519 A JP 59162519A JP 16251984 A JP16251984 A JP 16251984A JP H0314326 B2 JPH0314326 B2 JP H0314326B2
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JP
Japan
Prior art keywords
lens
plano
beam splitter
laser diode
collimating lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59162519A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6141112A (ja
Inventor
Ichiro Morishita
Shoichi Kyotani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP16251984A priority Critical patent/JPS6141112A/ja
Publication of JPS6141112A publication Critical patent/JPS6141112A/ja
Publication of JPH0314326B2 publication Critical patent/JPH0314326B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はコンパクトデイスクプレーヤなどに装
備されている光ピツクアツプに係り、特に、コリ
メートレンズとレーザダイオードの間にビームス
プリツタを介在させた光ピツクアツプ用光学装置
に関する。
〔技術的背景ならびに従来技術の問題点〕
第4図は従来の光ピツクアツプの概略を示した
ものである。
従来の光ピツクアツプ10では、レーザダイオ
ード2から発せられる発散ビームがコリメートレ
ンズ3aによつて平行ビームとされ、ビームスプ
リツタ3b、1/4波長板3c、全反射プリズム4
を経て対物レンズ5に至る。対物レンズ5によつ
て平行ビームは収束され、光デイスク1の記録面
1aにビームスポツトとして照射される。記録面
1aからの反射ビームは上記経路にて戻り、ビー
ムスプリツタ3bによつて90゜方向へ反射される。
反射ビームはさらに集光レンズ3dによつて収束
され、シリンドリカルレンズ6を経て受光素子7
にて検知される。この検知光の強度変調によつて
記録面1aのピツトが検知され、デジタル情報が
読取れるようになつている。
このように従来の光ピツクアツプでは、レーザ
ダイオード2の次にコリメートレンズ3aを配置
し、ビームを平行光としてからビームスプリツタ
3bに送つている。このような配置にしているの
は次の理由による。従来はレーザダイオード2の
出力が小さかつたので、受光素子7による受光光
量を充分に得るためには、光デイスク1からの反
射ビームのほとんどを受光素子7へ反射させる必
要がある。そのため、ビームスプリツタ3bとし
て偏光プリズムが用いられていた。この偏光プリ
ズムは入射光が平行光であればほとんどの光量を
反射できるが、収束光の場合にはその光量を減衰
させずに反射させるのが困難であつた。よつて、
ビームスプリツタ3bには平行光を送らざるをえ
なかつた。
このように、第4図に示す従来の構成では、光
デイスク1からの反射ビームがビームスプリツタ
3bにて平行光のまま90゜反射される。よつて受
光素子7へビームを収束させるためには集光レン
ズ3dを設ける必要がある。そのため、光学部材
の構成部品数が多くなり、光ピツクアツプの小型
化を阻止する結果となつていた。
ところが、最近では、レーザダイオード2の出
力が高いものが多くなつたので、ビームスプリツ
タ3bとして、無偏光プリズムでも所定のレベル
以上の反射光量が得られるようになつた。また、
偏光プリズムも、発散あるいは収束光を反射でき
るものが開発されてきた。これにより、コリメー
トレンズ3aをビームスプリツタ3bよりもプリ
ズム4側へ配置し、光デイスク1からの反射光を
コリメートレンズ3aにて収束し、この収束光を
ビームスプリツタ3bにて反射させ、そのまま受
光素子7に集光させる構成が開発されてきてい
る。
しかしながら、従来のコリメートレンズ3aを
そのまま使用して、これとレーザダイオード2と
の間にビームスプリツタ3bを介在させた場合に
は、第5図と第6図とで比較するように、光学的
特性に変化が生じ、第5図の使用状態に比べて、
第6図の使用状態では球面収差も大きくなる。第
5図のようにレーザダイオード2との間にビーム
スプリツタ3bを介在させない設計に基づくコリ
メートレンズ3aは、第7図に示す横収差曲線と
なるが、第6図に示すように、これをビームスプ
リツタ3bを介在させて使用した場合には第8図
に示すように横収差が大きくなる。なお、第7
図、第8図は横軸に入射光の高さをとり、縦軸に
横収差をとつた線図である。
〔本発明の目的〕
本発明は上記従来の問題点に着目してなされた
ものであり、コリメートレンズとレーザダイオー
ドとの間にビームスプリツタを介在させたものに
おいて、ビームスプリツタが介在されていること
による球面収差をコリメートレンズによつて補正
し、横収差などを最少限にして高精度の読取りが
できるようにした光ピツクアツプ用光学装置を提
供することを目的としている。
〔本発明の構成〕
本発明による光ピツクアツプ用光学装置は、第
1図に示すように、ビームスプリツタ12がコリ
メートレンズ11とレーザダイオード2との間に
設けられており、且つコリメートレンズ11はレ
ーザダイオード2側に平面が向けられた平凸レン
ズ11aと、これよりもレーザダイオード2側に
位置し且つレーザダイオード2側に平面が向けら
れた平凹レンズ11bとから成るものであり、ま
たコリメートレンズ11を形成している平凸レン
ズ11aの焦点距離をf1、平凹レンズ11bの曲
率半径をr3、平凸レンズ11aと平凹レンズ11
b間の距離をd2、全体の焦点距離をfとして、 (a) 0.6<(f1/f)<0.85 (b) −0.3<(d2/r3)<−0.05 なる条件を満足しているものである。なお、第1
図に示すように、ビームスプリツタ12は平凹レ
ンズ11bの平面部に密着されている。
上記の条件(a)は、コリメートレンズ11の開口
数NAを定めるものであり、これが下限を越える
ときは収差の補正が困難になり、上限を越える
と、所定のNAを満足できなくなる。条件(b)は、
球面収差を補正するための条件である。これが下
限を越えるときは補正過剰となり、上限を越える
ときは補正不足となる。
第3図に示すように、この光学装置は、光ピツ
クアツプの中に装備される。すなわち、レーザダ
イオード2の次にビームスプリツタ12が位置
し、その次にコリメートレンズ11が配設され
る。コリメートレンズ11の先には全反射プリズ
ム4が配置され、その上に対物レンズ5が設けら
れ、この対物レンズ5が光デイスク1に対向して
いる。また、ビームスプリツタ12の側方にはシ
リンドリカルレンズ6を介して受光素子7が設け
られている。
この光ピツクアツプでは、レーザダイオード2
から発せられるビームがビームスプリツタ12を
通過した後にコリメートレンズ11によつて平行
ビームにされる。そして、全反射プリズム4から
対物レンズ5に送られる。また光デイスク1から
の反射ビームはコリメートレンズ11によつて収
束され、この収束状態のままビームスプリツタ1
2にて反射され、シリンドリカルレンズ6を経て
受光素子7に集光される。
〔本発明の実施例〕
以下、上記にて説明した光ピツクアツプ用光学
装置の実施例を示す(各符号は第1図参照)。
(実施例 1) f=1 f1/f=0.671 d2/r3=−0.097 r1=0.409 d1=0.0785 n1=1.60955 r2:平面 d2=0.0796 n2=1 r3=−0.818 d3=0.0545 n3=1.51143 r4:平面 d4=0.273 n4=1.76679 (実施例 2) f=1 f1/f=0.635 d2/r3=−0.065 r1=0.387 d1=0.118 n1=1.60955 r2:平面 d2=0.0540 n2=1 r3=−0.837 d3=0.0530 n3=1.60955 r4:平面 d4=0.265 n4=1.76679 (実施例 3) f=1 f1/f=0834 d2/r3=−0.27 r1=0.639 d1=0.198 n1=1.76679 r2:平面 d2=0.198 n2=1 r3=−0.845 d3=0.0793 n3=1.51143 r4:平面 d4=0.330 n4=1.76679 ただし、d1,d2,d3,d4は、各レンズおよびビ
ームスプリツタの肉厚ならびに空間距離、r1
r2,r3,r4は各レンズの曲率半径、n1,n2,n3
n4は各レンズおよびビームスプリツタのλ=
768.5nmに対する屈折率、fは全系の焦点距離、
f1は平凸レンズ11aの焦点距離である。
第2図は、上記各実施例のうち(実施例3)の
光学装置における収差を横収差曲線として示した
ものである。第2図は、横軸に入射光の高さ
(mm)、縦軸に横収差(μm)をとり、f=15.14
mmの場合の横収差曲線を示したものである。第2
図の線図に示すように、横収差は非常に小さく抑
えられている。したがつて、情報の読取り精度は
高くなり、優れた光ピツクアツプを構成できる。
〔本発明の効果〕
以上のように本発明によれば、コリメートレン
ズとレーザダイオードの間にビームスプリツタを
介在させたので、記録媒体からの反射ビームはコ
リメートレンズによつて収束され、そのままビー
ムスプリツタにて反射され、受光素子7にて検知
される。よつて、第4図に示すような受光素子側
の集光レンズ3dは不要になり、部品数の削減と
小型化を実現できるようになる。
また、コリメートレンズとして平凸レンズと平
凹レンズを組合せ、また、前記のような条件によ
つてレンズを形成することにより、収差の補正が
最適になされるようになる。
また、ビームスプリツタをコリメートレンズの
平凹レンズの平面部に密着すれば、ビームスプリ
ツタの位置決めが容易になり、組立てが楽にな
る。また、光学装置を小型化できるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は本発明を示すものであり、第
1図は光学部材の構成図、第2図は(実施例3)
における収差を示す横収差線図、第3図は光ピツ
クアツプの構成を示す斜視図、第4図は従来の光
ピツクアツプの構成図、第5図、第6図は従来の
問題点を示す光学部材の構成説明図、第7図と第
8図は第5図、第6図に対応する横収差曲線を示
す線図である。 1……光デイスク、2……レーザダイオード、
2a……レーザダイオードのカバーガラス、7…
…受光素子、11……コリメートレンズ、11a
……平凸レンズ、11b……平凹レンズ、12…
…ビームスプリツタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 レーザダイオードから発せられるビームを平
    行光とするコリメートレンズと、記録媒体から反
    射されたビームを受光部材の方向へ反射するビー
    ムスプリツタとを備えている光ピツクアツプにお
    いて、ビームスプリツタがコリメートレンズとレ
    ーザダイオードとの間に設けられており、且つコ
    リーメートレンズは、レーザダイオード側に平面
    が向けられた平凸レンズと、これよりもレーザダ
    イオード側に位置し且つビームスプリツタに平面
    が密着する平凹レンズとから成り、平凸レンズの
    焦点距離をf1、平凹レンズの曲率半径をr3、平凸
    レンズと平凹レンズ間の距離をd2、全体の焦点距
    離をfとして、 (a) 0.6<(f1/f)<0.85 (b) −0.3<(d2/r3)<−0.05 なる条件を満足していることを特徴とする光ピツ
    クアツプ用光学装置。
JP16251984A 1984-07-31 1984-07-31 光ピツクアツプ用光学装置 Granted JPS6141112A (ja)

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JP16251984A JPS6141112A (ja) 1984-07-31 1984-07-31 光ピツクアツプ用光学装置

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JP16251984A JPS6141112A (ja) 1984-07-31 1984-07-31 光ピツクアツプ用光学装置

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JPS6141112A JPS6141112A (ja) 1986-02-27
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01102892A (ja) * 1987-10-15 1989-04-20 Res Dev Corp Of Japan 薄膜el素子の製造方法
JP2620550B2 (ja) * 1987-10-15 1997-06-18 科学技術振興事業団 El薄膜の形成方法
CN109702322B (zh) * 2019-02-21 2021-04-27 北京工业大学 一种激光多焦点切割球差矫正方法及装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5838915A (ja) * 1981-09-01 1983-03-07 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 半導体レ−ザ−用コリメ−トレンズ系
JPS595446A (ja) * 1982-07-02 1984-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学式ピツクアツプ装置

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