JPH03141325A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、表示用絵素電極にスイッチング素子を介して
駆動信号を印加することにより表示を実行する液晶表示
装置に関し、特に該液晶表示装置に用いられる蓄積容量
を有するアクティブマトリクス基板の構造およびその製
造方法に関するものである。

［従来の技術］ 従来より、液晶表示装置においては、マトリクス状に配
列された表示絵素を選択することにより画面」−に表示
パターンを形成している。表示絵素の選択方式として、
個々の絵素を独立した電極で配列し、この絵素電極のそ
れぞれにスイッチング素子を連結して表示駆動するアク
ティブマトリクス駆動方式があり、この方式は高コント
ラストの表示が可能であり、テレビジョンなどに実用化
されている。絵素電極を選択駆動するスイッチング素子
としては、ＴＰＴ　（薄膜トランジスタ）素子。

ＭＩＭ　（金属−絶縁膜−金属）素子、ＭＯＳトランジ
スタ素子、ダイオード、バリスタ等が一般に用いられて
おり、絵素電極とこれに対向する対向電極間に印加され
る電圧信号をスイッチングすることにより、その間に介
在する液晶の光学的変調が表示パターンとして視認され
る。

第７Ａ図は、上記のようなアクティブマトリクス基板を
用いた液晶表示装置の断面斜視図であり、第７Ｂ図は、
第７Ａ図の切断線Ｃ−Ｃで示す部分の矢視図であり、第
７Ｃ図は、第７Ｂ図の切断線Ｄ−Ｄで示す部分の等価回
路図である。

第７Ａ図を参照して、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、ＴＰＴが形成されるＴＦＴ側基板２１と、ＴＦ
Ｔ側基板２１に対向した位置に設けられた対向電極側基
板２２と、ＴＦＴ側基板２１と対向電極側基板２２との
間に挾まれた液晶層２６とを含み、液晶層２６の外周部
はシール樹脂２７でシールされている。　ＴＦＴ側基板
２１には、ＴＰＴのゲート電極に信号を伝達するための
複数のゲート電極配線２８と、ゲート電極配線２８に交
わる方向に複数個接続されＴＰＴのソース電極に映像信
号を伝達するためのソース電極配線２９とが形成されて
いる。複数のゲート電極配線２８は複数のゲート電極端
子３０にＴＦＴ側基板２１の一方の端部で接続され、複
数のソース電極配線２９は、複数のソース電極端子３］
にＴＦＴ側基板２１の端部で接続されている。対向電極
側基板２２には対向電極３２が形成され、対向電極３２
に与えられる電圧は、対向電極３２と端子の接続電極３
３を介して、ＴＦＴ側基板２１の端部に対向電極端子３
４から供給される。なお、ＴＦＴ３５は複数のゲート電
極配線２８と複数のソース電極配線２９との各交点に設
けられる。

第７Ｂ図を参照して、ＴＦＴ側基板２１上に形成された
複数の絵素電極３６と対向電極２２側基板上に設けられ
た対向電極３２とが互いに配向膜３７と液晶層２６を挾
んで対向している。

第７Ｃ図を参照して、ゲート電極配線２８とソース電極
配線２９との交点にＴＦＴ３５が形成される。ＴＦＴ３
５のゲート電極はゲート電極配線２８に接続され、ドレ
イン電極は絵素電極３６に接続される。

次に液晶表示における電気的な動作について説明する。

ゲート電極配線２８にゲートのオンの電圧信号が印加さ
れ、そのゲート電極配線２８に接続されたＴＦＴ３５が
すべてオン状態になる。ゲートのオン信号に同期した映
像信号による電圧がソース電極配線２９を介して各絵素
電極３６に印加される。ＴＦＴ３５のゲートのオンｆｉ
号が印加され、ＴＦＴ３５がオフ状態になっても、ＴＦ
ＴＢ５のオフ抵抗と液晶セルの容量で決まる時定数の間
、表示電極に蓄えられた電荷は保持される。

このように、次々とゲート電極を走査していくことによ
り、画面に映像を映し出すことができる。

第８図は、ゲート電極配線２８とソース電極配線２９と
の交点に設けられた１つのＴＰＴと、そのドレイン電極
に接続された絵素電極３６との等価回路図であり、第９
図は、ＴＰＴの概略平面図である。第８図、第９図を参
照して、ＴＰＴのゲート電極５１とＴＦＴ側基板上に形
成されたドレイン電極５Ｂとの間に相互に重なる部分Ｓ
１が生じ、その結果、ゲート電極５１とドレイン電極５
３との間に図示のような寄生容量Ｃｇｄが形成される。

今、絵素電極３６と対向電極３２との間の液晶の容量を
ｃｅｃとすると、ＴＰＴのドレイン電極５３の電位は次
式で示すようにシフトする。

（■ゲート：オン信号とオフ信号の電位差）以上のよう
に、ＴＰＴはゲート電極５１とドレイン電極５３との間
にＣｇｄを持つため、ゲート信号がオン信号からオフ信
号に変わると、オン信号とオフ信号の電位差が寄生容Ｈ
Ｃｑｄと液晶セルの容ｆｆ１ｃ＊ｃの比により分割され
、これによりドレインの電位すなわち絵素電極の電位が
上式のＶシフトに示した分だけシフトする。

この欠点を緩和するために、第１０図に示したように蓄
積容量Ｃ５を付加し、液晶容量を見かけ上大きくする手
法がとられている。このとき、ＴＰＴのドレイン電位の
シフトであるＶシフトは、次式で示すように小さくなる
。

この蓄積容量Ｃｓを有しているアクティブマトリクス基
板の構造が第１１Ａ図ないし第１１Ｄ図に示されている
。第１１Ａ図はアクティブマトリクス基板の平面構造図
であり、第１１Ｂ図は、第１１Ａ図の切断線Ｅ−Ｅに沿
った方向からの断面構造図、第１１Ｃ図は切断線Ｆ−Ｆ
に沿った方向からの断面構造図および第１１Ｄ図は切断
線Ｇ−Ｇに沿った方向からの断面構造図を示している。

これらの図を参照して、ＴＦＴ側基板２１の表面上には
蓄積容量電極３８が形成されている。そして、この蓄積
容量電極３８と絵素電極３６とがゲート絶縁膜３つを包
み込むように形成されている。

さらに、蓄積容量電極３８は対向電極端子３４に接続さ
れる。このような構成により蓄積容量電極３８と絵素電
極３６との間に形成される蓄積容量Ｃｓが絵素電極３６
と対向電極３２との間の液晶の容量ｃ＊ｃと並列に形成
される。

次に、この蓄積容量を備えたアクティブマトリクス基板
の製造方法について説明する。第１２Ａ図ないし第１２
Ｄ図は第１１Ｂ図に示した断面構造の製造工程図であり
、第１３Ａ図ないし第１３Ｅ図は第１１Ｃ図に示した断
面構造の製造工程図である。まず、ｍｌ　２Ａ図および
第１３Ａ図に示すように、ＴＦＴ側基板２１の表面上に
ゲート電極配線２８およびＴＦＴのゲート電極５１を一
体的に形成する。

次に第１２Ｂ図および第１３Ｂ図を参照して、さらにＴ
ＦＴ側基板２１表面上に透明導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎ
ｄ　ｉ　ｕｍ−Ｔｉ　ｎ−Ｏｘ　ｉ　ｄｅ　：酸化イン
ジウム・スズ）の蓄積容量電極３８を所定の形状に形成
する。

その後、第１２Ｃ図および第１３Ｃ図に示すように、Ｔ
ＦＴ側パ板２１の表面上にゲート絶縁膜３９を形成し、
ゲート電極配線２８および蓄積容二電極３８などの表面
上を覆う。次に、ＴＰＴの製造工程に移る。ＴＰＴのゲ
ート電極５１の表面上にゲート絶縁膜３つを介して半導
体層５４を形成する。

そして、第１３Ｄ図に示すように、半導体層５４の表面
上にソース電極５２（ソース電極配線２９の一部により
構成される）およびドレイン電極５３を形成する。

その後、第１２Ｄ図および第１３Ｅ図に示すように、Ｔ
ＦＴ側基板２１の表面上を覆うゲート絶縁膜３９の表面
上の所定領域に絵素７１？極３６を形成する。

以上の工程により蓄積容量を備えたアクティブマトリク
ス基板が製造される。

［発明が解決しようとする課ｉｌ ところが、従来の液晶表示装置では、蓄積容量電極３８
は、上記のようにＩＴＯなどの透明導電膜で構成されて
いる。ＩＴＯＯ比抵抗は１０００μΩｃｍであり、たと
えばゲート電極材料によく用いられるタンタル（Ｔａ）
の比抵抗８０μΩＣｍと比較しても高抵抗である。この
ために、液晶表示装置が大型化するにつれ蓄積容量電極
３８が長くなることにより電極としての電気的抵抗が高
くなる。そして、蓄積容ＱＣｓの時定数が大きくなる。

このために、オン信号が印加されている間には、蓄積容
量Ｃ８に十分な電荷の蓄積が行なわれｒ、またオフ信号
が印加された場合、蓄積容量Ｃ８に蓄積された電荷が放
電される際の立上がり速度が遅くなりコントラストの低
下原因となるなどの問題が発生する。

また、液晶表示装置の表示画面の高精細化を行なう場合
には、ゲート配線の本数が２４０本から４８０本さらに
は１０００本以上に増加する。この場合、１つのゲート
電極に印加されるオン信号の時間がゲート本数に反比例
して短くなる。したがっ゛Ｃ１蓄積容瓜Ｃｓの時定数を
小さくする必要があり、この場合にも蓄積容量電極の電
気的な高抵抗がこれを阻害するという問題がある。

［課題を解決するための手段］ 本発明による液晶表示装置は、スイッチング素子を介し
て絵素電極に画像信号を印加することにより液晶層を駆
動させて画像を表示するものであり、所定の距離を隔て
て対向配置される第１基板および第２基板と、この第１
基板において第２基板と対向する主面上に形成された蓄
積容量電極と、蓄積容量電極の上面に形成された絶縁膜
と、絶縁膜の上面に形成された絵素電極と、第１基板の
主面上に形成され、一方の電極が絵素電極と接続される
スイッチング素子と、第２基板において第１基板と対向
する面」二に形成され、蓄積容量電極と電気的に接続さ
れる対向電極と、絵素電極と対向電極との間に形成され
た液晶層と、蓄積容量電極に電気的に接続される補助電
極とを備えている。

また他の発明は、互いに対向する１対のガラス基板の一
方側に薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接
続される絵素電極とを備え、さらに絵素電極と一方側の
ガラス基板との間に絶縁膜を介して形成された蓄積容量
電極と、この蓄積容量電極に接続される補助電極とを備
えた液晶表示装置の製造方法であり、以下の製造工程を
備えている。

ａ、　ガラス基板の主表面上に導電層を形成する工程。

ｂ、　導７６層を所定の形状にパターニングすることに
よって薄膜トランジスタのゲート電極と補助電極とを同
時に形成する工程。

Ｃ９ゲート電極および補助電極が形成されたガラス基板
の表面上に蓄積容量電極を形成する工程。

ｄ５　　蓄積容量電極の表面上に絶縁膜を形成する工程
。

ｅ、絶縁膜の表面上に絵素電極を形成する工程。

また、さらに他の発明による液晶表示装置の製造方法で
は以下の工程を備えている。

ｆ、　ガラス基板の主表面上に蓄積容量電極を形成する
工程。

ｇ、　蓄積容量電極の表面上に第１絶縁膜を形成する工
程。

ｈ、　蓄積容量電極の表面上に位置する第１絶縁膜の領
域に選択的に開口部を形成する工程。

ｉ、　第１絶縁膜の表面」−および開口部の内部に導電
層を形成する工程。

Ｊ、　導電層を所′）ｊ二の形状にパターニングするこ
とにより薄膜トランジスタのゲート電極と補助電極とを
同時に形成する工程。

ｋ、　補助電極が形成された第１絶縁膜の表面上に第２
絶縁膜を形成する工程と、 （、第２絶縁膜の表面」−に絵素電極を形成する工程。

［作用］ 蓄積容量電極に電気的に接続される補助電極は、見かけ
上の蓄積容量電極の電気的抵抗を低減し、蓄積容量電極
の時定数を小さくする。これにより、蓄積容量の充電特
性が向上し液晶表示装置の表示特性が改善される。

また、補助電極はガラス基板上にゲート電極配線を形成
する工程と同時に形成される。これにより、補助電極の
ための新たな製造工程を付加することな〈従来の製造工
程を利用して補助電極を備えた液晶表示装置を製造する
ことができる。

［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図を用いて説明する。

第１Ａ図は、本発明の一実施例による液晶表示装置のア
クティブマトリクス基板の平面構造図であり、第１Ｂ図
は、第１八図中の切断線Ａ−Ａに沿った方向からの断面
構造図、第１Ｃ図は、同じく切断線Ｂ−Ｂに沿った方向
からの断面構造図である。これらの図を参照して、ＴＦ
Ｔ側基板２１の表面上には互いに直交する方向に延びた
複数のゲート電極配線２８およびソース電極配線２つが
配置されている。ゲート電極配線２８とソース電極配線
２つの交差部近傍にはＴＰＴ：う５が形成されている。

さらに、このゲート電極配線２８とソース電極配線２９
によって区切られるＴ　Ｆ　Ｔ側基板２１表面上の領域
に絵素電極３６が形成されている。さらに、絵素電極３
６とＴＦＴ側基板２１表面との間に蓄積容量電極３８が
形成されＣいる。

ゲート電極配線２８はその一部がＴＦＴ３５のゲート電
極５１を構成し、ソース電極配線２９はＴＦＴ３５のソ
ース電極５２に接続されている。

さらにＴＦＴ３５のドレイン電極５３は絵素電極３６に
接続されている。特に第１０図を参照して、ＴＦＴ３５
はＴＦＴ側基板２１表面上に酸化絶縁膜５５を介してゲ
ート電極５１が形成されている。

ゲート電極５１の表面は陽極酸化膜５６に覆われている
。さらに、ゲート電極５１および酸化絶縁膜５５の表面
−１−にゲート酸化膜３つが形成されている。またゲー
ト電極５１の上部に位置するゲート酸化膜３９の表面上
には半導体層５４およびエツチングストップ層５７が形
成されている。さらに、この半導体層５４の上部にはア
モルファスジノコン層５８を介して各々分離独立したソ
ース電極５２およびドレイン電極５３が形成されている
。

さらにゲ・−ト絶縁膜３９の上面には、その一部がドレ
イン電極５３の上面をも覆う絵素電極３６が所定の形状
に形成されている。

Ｔ　Ｆ　Ｔ側基板２１の表面上には酸化絶縁膜５５およ
びゲート酸化膜３つをその両側から包み込むように絵素
電極３６および蓄積容量電極３８が形成されている。そ
し−Ｃ１この積層構造により蓄積容量〇、が構成される
。また、蓄積容量電極３８の表面上には平面方向に長く
延びた補助電極４０が形成されている。補助電極４０は
蓄積容量電極３８の上部に位置する酸化絶縁膜５５中に
選択的に形成された開口部４１を介して蓄積容量電極３
８に接続されている。補助電極４０はＴＦＴ側基板２１
表面上に行列状に配列された絵素電極３６に対向し゛Ｃ
形成された蓄積容量電極３８を行方向ごとに連結するよ
うに形成されており、その端部は対向電極３２（図示せ
ず）に電気的に接続されている。この補助７ｈ極４０は
低抵抗の高導電性を有する金属膜、たとえばタンタル（
Ｔａ）などで構成される。そして、相対的に高抵抗の蓄
積容量電極３８の導電性を補い蓄積容量の時定数を減少
させる。また、補助電極４０の表面にはゲート電極配線
２８の表面およびＴＰＴのゲート電極５１の表面と同様
に陽極酸化膜５６が形成されている。

陽極酸化膜５６は絵素電極３６と蓄積容量電極３８との
間の絶縁性を確保し静電耐圧特性を向上させる。

次に上記のアクティブマトリクス基板の製造方法につい
て説明する。第２八図ないし第２Ｄ図は第１８図に示す
断面構造の製造工程図であり、第３Ａ図ないし第３Ｄ図
第１Ｃ図に示す断面構造の製造工程図である。まず最初
に第２八図ないし第２Ｄ図に基づいて説明する。第２Ａ
図に示すように、ガラス基板からなるＴＦＴ側基板２〕
−表面上にＩＴＯやＳｎＯ２などの透明導電材料からな
る導電膜を膜厚５００人〜２００ＯＡ程度成膜１７、所
定の形状にパターニング１〜で蓄積容量電極３８を形成
する。

次に第２Ｂ図に示すように、蓄積容は電極３８が形成さ
れたＴ　Ｐ　Ｔ　（１１１１話板２１表面側にＳ　ｉ　
０２゜Ｔ’ａ２０．やＡＬ０３などの酸化絶縁膜５５を
形成する。この酸化絶縁膜５５の膜厚は、ＳｉＯ２のよ
うに比誘電率か４と小さい絶縁膜である場合は、１００
ＯＡ程度あるいはそれ以下の厚みであることが望ましい
。またＴａ２０５のように比誘電率の２３〜２５と高い
絶縁膜である場合はさらに大きくても構わない。次に、
蓄積容量電極３８の表面上に位置する酸化絶縁膜５５領
域に所定の形状の開口部４１を形成する。

さらに、第２Ｃ図に示すように、酸化絶縁膜５５の表面
上および開口部４１の内部にＴａなどの高陽極酸化性の
金属膜を形成し、所定の形状にパターニングする。この
工程によりゲート電極配線２８と開口部４１の内部に形
成された補助電極４０を形成する。このパターニング工
程は、たとえば金属膜にＴａが使用され、酸化絶縁膜５
５が５ｉ０２である場合にはドライエツチング法により
選択性のあるプロセスが可能となる。また、酸化絶縁膜
５５がＴａ２Ｑ５である場合には、ウェットエツチング
法により選択性のあるプロセスが可能となる。

次に第２Ｄ図に示すように、陽極酸化を行なうことによ
り補助電極４０およびゲート電極配線２８の表面に陽極
酸化膜５６を形成する。たとえば配線材料としてＴａが
用いられた場合、陽極酸化膜５６はホウ酸アンモニウム
水溶液、クエン酸水溶液あるいは酒石酸アンモニウム水
溶液中で陽極酸化が行なわれ、Ｔａ７０．が形成される
。以上の工程により第１Ｂ図に示される断面構造の主要
部分が形成される。

次に第３Ａ図ないし第３Ｄ図を用いて第１ｃ図に示され
るＴＦＴ３５の断面構造の製造方法について説明する。

まず第３Ａ図に示すように、上記の第２Ｄ図までの工程
によってＴＦＴ側基板２１の表面上に酸化絶縁膜５５を
介してＴ　Ｆ　Ｔ　３５のゲート電極５１およびその表
面を覆う陽極酸化膜５６が形成されている。次にゲート
電極５１が形成された酸化絶縁膜５５の表面上に、プラ
ズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜３
９、半導体層５４を構成するアモルファスシリコン層５
４ａおよびエツチングストッパ層５７を構成するＳｉＮ
ｘ層５７ａを順次成長させる。各層の膜厚は各々３００
０人、３００人、１０００人である。

次に第３Ｂ図に示すように、第２のＳｉＮｘ層５７ａを
所定の形状にパターニングし、エツチングストッパ層５
７を形成する。

さらに、第３Ｃ図に示すように、アモルファスシリコン
層５４ａおよびパターニングされたエツチングストップ
層５７の表面上にプラズマＣＶＤ法を用いてアモルファ
スシリコン（ｎ＋）を膜厚１０００Ａ程度成長させる。

そして、このアモルファスシリコン層５８および下層の
アモルファスシリコン層５４ａを同時にパターニングし
、半導体層５４およびアモルファスシリコン層５８を形
成する。

さらに、第３Ｄ図に示すように、スパッタリング法を用
いてソース電極配線材料であるＴｉ、ＭＯなどを全面に
堆積し、所定の形状にパターニングする。このパターニ
ング工程において、エツチングストップ層５７の表面上
に形成されたアモルファスシリコン層５８も同時にエツ
チングされ、各々独立したアモルファスシリコン５８．
５８が形成される。このエツチング工程において、エツ
チングストップ層５７がエツチングの終点を規定する。

そしてさらに各々独立したアモルファスシリコン層５８
．５８の上面にはソース電極配線２９（リース電極５２
）、ドレイン電極５３が形成される。

次に第１Ｂ図および第１Ｃ図を参照して、絵素電極材料
となるＩＴＯをスパッタリング法を用いて全面に堆積し
、膜厚］０００人程度のＩＴＯ膜を形成し、所定の形状
に加圧して絵素電極３６を形成する。なお、ソース電極
配線２９のパターンを補強するため、ＩＴＯ膜は絵素電
極３６を構成する部分以外においてはソース電極配線２
９と同一　パターンに成形加工し、でもよい。

次に、本発明の第２の実施例について説明する。

第４Ａ図は、第２の実施例による液晶表示装置のアクテ
ィブマトリクス基板の甲面構造図であり、第４Ｂ図およ
び第４Ｃ図は各々第４八図中の切断線ＡＡ−ＡＡおよび
切断線ＢＢ−ＢＢに沿ったり。

向からの断面構造図である。これらの図を参照して、第
２の実施例は補助電極４０がＴＦＴ側基板２１と蓄積容
量電極３８との間に形成されていることを特徴としてい
る。そして、補助電極４０と蓄積容量電極３８とは直接
に接続されている。このような構造においても、第１の
実施例と同様に補助電極４０は蓄積容量電極３８の導電
性を補い、蓄積容量の時定数を低減させる。

次に第２の実施例の製造方法について説明する。

第５Ａないし第５Ｃ図は、第４Ｂ図に示す断面構造の製
造工程図である。また、第６Ａ図ないし第６Ｄ図は、第
４Ｃ図に示す断面構造の製造工程図である。

まず、第５Ａ図および第６Ａ図に示すように、ガラス基
板からなるＴＦＴ側基板２１の表面上にタンタル（Ｔａ
）をスパッタリング法を用いて被着し、その後フォトリ
ソグラフィ法を用いて所定の形状にパターニングする。

この工程によりゲート電極配線２８、ＴＦＴ３５のゲー
ト電極５１および補助電極４０を同時に形成する。そし
て、これらの配線層が形成されたＴＦＴ側基板２１を１
〜５％程度の酒石酸アンモニウムを含む水溶液中に浸漬
し、所定の陽極酸化工程によってゲート電極配線２８、
ＴＰＴのゲート電極５１の表面に陽極酸化膜５６を形成
する。

さらに第５Ｂ図および第６Ｂ図に示すように、ＴＦＴ側
基板２１の仝而にスパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を
形成した後、これを所定の形状にパターニングする。こ
れにより、ＴＦＴ側基側基板２面 の上面を覆うように蓄積容量電極３８が形成される。

さらに、第５Ｃ図および第６Ｃ図に示すように、ＴＦＴ
側基板２１の表面上の全面にプラズマＣＶＤ法を用いて
窒化硅素（ＳｉＮｘ）膜からなるゲート絶縁膜３９を堆
積する。さらに、ゲート絶縁膜３９上のゲート電極５１
と重なる位置にａ−３１　（アモルファスシリコン）層
をプラズマＣＶＤ法を用いて形成し、これをパターニン
グすることによりＴＦＴ３５の半導体層５４を形成する
。

さらに第６Ｄ図に示すように、ゲート絶縁膜３９および
半導体層５４上の全面にモリブデン（ＭＯ）をスパッタ
リング法を用いて被着する。その後、Ｍｏ層をパターニ
ングしてソース電極２９、ＴＦＴ３５のソース電極５２
およびドレイン電極５３を形成する。ソース電極配線２
９とソース電極５２とは一体的に形成されている。ソー
ス電極５２はその一部が半導体層５４上の一側部と重な
るように形成され、またドレイン電極５３はその一部が
半導体層５４の他方の側部と重なるように形成される。

最後に、全面にスパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を堆
積し、パターニングして絵素電極３６を形成する。絵素
電極３６はその一部がドレイン電極５３の上部に接する
ように形成される。以上の工程により第４Ｂ図および第
４Ｃ図に示される断面構造を有する液晶表示装置が製造
される。

このように、上記の製造工程においては、ゲート電極配
線２８、ＴＦＴ３５のゲート電極５１および補助電極４
０は同一の堆積工程およびパターニング工程を用いて形
成される。したがって、従来の製造工程に対して新たな
製造］工程を付加することなく簡便な製造工程でコント
ラストの低下などを生じることなく大型化が可能な液晶
表示装置を製造することができる。

［発明の効果コ このように、本発明による液晶表示装置は、（，１加容
量を構成する蓄積容量電極に対しさらに高導電性を有す
る補助電極を接続するよう構成したので、蓄積容量電極
の１１５定数が／Ｊ）さくなり充電特性が改許され、コ
ントラストなどの表示特性が敗訴された液晶表示装置を
実現することができる。

また、補助電極を有する液晶表示装置は、ゲート電極配
線と補助電極とを同一工程において同時に製造するよ・
）に構成したので、新たな複雑な製造１ユ程を付加する
ことなく容易に表示特性か改善された大型化が可能な液
晶表示装置を製造することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は、本発明の第１の実施例による液晶表示装置
のアクティブマトリクス基板の宅面構造図であり、第１
Ｂ図は、第１八図中のｕノ断線Ａ−Ａに沿った方向から
の断面構造図であり、第１Ｃ図は、同様に切断線Ｂ−Ｂ
に沿った方向からの断面構造図である。第２Ａ図、第２
Ｂ図、第２Ｃ図、第２Ｄ図は、第１Ｂ図に示す液晶表示
装置の断面構造の製造工程図である。第３Ａ図、第３Ｂ
図、第３Ｄ図は、第１Ｃ図に示す液晶表示装置の断面構
造の製造工程図である。 第４Ａ図は本発明の第２の実施例による液晶表示装置の
アクティブマトリクス基板の平面構造図であり、第４Ｂ
図は、第４Ａ図中の切ｌ析線ＡＡ−ＡＡに沿った方向か
らの断面構造図、第４Ｃ図は、同様に切断線ＢＢ−ＢＢ
に沿った方向からの断面構造図である。第５Ａ図、第５
Ｂ図および第５Ｃ図は、第４Ｂ図に示す液晶表示装置の
断面構造の製造工程断面図である。第６Ａ図、第６Ｂ図
、第６Ｃ図および第６Ｄ図は、第４Ｃ図に示す液晶表示
装置の断面構造の製造工程図である。 第７Ａ図は、従来の液晶表示装置の断面構造斜視図であ
る。第７Ｂ図は、第７Ａ図に示す液晶表示装置の断面構
造図である。第７Ｃ図は従来の液晶表示装置のアクティ
ブマトリクス基板上の等価回路図である。第８図は、第
７Ｃ図に示す液晶表示装置の一画素に相当する部分の等
価回路図である。第９図は、第７Ａ図に示す液晶表示装
置のＴＰＴの周辺拡大図である。第１０図は、蓄積容量
が付加された液晶表示装置の一画素に相当する部分の等
価回路図である。第１１Ａ図は第１０図に示される３価
回路図に相当する液晶表示装置の平面構造図であり、第
１１Ｂ図は、第１１Ａ図中の切断線Ｅ−Ｈに沿った方向
からの断面構造図、第１１Ｃ図は同様に切断線Ｆ−Ｆに
沿−ンた方向からの断面構造図、第１１Ｄ図は同様に切
断線Ｇ−Ｇに沿った方向からの断面構造図である。第１
２Ａ図、第１２Ｂ図、第１２Ｃ図および第１２Ｄ図は、
第１１Ｂ図に示す液晶表示装置の断面構造の製造工程図
である。第１３Ａ図、第１．３　Ｂ図、第１３Ｃ図、第
１３Ｄ図、および第１３Ｅ図は、第１１Ｃ図に示す液晶
表示装置の断面構造の製造工程図である。 図において、２１はＴＦＴ側基板、２２は対向電極側基
板、２６は液晶層、２８はゲート電極配線、２９はソー
ス電極配線、３２は対向電極、３５はＴＦＴ、３６は絵
素電極、３８は蓄積容量電極、３９はゲート絶縁膜、４
０は補助電極、５５は酸化絶縁膜を示している。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第１Ａ図 Ａ ＴＰＴイ則２［」ｆ之 ］ヒ三を刀情フｆｉｘイ正１り１詳１７ルミ液＆着 ケニＦａ掻配縁− ソース９罫モ！Ｌｍ 列ｆ６１電Ｊシ ３５：　ＴＰＴ ３６：７桧素を逢 ３８：４墳字ｆｔｐ！！ ３９：ケし）−ｊ！！、ｕＪえ ４０：精ソ？２辻 ５５：産花糸１様μえ 第２Ａ図 第２Ｂ図 第２Ｃ図 第２Ｄ図 第旧図 第１Ｃ図 第３Ａ図 第３Ｂ図 第３Ｄ図 第４Ａ図 第６Ａ図 第４Ｂ図 第４Ｃ図 第７Ａ図 第７Ｂ図 ２ １７Ｃ図 第１０図 １ ｚ 第１１Ａ図 第８図 １ 第９図 第１１Ｃ図 １ 第１１Ｄ図 第、１２Ａ図 第１３Ａ図 １ 第１３８図 ８ 手続補正書（方幻 平成２年１，２月　６日 ２、発明の名称 液晶表示装置およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　　大阪市阿倍野区長池町２２番２２号名　称　
　（５０４）シャープ株式会社代表者　　辻　　晴　雄 ４、代理人 住　所　大阪市北区南森町２丁目１番２９号　住友銀行
南森町ビル６、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 ７、補正の内容 （１）　明細書第２８頁第２行ないし第３行の「第３Ａ
図、第３Ｂ図、第３Ｄ図は、」を「第３Ａ図、第３Ｂ図
、第３Ｃ図および第３Ｄ図は、」に補正する。 以上 ５、補正命令の日付

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）スイッチング素子を介して絵素電極に画像信号を
   印加することにより液晶層を駆動させて画像を表示する
   液晶表示装置であって、 所定の距離を隔てて対向配置される第１基板および第２
   基板と、 前記第１基板において前記第２基板と対向する主面上に
   形成された蓄積容量電極と、 前記蓄積容量電極の上面に形成された絶縁膜と、前記絶
   縁膜の上面に形成された絵素電極と、前記第１基板の前
   記主面上に形成され、一方の電極が前記絵素電極と接続
   されるスイッチング素子と、 前記第２基板において前記第１基板と対向する面上に形
   成され、前記蓄積容量電極と電気的に接続される対向電
   極と、 前記絵素電極と前記対向電極との間に形成された液晶層
   と、 前記蓄積容量電極に電気的に接続される補助電極とを備
   えた、液晶表示装置。
2. （２）互いに対向する１対のガラス基板の一方側に、薄
   膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続される
   絵素電極とを備え、さらに前記絵素電極と前記一方側の
   ガラス基板との間に絶縁膜を介して形成された蓄積容量
   電極と、この蓄積容量電極に接続される補助電極とを備
   えた液晶表示装置の製造方法であって、 前記ガラス基板の主表面上に導電層を形成する工程と、 前記導電層を所定の形状にパターニングすることによっ
   て前記薄膜トランジスタのゲート電極と前記補助電極と
   を同時に形成する工程と、 前記ゲート電極および前記補助電極が形成された前記ガ
   ラス基板の表面上に蓄積容量電極を形成する工程と、 前記蓄積容量電極の表面上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の表面上に絵素電極を形成する工程とを備え
   た、液晶表示装置の製造方法。
3. （３）互いに対向する１対のガラス基板の一方側に、薄
   膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続される
   絵素電極とを備え、さらに前記絵素電極と前記一方側の
   ガラス基板との間に絶縁膜を介して形成された蓄積容量
   電極と、この蓄積容量電極に接続される補助電極とを備
   えた液晶表示装置の製造方法であって、 前記ガラス基板の主表面上に蓄積容量電極を形成する工
   程と、 前記蓄積容量電極の表面上に第１絶縁膜を形成する工程
   と、 前記蓄積容量電極の表面上に位置する前記第１絶縁膜の
   領域に選択的に開口部を形成する工程と、前記第１絶縁
   膜の表面上および前記開口部の内部に導電層を形成する
   工程と、 前記導電層を所定の形状にパターニングすることにより
   前記薄膜トランジスタのゲート電極と前記補助電極とを
   同時に形成する工程と、 前記補助電極が形成された前記第１絶縁膜の表面上に第
   ２絶縁膜を形成する工程と、 前記第２絶縁膜の表面上に絵素電極を形成する工程とを
   備えた、液晶表示装置の製造方法。