JPH03140488A - 電解槽 - Google Patents
電解槽Info
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- JPH03140488A JPH03140488A JP1277248A JP27724889A JPH03140488A JP H03140488 A JPH03140488 A JP H03140488A JP 1277248 A JP1277248 A JP 1277248A JP 27724889 A JP27724889 A JP 27724889A JP H03140488 A JPH03140488 A JP H03140488A
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 61
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 36
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 12
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 12
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、溶融塩電解法による三弗化窒素ガスの製造の
際に使用される電解槽に関するものである。
際に使用される電解槽に関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕三弗化
窒素（ＮＦｚ）ガスは半導体のドライエツチング剤やＣ
ＶＤ装置のクリーニンクーガスとして、近年需要が増加
しており、これらの用途においては特に四弗化炭素（Ｃ
Ｆ４）の少ない高純度なガスでないと使用することがで
きない。
窒素（ＮＦｚ）ガスは半導体のドライエツチング剤やＣ
ＶＤ装置のクリーニンクーガスとして、近年需要が増加
しており、これらの用途においては特に四弗化炭素（Ｃ
Ｆ４）の少ない高純度なガスでないと使用することがで
きない。
ＮＦｙガスは種々の方法で製造されるが、中でも溶融塩
電解法は収率がよく、しかも量産が他の方法より容易で
あるので工業的な製造方法として有力視されている。更
に、前述したようなＣＦ４の少ない高純度のガスを得る
には、溶融塩電解法で得られるＮＦｆｆが最も低コスト
であることから有力視されている。
電解法は収率がよく、しかも量産が他の方法より容易で
あるので工業的な製造方法として有力視されている。更
に、前述したようなＣＦ４の少ない高純度のガスを得る
には、溶融塩電解法で得られるＮＦｆｆが最も低コスト
であることから有力視されている。
該溶融塩電解法によるＮＦ３ガスの製造は酸性弗化アン
モニウムまたは弗化アンモニウムと弗化水素を原料とす
る）ｌＨ，Ｆ −ＨＦ系や、これに更に酸性弗化カリウ
ムまたは弗化カリウムを原料として加えたＫＦ −ＮＨ
４Ｆ −）ＩＦ系溶融塩電解法による方法によって行な
われる。
モニウムまたは弗化アンモニウムと弗化水素を原料とす
る）ｌＨ，Ｆ −ＨＦ系や、これに更に酸性弗化カリウ
ムまたは弗化カリウムを原料として加えたＫＦ −ＮＨ
４Ｆ −）ＩＦ系溶融塩電解法による方法によって行な
われる。
しかして、ＮＦ、ガスの製造においては、陽極からはＮ
ＦＩガスと窒素（Ｎｚ）ガスが発生し、陰極からは水素
（Ｈ２）ガスが発生する、いわゆる画電極共にガス発生
反応である。そして陽極から発生するＮＦ、ガスと陰極
から発生するＨ２ガスが混合すると爆発を引き起こす危
険性があり、爆発を引き起こさないように安全対策を行
なう必要がある。
ＦＩガスと窒素（Ｎｚ）ガスが発生し、陰極からは水素
（Ｈ２）ガスが発生する、いわゆる画電極共にガス発生
反応である。そして陽極から発生するＮＦ、ガスと陰極
から発生するＨ２ガスが混合すると爆発を引き起こす危
険性があり、爆発を引き起こさないように安全対策を行
なう必要がある。
従って、この爆発を防止するため電解槽には第１図及び
第２図に示すように、陽極と陰極を隔離するための隔板
が設けられている。
第２図に示すように、陽極と陰極を隔離するための隔板
が設けられている。
また隔板は腐食及び隔板自体が電極化するのを防止する
ため、通常弗素系樹脂を用いるか、あるいは弗素系樹脂
で被覆するのが好ましい。
ため、通常弗素系樹脂を用いるか、あるいは弗素系樹脂
で被覆するのが好ましい。
ここで、陽極はカーボン（Ｃ）またはニッケル（Ｎｉ）
電極が使用可能であるが、よりＣＦ、の少ない高純度ガ
スを得るには陽極にＮｉ電極を使用するのが好ましい。
電極が使用可能であるが、よりＣＦ、の少ない高純度ガ
スを得るには陽極にＮｉ電極を使用するのが好ましい。
しかしながら、該Ｎｉ電極を泪いた際には、Ｎｉがわず
かに溶解する欠点を存する。
かに溶解する欠点を存する。
本発明者等がＮ ｉ電極を用いて長期間使用を行なった
ところ、陰極に溶解したＮｉの一部が析出し、長期間使
用により次第に陰極と隔板間の距離が小さくなって行く
ことがわかった。従って、陰極と隔板間の距離が小さ過
ぎると陰極で発生する１（２ガスが陽極から発生するＮ
ｈガスと混合し、陽極室内で爆発限界内の混合ガスを生
成する危険性がある。
ところ、陰極に溶解したＮｉの一部が析出し、長期間使
用により次第に陰極と隔板間の距離が小さくなって行く
ことがわかった。従って、陰極と隔板間の距離が小さ過
ぎると陰極で発生する１（２ガスが陽極から発生するＮ
ｈガスと混合し、陽極室内で爆発限界内の混合ガスを生
成する危険性がある。
また、Ｎｉ電極より発生するＮＦｉガスの気泡を観察す
ると、多量の細かい気泡が発生している。このため気泡
は電極に沿ってまっすぐには立ち上がらずに、斜め上方
向に拡散しながら発生している。
ると、多量の細かい気泡が発生している。このため気泡
は電極に沿ってまっすぐには立ち上がらずに、斜め上方
向に拡散しながら発生している。
本発明者等が長期間使用を行なったところ、経時的に陽
極が短くなって行き、陽極の電流密度が上昇する。即ち
、Ｎｉ電極の単位面積当りのＮＦＩガス発生量が多くな
るために、このＮＦ、ガス拡散がますます激しくなって
いくのである。ＮＦ３ガス拡散が激しくなるにしたがい
、陽極と隔板間の距離が小さ過ぎると、陽極から発生す
るＮＦ３ガスが陰極で発生する１１□ガスと混合し、前
述と同じように陰極室内で爆発限界内の混合ガスを生成
する危険性がある。
極が短くなって行き、陽極の電流密度が上昇する。即ち
、Ｎｉ電極の単位面積当りのＮＦＩガス発生量が多くな
るために、このＮＦ、ガス拡散がますます激しくなって
いくのである。ＮＦ３ガス拡散が激しくなるにしたがい
、陽極と隔板間の距離が小さ過ぎると、陽極から発生す
るＮＦ３ガスが陰極で発生する１１□ガスと混合し、前
述と同じように陰極室内で爆発限界内の混合ガスを生成
する危険性がある。
以上述べたように溶融塩電解法によるＮＦ３ガスの製造
においては、陽極または陰極の電極と陽極と陰極とを隔
離する隔板の距離が安全上大変重要である。しかし、電
解槽の構造の検討は殆どなされておらず、特に電極と隔
板の距離の具体的構造についての報告例は知られていな
い。
においては、陽極または陰極の電極と陽極と陰極とを隔
離する隔板の距離が安全上大変重要である。しかし、電
解槽の構造の検討は殆どなされておらず、特に電極と隔
板の距離の具体的構造についての報告例は知られていな
い。
本発明者等は上記状況に鑑み溶融塩電解法によるＮＦ＋
製造用電解槽において、陽極または陰極の電極と陽極と
陰極とを隔離する隔板の距離について種々検討を重ねた
結果、その距離を一定の範囲に限定すれば、安全に、か
つ長期にわたってＮＦ３ガスが製造可能であることを見
出し、本発明を完成するに至ったものである。
製造用電解槽において、陽極または陰極の電極と陽極と
陰極とを隔離する隔板の距離について種々検討を重ねた
結果、その距離を一定の範囲に限定すれば、安全に、か
つ長期にわたってＮＦ３ガスが製造可能であることを見
出し、本発明を完成するに至ったものである。
即ち、本発明は溶融塩電解法によるＮＦ、ガス製造用電
解槽において、陽極または陰極と陽極と陰極とを隔離す
る隔板の距離が各々３０〜２００ｍｍであることを特徴
とする電解槽に関するものである。
解槽において、陽極または陰極と陽極と陰極とを隔離す
る隔板の距離が各々３０〜２００ｍｍであることを特徴
とする電解槽に関するものである。
以下、本発明を添付する図面を参照しながら詳細に説明
する。
する。
本発明で最も重要な点は、Ｎｈを安全にかつ長期間にわ
たって製造するための電解槽における陽極または陰極の
電極と陽極と陰極とを隔離する隔板の距離である。
たって製造するための電解槽における陽極または陰極の
電極と陽極と陰極とを隔離する隔板の距離である。
第１図は本発明の実施に好適な、Ｎｈガス製造用電解槽
の一例を示す縦断面図であり、第２図は第１図における
Ａ−Ａ’矢視図を示す。
の一例を示す縦断面図であり、第２図は第１図における
Ａ−Ａ’矢視図を示す。
本発明においては、陽極５または陰極６と隔板１０の距
離は各々３０〜２００ｍｍで、好ましくは３０〜１００
１である。
離は各々３０〜２００ｍｍで、好ましくは３０〜１００
１である。
本発明の電解槽の陽極または陰極の電極と陽極と陰極と
を隔離する隔板の距離は上述の如き構成であるが、陰極
６と隔板１ｏとの距離が３０ｍｍより短くなると、長期
間使用した場合陽極のＮｉ電極の溶解に伴い陰極にこの
溶解したＮｉの一部が析出し、それが突起状に成長して
次第に陰極６と隔板１ｏ間の距離が小さくなって行き、
陰極６で発生するＨ２ガスが隔板１０の下を抜けて陽極
室内に１１□ガスが移動し、陽極５から発生するＮＦ、
ガスと混合して、陽極室内で爆発限界内の混合ガスを生
成するという非常に大きな問題点を生じる。
を隔離する隔板の距離は上述の如き構成であるが、陰極
６と隔板１ｏとの距離が３０ｍｍより短くなると、長期
間使用した場合陽極のＮｉ電極の溶解に伴い陰極にこの
溶解したＮｉの一部が析出し、それが突起状に成長して
次第に陰極６と隔板１ｏ間の距離が小さくなって行き、
陰極６で発生するＨ２ガスが隔板１０の下を抜けて陽極
室内に１１□ガスが移動し、陽極５から発生するＮＦ、
ガスと混合して、陽極室内で爆発限界内の混合ガスを生
成するという非常に大きな問題点を生じる。
また、陰極６と隔板１ｏとの距離が２００ｍｍより長く
なると、それに伴い電解槽の大きさも大きくなり、過剰
な設備となる欠点が生じる。さらにこの電解浴は非常に
吸湿性が強いので、原料調製の段階でどうしても空気中
の水分を吸湿する。従ってＮＦ、の製造に際しては、予
め本電解時の電流密度よりも低い電流を流して行なう脱
水電解が不可欠であり、脱水電解終了後引続いて本電解
に移行する。このことより、電解槽が大きすぎると、こ
の脱水電解の時間が長くなりすぎ効率が悪くなるという
欠点も生じる。
なると、それに伴い電解槽の大きさも大きくなり、過剰
な設備となる欠点が生じる。さらにこの電解浴は非常に
吸湿性が強いので、原料調製の段階でどうしても空気中
の水分を吸湿する。従ってＮＦ、の製造に際しては、予
め本電解時の電流密度よりも低い電流を流して行なう脱
水電解が不可欠であり、脱水電解終了後引続いて本電解
に移行する。このことより、電解槽が大きすぎると、こ
の脱水電解の時間が長くなりすぎ効率が悪くなるという
欠点も生じる。
一方、陽極５と隔板１０との距離が３０ｍｍより短くな
ると、Ｎｉ陽極５より発生するＮＦｉガスの気泡が多量
かつ細かくて斜め上方向に拡散しながら発生しているた
め、長期間使用において陽極のＮｉ電極の溶解に伴い陽
極が短くなる。該陽極が短くなるにしたがって電流密度
が上昇し、単位面積当りのガス発生量が増加するので拡
散がより激しくなり、陽極から発生するＮＦ３ガスが拡
散で陰極で発生する水素ガスと混合し、陰極室内で爆発
限界内の混合ガスを生成するという非常に大きな問題点
を生しる。
ると、Ｎｉ陽極５より発生するＮＦｉガスの気泡が多量
かつ細かくて斜め上方向に拡散しながら発生しているた
め、長期間使用において陽極のＮｉ電極の溶解に伴い陽
極が短くなる。該陽極が短くなるにしたがって電流密度
が上昇し、単位面積当りのガス発生量が増加するので拡
散がより激しくなり、陽極から発生するＮＦ３ガスが拡
散で陰極で発生する水素ガスと混合し、陰極室内で爆発
限界内の混合ガスを生成するという非常に大きな問題点
を生しる。
また、陽極５と隔板１０との距離が２００ｍｍより長く
なると、陰極の場合と同様に、過剰な設備となる欠点と
脱水電解の時間が長くなりすぎ効率が悪くなるという欠
点も生じる。
なると、陰極の場合と同様に、過剰な設備となる欠点と
脱水電解の時間が長くなりすぎ効率が悪くなるという欠
点も生じる。
尚、溶融塩電解法によるＮＦ、ガス製造用電解槽におい
ては、電解槽本体の底板部には通常弗素系用脂の板が敷
樹脂あり、これにより該底板部の腐食を防止しているが
、本発明の電解槽においても、第１図に示すように弗素
系樹脂板２が設けである。更に、電解槽は底板部のみな
らず溶融塩及び電解により発生したガスと接する部分は
、弗素系樹脂で被覆（ライニングまたはコーティング）
することが電解槽の腐食を防止する上で好ましい。
ては、電解槽本体の底板部には通常弗素系用脂の板が敷
樹脂あり、これにより該底板部の腐食を防止しているが
、本発明の電解槽においても、第１図に示すように弗素
系樹脂板２が設けである。更に、電解槽は底板部のみな
らず溶融塩及び電解により発生したガスと接する部分は
、弗素系樹脂で被覆（ライニングまたはコーティング）
することが電解槽の腐食を防止する上で好ましい。
このような弗素系樹脂を例示すると、例えばポリテトラ
フルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、
ポリビニリデンフルオライド、ポリビニルフルオライド
、テトラフルオロエチレンへキサフルオロプロピレン共
重合体、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、
テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニル
エテル共重合体、クロロトリフルオロエチレン−エチレ
ン共重合体等通常公知のものが何れも使用可能であるが
、これらの中でもポリテトラフルオロエチレン及びテト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合体が耐熱性、耐酸性が優れているので、特に
好ましい。
フルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、
ポリビニリデンフルオライド、ポリビニルフルオライド
、テトラフルオロエチレンへキサフルオロプロピレン共
重合体、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、
テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニル
エテル共重合体、クロロトリフルオロエチレン−エチレ
ン共重合体等通常公知のものが何れも使用可能であるが
、これらの中でもポリテトラフルオロエチレン及びテト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合体が耐熱性、耐酸性が優れているので、特に
好ましい。
〔実施例］
実施例Ｉ
ＮＦ、Ｆ −ＨＦ系の溶融塩を用い、（ＨＦ／ＮＦ、Ｆ
モル比＝１．８）これを第１図に示す陽極５または陰極
６と隔板１０の距離が各々４０ｍ５＋である電解槽を使
用して、５０アンペア（Ａ）の電流を流して（陽極平均
電流密度２Ａ／ｄｍ” ）脱水電解を開始した。陽極発
生ガス中の０２ａ度をガスクロマトグラフィーで分析し
たところ、徐々に減少していき１００時間後から２容量
％（以下、単に容量％は％と記す）付近で一定となり脱
水電解が終了したと判断した。
モル比＝１．８）これを第１図に示す陽極５または陰極
６と隔板１０の距離が各々４０ｍ５＋である電解槽を使
用して、５０アンペア（Ａ）の電流を流して（陽極平均
電流密度２Ａ／ｄｍ” ）脱水電解を開始した。陽極発
生ガス中の０２ａ度をガスクロマトグラフィーで分析し
たところ、徐々に減少していき１００時間後から２容量
％（以下、単に容量％は％と記す）付近で一定となり脱
水電解が終了したと判断した。
脱水が完了したと考えられる１００時間後に引続いて本
電解に移行し、電流２５０Ａ （陽極平均電流密度１０
Ａ／ｄａ”）で３力月長期連続電解を行ないながら、陽
極発生ガス中のＨ２及び陰極発生ガス中のＮＦ３濃度を
ガスクロマトグラフィーで分析したところ、各々１％以
下を維持し、もちろん爆発を生ずることなく長期にわた
って安全にＮＦ、を製造することができた。
電解に移行し、電流２５０Ａ （陽極平均電流密度１０
Ａ／ｄａ”）で３力月長期連続電解を行ないながら、陽
極発生ガス中のＨ２及び陰極発生ガス中のＮＦ３濃度を
ガスクロマトグラフィーで分析したところ、各々１％以
下を維持し、もちろん爆発を生ずることなく長期にわた
って安全にＮＦ、を製造することができた。
実施例２〜４
陽極５または陰極６と隔板１０の距離が第１表に示す数
値である以外は、実施例１と同様にして第１表に示す条
件で脱水電解及び本電解を行なった（溶融塩は実施例１
と同一のものを使用した）。
値である以外は、実施例１と同様にして第１表に示す条
件で脱水電解及び本電解を行なった（溶融塩は実施例１
と同一のものを使用した）。
脱水電解が終了したと判断した陽極発生ガスのガスクロ
マトグラフィー分析による０□４度の値が、徐々に減少
して２％付近で一定となった時間は第１表に示す通りで
あり、実施例１と同様に３力月長期連続電解を行ないな
がら、陽極発生ガス中の１（２及び陰極発生ガス中のＮ
Ｆ、ｆｉ度をガスクロマトグラフィーで分析したところ
、各々１％以下を維持し、もちろん爆発を生ずることな
く長期にわたって安全にＮＦｆｆを製造することができ
た。
マトグラフィー分析による０□４度の値が、徐々に減少
して２％付近で一定となった時間は第１表に示す通りで
あり、実施例１と同様に３力月長期連続電解を行ないな
がら、陽極発生ガス中の１（２及び陰極発生ガス中のＮ
Ｆ、ｆｉ度をガスクロマトグラフィーで分析したところ
、各々１％以下を維持し、もちろん爆発を生ずることな
く長期にわたって安全にＮＦｆｆを製造することができ
た。
比較例１〜２
陽極５または陰極６と隔板１０の距離が第２表に示す数
値のもの（本発明で規定する数値を越えるもの）を使用
して、実施例１と同様にして脱水電解及び本電解を行な
った（溶融塩は実施例１と同−のものを使用した）。
値のもの（本発明で規定する数値を越えるもの）を使用
して、実施例１と同様にして脱水電解及び本電解を行な
った（溶融塩は実施例１と同−のものを使用した）。
脱水電解が終了したと判断した陽極発生ガスのガスクロ
マトグラフィー分析による０□４度の値が、徐々に減少
して２％付近で一定となった時間は第１表に示す通りで
ある。引き続き実施例１〜４と同様に３力月長期連続電
解を目脂して本電解を行い、陽極発生ガス中の１１□及
び陰極発生ガス中のＮＦ＋ａ度をガスクロマトグラフィ
ーで分析したところ、第２表に示す様に約１カ月付近で
陽極発生ガス中の１１２及び陰極発生ガス中のＮＦ３′
ａ度が上昇して、爆発限界近くに達し危険を怒じたので
、もはや電解続行は不可能と判断し、直ちに電解を中止
した。
マトグラフィー分析による０□４度の値が、徐々に減少
して２％付近で一定となった時間は第１表に示す通りで
ある。引き続き実施例１〜４と同様に３力月長期連続電
解を目脂して本電解を行い、陽極発生ガス中の１１□及
び陰極発生ガス中のＮＦ＋ａ度をガスクロマトグラフィ
ーで分析したところ、第２表に示す様に約１カ月付近で
陽極発生ガス中の１１２及び陰極発生ガス中のＮＦ３′
ａ度が上昇して、爆発限界近くに達し危険を怒じたので
、もはや電解続行は不可能と判断し、直ちに電解を中止
した。
比較例３〜４
陽極５または陰極６と隔板１０の距離が第３表に示す数
値のもの（本発明で規定する数値を越えるもの）を使用
して、実施例１と同様にして脱水電解及び本電解を行な
った（溶融塩は実施例１と同一のものを使用した）。
値のもの（本発明で規定する数値を越えるもの）を使用
して、実施例１と同様にして脱水電解及び本電解を行な
った（溶融塩は実施例１と同一のものを使用した）。
脱水電解が終了したと判断した陽極発生ガスの第２表
註０陽極発生ガスのガスクロマトグラフィー分析による
０□濃度の値が、徐々に減少して２％付近で一定となっ
た時間。
０□濃度の値が、徐々に減少して２％付近で一定となっ
た時間。
２）本電解に移行して１力月後における陽極発生ガス中
の１１□及び陰極発生ガス中のＮＦｊ ６度のガスクロ
マトグラフィーによる分析イ九 第３表 註Ｉｌ陽瘉発生ガスのガスクロマトグラフィー分析によ
る０２濃度のイ勤（徐々に減少して２％付近で一定とな
った時間。
の１１□及び陰極発生ガス中のＮＦｊ ６度のガスクロ
マトグラフィーによる分析イ九 第３表 註Ｉｌ陽瘉発生ガスのガスクロマトグラフィー分析によ
る０２濃度のイ勤（徐々に減少して２％付近で一定とな
った時間。
ガスクロマトグラフィー分析によるｏＪ度の値が、徐々
に減少して２％付近で一定となった時間は第１表に示す
通りであり、実施例１〜４と比較して非常に長い時間を
有し効率が悪いことがわかった。
に減少して２％付近で一定となった時間は第１表に示す
通りであり、実施例１〜４と比較して非常に長い時間を
有し効率が悪いことがわかった。
以上詳細に説明したように、本発明は溶融塩電解法によ
るＮＦｓ製造用電解槽であって、陽極または陰極と陽極
と陰極とを隔離する隔板の距離を特定することにより、
ＮＦ３ガスを安全かつ長期にわたって製造することを可
能にしたものである。
るＮＦｓ製造用電解槽であって、陽極または陰極と陽極
と陰極とを隔離する隔板の距離を特定することにより、
ＮＦ３ガスを安全かつ長期にわたって製造することを可
能にしたものである。
本発明者等はこの発明により、ＮＦ３製造用電解槽の電
極において、陽極または陰極と陽極と陰極とを隔離する
隔板の距離の最適値を得ることに成功したが、これはＮ
Ｆ３ガスを工業的に安全かつ長期にわたって製造する上
で極めて有意義なことである。
極において、陽極または陰極と陽極と陰極とを隔離する
隔板の距離の最適値を得ることに成功したが、これはＮ
Ｆ３ガスを工業的に安全かつ長期にわたって製造する上
で極めて有意義なことである。
第１図は本発明の実施に好適な、ＮＦ、ガス製造用電解
槽の一例を示す縦断面図であり、第２図は第１図におけ
るＡ−Ａ”矢視図を示す。 図において、 ■−−−−電解槽本体、 ２−一一一弗素系樹脂板、
３−−−一蓋板、 ４−−−、−電解浴、５−
−−一陽極、 ６−−−−陰極、７ａ、７ｂ−
−−一接続捧、 ８ａ、８ｂ−−−一絶縁材、９ａ、
９ｂ−−一接続棒固定用袋ナット、１０−−−一隔板、 １１−−−一隅板固定用蓋板、 １２−−−一陽極発生ガス出口管、 １３−−−一陰極発生ガス出口管、 １４−−−−バッキング、 １５−−−一蓋板用ボルトナソト、 １６−−−−隅板固定用ボルト、 を示す。
槽の一例を示す縦断面図であり、第２図は第１図におけ
るＡ−Ａ”矢視図を示す。 図において、 ■−−−−電解槽本体、 ２−一一一弗素系樹脂板、
３−−−一蓋板、 ４−−−、−電解浴、５−
−−一陽極、 ６−−−−陰極、７ａ、７ｂ−
−−一接続捧、 ８ａ、８ｂ−−−一絶縁材、９ａ、
９ｂ−−一接続棒固定用袋ナット、１０−−−一隔板、 １１−−−一隅板固定用蓋板、 １２−−−一陽極発生ガス出口管、 １３−−−一陰極発生ガス出口管、 １４−−−−バッキング、 １５−−−一蓋板用ボルトナソト、 １６−−−−隅板固定用ボルト、 を示す。
Claims (1)
- １）溶融塩電解法による三弗化窒素ガス製造用電解槽に
おいて、陽極または陰極と陽極と陰極とを隔離する隔板
の距離が各々３０〜２００ｍｍであることを特徴とする
電解槽。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277248A JPH03140488A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 電解槽 |
| DE69018761T DE69018761T2 (de) | 1989-10-26 | 1990-10-10 | Methode zur Herstellung von Stickstofftrifluorid. |
| US07/595,284 US5085752A (en) | 1989-10-26 | 1990-10-10 | Electrolytic cell |
| EP90119385A EP0424727B1 (en) | 1989-10-26 | 1990-10-10 | Method for producing nitrogen trifluoride |
| KR1019900017250A KR930001975B1 (ko) | 1989-10-26 | 1990-10-26 | 전해조 |
| US07/660,743 US5084156A (en) | 1989-10-26 | 1991-02-26 | Electrolytic cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277248A JPH03140488A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 電解槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03140488A true JPH03140488A (ja) | 1991-06-14 |
Family
ID=17580881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277248A Pending JPH03140488A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 電解槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03140488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019004208A1 (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 昭和電工株式会社 | フッ素電解槽陽極取り付け部、フッ素電解槽、及びフッ素ガスの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191792A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 三弗化窒素の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1277248A patent/JPH03140488A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191792A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 三弗化窒素の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019004208A1 (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 昭和電工株式会社 | フッ素電解槽陽極取り付け部、フッ素電解槽、及びフッ素ガスの製造方法 |
| JPWO2019004208A1 (ja) * | 2017-06-30 | 2020-04-30 | 昭和電工株式会社 | フッ素電解槽陽極取り付け部、フッ素電解槽、及びフッ素ガスの製造方法 |
| US11492712B2 (en) | 2017-06-30 | 2022-11-08 | Showa Denko K.K. | Anode mounting member of fluorine electrolytic cell, fluorine electrolytic cell, and method for producing fluorine gas |
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