JPH03137647A - Photomask and pattern forming method - Google Patents
Photomask and pattern forming methodInfo
- Publication number
- JPH03137647A JPH03137647A JP1276674A JP27667489A JPH03137647A JP H03137647 A JPH03137647 A JP H03137647A JP 1276674 A JP1276674 A JP 1276674A JP 27667489 A JP27667489 A JP 27667489A JP H03137647 A JPH03137647 A JP H03137647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- photomask
- substrate
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、段差を有する基板の段差上ｆ；６、及び、下
部に、それぞれ、所望のパターンを形成する陣に使用さ
れるフォトマスクに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a photomask used for forming a desired pattern on the upper and lower parts of a substrate having a step, respectively. .
［従来の技術］
段差を有する基板上に塗布されたレジストヘ、、フォト
マスク上のパターンを投影露光法で転写し、現像処理す
ることにより、レジストパターンを形成し、更に、前記
レジストパターンをマスクに、下地材料をエツチング処
理して、前記基板の段差上部、及び、下部に、それぞれ
、所望のパターンを形成する工程で使用されるフォトマ
スクは、前記エツチング処理時に生じるレジストパター
ン寸法に対する寸法損失量などを考慮して、エツチング
処理後に必要とされる設計寸法を基準に、マスク寸法に
対して補正が加えられるのが一般的である。しかし、従
来のフォトマスクにおいては、前記補正が段差上部と、
下部に位置するパターンとの間に区別がなく、すべて−
様にかけられていた。[Prior Art] A resist pattern is formed by transferring a pattern on a photomask using a projection exposure method to a resist coated on a substrate having steps, and developing the resist pattern, and then applying the resist pattern to a mask. The photomask used in the process of etching the base material to form desired patterns on the upper and lower parts of the step of the substrate, respectively, has a dimensional loss amount with respect to the resist pattern dimension that occurs during the etching process. In consideration of this, corrections are generally made to the mask dimensions based on the design dimensions required after the etching process. However, in the conventional photomask, the correction is performed on the upper part of the step,
There is no distinction between the pattern located at the bottom, and all −
It was being hung up like that.
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、以下なる問題点を有する
。[Problems to be Solved by the Invention] However, the above-mentioned conventional technology has the following problems.
第４図は、Ｑ、５ミクロンの段差を有する基板（４１）
上に、ポジレジスト（４２）を塗布した時の断面図であ
るが、段差下部のレジスト膜厚（４３）に比べ、段差上
部のレジスト膜厚（４４）は薄（なり、段差下部１．２
ミクロンに対し、段差上部は、α８ミクロンである。ま
た、第６図は、第４図と同様に、ａ、５ミクロンの段差
を有する基板上に塗布されたポジレジストヘ、、フォト
マスク上のラインパターンを、縮小投影露光法で転写し
、現像処理することにより、前記段差の上部、及び、下
部に、それぞれ、レジストパターンを形成した時の露光
時間と、レジスト線幅の関係を示す図であり、前記基板
の下地材質は、ポリシリコンである。また、前記ライン
パターンの、エツチング後に必要とされる設計寸法は、
段差上部、下部共に１．０ミクロンであり、マスク寸法
には、エツチング時の寸法損失量を考慮して、０．２ミ
クロンに相当する分だけ一様に加えられる補正がされて
いる。従って、現像後のレジストパターン寸法は、段差
上部、下部共に、１，２ミクロンとなり、更にエツチン
グ後のパターン寸法（ポリシリコンのパターン寸法）は
、設計寸法である１、 ０ ミクロンとならなげればな
らない。しかし、第４図のように段差上部と、下部とで
、レジスト膜厚が異なるために、第３図に示される、露
光時間と、レジスト線幅の関係も、段差上部と、下部と
で太き（異なる。そして、段差下部のレジスト線幅を、
１．２ミクロンにするには、［１２秒間の露光が必要で
あり、この時、段差上部のレジスト線幅は、段差下部に
比べ、レジスト膜厚が薄いために、露光過剰となり、１
．１５ミクロンと、段差下部に比べａ、Ｏ５ミクロン細
なりてしまう。従ったこの状態でエツチング処理を行な
うと、［１２ミクロンの寸法損失があるために、段差下
部では、設計寸法通り１．０ミクロンのパターンが得ら
れるが、段差上部においては、［１９５ミクロンとなり
、設計寸法から外れてしまう。このように、従来のフォ
トマスクでは、段差上部と、下部に、それぞれ、設計寸
法通りのパターンを同時に３１成することができない。Figure 4 shows Q, a substrate (41) with a 5 micron step.
This is a cross-sectional view when a positive resist (42) is applied on the top, and the resist film thickness (44) at the top of the step is thinner than the resist film thickness (43) at the bottom of the step.
In contrast to microns, the upper part of the step is α8 microns. In addition, in FIG. 6, as in FIG. 4, the line pattern on the photomask is transferred to a positive resist coated on a substrate having a step of 5 microns by the reduction projection exposure method, and then developed. This is a diagram showing the relationship between the exposure time and the resist line width when a resist pattern is formed on the upper and lower parts of the step, respectively, and the underlying material of the substrate is polysilicon. Furthermore, the design dimensions required after etching of the line pattern are as follows:
Both the upper and lower steps are 1.0 microns, and the mask dimensions are uniformly corrected by an amount equivalent to 0.2 microns, taking into consideration the amount of dimensional loss during etching. Therefore, the resist pattern dimensions after development will be 1.2 microns for both the top and bottom of the step, and the pattern dimensions after etching (polysilicon pattern dimensions) will be the designed dimensions of 1.0 microns. It won't happen. However, since the resist film thickness differs between the upper and lower parts of the step as shown in Fig. 4, the relationship between the exposure time and the resist line width shown in Fig. 3 is also thicker at the upper and lower parts of the step. (different. Then, change the resist line width at the bottom of the step,
To make it 1.2 microns, exposure for 12 seconds is required, and at this time, the resist line width at the top of the step is thinner than that at the bottom of the step, resulting in overexposure.
．． It is 15 microns, which is a and O5 microns thinner than the bottom of the step. Therefore, when etching is performed in this state, a pattern of 1.0 microns is obtained at the bottom of the step as designed due to a dimensional loss of 12 microns, but a pattern of 195 microns is obtained at the top of the step. It deviates from the design dimensions. As described above, with the conventional photomask, it is not possible to simultaneously form 31 patterns according to the designed dimensions on the upper and lower portions of the step.
これは、半導体装置製造などの、微細加工が要求される
分野においては、製品の品質や歩留りを左右する重要な
日雇である。そこで、本発明はこのような問屋を解決す
るもので、その目的とするところは、段差上部、及び、
下部に、それぞれ、設計寸法通りのパターンを同時に形
成することができるフォトマスク、及び、パターン形成
方法を提供するところにある。This is an important daily labor that affects the quality and yield of products in fields that require microfabrication, such as semiconductor device manufacturing. Therefore, the present invention is intended to solve this problem for wholesalers, and its purpose is to remove the upper part of the step and
The object of the present invention is to provide a photomask and a pattern forming method that can simultaneously form a pattern according to the designed dimensions on the lower part thereof.
［課題を解決するための手段］
（１） 本発明のフォトマスクは、段差を有する基板上
に塗布されたレジストヘ、、フォトマスク上のパターン
を投影露光法で転写し、現像処理することにより、レジ
ストパターンを形成し、更に前記レジストパターンをマ
スクに、下地材料をエツチング処理して、前記基板の段
差上部、及び、下部に、それぞれ、所望のパターンを形
成する工程で使用されるフォトマスクにおいて、前記エ
ツチング処理後の設計寸法に対して加えられるマスク寸
法への補正量が、前記段差上部と、下部とで異なること
を特徴とする。[Means for Solving the Problems] (1) The photomask of the present invention transfers the pattern on the photomask to a resist coated on a substrate having steps by a projection exposure method, and then develops the photomask. A photomask used in the step of forming a resist pattern and etching a base material using the resist pattern as a mask to form desired patterns on the top and bottom of the steps of the substrate, respectively, The method is characterized in that the amount of correction to the mask dimension added to the design dimension after the etching process is different between the upper part and the lower part of the step.
（２） 本発明のパターン形成方法は、段差を有する基
板上に塗布されたレジストヘ、、フォトマスク上のパタ
ーンを投影露光法で転写し、現像処理することにより、
レジストパターンを３Ｖ成し、更に、前記レジストパタ
ーンをマスクに、下地材料をエツチング処理して、前記
基板の段差上部、及び、下部に、それぞれ、所望のパタ
ーンを形成する際に、前述の第１項記載のフォトマスク
を使用することを特徴とする。(2) The pattern forming method of the present invention involves transferring a pattern on a photomask using a projection exposure method to a resist coated on a substrate having steps, and then developing the pattern.
A resist pattern of 3V is formed, and the underlying material is etched using the resist pattern as a mask to form desired patterns at the top and bottom of the steps of the substrate, respectively. It is characterized by using the photomask described in Section 1.
［実施例コ
嬉１図は、０．５ミクロンの段差を有する基板上に塗布
されたポジレジストヘ、、フォトマスク上のラインパタ
ーンを、縮小投影露光法で転写し、現像処理することに
より、前記段差の上部、及び、下部に、それぞれ、レジ
ストパターンを形成した時の、露光時間と、レジスト線
幅の関係を示す図であり、前記基板の下地材質はポリシ
リコンである。また、レジスト塗布条件等の諸条件は、
第３図の場合と同様である。しかし、前記ラインパター
ンの、エツチング後に必要とされる設計寸法は、段差上
部、下部共に１．０ミクロンであり、マスク寸法に対し
ては、エツチング時の寸法損失量を考慮して、段差下部
に位置するパターンには、０．２ミクロンに相当する分
だけ加える補正をしたが、段差上部に位置するパターン
については、従来技術の問題点として、先に述べ、た段
差上部と、下部とのレジスト膜厚の相異から生じる寸法
差０．０５ミクロンを加えて、結果的にα２５ミクロン
に相当する分を加える補正をした。このように、本実施
例では、マスク寸法に対する補正量が、段差上部と、下
部とで異なるフォトマスクを使用した。[Example 1] Figure 1 shows that the line pattern on a photomask is transferred to a positive resist coated on a substrate having a step of 0.5 microns by a reduction projection exposure method, and the step is removed by development. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between exposure time and resist line width when resist patterns are formed on the upper and lower parts of the substrate, respectively, and the base material of the substrate is polysilicon. In addition, various conditions such as resist coating conditions are as follows.
This is the same as the case in FIG. However, the design dimensions of the line pattern required after etching are 1.0 microns for both the upper and lower parts of the step, and the mask dimensions are determined by considering the amount of dimensional loss during etching. The pattern located above was corrected by an amount equivalent to 0.2 microns, but for the pattern located above the step, the problem with the conventional technology was that the resist between the top and bottom of the step was A correction was made by adding a dimensional difference of 0.05 microns resulting from the difference in film thickness, resulting in an addition of an amount corresponding to α25 microns. In this way, in this example, a photomask was used in which the amount of correction for the mask dimensions was different between the upper and lower parts of the step.
第１図によると、段差下部のレジスト線幅を１．２ミク
ロンにする露光時間（Ｌ２秒の時に、前述の段差上部と
、下部との寸法差０．０５ミクロン分を、あらかじめ、
マスク寸法に補正しであるために、段差上部のレジスト
線幅も、同じ（１，２ミクロンにすることができる。従
りて、この状態でエツチング処理すれば、段差上部、下
部共に、設計寸法通り１．０ミクロンのラインパターン
（ポリシリコンパターン）を得ることができる。According to FIG. 1, when the exposure time (L2 seconds) makes the resist line width at the bottom of the step 1.2 microns, the dimensional difference of 0.05 microns between the above-mentioned top and bottom of the step is set in advance.
Since the mask dimensions are corrected, the resist line width at the top of the step can also be the same (1 or 2 microns). Therefore, if etching is performed in this state, both the top and bottom of the step will match the design dimensions. A line pattern (polysilicon pattern) of 1.0 micron can be obtained.
次に、第２図は、０．５ミクロンの段差を有する基板上
に塗布されたポジレジストヘ、、マスク上のホールパタ
ーンを、縮小投影露光法で転写し、現像処理することに
より、前記段差の上部、及び、下部に、それぞれ、レジ
ストパターンを形成した時の、露光時間と、レジストパ
ターンのホール寸法（直径）の関係を示す図であり、前
記基板の下地材質は二酸化シリコンである。ここで、エ
ツチング後の設計寸法は、段差上部、下部共に１．０ミ
クロンであり、マスク寸法については、エツチング時の
寸法損失量が無視できる量であることからエツチングに
関しては無補正としたが、段差上部と、下部での寸法差
を考慮し、前述のラインパターンの場合と同様な原理に
基づいて、段差上部のホールパターンに対してのみ、−
［１０７ミクロン分の補正を行なった。第２図によると
、段差下部ノホールパターンを−０ミクロンにする露光
量０．２５秒の時に、段差上部と、下部のレジス）Ｍ厚
の相異から生ずる寸法差０．０７ミクロン分が、すでに
、マスク寸法に補正されているために、段差上部におい
ても、同じ（１，０ミクロンのホールパターンを形成す
ることができる。Next, in FIG. 2, the hole pattern on the mask is transferred to a positive resist coated on a substrate having a step of 0.5 microns by a reduction projection exposure method, and the upper part of the step is processed by development. FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the exposure time and the hole size (diameter) of the resist pattern when a resist pattern is formed on and below, respectively, and the base material of the substrate is silicon dioxide. Here, the design dimensions after etching are 1.0 microns for both the top and bottom of the step, and the mask dimensions are not corrected because the dimensional loss during etching is negligible. Considering the dimensional difference between the top and bottom of the step, and based on the same principle as the line pattern described above, - only for the hole pattern at the top of the step.
[Correction was made by 107 microns. According to Fig. 2, when the exposure amount is 0.25 seconds to make the hole pattern at the bottom of the step -0 micron, the dimensional difference of 0.07 micron resulting from the difference in the thickness of the resist (M) at the top and bottom of the step is: Since the mask dimensions have already been corrected, the same hole pattern (1.0 microns) can be formed above the step.
このように、マスク寸法に対して、段差上部と、下部と
で、それぞれ異なる補正をすることにより、ラインパタ
ーンに限らず、ホールパターンにおいても、前記段差上
部、及び、下部に、それぞれ、設計寸法通りのパターン
を同時に形成することができる。また、補正を加える時
の基準は、前述の場合、段差下部であったが、段差上部
を基準にしても問題はない。In this way, by making different corrections to the mask dimensions at the top and bottom of the step, design dimensions can be adjusted at the top and bottom of the step, respectively, not only for line patterns but also for hole patterns. Street patterns can be formed simultaneously. Further, in the above case, the reference when applying the correction was the lower part of the step, but there is no problem even if the upper part of the step is used as the reference.
以上、本発明の一実施例を述べたが、これ以外に、
Ｏ縮小投影露光法に限らず、１：１投影露光法に適用す
る。Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is applicable not only to the O reduction projection exposure method but also to the 1:1 projection exposure method.
０ポジレジストに限らず、ネガレジストを使用する。Use a negative resist instead of a 0-positive resist.
Ｏラインパターン、ホールパターンに限らず他ノスべて
のパターンに適用する。This applies not only to O-line patterns and hole patterns, but also to all other patterns.
Ｏ不実施例以外の設計寸法のパターンに適用する。OApplicable to patterns with design dimensions other than non-embodiment examples.
Ｏ段差上部と、下部とで、設計寸法が異なるパターンに
適用する。OApplicable to patterns with different design dimensions at the top and bottom of the step.
Ｏ段差上部と、下部とで、パターンの種類が異なる場合
に適用する。OApplicable when the type of pattern is different between the upper part and the lower part of the step.
などの場合についても、本発明の原理に基づいて、段差
上部と、下部のパターンに対して、それぞれ、異なるマ
スク寸法の補正がされたフォトマスクを使用することに
より、本実施例と同様な効果が得られる。In such cases, the same effect as in this embodiment can be achieved by using photomasks with different mask dimensions corrected for the patterns at the top and bottom of the step, respectively, based on the principle of the present invention. is obtained.
［発明の効果コ
以上述べたように、本発明によれば、
（１） 段差を有する基板上に塗布されたレジストヘ、
、フォトマスク上のパターンを投影露光法で転写し、現
像処理することにより、レジストパターンを彫成し、更
に、前記レジストパターンをマスクに、下地材料をエツ
チング処理して、前記基板の段差上部、及び、下部に、
それぞれ、所望のパターンをＪし成する工程で使用され
るフォトマスクにおいて、前記エツチング処理後の設計
寸法に対して加えられる、マスク寸法への補正址が、前
記段差上部と、下部とで異なる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, (1) a resist coated on a substrate having a step,
, a resist pattern is carved by transferring the pattern on the photomask by a projection exposure method and developing it, and then etching the base material using the resist pattern as a mask to form the upper part of the step of the substrate. And at the bottom,
In each of the photomasks used in the step of forming a desired pattern, the correction amount added to the mask dimensions to the design dimensions after the etching process is different between the upper and lower parts of the step.
（２） 段差を有する基板上に塗布されたレジストヘ、
、フォトマスク上のパターンを投影露光法で転写し、現
像処理することにより、レジストパターンを形成し、更
に、前記レジストパターンをマスクに、下地材料をエツ
チング処理して、前記基板の段差上部、及び、下部に、
それぞれ、所望のパターンを形成する除に、前述の第１
項記載のフォトマスクを使用スル。(2) To the resist coated on the substrate with steps,
, a resist pattern is formed by transferring the pattern on the photomask by a projection exposure method and developing it, and further, using the resist pattern as a mask, etching the base material to form the upper part of the step of the substrate, and , at the bottom,
In addition to forming the desired pattern, the first
Use the photomask described in section.
ことにより、段差上部、及び、下部に、それぞれ、設計
寸法通りのパターンを同時に形成できるという効果を有
し、更に、本発明は、フォトマスクのマ“スフ寸法に補
正を加えるだけで、パターン形成時の工程数が増えない
ことから、製造効率的にも優れた効果を有するものであ
る。As a result, it is possible to simultaneously form a pattern according to the designed dimensions on the upper and lower parts of the step.Furthermore, the present invention enables pattern formation by simply correcting the mask dimensions of the photomask. Since the number of process steps does not increase, it has an excellent effect in terms of manufacturing efficiency.
嬉１図は、本発明のフォトマスクを使用して、段差を有
する基板の段差上部、及び、下部に、それぞれ、ライン
パターンを形成した時の露光時間と、レジスト線幅との
関係を示した図である。
第２図は、本発明のフォトマスクを使用して、段差を有
する基板の段差上部、及び、下部に、それぞれ、ホール
パターンを形成した時の露光時間と、レジストパターン
のホール寸法（直径）との関係を示した図である。
第３図は、従来のフォトマスクを使用して、段差を有す
る基板の段差上部、及び、下部に、それぞれ、ラインパ
ターンを形成した時の、露光時間と、レジスト線幅との
関係を示した図である。
第４図は、０．５ミクロンの段差を有する基板上へ、ポ
ジレジストを塗布した時の断面図である。
４１・・・・・・・・・基 板
４２・・・・・・・・・ポジレジスト
４３・・・・・・・・・段差下部のレジス）ｌｄ厚４４
・・・・・・・・・段差上部のレジス）［厚”６１１図
以上Figure 1 shows the relationship between the exposure time and the resist line width when line patterns were formed at the top and bottom of the step of a substrate with steps using the photomask of the present invention, respectively. It is a diagram. Figure 2 shows the exposure time and hole dimensions (diameter) of the resist pattern when hole patterns are formed at the top and bottom of the step of a substrate having a step using the photomask of the present invention, respectively. FIG. Figure 3 shows the relationship between exposure time and resist line width when a conventional photomask is used to form a line pattern at the top and bottom of a step on a substrate with steps. It is a diagram. FIG. 4 is a cross-sectional view when a positive resist is applied onto a substrate having a step difference of 0.5 microns. 41...Substrate 42...Positive resist 43...Register at the bottom of the step) ld thickness 44
・・・・・・Register at the top of the step) [Thickness”611 figure or more
Claims (2)
ォトマスク上のパターンを投影露光法で転写し、現像処
理することにより、レジストパターンを形成し、更に、
前記レジストパターンをマスクに、下地材料をエッチン
グ処理して、前記基板の段差上部、及び、下部に、それ
ぞれ、所望のパターンを形成する工程で使用されるフォ
トマスクにおいて、前記エッチング処理後の設計寸法に
対して加えられる、マスク寸法への補正量が、前記段差
上部と、下部とで異なることを特徴とするフォトマスク
。(1) A resist pattern is formed by transferring a pattern on a photomask using a projection exposure method to a resist coated on a substrate having steps, and developing the resist.
In a photomask used in the step of etching a base material using the resist pattern as a mask to form desired patterns at the top and bottom of the steps of the substrate, the design dimensions after the etching process are determined. A photomask characterized in that the amount of correction applied to the mask dimension is different between the upper part and the lower part of the step.
ォトマスク上のパターンを投影露光法で転写し、現像処
理することにより、レジストパターンを形成し、更に、
前記レジストパターンをマスクに、下地材料をエッチン
グ処理して、前記基板の段差上部、及び、下部に、それ
ぞれ、所望のパターンを形成する際に、請求項１記載の
フォトマスクを使用することを特徴とするパターン形成
方法。(2) A resist pattern is formed by transferring the pattern on the photomask using a projection exposure method to a resist coated on a substrate having steps, and developing the resist.
The photomask according to claim 1 is used when etching a base material using the resist pattern as a mask to form desired patterns at the top and bottom of the steps of the substrate, respectively. A pattern forming method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276674A JPH03137647A (en) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | Photomask and pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276674A JPH03137647A (en) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | Photomask and pattern forming method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03137647A true JPH03137647A (en) | 1991-06-12 |
Family
ID=17572737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1276674A Pending JPH03137647A (en) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | Photomask and pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03137647A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5918148A (en) * | 1996-09-30 | 1999-06-29 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP1276674A patent/JPH03137647A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5918148A (en) * | 1996-09-30 | 1999-06-29 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR100268326B1 (en) * | 1996-09-30 | 2000-10-16 | 가네꼬 히사시 | Method of fabricating simiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3317320A (en) | Duo resist process | |
| JP2723476B2 (en) | Method for manufacturing phase inversion mask | |
| JPH03137647A (en) | Photomask and pattern forming method | |
| US6638664B2 (en) | Optical mask correction method | |
| JPH02228022A (en) | Hole-pattern forming method | |
| JP2659550B2 (en) | Pattern formation method | |
| JPH03137645A (en) | Photomask and pattern forming method | |
| JPH0677106A (en) | Method for forming photoresist pattern | |
| JPS6347924A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0473608B2 (en) | ||
| JPS61121436A (en) | Method for developing resist | |
| JPH06177068A (en) | Pattern formation method and manufacture of semiconductor device | |
| JPH0637012A (en) | Formation of pattern by wafer edge exposure | |
| JPS6236823A (en) | Resist pattern formation | |
| JPS60106132A (en) | Formation of pattern | |
| JPH0336549A (en) | Photomask and formation of pattern | |
| KR970013064A (en) | Micro pattern formation method of semiconductor device | |
| JPH02260520A (en) | Formation of hole pattern | |
| JPS63131143A (en) | Photomask | |
| JPS59138334A (en) | Fabrication of minute pattern | |
| JPS5854631A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS63257228A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS61115325A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH05205990A (en) | Pattern forming method | |
| JPH02226724A (en) | Manufacture of integrated circuit device |