JPH03137059A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体の製造方法Info
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- JPH03137059A JPH03137059A JP1275028A JP27502889A JPH03137059A JP H03137059 A JPH03137059 A JP H03137059A JP 1275028 A JP1275028 A JP 1275028A JP 27502889 A JP27502889 A JP 27502889A JP H03137059 A JPH03137059 A JP H03137059A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体装用基板などに用いる窒化アルミニウム
焼結体の製造方法に関するものである。
焼結体の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
近年、半導体素子の高集積化、高機能化が進み従来のア
ルミナ(uzoa)ではSiチップの発熱量の増大、チ
ップサイズの大型化による熱膨張のミスマツチの問題へ
の対応が難しく、新しい高熱伝導性絶縁材料利用が求め
られている。
ルミナ(uzoa)ではSiチップの発熱量の増大、チ
ップサイズの大型化による熱膨張のミスマツチの問題へ
の対応が難しく、新しい高熱伝導性絶縁材料利用が求め
られている。
窒化アルミニウム(AIN )は高熱伝導性の他に熱膨
張率がSiチップに近く、又高電気絶縁性などの優れた
材料特性を有するため、半導体装用基板材料として特に
注目を集めている。
張率がSiチップに近く、又高電気絶縁性などの優れた
材料特性を有するため、半導体装用基板材料として特に
注目を集めている。
しかしながらAINはその難焼結性の為に焼結助剤を必
要とし、さらに窒素含有非酸化性雰囲気中、1800℃
以上にしないと、充分に緻密で、熱伝導率の高い焼結体
は得られない。その為に焼結容器に使用する材料も限定
され、一般には黒鉛(カーボン)が用いられるが、非酸
化性雰囲気中1800℃以上の条件ではごくわずかでは
あるがカーボン蒸気が発生し、このカーボンがAIN焼
結体中に固溶し、緻密化を阻害したり、絶縁抵抗が劣化
したりする。そこで、黒鉛容器を用いる場合には、AI
N成型体をAIN、Y、03. BN等の種々のセラミ
ック粉末で包埋し、前記のカーボンの拡散を防ぐことが
行なわれるが、この場合でも、AIN焼結体表面に付着
した上記包埋粉を除去するのに多大の労力がかかったり
、AIN焼結体が割れたりするという欠点があった。ま
た、黒鉛容器の内面に、AIN又はBN等をコーティン
グすることもあるが、この場合は黒鉛とAIN又はBN
との熱膨張係数が異なるため、使用しているうちにコー
ティングした層が剥離するため、その都度コーティング
し直さなければならず、多大な労力が必要であった。
要とし、さらに窒素含有非酸化性雰囲気中、1800℃
以上にしないと、充分に緻密で、熱伝導率の高い焼結体
は得られない。その為に焼結容器に使用する材料も限定
され、一般には黒鉛(カーボン)が用いられるが、非酸
化性雰囲気中1800℃以上の条件ではごくわずかでは
あるがカーボン蒸気が発生し、このカーボンがAIN焼
結体中に固溶し、緻密化を阻害したり、絶縁抵抗が劣化
したりする。そこで、黒鉛容器を用いる場合には、AI
N成型体をAIN、Y、03. BN等の種々のセラミ
ック粉末で包埋し、前記のカーボンの拡散を防ぐことが
行なわれるが、この場合でも、AIN焼結体表面に付着
した上記包埋粉を除去するのに多大の労力がかかったり
、AIN焼結体が割れたりするという欠点があった。ま
た、黒鉛容器の内面に、AIN又はBN等をコーティン
グすることもあるが、この場合は黒鉛とAIN又はBN
との熱膨張係数が異なるため、使用しているうちにコー
ティングした層が剥離するため、その都度コーティング
し直さなければならず、多大な労力が必要であった。
焼結容器としてはこの他にAIN製のものが使われる。
この場合は、充分に緻密で熱伝導率の高いAIN焼結体
が得られるが、使用回数が増すにつれてAIN容器に反
りが生じ、ひいてはクラックや割れが生じるという欠点
があった。
が得られるが、使用回数が増すにつれてAIN容器に反
りが生じ、ひいてはクラックや割れが生じるという欠点
があった。
その他に焼結容器としては、特開昭62−70269号
公報に開示されているように、窒化ホウ素のホットプレ
ス成形体(単味もしくは成形用バインダーを含む)のイ
ンゴットを容器に加工したものも用いられるが、この場
合、窒化ホウ素容器の純度は、99%程度が限界であり
、BJs 。
公報に開示されているように、窒化ホウ素のホットプレ
ス成形体(単味もしくは成形用バインダーを含む)のイ
ンゴットを容器に加工したものも用いられるが、この場
合、窒化ホウ素容器の純度は、99%程度が限界であり
、BJs 。
CaO、A12bi 、SiO□等の不純物を含有して
いるため、これらが焼成工程で飛散し、AIN焼結体の
表面に付着するため、この付着物を除去するのに多大の
労力が必要であった。また、強度が弱いために必然的に
肉厚にしなければならず、AIN焼結体の焼成効率が低
下するという欠点も有していた。
いるため、これらが焼成工程で飛散し、AIN焼結体の
表面に付着するため、この付着物を除去するのに多大の
労力が必要であった。また、強度が弱いために必然的に
肉厚にしなければならず、AIN焼結体の焼成効率が低
下するという欠点も有していた。
一方、PBN (パイロリイティツク窒化ホウ素)容器
は高純度(99,999%以上が可能)で、耐熱性、耐
熱衝撃性、高温強度に優れ、金属や化合物の融液と反応
しないなどの特徴を有するが、製造しにくく、高価格で
あるため、IIT−V族半導体の引き上げ用るつぼや一
般の融解用あるいは分子線エピタキシャル用のるつぼな
どの用途が一般的であり、AIN焼結体の焼結容器とし
て用いられたことはなかった。
は高純度(99,999%以上が可能)で、耐熱性、耐
熱衝撃性、高温強度に優れ、金属や化合物の融液と反応
しないなどの特徴を有するが、製造しにくく、高価格で
あるため、IIT−V族半導体の引き上げ用るつぼや一
般の融解用あるいは分子線エピタキシャル用のるつぼな
どの用途が一般的であり、AIN焼結体の焼結容器とし
て用いられたことはなかった。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明は、AIN焼結体の製造に関連した従来技術が有
していた前述の欠点を解決するべ(、AIN焼結体製造
用の焼結容器に関して検討した結果、PBN製容器を焼
結容器として用いることにより、前述の欠点の無い従来
知られていなかった窒化アルミニウム焼結体の製造方法
を提供するものである。
していた前述の欠点を解決するべ(、AIN焼結体製造
用の焼結容器に関して検討した結果、PBN製容器を焼
結容器として用いることにより、前述の欠点の無い従来
知られていなかった窒化アルミニウム焼結体の製造方法
を提供するものである。
[課題を解決するための手段]
本発明は、前述の課題を解決すべくなされたものであり
、窒化アルミニウム成形体を非酸化性雰囲気中で焼結す
る際に、焼成容器の全部又は一部がPBN製である容器
に収容して焼結する窒化アルミニウム焼結体の製造方法
を提供するものである。
、窒化アルミニウム成形体を非酸化性雰囲気中で焼結す
る際に、焼成容器の全部又は一部がPBN製である容器
に収容して焼結する窒化アルミニウム焼結体の製造方法
を提供するものである。
以下本発明について詳細に説明する。
まず、原料となるAIN粉末に焼結助剤を添加してボー
ルミル等により充分に混合する。AIN粉末としては不
純物酸素量が3重量%以下、好ましくは1.5重量%以
下であることが望ましい。その粒度は平均粒径が10μ
m以下、好ましくは3μm以下が望ましい。焼結助剤は
緻密な焼結体を得る為のものであり、Yaks 、Ca
Oなどが好ましいが、緻密化を促進するものであればこ
れに限定されるものではない。焼結助剤の添加量につい
ては多すぎるとAIN以外の結晶相が増加し、熱伝導率
が低下するので好ましくは10重量%以下、特に好まし
くは5重量%以下である。なお、これらの他にAIN焼
結体の熱伝導率を高めるためにカーボン等の還元剤を添
加しても何ら差しつかえない。
ルミル等により充分に混合する。AIN粉末としては不
純物酸素量が3重量%以下、好ましくは1.5重量%以
下であることが望ましい。その粒度は平均粒径が10μ
m以下、好ましくは3μm以下が望ましい。焼結助剤は
緻密な焼結体を得る為のものであり、Yaks 、Ca
Oなどが好ましいが、緻密化を促進するものであればこ
れに限定されるものではない。焼結助剤の添加量につい
ては多すぎるとAIN以外の結晶相が増加し、熱伝導率
が低下するので好ましくは10重量%以下、特に好まし
くは5重量%以下である。なお、これらの他にAIN焼
結体の熱伝導率を高めるためにカーボン等の還元剤を添
加しても何ら差しつかえない。
次に、これらの混合粉末に有機バインダー等を加えて、
プレス成型法又はドクターブレード法等により成型し、
AIN成形体を作製する。
プレス成型法又はドクターブレード法等により成型し、
AIN成形体を作製する。
次いで該ALN成形体を空気中等の酸化性雰囲気中で加
熱して有機バインダー等の有機物の除去(脱脂)を行な
う。
熱して有機バインダー等の有機物の除去(脱脂)を行な
う。
最後に、脱脂したAIN成型体を密閉可能なPBN製容
器に収容し、窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中、170
0〜1900℃において焼結することによりAIN焼結
体が得られる。
器に収容し、窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中、170
0〜1900℃において焼結することによりAIN焼結
体が得られる。
上記PBN製容器は、CVD、真空蒸着、スパッタ、イ
オンブレーティング等を使用して製造できるが、製膜速
度を鑑みるとCVD法を使用することが適当であり、例
えば、B2116とNH。
オンブレーティング等を使用して製造できるが、製膜速
度を鑑みるとCVD法を使用することが適当であり、例
えば、B2116とNH。
又はB(OCH$)とNHi又はBCIsとNH,など
を原料に用い、高温(1800℃以上)、減圧(10T
orr以下)の条件で、黒鉛製の鋳型上に熱化学沈着法
(熱CVD法)により製造される。また該PBN製容器
のBNの純度は、99.99%以上ならば適当であり、
99.995%が望ましい範囲であり、99、999%
以上が特に望ましい範囲である。
を原料に用い、高温(1800℃以上)、減圧(10T
orr以下)の条件で、黒鉛製の鋳型上に熱化学沈着法
(熱CVD法)により製造される。また該PBN製容器
のBNの純度は、99.99%以上ならば適当であり、
99.995%が望ましい範囲であり、99、999%
以上が特に望ましい範囲である。
尚、本願発明のAIN焼結体の製造方法において上記P
BN製容器は、容器全体の材質をPBNにすることが望
ましいが、該容器の上蓋、底板等にカーボン、 AIN
、BN等の他の材質を使用してもよい。
BN製容器は、容器全体の材質をPBNにすることが望
ましいが、該容器の上蓋、底板等にカーボン、 AIN
、BN等の他の材質を使用してもよい。
[実施例]
(実施例1)
酸素含有量1.4重量%、平均粒径1.5μmのAIN
粉末97重量%と焼結助剤としてY2O,粉末3重量%
との混合粉末に、溶剤4分散剤、有機バインダー、可塑
剤等を加え、ボールミルにて混合し、スラリー状にした
ものをドクターブレード法により成型し、厚さ1.2
mmのAINグリーンシートを作製した。なお、溶剤は
トルエンとエチルアルコール、有機バインダーはアクリ
ル樹脂、可塑剤はジブチルフタレートを用いた。
粉末97重量%と焼結助剤としてY2O,粉末3重量%
との混合粉末に、溶剤4分散剤、有機バインダー、可塑
剤等を加え、ボールミルにて混合し、スラリー状にした
ものをドクターブレード法により成型し、厚さ1.2
mmのAINグリーンシートを作製した。なお、溶剤は
トルエンとエチルアルコール、有機バインダーはアクリ
ル樹脂、可塑剤はジブチルフタレートを用いた。
次いで、このAINグリーンシートを50mm口に切断
し、AIN成型体を作製した。次にこのAIN成型体を
空気中400℃で1時間加熱することにより脱脂を行な
った。
し、AIN成型体を作製した。次にこのAIN成型体を
空気中400℃で1時間加熱することにより脱脂を行な
った。
最後に、こお脱脂したAIN成型体をPBN製容器(純
度99.996%)(内寸55 mm口、高さ5mm、
肉厚I non 、重さ49.52 g)に収容し、密
閉状態としたものを、抵抗加熱式の電気炉内にセットし
、窒素含有非酸化性雰囲気中1850℃で3時間常圧焼
結することにより、AIN焼結体を得た。
度99.996%)(内寸55 mm口、高さ5mm、
肉厚I non 、重さ49.52 g)に収容し、密
閉状態としたものを、抵抗加熱式の電気炉内にセットし
、窒素含有非酸化性雰囲気中1850℃で3時間常圧焼
結することにより、AIN焼結体を得た。
得られたAIN焼結体は透光性を有する均一な乳白色で
割れや容器との付着はなく、また、表面への異物の付着
も認められなかった。そこで、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗を測定した結果を次に示す。なお、熱伝導率はそ
のままの形状でレーザーフラッシュ法により測定した。
割れや容器との付着はなく、また、表面への異物の付着
も認められなかった。そこで、相対密度、熱伝導率、絶
縁抵抗を測定した結果を次に示す。なお、熱伝導率はそ
のままの形状でレーザーフラッシュ法により測定した。
相対密度 99.5%
熱伝導率 150W/m−に
絶縁抵抗 1.OXl01SΩ” Cm一方、PBN製
容器は、焼成前後の重量変化は全く無く、再使用可能な
状態であった。
容器は、焼成前後の重量変化は全く無く、再使用可能な
状態であった。
(比較例1)
焼成容器をPBN容器の代わりに窒化ホウ素のホットプ
レス成型体(成型バインダー無し、純度:99.0%)
から加工した容器(内寸55 mm口、高さ5 mm
、肉厚5 mm 、総重量238.50g)とする以外
は実施例1と全く同様の方法でAIN焼結体を作製した
。得られたAIN焼結体は割れや容器との付着はなかっ
たが、表面に白色の物質が付着しており、透光性を示さ
なかった。
レス成型体(成型バインダー無し、純度:99.0%)
から加工した容器(内寸55 mm口、高さ5 mm
、肉厚5 mm 、総重量238.50g)とする以外
は実施例1と全く同様の方法でAIN焼結体を作製した
。得られたAIN焼結体は割れや容器との付着はなかっ
たが、表面に白色の物質が付着しており、透光性を示さ
なかった。
この焼結体の特性は以下の様であり、実施例1と比較す
ると、熱伝導率が低くなっていた。
ると、熱伝導率が低くなっていた。
相対密度 99.0%
熱伝導率 110W/m−に
絶縁抵抗 1.OXIO”Ω・Cm
一方、焼結容器の内面にも白色の付着物が認められ、重
量は236.12 gとなり約1.0%減少していた。
量は236.12 gとなり約1.0%減少していた。
以上のことから、AIN焼結体表面の白色の付着物は焼
結容器である窒化ホウ素の上記容器のホットプレス成型
体中に含まれているBias 。
結容器である窒化ホウ素の上記容器のホットプレス成型
体中に含まれているBias 。
CaO、Altam等であり、この白色の付着物のため
にAIN焼結体の熱伝導率が低下したと考えられる。
にAIN焼結体の熱伝導率が低下したと考えられる。
(比較例2)
焼結容器をPBN製容器の代わりに、カーボン族(内寸
55 mm口、高さ5 mm、肉厚5 mm、総重量2
18.60 g )とする以外は、実施例1と全く同様
の方法でAIN焼結体を作製した。
55 mm口、高さ5 mm、肉厚5 mm、総重量2
18.60 g )とする以外は、実施例1と全く同様
の方法でAIN焼結体を作製した。
このとき、カーボン族の焼結容器は、使用前と何ら変化
・は無く再使用可能な状態であったが、AIN焼結体は
暗赤色で透光性は示さず、緻密な焼結体は得られなかっ
た。
・は無く再使用可能な状態であったが、AIN焼結体は
暗赤色で透光性は示さず、緻密な焼結体は得られなかっ
た。
以下に、このAIN焼結体の特性を記すが、実施例1と
比較すると、相対密度、熱伝導率、絶線抵抗のすべてが
低い値であった。
比較すると、相対密度、熱伝導率、絶線抵抗のすべてが
低い値であった。
相対密度 93.0%
熱伝導率 110 W / m−に
絶縁抵抗 3.OXIO”Ω−Call[効果]
本発明の製造方法は、AINを主成分とする成型体の焼
結容器としてPBN製容器が最適であることを見い出し
たものである。これは、PBN製容器が高純度(99,
99%以上)であるためにAIN焼結体に何ら悪影響を
及ぼさないためである。また耐熱性、耐熱衝撃性、高温
強度等に優れているために、数lO〜数1数100屓程
り返し使用しても反りやクラック、割れ等が発生しない
。更に、焼結容器の肉厚を薄くできることから焼成効率
の点でも有利である。
結容器としてPBN製容器が最適であることを見い出し
たものである。これは、PBN製容器が高純度(99,
99%以上)であるためにAIN焼結体に何ら悪影響を
及ぼさないためである。また耐熱性、耐熱衝撃性、高温
強度等に優れているために、数lO〜数1数100屓程
り返し使用しても反りやクラック、割れ等が発生しない
。更に、焼結容器の肉厚を薄くできることから焼成効率
の点でも有利である。
このように本発明の製造方法によれば、高純度PBN製
容器を用いることにより、表面に異物の付着が無く、緻
密なAIN焼結体を容易に製造できることから、その工
業的価値は大である。更に本発明に係るPBN製容器は
、耐熱性、耐熱衝撃性、高温強度の点でも優れており、
耐久性及び焼成効率の向上等の効果も有り、AIN焼結
体の焼結容器として最適である。
容器を用いることにより、表面に異物の付着が無く、緻
密なAIN焼結体を容易に製造できることから、その工
業的価値は大である。更に本発明に係るPBN製容器は
、耐熱性、耐熱衝撃性、高温強度の点でも優れており、
耐久性及び焼成効率の向上等の効果も有り、AIN焼結
体の焼結容器として最適である。
Claims (1)
- (1)窒化アルミニウム成形体を非酸化性雰囲気中で焼
結する際に、焼成容器の全部又は一部がPBN製である
容器に収容して焼結する窒化アルミニウム焼結体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1275028A JPH03137059A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1275028A JPH03137059A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03137059A true JPH03137059A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17549870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1275028A Pending JPH03137059A (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03137059A (ja) |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP1275028A patent/JPH03137059A/ja active Pending
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