JPH03136397A - 表面搭載技術用強制コア及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は一般的に言うと印刷配線基板を保持するために
用いられる表面搭載用強制コア及びその製造方法に関し
、特に、搭載された電子モデュールからの熱を消散させ
る機能を果たし、更に広い範囲の振動条件のＦ　−Ｑ　
Ｔｘ子部品が構造的損傷を受けるのを防止することがで
きる層化された低密度の複合強制コア及びその製造方法
に関する。

［発明の背景］ 航空及び軍事分野のために開発された型のような、高密
度電子システムは通常、典型的には２５平方インチ以上
の印刷配線数空間を各側に有するＩａ準サイズの両面電
子回路モデュールで形成されている。これらの回路モデ
ュールは、システムに温度遷移及び／または振動による
環境的応力に耐えて電子的故障を起こさないことを司能
にする機械的及び熱的特性の組み合わせを要求する。従
来の回路モデュールの種々の構成物間の物質特性の相違
は通常動作時に故障の原因となり得る。

近年、軍事用途では電子回路モデュールに対して振動性
９萄条件や軽量化の要求が高まりつつある。不幸にして
、環境的応力に耐え電力を消散するために、従来の表面
搭載技術による印刷配線基盤は重い銅の層化物に頼って
いたが、銅層化物は重量要求のため以前から振動試験や
現場において構造的問題を経験していた。

従来の印刷配線基盤（ＰＷＢ）の表面搭載技術は、高電
力回路基盤上の強制ヒートシンクとして銅−アンバーー
銅（ＣＩＧ）や銅−モリブデンー銅（ＣＭＣ）などの張
り合わせ物質をコアに用いている。−殻内に、現在入手
可能なＣＩＣ及びＣＭＣ層化物質は比較的高い密度を有
しており、軍事用に設定された重ｆｆｉ要求に適合させ
るために比較的薄い銅の層を用いて製造することが要求
される。不幸にして、この薄層化は共撮周波数の低下を
犠牲にして行なわれており、結果的に基盤の剛性を減少
させ更に冷Ｆ１１能力も低下させることになる。

従来の装置では銅を薄クシたため、接している電子回路
モデュールからの熱の消散は非常に少ない。更に、層を
薄クシたことによって電子回路モデュールの体積とコア
の体積との比率が高いので、コアと電子回路モデュール
との熱膨張率（ＣＴＥ）の差が大きい。このような構成
物のＣＴＥの差の全体的増加はシステムの性能を低ドさ
せ、有鉛セラミック製チップ担体の使用が必要となるが
、このため結果的に回路基盤表面ヒの使用ｑ能領域を狭
めてしまい、性能や電力を制限してしまう。

シアの損傷から保護するために、ＣＴＣ及びＣＭＣ層は
アンバー及び銅からなる腐食保護を必要とする。これは
過去において、ＣＩＣまたはＣＭＣ冶にニッケル組成物
をめっきすることによって達成されている。このめっき
工程は不幸にして高価であり、さらに行なうのが非常に
困難である。これはＣＭＣ層の場合に顕著であり、ニッ
ケルとモリブデンとを適切に接もするには、ニッケルを
モリブデン上で摂氏８５０度で焼結しなくてはならない
。しかしながら、この摂氏８５０度という温度は銅にと
っては高すぎ、更に処理窓において見ながら操作するの
を困難にしている。また、有機物製の回路基盤は焼結工
程中の摂氏８５０度という高温に耐えられないので、露
出した金属表面やＣＭＣ層に適切にニッケルめっきする
処理は通常有機物を基にした回路基数とは両立できない
ものである。したがって、表面搭載技術によるＰＷＢの
完成品はＣＩＣ及びＣＭＧの露出した金属表面を含んで
おり、これが腐食問題を起こす。

従来のＣＩＣ及びＣＭＣの薄いという本質を補うために
リブなどの構造的補強材を組み込むことによって振動に
対する耐性を強化し、コアの重油をさほど増やすことな
く構造的強度を高めている。

しかし、補強材はねじによって取付けるための空間をモ
デュール上に必要とするので、電子装置を配置するため
の場所が狭くなってしまう。補強材は更に、モデュール
の製造にかかる時間の増加、補強材に関連する重湯の増
加、補強材の製作に関連Ｊるシステムコストの増加、モ
してＰＷＢの設計における配線路を決める問題などの有
害な影響のＩｔＡ因ともなる。

したがって、複合コア層に関して高い熱伝導性を有する
印刷基盤用の軽量表面装着複合コアに対する必要性が高
まっている。これに加えて、電子構成物とほぼ同一の熱
膨張係数（ＣＩ−Ｅ）を有し、電子構成物とコアとの間
のはんだ接合の亀裂の原因となるＣＴＥの不整合を除去
することができる複合コアの必要性らある。最後に、高
い剛性を有し軍事用に設定された高度な振動性負荷基準
に適合する保持モデュール用の軽量ロアに対する必要性
もある。

［発明の概要］ 本発明の重要な観点には、印刷配線基盤をそれ自体に搭
載するための装置が含まれる。具体的には、本発明は、
表面搭載印刷配線基盤のヒートシンクとして機能する軽
ｔ：ｊｙを形成するためのモリブデンを塗布したグラフ
ァイト層を含む。本発明は２層のモリブデン間に保持さ
れたグラフアイト層を有する熱的コアを含む。まず、約
０．０８インチの厚さと約９９．９６％の純度を有する
グラファイト層を、各々約０．０１０インチの厚さと約
９９．７％の純度を有する２枚のモリブデン層に接着す
る。この接着は、これらを約０．００２５インチの厚さ
と約９８．５％の純度を有する薄いチタン豹でろう付け
することによって得られる。これらの層は、印刷配線基
盤に取付けられるチップ担体から熱を消散すめための熱
的コアを含む。

一旦熱的コアが製造されると、印刷配線基盤は熱的コア
にエポキシガラスを用いて接着される。

次に、酸化アルミニウムセラミックでできたチップ担体
をはんだ接合を用いて印刷配線基盤に接着する。周知の
ように、チップ担体は本発明による熱的コアに電気的に
接続される。

本発明の好適実施例において、チップ担体は、−殻内に
対称的な両側装置を形成するために対向端の両側に取付
りられる。この相互接続は熱サイクルの間Ｍｌに生じる
好ましくない反りを完全に除去するのに役立つ。本発明
の別の観点は、集積回路基盤の総寸法を減少するために
熱的コアの両側に複数の線なしチップ担体を取付けたこ
とである。

本発明の好適実施例において、モリブデン及びグラファ
イトの各層の間にチタン層が配置され、ろう付は処理に
よってこれらの層を共に接着する。

本発明の好適実施例において、モリブデン／グラファイ
ト／モリブデンの体積比率は約１０：８０：１０である
。本発明はチップ担体からの熱を素早く取り去ることが
でき、システムのヒートシンクとして閤能づる。これに
加えて、本発明は、チップ担体及び熱的コアの熱膨張係
数（Ｃ’ｒ　Ｅ　’）がほぼ同一なので、界面の応力を
減少することができる。最後に、熱的コアに関する剛性
によって、過度の振動に耐えるための十分な抵抗力を基
盤に与えることができる。

本発明は、応力に対する高い耐久性、セラミック製チッ
プ担体と同一速度の膨張性、チップ担体からの熱を除去
するための高い熱移動速度、及びグラファイト材によっ
て得られた軽量性のため、従来の複合コアに対して技術
的利点を提供することができる。

［発明の詳細な説明］ 第１図に集積回路基盤の熱的コアが拡大断面図で示され
ており、全体として１０と付番されている。コア１０は
通常２つのモリブデン層１４の間に保持されたグラファ
イト層１２を備える。ｖ４１４及び層１２の間にはチタ
ン層１６が配置され、層１４及び層１２を共に接着し、
コア１０を形成する。

コア１０は表面搭載電子モデュールに高性能ヒートシン
ク材を提供する。：」ア１ｏは、低密度、高熱伝導性、
及び高い比剛性を有する物質を提供する一方、熱応力を
受ける環境においてセラミック製チップ担体を用いて高
い信頼性を得るのに必要な熱膨張係数（ＣＴＥ）制御を
モデュールに与える。

次に、第２図ではコア１０の好適実施例はチップ担体と
結合され、全体として１８と付番されている。２枚の印
刷配線基盤がエポキシガラス層２１によってモリブデン
層１４に接続されている。

この実施例１は、装置１８はこのように印刷配線基？１
ｌ１２０の鏡像を与えている。コア１ｏの両側に接続さ
れた２枚の基盤を有することにより、動作中のコア１０
の反りを防止することができる。

印刷配線基盤２０をコア１０に接続した後、２つのチッ
プ担体２２がはんだ接合によって基盤２０に接続される
。チップ担体２２は複数の相ｎ接続部２６によって印刷
配線基！１２０及びコア１０に電気的に接続される。

第３図は、本発明の別の実施例を示し、ここでは複数の
チップ担体２２が印刷配線基？Ａ２０に接続されている
。この実施例では、構成の対向する両側にチップ担体２
２の鏡像を右することにより反りを減少させている。鏡
像構成は、構成の両側に担体を配置するので、複数のチ
ップ担体２２を保持するのに必要な空間を減少すること
ができる。

動作中、熱的コア１０は、担体２２内に保持される動作
中の電子装置によって発生される熱を消散するヒートシ
ンクとして作用する。これに加えて、コア１０は基盤２
０及び線なしセラミックチップ担体が取付けられる基盤
としても作用する。

グラファイト層１２とモリブデン層１４の積層順の性質
により、剛性が増加し、屈曲変位を減少することによっ
て撮動性負荷に対してより＾い抵抗力を得られる結果と
なる。結果的に、この新規の熱的コア１０の撮動性負荷
能力の増強によって、年毎に増加している軍事基準を満
たすことかできる。したがって、層１２及び１４の相互
作用によって電子モデュールの屈曲剛性が増加される。

層１２及び１４はこれらの間の相互作用のため娠ｖＪ緩
％ｇｊ器として作用する。層１２及び１４の構造は、付
加的剛性を与える際の１ビームの構成と酷似している。

比剛性（剛性の密度に対する比＊＞の増加は、屈曲幅の
低下、したがってはんだ接合２４内の歪みの低下をもた
ら１−０化層曲剛性の増加ははんだ接合２４の応力及び
歪みを減少し、したがって寿命が延長し、信頼性も向上
する結果となる。

本発明の別の利点は、同様な熱膨張係数（ＣＴＥ）を有
するチップ担体及びコア１ｏを設計づる能力である。チ
ップ担体とコア１０とのＣＴ　Ｅの不整合を減少するこ
とによって、これら２つの構成要素間の相対熱移動が減
少される。

よって、はんだ接合２４は、構成要素のひび割れや故障
の原因となる高熱歪みを受けないようになる。したがっ
て、ヒートシンク、即ちコア１ｏは、破壊に対して高い
靭性を有し、試験中や現場条件におけるぜい性破壊を防
止することができる。多結晶グラファイト層１２に接着
されたコア１０、即ちモリブデン層１４を利用すること
によって、ヒートシンクは所望のＣ−ｒ　Ｅ制御を供与
されることがわかった。

外側のモリブデン層１４は複合屈曲剛性を最大にする。

通常、グラファイト層１２は単独で用いられると比較的
脆い。幸いなことに、モリブデン層１４がグラファイト
層１２と共に用いられると、グラファイト層１２の応力
及び歪みは著しく減少する。この本発明特有の構造が、
過度な振動性（１荷に耐えるのに有益な剛性をもたらづ
。

本発明特有の物質の組み合わせの結果、モリブデン層１
４間に合体されたグラファイトのため密度が２．５〜３
倍減少した。また、熱伝導性が１．８〜３倍増加したこ
とがわかり、ＣＴＧまたはＣＭＣ層化コアと比較して集
積回路のための非常に良好なヒートシンクが得られる。

更に、ＣＩＧ及びＣＭＣのような現在入手ＩＴＩ能な技
術に対して止面曲剛性が２．４〜３．２倍増加した。

次に、第４図を参照すると、ＣＴＥ、即ち熱膨張係数の
相互作用を更に認識することができる。

摂氏１度あたりのＤＩ）ＩＩＩ　　（ｐｐｍ　／’Ｃ）
単位で表された瞬時ＣＴＥと摂氏温度で表された本発明
特有の装置の温度露出との間に相関関係があることがわ
かる。複数の線２８で示されているように、摂氏−５５
度と摂氏１１０度との間に直線関係がある。

線２８は複数のコア１０のＣＴ　Ｅの実際の実験結果で
ある。点３０でわかるように、表面搭載モデｌ−ルの処
理及び製作に関係して特定の構成物質の＠造変化がある
。具体的に言うと、摂氏１１０度近辺でエポキシのガラ
ス遷移温度があり、これが装置１８の０１−　Ｅのふる
まいに明らかな変化を起こすことがわかった。この特定
の相互作用は、￥Ａ置を共に保持するのに用いられるエ
ポキシガラスのガラス遷移温度を摂氏１２５度以上に上
昇させることによって改善することができる。

−次に、第５図は、ＣＴ　Ｅ　、　［１１１ち熱膨張係
数とチップ担体２２の平均温度、本発明、及び従来技術
の関係を図示する。線３２はチップ担体２２の相対的直
線性を示す。これに対して、線３４はＣＴＥと現在のＣ
Ｉ　ＣｖＡ質、即ち銅−アンバー−銅に対する温度との
関係を丞す。線３２と線３４との差は領域３６として示
される。

第５図の分析を基に、直線状の線３２によって表された
チップ担体２２及び非直線状の線３４によって表された
現在のＣＩＣ技術の熱膨張係数に著しい差があることが
わかる。このＣＴＥｌｉｂの差は動作中にはんだ接合２
４の不具合の発生が早まる原因となり得る。

これに対して、線２９は比較的直線状であり、線３２に
類似している。線２９は第４図に示す複数の線２８の平
均を表１゜モリブデン層１４及びグラファイト層１２の
厚さを調整することにより、線２９を線３８になるよう
に調整することができる。言い換えれば、Ｉ！３８は線
３２の特性を示すように調整することができる。したが
って、セラミック製チップ担体２２を支持するためのコ
ア１０を設計するとき、ＣＴＥを相対的に同一に設計す
ることができる。これによって、熱膨張係数を整合する
ことができ、はんだ接合２４の熱疲労による不具合を著
しく減少する。

′ＩＩＪ　　造 製造の好適実施例では、３層の１１！１層熱的コア１０
は体積比１０：８０：１０のモリブデン／グラファイト
／モリブデンによって組成されている。

これらの層は、グラファイト類の平坦なテーブル上で４
回表面を横切って測定し、全方向に１インチに対して約
０．００２インチの平坦特性を有する。また、表面仕上
げの完全性はプロファイロメータによって測定し、通常
１６マイクロインチｒｍｓ（０，４マイクロメータ）以
下である。

モリブデン層１４の熱伝導率は、辱さ方向及び層の面内
共に約１４０Ｗ／ｍ／’Ｃ以下である。通常、モリブデ
ンは多孔性がないので、１立方インチあたり約０．３６
８ポンドの最小密度を有する。

また、引っ張り強度及び延性はモリブデン層１４の引っ
張り応力に最小約５０にｓｉをもたらす。モリブデン層
１４とチップ担体２２とのＣＴＥ、即ち熱膨張係数に整
合性があるので、コア１０のＣＴ’　Ｅは、摂氏約−６
５麿から摂氏約１２５度の温度範囲内で平均的５±０．
５　　ｐｐｍ／’Ｃである。

純度は組成物の相互作用を基にするモリブデンの重要な
要素である。最良の結果は純度的９９．７％のモリブデ
ン金属を用いるときに得られる。この純度は誘導結合プ
ラズマ分光光度測定法（ＩＣＰＳ）を基に得た。

好適実施例において、モリブデン層の厚さは約０．０１
０±０．０００５インチである。結果的に、最終的寸法
では、モリブデン／グラファイト／モリブデンの最終厚
さはコア１０の全厚さの好ましい比率１０：８０：１０
を埴に約０．０５インチと約０．１インチの間となる。

グラフ１４８層１２に関して、熱伝導率は厚さ方向及び
層の市内共に約１４０Ｗ／ｍ／”Ｃ以下である。この標
準はＡＳＴＭ　　Ｃ−６４７の測定に基づいている。グ
ラファイトの密度は１立方インチあたり約０．０６５ボ
ンドである。この特定の物質は最小約２０　ＨＤａのグ
ラファイト薄板の引つ張り強度を有する。結果的に、グ
ラファイトの熱膨張係数はモリブデン層 しており、摂氏約−６５麿から摂氏約１２５度の温度範
囲内で平均的５．０±１　、０　ｐｐｍ／”Ｃである。

層１２の厚さは本実施例では約０．０８インチである。

充填材、即ちチタン層１６に関して、約９８．５％の純
度があることが重要である。この純度によって腐食また
は腐食を生ずる要素を低減することができる。チタンＷ
Ａ１６の厚さは約０．００２５±ｏ、ｏｏｏａインチで
ある。モリブデン層１２のグラフ１４８層１４へのろう
付けは、当技術において周知の方法で行なわれる。通常
、ろうの厚さは全厚さの４％程度に薄く保たなければな
らず、更に、ろう付は用合金はチタンのような非腐食性
金属を金床なければならないが、ジルコニウムを含むも
のでもよい。処理中、温度は真空室内で摂氏的１７００
度にまで１邦し、チタン層１６が溶融して層１４及びＷ
１１２を共に接着する。

本発明の別の実施例は、約０．００５インチから約０．
１００インチの間の厚さを有するグラファイト層１２を
含む。また、モリブデン層１４は約０．００２インチか
ら約０．０５インチの間の犀さを有する。最後に、チタ
ン層１６は約ｏ、ｏｏｉインヂから約０．０１インチの
間のＶさを有する。

本発明は宇宙のような種々の技術分野に応用可能である
。具体的には、現在宇宙において用いられている純粋な
モリブデン鏡を用いる代わりに、グラファイトが間には
め込まれた低膨張鏡を利用し、これによって全体の重量
を軽量化することができる。また、ヒートシンクコア１
０は必ずしもヒートシンクとして用いることはなく、こ
れの軽量や構造的安定性を生かして自動車や航空機の外
積のような他の装置に用いてもよい。

要約すると、高い熱移動係数を有し、有益、軽量で熱膨
張係数を制御可能な物質が開示され、グラファイト層を
２つのモリブデン層の間に挿入し、グラファイトの剛性
を加えることによってモリブデンの脆い性質を補強した
ことを特徴とする。本発明特有の積層装置の高い比剛性
は大きな振動性応力に耐えることができ、軍事要求を上
回ることができる。更に加えて、Ｉｌはであるためコス
ト低減の可能性もある。また上述の実施例のような装置
を腐食から保護するために必洟なニッケルめっきを除去
できるという付加的な利点もある。

以上、本発明の好適実施例及びその利点を詳細に説明し
たが、本発明はそれらに限定されるのではなく、添付の
特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。

「以上の説明に関して更に以下の項を開示する。

（１）　　グラファイト層と、 前記グラフアイト層の対向する両側に配された低膨張、
高率、高熱伝導率の薄板と、 前記薄板の各々と前記グラフアイト層との間に形成され
、前記薄板と前記病とを接着して集積複合物質を形成す
る接着層とからなる複合物質。

（２）　　前記薄板はモリブデン層を含む第１項の複合
物質。

（３）　　前記接着層はチタンを含む第１及び２項のコ
ア。

（４）　　前記モリブデン／グラファイト／モリブデン
層の体積比は１０：８０：１０である第１及び２項のコ
ア。

（５）　　露出したモリブデン層表面に結合された印刷
配線基盤を更に含む第１及び２項のコア。

（６）　　前記基盤に接着されたチップ担体を更に含む
第５項のコア。

（７）　　前記チップ担体は前記デツプ担体をコアに接
続する相互接続部を有する第６項のコア。

（８）　　前記チップ担体及び前記コアはほぼ同一の熱
膨張係数を有する第７及び１６項のコア。

（９）　　前記チタン層は約９８．５％の純度を有する
第３１０のコア。

（１０）前記モリブデン層は約１４０Ｗ／７ＦＬ／’Ｃ
の熱伝導率を有する第２項のコア。

（１１）前記グラファイト層は約１４０Ｗ／ｍ／’Ｃの
熱伝導率を有する第１．２及び３項のコア。

（１２）前記コアの厚さは約０．０５インチから約０．
１インチの間である第１項のコア。

（１３）前記チタン層は前記モリブデン層と前記グラフ
ァイト層とを相互接続するためのろう付は材として用い
られる第３項のコア。

（１４）前記チタンによるろう付けは、ろう付は界面の
引っ張り及びせん断応力を前記グラファイト層の引っ張
り及びＵん断応力と同等以上にする第１３項のコア。

（１５）約０．００５インチから約０．１００インチの
間のｐＰさを有するグラファイト層と、約０．００２イ
ンチと約０．０５インチ間の厚さを各々有し、前記グラ
フアイト層を間に保持する２つのモリブデン層と、 約ｏ、ｏｏｉインチと約０．０１インチ間の厚さを有し
、前記モリブデン層の各々と前記グラファイトとの間に
位置し、前記層を共に接着してコアを形成するためのチ
タン層であって、加熱されて前記モリブデン及び１■記
グラファイト層とを共にろう付けし集積複合コアを形成
する前記チタン層とからなる複合コア。

（１６）グラファイト層と、 前記グラファイト層の各側に接着され熱的コアを形成す
るモリブデン層と、 各露出されたモリブデン層表面に結合された印刷配線基
盤と、 前記基盤に接着されたチップ担体であって、前記チップ
担体を前記熱的」アに接続するための相互接続部を有り
る前記チップ担体とからなる電イシステム。

（１７）前記熱的コアは、前記印刷配線基盤からの熱を
前記熱的コアに容易に消散させることによって、前記印
刷配線基盤のヒートシンクとして機能する第１６項のシ
ステム。

（１８）　　グラファイト層の表面を接着層に接続し、
前記接着層の各々にモリブデン層を貼り付け、前記接着
層が溶融して前記グラファイト層の前記モリブデン層と
を共に接着するまで前記層を加熱するステップからなる
複合コア製造方法。

（１９）前記接着層はチタンを含む第１８項の方法。

（２０）前記加熱ステップは前記層を共にろう付けする
第１８及び１９項の方法。

（２１）前記加熱ステップは真空中で摂氏約１７００度
を加えることを含む第１８．１９及び２０項の方法。

（２２）　　２つのモリブデン層の間にグラファイト層
を接着し、 前記モリブデン層の一方側に印刷配線基盤を接続し、 前記印刷配線基盤にチップ担体を接合し、前記チップ担
体を前記モリブデンに電気的に接続し、前記チップ担体
から前記モリブデン及び前記グラフアイ１−層に熱を流
出させ、前記熱を前記デツプ担体から消散させるステッ
プからなる表面搭載用強制コアの作成方法。

（２３）前記チップ担体及び前記モリブデン及びグラフ
ァイト層の熱膨張係数はほぼ同一である第２５項の方法
。

（２４）熱的コア１０は、複数のデツプ担体２２からの
熱を消散させるために２つのモリブデン層１４の間に保
持されたグラファイト層を含む。コア１ｏは軽量ながら
、過度な撮動的負荷に耐える能力を有する。モリブデン
／グラフアイト／モリブデンｆｆ１１２．１４を接着づ
ることにより、軍事用振動要求を越える高い剛性率を有
するコア１０を生みだすことができる。グラファイト層
１２とモリブデン層１４とをろう付けするのにチタン層
１６を用いることにより、腐食攻撃を防止するだめのめ
っきが不必要となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による熱的コアの拡大断面図、第２図は
本発明によるチップ担体に接続された熱的コアの拡大Ｉ
ｉ面図、第３図は熱的コアに接続された複数のチップ担
体の拡大断面図、第４図は本発明の温度に対する熱的膨
張係数の関係を表したグラフを示す図、第５図はチップ
担体、本発明及び従来技術の熱膨張係数特性を表したグ
ラフを示す図である。 １ｏ・・・コア、１２・・・グラファイト層、１４・・
・モリブデン層、１６・・・チタン層、１８・・・装置
、２０・・・印刷配線Ｍ盤、２２・・・チップ担体、２
４・・・はんだ接合。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　グラフアイト層と、 前記グラフアイト層の対向する両側に配された低膨張、
   高率、高熱伝導率の薄板と、 前記薄板の各々と前記グラフアイト層との間に形成され
   、前記薄板と前記層とを接着して集積複合物質を形成す
   る接着層とからなる複合物質。
2. （２）　グラフアイト層の表面を接着層に接続し、前記
   接着層の各々にモリブデン層を貼り付け、前記接着層が
   溶融して前記グラフアイト層と前記モリブデン層とを共
   に接着するまで前記層を加熱するステップからなる複合
   コア製造方法。