JPH03133188A - 面発光レーザ素子 - Google Patents
面発光レーザ素子Info
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- JPH03133188A JPH03133188A JP27133989A JP27133989A JPH03133188A JP H03133188 A JPH03133188 A JP H03133188A JP 27133989 A JP27133989 A JP 27133989A JP 27133989 A JP27133989 A JP 27133989A JP H03133188 A JPH03133188 A JP H03133188A
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- Japan
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 137
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0208—Semi-insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
- H01S5/0424—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer lateral current injection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18383—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with periodic active regions at nodes or maxima of light intensity
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野Ｊ
本発明は半導体の積層面と直交する方向ヘレーザ発振光
を放出するための面発光レーザ素子に関する。
を放出するための面発光レーザ素子に関する。
「従来の技術１
面発光レーザ素子に関する公知文献の一〇に、下記に示
すものがある。
すものがある。
Ｍｕｔｇｕａ Ｏｇｕｒａ ｅｔａｌ。
Ｓｕｒｆａｃｅ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ １ａｓｅｒ ｄｉ
ｏｄｅ ｗｉｔｈｖｅｒｔｉｃａｌ ＧａＡｓ／ＧａＡ
ｌＡｓ ｑｕａｔｅｒ−ｖａｖｅｌｅｎｇｔｈｍｕｌｔ
ｉｌａｙｅｒｓ ａｎｄ １ａｔｅｒａｌ ｂｕｒｉｅ
ｄｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 ｖｏｌ、５１．ｎｏ
、２１（１９８７）Ｐ １８５５〜１６５７ かかる文献に開示された面発光レーザ素子は、第６図に
示すように、分布帰還（ＤＦＢ）型からなり、これは、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上において、ノンドープＡｌＧ
ａＡｓとノンドープＧａＡｓとによる半導体膜層膜（Ｄ
ＦＥ領域）４が形成され、その半導体多層膜４の両側面
に、Ｎ−ＧａＡ ＩＡｓ層２とＰ−ＧａＡｌＡｓ層３と
が互いに対向して設けられたものである。
ｏｄｅ ｗｉｔｈｖｅｒｔｉｃａｌ ＧａＡｓ／ＧａＡ
ｌＡｓ ｑｕａｔｅｒ−ｖａｖｅｌｅｎｇｔｈｍｕｌｔ
ｉｌａｙｅｒｓ ａｎｄ １ａｔｅｒａｌ ｂｕｒｉｅ
ｄｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 ｖｏｌ、５１．ｎｏ
、２１（１９８７）Ｐ １８５５〜１６５７ かかる文献に開示された面発光レーザ素子は、第６図に
示すように、分布帰還（ＤＦＢ）型からなり、これは、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上において、ノンドープＡｌＧ
ａＡｓとノンドープＧａＡｓとによる半導体膜層膜（Ｄ
ＦＥ領域）４が形成され、その半導体多層膜４の両側面
に、Ｎ−ＧａＡ ＩＡｓ層２とＰ−ＧａＡｌＡｓ層３と
が互いに対向して設けられたものである。
第６図の面発光レーザ素子では、Ｎ−ＧａＡｌＡｓ層１
とＰ−ＧａＡ ＩＡｓ層２とを通じて、ＤＦＢ領域たる
半導体多層膜４の積層界面と平行に電流が注入され、該
半導体多層膜４の積層界面と直交する方向に発振光を放
出する。
とＰ−ＧａＡ ＩＡｓ層２とを通じて、ＤＦＢ領域たる
半導体多層膜４の積層界面と平行に電流が注入され、該
半導体多層膜４の積層界面と直交する方向に発振光を放
出する。
「発明が解決しようとする課題１
第６図の面発光レーザ素子は、電流の注入方向が半導体
積層面と平行するので、発光部すなわちＤＦＢ領域の幅
Ｗをキャリアの拡散長以下に設定しなければならず、か
かる寸法制限により製造難度が高くなり、その上、素子
幅方向におけるキャリアの閉じ込め効果が大きくできず
、発光面積も小さいので、面発光レーザ素子として十分
な発光特性が得られない。
積層面と平行するので、発光部すなわちＤＦＢ領域の幅
Ｗをキャリアの拡散長以下に設定しなければならず、か
かる寸法制限により製造難度が高くなり、その上、素子
幅方向におけるキャリアの閉じ込め効果が大きくできず
、発光面積も小さいので、面発光レーザ素子として十分
な発光特性が得られない。
本発明はこのような課題に鑑み、発光面積の制限を解消
し、かつ、キャリアの閉じ込め効果を改善して、発光特
性の良好な分布帰還型面発光レーザ素子を提供しようと
するものである。
し、かつ、キャリアの閉じ込め効果を改善して、発光特
性の良好な分布帰還型面発光レーザ素子を提供しようと
するものである。
「課題を解決するための手段Ｊ
本発明に係る面発光レーザ素子は、所期の目的を達成す
るため、半絶縁基板上の半導体多層膜構造が、相互に積
層された複数の単位多層膜からなり、該各単位多層膜が
、直接遷移型でノンドープの第１半導体膜と、該第１半
導体膜よりも禁制帯幅の大きいＮ型の第２半導体膜と、
Ｐ型の第２半導体膜とを備えていて、発振波長×約１／
４×正の整数の膜厚な有するこれら半導体膜が、第１半
導体膜−Ｎ型第２半導体膜−第１半導体膜−Ｐ型第２半
導体膜、第１半導体膜−Ｐ型第２半導体膜−第１半導体
膜−Ｎ型第２半導体膜、Ｎ型第２半導体膜−第１半導体
膜−Ｐ型第２半導体膜−第１半導体膜、Ｐ星第２半導体
膜−第１半導体膜−Ｎ型第２半導体膜−第１半導体膜の
いずれかの順序で積層されており、上記半導体多層膜構
造の対をなす両側面のうち、その一側面に接して設けら
たＰ型半導体領域（埋め込み領域）にＰ型電極が備えら
れ、その他側面に接して設けられたＮ型半導体領域（埋
め込み領域）にＮ型電極が備えられていることを特徴と
する。
るため、半絶縁基板上の半導体多層膜構造が、相互に積
層された複数の単位多層膜からなり、該各単位多層膜が
、直接遷移型でノンドープの第１半導体膜と、該第１半
導体膜よりも禁制帯幅の大きいＮ型の第２半導体膜と、
Ｐ型の第２半導体膜とを備えていて、発振波長×約１／
４×正の整数の膜厚な有するこれら半導体膜が、第１半
導体膜−Ｎ型第２半導体膜−第１半導体膜−Ｐ型第２半
導体膜、第１半導体膜−Ｐ型第２半導体膜−第１半導体
膜−Ｎ型第２半導体膜、Ｎ型第２半導体膜−第１半導体
膜−Ｐ型第２半導体膜−第１半導体膜、Ｐ星第２半導体
膜−第１半導体膜−Ｎ型第２半導体膜−第１半導体膜の
いずれかの順序で積層されており、上記半導体多層膜構
造の対をなす両側面のうち、その一側面に接して設けら
たＰ型半導体領域（埋め込み領域）にＰ型電極が備えら
れ、その他側面に接して設けられたＮ型半導体領域（埋
め込み領域）にＮ型電極が備えられていることを特徴と
する。
１作用」
本発明に係る面発光レーザ素子は、半絶縁基板上の半導
体多層膜構造として、分布帰還を形成するため、各層の
膜厚を発振波長Ｘ約１７４×正の整数倍とし、キャリア
閉じ込めを改善するため。
体多層膜構造として、分布帰還を形成するため、各層の
膜厚を発振波長Ｘ約１７４×正の整数倍とし、キャリア
閉じ込めを改善するため。
変調ドープ構造を採用している。
すなわち、半導体膜Ｎ膜構造を構成している複数の各単
位多層膜が、既述の各半導体膜による積層構成からなり
、しかも、分布帰還を生じさせるため、これら半導体膜
の膜厚が、それぞれ発振波長×約１／４×正の整数とな
っている。
位多層膜が、既述の各半導体膜による積層構成からなり
、しかも、分布帰還を生じさせるため、これら半導体膜
の膜厚が、それぞれ発振波長×約１／４×正の整数とな
っている。
なお、Ｎ型半導体領域（埋め込み領域）にはＮ型電極が
備えられており、Ｐ型半導体領域（埋め込み領域）には
Ｐ型電極が備えられている。
備えられており、Ｐ型半導体領域（埋め込み領域）には
Ｐ型電極が備えられている。
かかる構成の場合、Ｎ型第２半導体膜、Ｐ型第２半導体
膜が、それぞれＮ型半導体領域（埋め込み領域）、Ｐ型
半導体領域（埋め込み領域）と導通しているので、Ｎ型
電極、Ｐ型電極を介して半導体多層膜構造の所定層にキ
ャリアを供給することができ、この際１発光に寄与する
キャリアは、ノンドープ第１半導体膜の上下に位置する
Ｐ型、Ｎ型の第２半導体膜より、そのノンドープ第１半
導体膜中へ注入されるようになり、かくて、各半導体膜
の積層界面と直交する方向にレーザ発振光が放出される
。
膜が、それぞれＮ型半導体領域（埋め込み領域）、Ｐ型
半導体領域（埋め込み領域）と導通しているので、Ｎ型
電極、Ｐ型電極を介して半導体多層膜構造の所定層にキ
ャリアを供給することができ、この際１発光に寄与する
キャリアは、ノンドープ第１半導体膜の上下に位置する
Ｐ型、Ｎ型の第２半導体膜より、そのノンドープ第１半
導体膜中へ注入されるようになり、かくて、各半導体膜
の積層界面と直交する方向にレーザ発振光が放出される
。
ちなみに、ノンドープ第１半導体膜の膜厚は、０．１
ｐ−ｃｍ程度であり、かかる膜厚は、キャリアの拡散長
に比べて無視できるほど薄いから、キャリアの閉じ込め
が十分となる。
ｐ−ｃｍ程度であり、かかる膜厚は、キャリアの拡散長
に比べて無視できるほど薄いから、キャリアの閉じ込め
が十分となる。
さらに、キャリアの閉じ込め効果が、Ｎ型半導体領域（
埋め込み領域）とＰ型半導体領域（埋め込み領域）との
間隔に制限されず、製作上の寸法制限も緩和される。
埋め込み領域）とＰ型半導体領域（埋め込み領域）との
間隔に制限されず、製作上の寸法制限も緩和される。
「実 施 例」
本発明に係る面発光レーザ素子を図示の実施例に基づい
て説明する。
て説明する。
第１図において、半絶縁性基板１１上の半導体多層膜構
造１２は、複数の単位多層膜１３が相互に積層されて構
成されている。
造１２は、複数の単位多層膜１３が相互に積層されて構
成されている。
単位多層膜１３は、直接遷移型にしてノンドープの第１
半導体膜１４と、該第１半導体膜１４よりも禁制帯幅の
大きいＮ型の第２半導体膜１５と、Ｐ型の第２半導体膜
１６とを備えており、これら半導体膜１４．１５．１１
３が、第２図〜第５図に示すいずれかの態様で積層され
ている。
半導体膜１４と、該第１半導体膜１４よりも禁制帯幅の
大きいＮ型の第２半導体膜１５と、Ｐ型の第２半導体膜
１６とを備えており、これら半導体膜１４．１５．１１
３が、第２図〜第５図に示すいずれかの態様で積層され
ている。
すなわち、第２図の単位多層膜１３では、各半導体膜１
４．１５．１Ｂが、第１半導体膜１４−Ｎ型第２半導体
膜１５−第１半導体膜１４−Ｐ型第２半導体膜１８の順
に積層されており、第３図の単位多層膜１３では、各半
導体膜１４．１５．１６が、゛第１半導体膜１４−Ｐ型
第２半導体膜１Ｂ−第１半導体膜１４−Ｎ型第２半導体
膜１５の順に積層されており、第４図の単位多層膜１３
では、各半導体膜１４．１５．１６が、Ｎ型第２半導体
膜１５−第１半導体膜１４−Ｐ型第２半導体膜１６−第
１半導体膜１４の順に積層されており、第５図の単位多
層膜１３では、各半導体膜１４．１５、ＩＢが、Ｐ型第
２半導体膜１８−第１半導体膜１４−Ｎ型第２半導体膜
１５−第１半導体膜１４の順に積層されている。
４．１５．１Ｂが、第１半導体膜１４−Ｎ型第２半導体
膜１５−第１半導体膜１４−Ｐ型第２半導体膜１８の順
に積層されており、第３図の単位多層膜１３では、各半
導体膜１４．１５．１６が、゛第１半導体膜１４−Ｐ型
第２半導体膜１Ｂ−第１半導体膜１４−Ｎ型第２半導体
膜１５の順に積層されており、第４図の単位多層膜１３
では、各半導体膜１４．１５．１６が、Ｎ型第２半導体
膜１５−第１半導体膜１４−Ｐ型第２半導体膜１６−第
１半導体膜１４の順に積層されており、第５図の単位多
層膜１３では、各半導体膜１４．１５、ＩＢが、Ｐ型第
２半導体膜１８−第１半導体膜１４−Ｎ型第２半導体膜
１５−第１半導体膜１４の順に積層されている。
各半導体膜１４．１５．１６の膜厚は、発振（発光）波
長×約１／４×正の整数であり、具体的な厚さは、０．
Ｉ ＪＬｍ程度である。
長×約１／４×正の整数であり、具体的な厚さは、０．
Ｉ ＪＬｍ程度である。
第１図において、Ｎ型の第２半導体膜１５．Ｐ型の第２
半導体膜１６は、Ｎ型の半導体領域（埋め込み領域）１
７、Ｐ型の半導体領域（埋め込み領域）１８とそれぞれ
導通しており、これらＮ型半導体領域１７、Ｐ型半導体
領域１８にそれぞれＮ型電極１８゜Ｐ型電極２０が設け
られている。
半導体膜１６は、Ｎ型の半導体領域（埋め込み領域）１
７、Ｐ型の半導体領域（埋め込み領域）１８とそれぞれ
導通しており、これらＮ型半導体領域１７、Ｐ型半導体
領域１８にそれぞれＮ型電極１８゜Ｐ型電極２０が設け
られている。
第１図において、ＷはＮ型半導体領域１７とＰ型半導体
領域１８との間隔を示している。
領域１８との間隔を示している。
通常、Ｗは２０ルｍ程度である。
第１図の面発光レーザ素子が、ＩｎＰ系の長波長帯のも
のであるとき、半絶縁性基板１１は半絶縁性のＩｎＰか
らなり、ノンドープの第１半導体膜１４はＩｎｘＧａｘ
−＋ＡｓｙＰｙ−＋ （０≦ＬＹ≦１）からなり、Ｎ型
の第２半導体膜１５はＮ−１ｎＰからなり、Ｐ型の第２
半導体膜１ＢはＰ−１ｎＰからなる。
のであるとき、半絶縁性基板１１は半絶縁性のＩｎＰか
らなり、ノンドープの第１半導体膜１４はＩｎｘＧａｘ
−＋ＡｓｙＰｙ−＋ （０≦ＬＹ≦１）からなり、Ｎ型
の第２半導体膜１５はＮ−１ｎＰからなり、Ｐ型の第２
半導体膜１ＢはＰ−１ｎＰからなる。
単位多層膜１３におけるノンドープの第１半導体膜１４
、Ｎ型の第２半導体膜１５、Ｐ型の第２半導体膜１８な
どは、上記のものに限定されることなく、たとえば、Ｇ
ａＡｓ −Ａ １ｃｉａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ −１ｎＡ
ＩＡｓなどの組み合わせも採用することができる。
、Ｎ型の第２半導体膜１５、Ｐ型の第２半導体膜１８な
どは、上記のものに限定されることなく、たとえば、Ｇ
ａＡｓ −Ａ １ｃｉａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ −１ｎＡ
ＩＡｓなどの組み合わせも採用することができる。
第１図に例示した面発光レーザ素子の場合、既述の通り
、Ｎ型電極１９、Ｐ型電極２０からＮ型半導体領域１７
、Ｐ型半導体領域１８を通じて半導体多層膜構造１２に
供給されたキャリアの一部が、両温２半導体膜１５．１
Ｂよりこれらの間の第１半導体膜１４中へ注入されるの
で、キャリアの閉じ込めが改善され、かつ、半導体多層
膜が分布帰還を生せしめるため、各半導体膜の積層界面
と直交する方向にレーザ発振光が放出される。
、Ｎ型電極１９、Ｐ型電極２０からＮ型半導体領域１７
、Ｐ型半導体領域１８を通じて半導体多層膜構造１２に
供給されたキャリアの一部が、両温２半導体膜１５．１
Ｂよりこれらの間の第１半導体膜１４中へ注入されるの
で、キャリアの閉じ込めが改善され、かつ、半導体多層
膜が分布帰還を生せしめるため、各半導体膜の積層界面
と直交する方向にレーザ発振光が放出される。
ｒ発明の効果Ｊ
以上説明した通り、本発明に係る面発光レーザ素子は、
変調ドープ構造を採用しているので、注入キャリアの拡
散長により制限されていた発光面積が改善されるととも
に、注入キャリアの閉じ込めも改善され、ゆえに、製作
寸法上の制限が緩和されるばかりか、発光効率をも向上
させることができる。
変調ドープ構造を採用しているので、注入キャリアの拡
散長により制限されていた発光面積が改善されるととも
に、注入キャリアの閉じ込めも改善され、ゆえに、製作
寸法上の制限が緩和されるばかりか、発光効率をも向上
させることができる。
第１図は本発明に係る面発光レーザ素子の一実施例を略
示した断面図、第２図〜第５図は本発明における各種の
単位多層膜を例示した断面図、第６図は従来の面発光レ
ーザ素子を略示した断面図である。 １・・・・・・半絶縁性基板 ２・・・・・・半導体多層膜構造 ３・・・・・・単位多層膜 ４・・・・・・ノンドープの第１半導体膜５・・・・・
・Ｎ型の第２半導体膜 ８・・・・・・Ｐ型の第２半導体膜 ７・・・・・・Ｎ型の半導体領域 ８・・・・・・Ｐ型の半導体領域 ９・・・・・・Ｎ型電極 ２０・・・・・・Ｐ型電極
示した断面図、第２図〜第５図は本発明における各種の
単位多層膜を例示した断面図、第６図は従来の面発光レ
ーザ素子を略示した断面図である。 １・・・・・・半絶縁性基板 ２・・・・・・半導体多層膜構造 ３・・・・・・単位多層膜 ４・・・・・・ノンドープの第１半導体膜５・・・・・
・Ｎ型の第２半導体膜 ８・・・・・・Ｐ型の第２半導体膜 ７・・・・・・Ｎ型の半導体領域 ８・・・・・・Ｐ型の半導体領域 ９・・・・・・Ｎ型電極 ２０・・・・・・Ｐ型電極
Claims (1)
- 半絶縁基板上の半導体多層膜構造が、相互に積層された
複数の単位多層膜からなり、該各単位多層膜が、直接遷
移型でノンドープの第１半導体膜と、該第１半導体膜よ
りも禁制帯幅の大きいＮ型の第２半導体膜と、Ｐ型の第
２半導体膜とを備えていて、発振波長×約１／４×正の
整数の膜厚を有するこれら半導体膜が、第１半導体膜−
Ｎ型第２半導体膜−第１半導体膜−Ｐ型第２半導体膜、
第１半導体膜−Ｐ型第２半導体膜−第１半導体膜−Ｎ型
第２半導体膜、Ｎ型第２半導体膜−第１半導体膜−Ｐ型
第２半導体膜−第１半導体膜、Ｐ型第２半導体膜−第１
半導体膜−Ｎ型第２半導体膜−第１半導体膜のいずれか
の順序で積層されており、上記半導体多層膜構造の対を
なす両側面のうち、その一側面に接して設けらたＰ型半
導体領域にＰ型電極が備えられ、その他側面に接して設
けられたＮ型半導体領域にＮ型電極が備えられているこ
とを特徴とする面発光レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27133989A JPH03133188A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 面発光レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27133989A JPH03133188A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 面発光レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03133188A true JPH03133188A (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=17498682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27133989A Pending JPH03133188A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 面発光レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03133188A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03178180A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152683A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nec Corp | 面発光半導体レ−ザ |
| JPS59154087A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | Nec Corp | 分布帰還型面発光半導体レ−ザ |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP27133989A patent/JPH03133188A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59152683A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nec Corp | 面発光半導体レ−ザ |
| JPS59154087A (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | Nec Corp | 分布帰還型面発光半導体レ−ザ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03178180A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
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