JPH0312980A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0312980A JPH0312980A JP14669289A JP14669289A JPH0312980A JP H0312980 A JPH0312980 A JP H0312980A JP 14669289 A JP14669289 A JP 14669289A JP 14669289 A JP14669289 A JP 14669289A JP H0312980 A JPH0312980 A JP H0312980A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
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- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ディスク等に用いられる半導体レーザ装置に
関するものである。
関するものである。
（従来の技術）
光ディスク等に用いられる半導体レーザは、高出力特性
と高信頼性を同時に得るために、前端面には低反射率コ
ーティング、後端面には高反射率コーティングが施され
ている。
と高信頼性を同時に得るために、前端面には低反射率コ
ーティング、後端面には高反射率コーティングが施され
ている。
半導体レーザに要求される前面出力光パワー後方モニタ
ーフォトダイオードの電流値の下限、信頼性を確保する
ための動作電流の低減などを考慮して、前面反射率Ｒｆ
と後面反射率Ｒ，が決定され、このＲ，、Ｒｒを実現す
るために誘電体多層薄膜が用いられている。
ーフォトダイオードの電流値の下限、信頼性を確保する
ための動作電流の低減などを考慮して、前面反射率Ｒｆ
と後面反射率Ｒ，が決定され、このＲ，、Ｒｒを実現す
るために誘電体多層薄膜が用いられている。
ある反射率を得るためのコーティングの条件は、誘電体
の種類および組合せ、また、それらの厚さをパラメータ
として行われ、１つの反射率に対しと無限側の解、すな
わち誘電体の薄膜の組合せが存在し、通常、作製の容易
などの面から、実際に使用するコーティングが決定され
ている。
の種類および組合せ、また、それらの厚さをパラメータ
として行われ、１つの反射率に対しと無限側の解、すな
わち誘電体の薄膜の組合せが存在し、通常、作製の容易
などの面から、実際に使用するコーティングが決定され
ている。
（発明が解決しようとする課題）
半導体レーザは、光ティスフ装置等に実装された場合、
レーザの後方光をモニターし、このモニター電流を一定
に保つよう自動出力制御される（Ａ Ｐ Ｃ制御）。し
かしながら、温度などの使用状況の変化によって、レー
ザ光のパワーの前後比Ｐｒ／Ｐｒ（Ｐｒは出射光、Ｐ、
は裏面光）が変化し、従ってモニター電流を一定に制御
しても前面パワ−が変動するという場合があった。
レーザの後方光をモニターし、このモニター電流を一定
に保つよう自動出力制御される（Ａ Ｐ Ｃ制御）。し
かしながら、温度などの使用状況の変化によって、レー
ザ光のパワーの前後比Ｐｒ／Ｐｒ（Ｐｒは出射光、Ｐ、
は裏面光）が変化し、従ってモニター電流を一定に制御
しても前面パワ−が変動するという場合があった。
これは、使用状況の変化（温度変化など）でレーザの発
振波長が変動し、これに伴って前面側および後面側の反
射率Ｒ（、Ｒ、が変動するためである。
振波長が変動し、これに伴って前面側および後面側の反
射率Ｒ（、Ｒ、が変動するためである。
そこで、レーザの発振波長の変動に対して、Ｐｆ／Ｐ、
の安定な、半導体レーザを作製することが課題となって
いた。
の安定な、半導体レーザを作製することが課題となって
いた。
（課題を解決するための手段）
本発明は」二記課題を解決するため、半導体レーザの前
端面および後端面に対してコーティングを施す誘電体薄
膜の組合せ、およびその膜厚を決める際に、レーザの発
振波長に対する反射率の変動も考慮し、前後の反射率Ｒ
，，Ｒ，によって決まるパワーの前後比（Ｐｒ／Ｐ、）
が、レーザの発振波長の変化に対して安定になるように
、コーテイング膜について波長変化に対する反射率変化
ΔＲｆ ＋△Ｒ，に、同じ増減傾向をもたせ、ΔＰ ｒ
／ Ｐ ｒを相殺するようにする。
端面および後端面に対してコーティングを施す誘電体薄
膜の組合せ、およびその膜厚を決める際に、レーザの発
振波長に対する反射率の変動も考慮し、前後の反射率Ｒ
，，Ｒ，によって決まるパワーの前後比（Ｐｒ／Ｐ、）
が、レーザの発振波長の変化に対して安定になるように
、コーテイング膜について波長変化に対する反射率変化
ΔＲｆ ＋△Ｒ，に、同じ増減傾向をもたせ、ΔＰ ｒ
／ Ｐ ｒを相殺するようにする。
（作 用）
このように構成されたコーティングを有する半導体レー
ザ装置では、ＡＰＣ制御した場合、使用状況の変化に対
して極めて安定な出力光パワーを得ることができる。
ザ装置では、ＡＰＣ制御した場合、使用状況の変化に対
して極めて安定な出力光パワーを得ることができる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例によるコーティング構造を示
し、図において、１は半導体レーザチップ、２は前端面
に施された１層のコーテイング膜であり、誘電体薄膜と
してＡＱ２０３．０．１７５λ（λは誘電体中での波長
）が施されている。３および４は後端面に施された２層
のコーテイング膜であり、誘電体薄膜として夫々ＡΩ２
０３．０．３２λ、 Ｓｉ。
し、図において、１は半導体レーザチップ、２は前端面
に施された１層のコーテイング膜であり、誘電体薄膜と
してＡＱ２０３．０．１７５λ（λは誘電体中での波長
）が施されている。３および４は後端面に施された２層
のコーテイング膜であり、誘電体薄膜として夫々ＡΩ２
０３．０．３２λ、 Ｓｉ。
０．２５λが施されている。
」１記のように構成された、半導体レーザの光出力パワ
ー前後比（ｐｆ／ｐｒ）は１次式によって前後の反射率
Ｒｆ ｒ Ｒｒより決まる。
ー前後比（ｐｆ／ｐｒ）は１次式によって前後の反射率
Ｒｆ ｒ Ｒｒより決まる。
従って、発振波長の変動により前後の反射率Ｒ，，Ｒ，
が変化すると光出力パワー前後比Ｃｐｒｉｐ、）も変わ
るが、上記（１）式から前後の反射率Ｒｆ。
が変化すると光出力パワー前後比Ｃｐｒｉｐ、）も変わ
るが、上記（１）式から前後の反射率Ｒｆ。
３
Ｒ，の増減の傾向を同様にし、かつ、その大きさを制御
することにより、Ｐｒ／Ｐ、の変化を相殺することがで
きる。
することにより、Ｐｒ／Ｐ、の変化を相殺することがで
きる。
また、第２図（ａ）および（ｂ）に示すように前面側の
反射率Ｒｒ、後面側の反射率Ｒｒは、誘電体薄膜の膜厚
（横軸）によって変化し、その薄厚を変えることによっ
て夫々の反射率Ｊ、Ｒ，を変化させることができる。
反射率Ｒｒ、後面側の反射率Ｒｒは、誘電体薄膜の膜厚
（横軸）によって変化し、その薄厚を変えることによっ
て夫々の反射率Ｊ、Ｒ，を変化させることができる。
ところで、誘電体をコーティングしたときの反射率は、
次式のように変数δの関数となる。
次式のように変数δの関数となる。
４πｎ−ｄ
δ＝ ・・・・・・・・・・・・（２）λ
ただし、ｎは誘電体の屈折率、ｄは誘電体の膜厚、λは
真空中での波長を示す。
真空中での波長を示す。
したがって、反射率については膜厚ｄに対する増減傾向
と、波長λに対する増減の傾向は、ともに密接な関係を
有している。このことにより、前記第２図（ａ）および
（ｂ）の膜厚ｄの増減傾向に対する反射率Ｒ，，Ｒ，は
、夫々第２図（ｃ）および（ｄ）のように波長λの増減
傾向に対して反射率Ｒｒ ＋ Ｒｒが計算により求める
ことができる。
と、波長λに対する増減の傾向は、ともに密接な関係を
有している。このことにより、前記第２図（ａ）および
（ｂ）の膜厚ｄの増減傾向に対する反射率Ｒ，，Ｒ，は
、夫々第２図（ｃ）および（ｄ）のように波長λの増減
傾向に対して反射率Ｒｒ ＋ Ｒｒが計算により求める
ことができる。
第３図は第２図（ｃ）および（ｄ）の反射率Ｒ，，Ｒ。
の増減傾向より、前記（１）式から光出力パワー前後比
（Ｐｒ／Ｐ−）を求めた本発明の半導体レーザの特性（
Ａ）を示し、従来の特性（Ｂ）と対比して明らかなよう
に、波長λの変化に対し、Ｐ ｒ ／ Ｐ ｒの変動が
殆んどないことが分る。これは、前記第２図（ｃ）およ
び（ｄ）の波長λに対する反射率Ｒ，，Ｒ，の傾きが同
一であり、また、その大きさが（１）式でＰ。
（Ｐｒ／Ｐ−）を求めた本発明の半導体レーザの特性（
Ａ）を示し、従来の特性（Ｂ）と対比して明らかなよう
に、波長λの変化に対し、Ｐ ｒ ／ Ｐ ｒの変動が
殆んどないことが分る。これは、前記第２図（ｃ）およ
び（ｄ）の波長λに対する反射率Ｒ，，Ｒ，の傾きが同
一であり、また、その大きさが（１）式でＰ。
／Ｐ、の変動を相殺するよう前面側、後面側の誘電体が
構成されているからである。
構成されているからである。
従って、第４図（Ａ）に示すように、ＡＰＣ制御下で、
温度Ｔの変動、すなわら温度の変化による波長の変動に
対する前面出力光パワーＰ○変化が、従来の半導体レー
ザ（Ｂ）に比べて極めて小さい半導体レーザを得ること
ができる。
温度Ｔの変動、すなわら温度の変化による波長の変動に
対する前面出力光パワーＰ○変化が、従来の半導体レー
ザ（Ｂ）に比べて極めて小さい半導体レーザを得ること
ができる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明の半導体レーザは。
ＡＰＣ制御下で安定な出力光パワーを得ることができ、
光ティスフ用などに実用上人なる効果を有する。
光ティスフ用などに実用上人なる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例に係るコーティング構造の一
例を示す図、第２図はそのコーチインクの反射率の膜厚
および波長依存性を示す図、第３図はそのコーティング
を施した場合の出力光パワー前後比の波長依存性を示す
図、第４図は半導体レーザの出力光パワー温度依存性を
示す図である。 １・・半導体レーザチップ、 ２，３．４・コーテイ
ング膜。 第 図
例を示す図、第２図はそのコーチインクの反射率の膜厚
および波長依存性を示す図、第３図はそのコーティング
を施した場合の出力光パワー前後比の波長依存性を示す
図、第４図は半導体レーザの出力光パワー温度依存性を
示す図である。 １・・半導体レーザチップ、 ２，３．４・コーテイ
ング膜。 第 図
Claims (1)
- 半導体レーザのミラーを構成する両端面に形成された誘
電体薄膜は、前面側および後面側の反射率が半導体レー
ザの発振波長の変動に対して同様の増減傾向を有し、か
つ、その増減の大きさが中心波長から波長がずれた場合
の光出力パワーの前後比である出射光Ｐ＿ｆ／裏面光Ｐ
＿ｒの変動を相殺するようにしたことを特徴とする半導
体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14669289A JP2666086B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14669289A JP2666086B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312980A true JPH0312980A (ja) | 1991-01-21 |
| JP2666086B2 JP2666086B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=15413411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14669289A Expired - Fee Related JP2666086B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666086B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278096A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| WO2011089823A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | ソニー株式会社 | 光源装置、及び通信装置 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP14669289A patent/JP2666086B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278096A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| US8891572B2 (en) | 2009-05-27 | 2014-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having reflecting and emitting surfaces |
| WO2011089823A1 (ja) * | 2010-01-25 | 2011-07-28 | ソニー株式会社 | 光源装置、及び通信装置 |
| CN102725926A (zh) * | 2010-01-25 | 2012-10-10 | 索尼公司 | 光源单元和通信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2666086B2 (ja) | 1997-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |