JPH03129294A - トランスファーチューブ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高密度セラミック酸化物管とその外面の壁に
直接接合された低密度セラミック酸化物被覆とで構成さ
れ、かつ高密度管と低密度被覆との間の加熱エレメント
を有するトランスファーチューブの生産に係る。

本出願は、１９８９年４月１７日に出願されたボロム（
Ｂｏｒｏｍ）らの「トランスファーチューブ（ＴＲＡＮ
ＳＦＥＩ’ｉ　ＴＵＢＥ）　Ｊに関する米国特許出願第
０７／３３９．４６０号および１９８９年６月１５日頃
に出願されたスペック（Ｓｖｅｃ）らの「トランスファ
ーチューブ（ＴＲＡＮＳＦＥＲＴＵＢＥ）　Ｊに関する
米国特許出願第（ＲＤ−１９，２３７）号に関連してい
る。これらの出願は本発明と同じ詣受入に穣渡されてお
り、引用によりその開示内容が本明細書中に含まれてい
るものとする。

過去において溶融金属を移送するには、化学的な不活性
さと熱衝撃に対する抵抗性のためにアルミナおよびジル
コニアの低密度管が使用されていた。低密度管のひとつ
の欠点は、機械的に弱く、砕は散って、バルクな金属の
性質に極めて有害な断片となり通過する溶融金属の流れ
の中に入ってくるということである。低密度管が壊れる
こともしばしば起こる。また、低密度管は粗い表面をも
っており、そのため比表面積が極めて高く、酸化物やス
ラグが接着し得、究極的にはオリフィスを塞ぎ得る。他
方、高密度管は熱衝撃耐性が良くないため有用でない。

この従来技術の欠点は関連の米国特許出願第０７／３３
９，４６０号によって克服される。この関連出願は、高
密度セラミック酸化物で構成され、その外面壁に低密度
セラミック酸化物シェルが直接接合されている一体型ト
ランスファーチューブを開示している。このトランスフ
ァーチューブの構成により熱衝撃耐性が得られる。しか
し、この＃ｌ衝撃耐性はこのトランスファーチューブを
予備的に加熱することによって高められることが判明し
た。外部の熱源からこのトランスファーチューブに熱を
伝達することは煩わしいし、半径方向の熱勾配の徴候の
観点から望ましくない。外側から内側に向けて低下して
いく温度による熱勾配のために、内部の高密度管は三軸
方向に張力を受けるという望ましくない状態になる。

トランスファーチューブの内部で予熱すると共に外側に
向かって熱を放射する構造を創製することが望ましい。

本発明の目的は、構造体の内部に予熱源を設けることに
よって複合トランスファーチューブの熱衝撃耐性を高め
ることである。本発明のトランスファーチューブは焼結
法によって製造される。

本発明は、高密度で中空のセラミック酸化物管からなり
、好ましくはその外面の壁が低密度のセラミック酸化物
シェルに包まれており、高密度管と低密度シェルとの間
に内部ヒーターを有する一体型トランスファーチューブ
を提供する。この内部ヒーターは加熱エレメントによっ
て提供され、トランスファーチューブの使用温度で高密
度管に加わる重大な悪影響を防止するのに充分な熱を発
生してその熱を高密度管に与えることができるという特
徴を有する。この内部ヒーターを用いて高密度管を予熱
することによって、溶融金属が高密度管内に導入された
ときに生ずる一時的な熱勾配に耐えるのに必要とされる
熱衝撃耐性が提供される。低密度シェルの熱伝導率は高
密度管の熱伝導率より充分に低いので、高密度管に重大
な悪影響を及ぼすことになる熱応力が高密度管中に蓄積
されるのが防がれる。また、本発明のトランスファーチ
ューブ内の高密度管により滑らかな、または実質的に滑
らかな内面が得られ、したがって酸化物やスラグの付着
が排除されるかまたは大幅に低下する。

本明細書の一部をなす添付の図面を参照した以下の詳細
な説明から、当業者は本発明をさらに充分に理解できる
であろう。

簡単にいうと、ひとつの態様において本発明のトランス
ファーチューブは、中空の高密度管、低密度シェル、お
よび、加熱巻回部と２つの端部から成る連続で細長い加
熱エレメントで構成されており、前記加熱エレメントの
前記巻回部は前記高密度管の外面の壁と直接接触してお
り、前記シェルは前記加熱エレメントの前記巻回部と前
記高密度管の外面壁とを包囲していてその実質的な部分
を露出させることがなく、前記シェルは前記加熱エレメ
ントの前記巻回部と直接接触しており、かつ前記高密度
管の前記外面壁に直接接合されており、前記加熱エレメ
ントの前記端部は少なくとも充分な部分が電気アタッチ
メントまたは電気接点用に露出しており、前記加熱エレ
メントの前記加熱巻回部は、電気的特徴として、前記ト
ランスファーチューブの使用温度の３００℃以内の温度
に前記高密度管を予熱・維持するのに充分な電気抵抗と
表面積を有しており、前記加熱エレメントは、７００℃
より高く、シかも前記トランスファーチューブの使用温
度より少なくとも２００℃高い融点を有する金属または
金属合金から成っており、前記高密度管および低密度シ
ェルは多結晶質のセラミック酸化物材料から成っており
、前記高密度管はその理論密度の少なくとも約９０％の
密度を有しており、前記高密度管は少なくとも溶融金属
がその中を移送されるのに充分な断面積の通路がその長
さ全体に亘って伸びており、前記低密度シェルの密度は
その理論密度の約４０％から約８０％までの範囲であり
、前記低密度シェルは前記高密度管の熱伝導率より少な
くとも約１０％低い熱伝導率を有しており、前記低密度
シェルの熱膨張係数は前記高密度管の熱膨張係数の約±
２５％以内である。

もうひとつ別の態様において本発明のトランスファーチ
ューブは、前記加熱エレメントの巻回部に直接接触して
おり、かつ高密度管の外面壁に直接接台されている多結
晶質のセラミック酸化物焼結コーティングも含んでいる
。この態様においてシェルは多結晶質コーティングに直
接接合されている。この多結晶質焼結コーティングは、
加熱エレメントの巻回部を適当な位置に維持するために
加熱エレメントの巻回部上および高密度管の外面壁上に
付着・沈着させた接合用セラミック酸化物粒子のスラリ
ーのコーティングから製造される。

別の態様では、加熱エレメントの末端ワイヤ部分の一部
に多結晶質セラミック酸化物のスリーブを嵌め、各スリ
ーブの少なくとも一方の端部をシェル内部に収容してト
ランスファーチューブのシェルに直接接合する。

本明細書中の「金属」という用語は金属の合金、特に超
合金を含むものとする。

第１図は、焼結プロセスによってシェルが形成される前
の構造体１を示す。この構造体１は、高密度セラミック
酸化物管２と、加熱巻回（巻線）部５と端部６および７
から成るワイヤ４の形態の連続で細長い加熱エレメント
とで構成されている。

巻回部５は、高密度管２の外壁３と直接接触して摩擦係
合している単一の螺旋の形態である。ワイヤ端部６は屈
曲し、巻回部５から離れて間隔を保ち、外に向かってワ
イヤ端Ｈ７と同じ方向に伸びている。ワイヤ端部６とワ
イヤ巻回部５との間隔は、公知の方法によって、得られ
るトランスファーチューブ内でのショートを防ぐように
維持することができる。ワイヤ端部６と７は、得られる
トランスファーチューブで少なくとも電気アタッチメン
ト用に充分な部分が露出されるように配置する。

第２図は、焼結プロセスにかける前の構造体２０を示す
。この構造体２０は、高密度セラミック酸化物管２１、
ワイヤの形態の加熱エレメント２２、およびセラミック
酸化物粒子から成る未焼結接合用コーティング２３で構
成されている。加熱エレメント２２は、加熱巻回ワイヤ
部分２４と末端ワイヤ部分２５および２６で構成されて
いる。

巻回ワイヤ部分２４は、高密度管２１の外面壁２７と直
接接触している単一の螺旋の形態である。

末端ワイヤ部分２６は屈曲し、巻回部分２４がら離れて
間隔を保ち、外に向がって末端ワイヤ部分２５と同じ方
向に伸びている。コーティング２３は、末端ワイヤ部分
２６と巻回部分２４とが接触するのを防ぎ、それにより
、得られるトランスファーチューブ内でのショートの発
生を防止する。

また、コーティング２３は、巻回ワイヤ部分２４および
壁２７と直接接触してこれらを覆い、巻回ワイヤ部分２
４を一定の位置に維持して螺旋２４のコイル間の接触を
防ぎ、それにより、得られるトランスファーチューブ内
でのショートを回避する。末端ワイヤ部分２５と２６は
、得られるトランスファーチューブで少なくとも電気ア
タッチメント用に充分な部分が露出されるように配置す
る。

第３図は、焼結によってシェルが形成される前の構造体
３０を示す。この構造体３ｏは、ジヨイント部３４およ
び３５で互いに一部がＪ９ｍ嵌合（連結）している高密
度セラミック酸化物管３１．３２および３３、ワイヤの
形態の加熱エレメント３６、ならびに接合用のセラミッ
ク酸化物粒子から成るコーティング３７で構成されてい
る。加熱エレメント３６は、加熱巻回ワイヤ部分３８と
末端ワイヤ部分３９および４ｏで構成されている。

巻回ワイヤ部分３８は、管３３の上では二重螺旋の形態
で、また管３１と３２の上では一重螺旋の形態で示され
ており、それぞれ管３工、３２および３３の外面壁４１
．４２および４３と直接接触している。末端ワイヤ部分
３９と４０は屈曲し、巻回部分３８から離れて間隔を保
ち、外に向がって同じ方向に伸びている。コーティング
３７は、巻回ワイヤ部分３８および壁４１．４２および
４３と直接接触しており、巻回ワイヤ部分３８を一定の
位置に維持してそのコイル間の接触を防ぎ、かつワイヤ
部分３８と端部３９および４ｏとの間の接触も防いでお
り、それにより、得られるトランスファーチューブ内で
のショートの発生を回避する。末端ワイヤ部分３９と４
０は、得られるトランスファーチューブで少なくとも電
気アタッチメント用に充分な部分が露出されるように配
置する。

第４図は、第１図の構造体から製造される本発明のトラ
ンスファーチューブのひとつの具体例を示している。特
に、第４図には高密度セラミック酸化物管５１が示され
ているが、これはその上端部５２（すなわち溶融金属の
流入口）とその下端部５３（すなわち溶融金属の流出口
）との両方で開放されている。管５１を貫通して通路５
４が伸びており、この具体例の場合の通路はその長さ全
体に亘って同じ円形断面積をもっている。加熱エレメン
トは巻回部５６と端部５７および５８とから成るワイヤ
の形態である。巻回ワイヤ部分５６は高密度管５１の外
面壁５９と直接接している。

末端ワイヤ部分５８は曲がっており、巻回ワイヤ部分５
６から離れている。低密度セラミック酸化物シェル６０
は、巻回ワイヤ部分５６が占めている部分を除いて高密
度管５１の外面壁５９に直接接合されている。シェル６
０は巻回ワイヤ部分５６と直接接しており、巻回ワイヤ
部分５６と壁５９を包囲していて、その実質的な部分を
露出させないようになっている。末端ワイヤ部分５７と
５８は電気アタッチメント用に充分な程度に露出してい
る。・末端ワイヤ部分５７と５８の一部には多結晶質の
セラミック酸化物スリーブ５５と５０が被せられている
。スリーブ５５および５０の一方の端部はシェル６０内
部にあってこれに直接接合されている。

第５図は、第２図の構造体から製造されるトランスファ
ーチューブを示している。特に、第５図には通路６３を
もった高密度セラミック酸化物管６２が示されているが
、これは、溶融金属がこのチューブに入る際に通る上端
部６４と、溶融金属がこのチューブを出ていく際に通る
下端部６５との両方で開放されている。加熱エレメント
は螺旋状に巻かれた巻回ワイヤ部分６７と端部６８およ
び６９とから成るワイヤの形態である。巻回ワイヤ部分
６７は高密度管６２の外面壁７ｏと直接接触している。

末端ワイヤ部分６８と６９は、電気アタッチメントを取
付けられるようにトランスファーチューブ６１から伸延
している。末端ワイヤ部分６８と６９の一部には多結晶
質セラミック酸化物スリーブ６１と６６が被せられてい
る。スリーブ６１と６６の一方の端部はシェルフ２内部
にあってこれに直接接合されている。焼結した多結晶質
コーティング７１は接合用セラミック酸化物粒子から成
っており、外壁７０に直接接合され、かつ螺旋状に巻い
た部分６７と直接接触している。

低密度セラミック酸化物シェルフ２はコーティング７１
に直接接合されている。

第６図は、第３図の構造体から製造されるトランスファ
ーチューブを示している。特に、第６図には、通路８５
が貫通して伸延しており、ジヨイント部％および９７で
互いに一部が嵌合している高密度セラミック酸化物管８
２．８３および８４が示されているが、これは、溶融金
属がこのトランスファーチューブに入る際に通る上端部
８６と、溶融金属がこの管を出ていく際に通る下端部８
７との両方で開放されている。加熱エレメントは螺旋状
に巻かれた巻回ワイヤ部分８９と端部９０および９１と
から成るワイヤである。巻回ワイヤ部分８９は高密度管
８２．８３および８４の外面壁９２．９３および９４と
それぞれ直接接触している。末端ワイヤ部分９０と９１
は、電気アタッチメントを取付けられる程充分に露出し
ている。

焼結した多結晶質コーティング９５は接合用セラミック
酸化物粒子から成っており、外壁９２．９３および９４
に直接接合され、かつ螺旋状に巻いた部分８９と直接接
触している。低密度セラミック酸化物シェル９７はコー
ティング９５に直接接合されている。第６図に示されて
いるように、末端ワイヤ部分９０と９１は折返され、同
じ方向に向かって外の方へ伸びている。末端ワイヤ部分
９０と９１の一部には多結晶質アルミナスリーブ８１と
８８が被せられている。スリーブ８１と８８の一方の端
部はシェル９７内部にあってこれに直接接合されている
。

本発明のトランスファーチューブにおいて、高密度管は
２つの開放端、すなわち入口端と出口端とを有する中空
体である。この管はその長さ全体、すなわち両方の開放
端に亘って伸びる通路をもっている。この通路の断面積
は、少なくとも、溶鍛金属がその中を通って下方へ通過
していくには充分である。この通路の断面積はトランス
ファーチューブの個々の用途によって大いに左右され、
経験的に決定される。一般にこの通路の断面積は約０．
８〜約５０００ｍｍ２の範囲であり、約３〜約１５０（
１＋ｍ２または約７〜約１０００＋＋＊２の範囲である
ことが多い。この断１Ｉｌｊ積は通路の長さ全体に亘っ
て同じであることもできるし、変えることもできる。

高密度管およびそれを貫通して伸びる通路は所望のいか
なる形状とすることもできる。たとえば、通路の断面は
円、正方形、卵形、長方形、星形およびこれらの任意の
組合せの形状とすることができる。高密度管の外壁は平
らにすることもできるが曲面が好ましい。たとえば、高
密度管は円筒、直方体または立方体の形態にすることが
できる。

高密度管はその通路を含めて円筒形とするのが好ましい
。

高密度管は、このトランスファーチューブの用途に太き
（左右され経験的に決定される最小の壁厚をもっている
。一般に、高密度管は、少なくとも、溶融金属がこの中
を通過するときトランスファーチューブ中でそのままの
形態を維持するかまたは実質的に維持するのに充分な壁
厚をもつている。通常この高密度管の壁厚は約０．１２
５ｍｔｓから約６．５龍未満までの範囲であり、約０．
２５０１１Ｉ１１から約２報まで、または約０−０−７
Ｏ０から約１．５００ａ＋ｍまでの範囲であることが多
い。−般に、約６，５ｍｃＡより大きい壁厚を有する高
密度管には特に利点がない。

高密度管は、トランスファーチューブの用途に大きく依
存して広く変えることができ経験的に決定されるある長
さをもっている。その長さは、少なくとも、その中を通
して溶融金属を移送するのに充分な長さである。その長
さは所望に応じて長くすることができる。通常その長さ
は約１５ＩＩ＋！ｌから約１０００＋ｍまでの範囲であ
り、約２５ｍＩｍから約２００ｍ＋＊までの範囲である
ことが多い。たとえば、本発明のトランスファーチュー
ブをオリフィスとして使用する場合、その長さは通常的
２５ｍｍから約１００ｍｍまでの範囲である。

一般に高密度管は、密度がその理論密度の約９０％から
約１００％までの範囲であり、約９５％から約１００％
までの範囲が好ましい。それぞれの密度はトランスファ
ーチューブの個々の用途に大きく依存し、経験的に決定
される。この高密度管中の気孔はｔ０互に連結してない
のが好ましい。

高密度管の平均粒度はトランスファーチューブの特定の
用途に大いに依存して変えられ、経験的に決定される。

高密度管の平均粒度は、特定の使用温度で通過する溶融
金属に接触したときに管の破砕・断片化またはひどい破
砕・断片化を防げるように充分に小さいのが好ましい。

一般に、高密度管の平均粒度は約５ミクロンから約５０
ミクロンまで、または約１０ミクロンから約４０ミクロ
ンまで、または約２０ミクロンから約３０ミクロンまで
の範囲である。

高密度セラミック酸化物管の化学組成はトランスファー
チューブの特定の用途に大いに左右され経験的に決定さ
れる。高密度管は、この中を通過する溶融材料に対して
化学的に不活性であるかまたは化学的にみて実質的に不
活性である多結晶質セラミック酸化物材料で構成される
。特に、この中を通過する溶融金属に対して明らかに有
害な効果をもっているべきではない。

高密度管は、アルミナ、ベリリア、マグネシア、アルミ
ン酸マグネシウム、ムライト、イツトリア、ジルコニア
およびこれらの混合物より成る群の中から選択されたセ
ラミック酸化物で構成されるのが好ましい。一般に、ジ
ルコニアは、通常立方晶構造または立方晶、単斜晶およ
び正方晶構造の組合せから成る安定化ジルコニアとして
業界で知られている。

高密度管は市販品が入手可能である。また、セラミック
業界で知られているいくつかの慣用技術によって製造す
ることもできる。好ましい技術では、焼結可能なセラミ
ック酸化物粒子状材料を成形して、高密度化の際に所望
の高密度管を生成する寸法をもった所望の形態の中空管
とし、気体雰囲気中または部分的減圧下で、この管を所
望の密度にまで高密度化する温度で焼結する。この焼結
可能な材料の粒度は経験的に決定でき、高密度管中で望
まれる粒度に大きく依有する。通常この焼結可能な材料
は５ミクロン未満の平均粒度をもっている。また、この
焼結可能な粒子状材料は、望まれる特定の高密度管に大
いに依存してその組成を広く変化させることもできる。

たとえば、セラミック酸化物粉末単独で構成されていて
もよいし、あるいはセラミック酸化物粉末とそれに対し
て経験的に決定される焼結剤の充分量との混合物で構成
されていてもよい。焼結可能なジルコニア材料は、業界
でよく知られているように、一般に立方晶構造、または
立方晶、単斜晶および正方晶構造の組合せが生じるよう
に有効な量で安定剤を含んでいるであろう。特定の例で
は、平均粒度が約４ミクロンのアルミナ粉末を成形して
管にし、はぼ大気圧のアルゴン巾約１７００℃で焼結し
て本発明の高密度管を製造することができる。

高密度管は、所望の特定のトランスファーチューブおよ
びその用途に大いに左右され経験的に決定される熱膨張
係数をもっている。通常高密度管の熱膨張係数は約４０
　Ｘ　１０’／”Ｃより大きく、約６５　Ｘ　１０−７
／”Ｃより大きいことが多く、さらに約９０　ｘ　１０
−７／”Ｃであることが多い。

加熱エレメントは、７００℃より高く、好ましくは１０
ｏｏ℃より高く、さらに好ましくは１８００℃より高い
融点を有する固体の金属または金属合金から成る。また
、この加熱エレメントは、トランスファーチューブの使
用温度より少なくとも２００℃高く、好ましくは少なく
とも３００　”Ｃ高い融点をもっているべきである。こ
の加熱エレメントは、クロム、イリジウム、モリブデン
、ニッケル、オスミウム、パラジウム、白金、ロジウム
、ルテニウム、タンタル、タングステンおよびこれらの
合金より成る群の中から選択されたもので構成されてい
るのが好ましい。さらに、モリブデン、タンタルおよび
タングステンは融点が高いのでこれらの金属を加熱エレ
メントの構成材料として使用する方が好ましい。

加熱エレメントを構成する金属または金属合金は、業界
で知られているように、所望の性質を付与するために１
種以上のドーパント（添加元素）を含宵していることが
できる。たとえば、モリブデンやタングステンは延性を
付与するためにカリウムを添加しであることが多い。

この加熱エレメントは細長く、従来のいがなる形態でも
よい。たとえばワイヤ、リボン、中空チューブおよびこ
れらのいかなる組合せの形態でもよい。一般に、加熱エ
レメントは通常ワイヤの形態である。

加熱エレメントの個々の寸法は経験的に決定され、高密
度管の寸法および得られるトランスファーチューブの特
定の用途に大きく依有する。一般に、高密度管の寸法が
小さければ、高密度管の幾何学的制限のために加熱エレ
メントの厚み（太さ）はより小さく、所望の熱を発生す
るのに必要な加熱エレメントの巻数はより多くなる。通
常加熱エレメントの厚みは約０．２５ｍｍ（ＩＯミル）
がら３、　７ｍｍ　（１５０ミル）　＊”’Ｑノ範囲で
あり、約０゜５Ｉｌ１１１（２０ミル）から約０．７ｍ
ｍ（３０ミル）までの範囲であることが多く、約０．５
ｍｍ（２０ミル）であるのが好ましい。

加熱エレメントは巻回部と２つの端部とから成り、巻回
部は高密度管の外壁と直接接して一定の間隔で巻付けら
れた巻線（通常はコイル）で構成されている。この巻線
の間隔はトランスファーチューブの特定の用途に大きく
左右される。また、加熱エレメントの巻線間および巻回
部と端部との間の間隔は、トランスファーチューブ内で
エレメントの電気的故障を生じさせることになるそれら
の間の接触を防止するのに充分なものとすべきである。

この間隔をもった加熱エレメントと高密度管がら成る構
造体を製造するにはいくっがの技術を使用することがで
きる。ひとつの技術では、必要量の加熱エレメントを直
接高密度管の外壁上に巻付ける。コイルの間隔は、第１
図に示しであるように高密度管の壁に摩擦係合させるこ
とによって保つことができる。好ましくは、まず、必要
量の加熱エレメントを、高密度管よりやや小さい外径の
スチール製マンドレル上に直接きつく巻付け、このマン
ドレルから高密度管上へ滑らせる。一般に、加熱エレメ
ントすなわちワイヤは、巻回部を高密度管の壁に対して
ぴったりと嵌めることができるように充分な弾力をもっ
ている。

別の技術では、ポリマー溶液すなわちラテックスを、通
常の方法で、加熱エレメントの巻回部上と高密度管の外
壁上に塗布する。これは乾くと、加熱エレメントを正規
の位置に固定するポリマーコーティングとなる。このポ
リマーは８００℃以下のと度で熱分解・気化して元素状
炭素がほぼ残らないようなものとすべきである。有用な
ポリマーの代表はエポキシ、ポリビニルアルコールおよ
びポリメチルメタクリレートである。

好ましい態様では、加熱エレメントの所要の間隔を維持
するのに接合用セラミック酸化物粒子のコーティングを
使用する。これらのセラミック酸化物粒子の個々の組成
はそれらの接合作用および得られるトランスファーチュ
ーブの個々の用途に大きく左右され、経験的に決定され
る。接合用粒子は本発明プロセス中または得られるトラ
ンスファーチューブに対して重大な悪影響を及ぼさない
ものとするべきである。接合用セラミック酸化物粒子は
本発明のプロセス中に焼結して、それらが接触している
高密度管の外壁に直接接合されると共にシェルにも直接
接合されるべきである。通常は接合用粒子の約９５重量
％以上（はぼ１００％であることが多い）が、アルミナ
、ベリリア、マグネシア、アルミン酸マグネシウム、マ
グネシアとアルミナからなるアルミン酸マグネシウム形
成性組成物、ムライト、アルミナとシリカからなるムラ
イト形成性組成物、イツトリア、ジルコニア、およびこ
れらの混合物より成る群の中から選択される。通常は接
合用粒子の約５徂量％未満が、酸化カルシウム、酸化マ
グネシウム、シリカおよびこれらの任意の組合せより成
る群の中から選択される。一般に、接合用粒子は比較的
粗く、そのサイズは通常約１〜約１２５ミクロンの範囲
であり、平均粒度は通常約５０〜約１００ミクロンの範
囲である。接合用粒子状組成物は市販品が入手可能であ
る。

通常は接合用粒子のスラリーを使用する。これは、重大
な悪影響を及ぼすことのない液体媒質を用いて通常の方
法で作ることができる。水性スラリーが好ましい。スラ
リーの濃度は接合用粒子の湿ったコーティングが生成す
るのに充分なものとするのが好ましい。このコーティン
グが乾くと間隔を確保する酸化物粒子の充分なゴーティ
ングが残る。一般にスラリーの固形分含量はスラリーの
約２０〜約５０容量％の範囲である。このスラリーのコ
ーティングは、通常の方法で、たとえばブラシで塗布し
たりして設けることができ、通常は空気中で乾燥する。

本発明のトランスファーチューブにおいて加熱エレメン
トの巻回部は電気的な特徴として、高密度管部分を、そ
の使用温度の３００℃以内、すなわちトランスファーチ
ューブの使用？Ｈ＆の３００℃以内の温度に予熱・維持
するのに充分な電気抵抗と表面積をもっている。この程
度の熱勾配だと、トランスファーチューブの使用温度に
おける高密度管に対する重大な悪影響が避けられる。

一般に、加熱エレメントの巻回した部分とそれが発生さ
せなければならない熱の量の分布は、トランスファーチ
ューブの個々の用途に大きく依存し、経験的に決定され
る。加熱エレメントの高密度管に巻付ける部分の；は必
要な熱を発生するのに充分なものとするべきである。特
に、加熱エレメントまたはワイヤの電気表面負荷、すな
わち加熱エレメントまたはワイヤの単位表面積当たりの
電力量は、必要な熱を発生するのに充分なものとするべ
きである。

通常、高密度管中の温度勾配は、加熱エレメントの巻回
部分をその長さに沿って適正に分布させることによって
調節することができる。間隔をもった巻線すなわちコイ
ルが高密度管の長さに沿って分布する濃度は実質的に均
一とすることができるし、あるいは変化させることがで
きる。ただし、そのような濃度すなわち分布によって、
トランスファーチューブの使用温度で高密度管中に必要
とされる熱勾配が生じなければならない。加熱エレメン
トの巻回部は、高密度管に沿って、高密度管全体を加熱
することができるように充分な長さに亘って伸びている
。通常、加熱エレメントの巻回部は高密度管部分のほぼ
全長または完全に全長に互って伸びている。

本発明のトランスファーチューブの高密度管部分の熱勾
配は従来の方法で測定することができる。

たとえば、加熱したチューブの中に熱電対を通し、チュ
ーブ内の位置の関数として）３度を記録することができ
る。

簡！１１にいうと、本発明の方法のひとつの態様は、高
密度中空管、連続で細長い加熱エレメント、および理論
の約８０％の最大密度を有する多結晶質シェルからなっ
ている、溶融金属の移送に官用な一体型トランスファー
チューブの製造方法である。

ただし、前記加熱エレメントは加熱巻回部と２つの端部
からなり、この巻回部は前記高密度管の４面壁と直接接
触しており、また前記端部は少なくとも充分な部分が電
気アタッチメント用に露出しており、前記シェルは前記
加熱エレメントの前記巻回部と前記高密度管の外面壁と
を包囲しており、そのためその実質的な部分が露出する
ことはない。

この方法では、理論密度の少なくとも約９０％の密度を
有し、セラミック酸化物がら成る高密度多結晶質中空管
を準備し、７００’Ｃより高くてしがも前記トランスフ
ァーチューブの使用温度より少なくとも２００℃高い融
点を有する金属または金属合金から成る連続で細長い加
熱エレメントを準備し、前記高密度管と前記加熱エレメ
ントから成り、前記加熱エレメントの前記巻回部が前記
高密度管の前記外壁と直接接触し、がっ前記端部が前記
トランスファーチューブから伸延して電気アタッチメン
ト用として充分な部分が露出している構造体を形成し、
焼結して前記シェルを形成する粒子状セラミック酸化物
材料を用意し、閉鎖端部および開放端部ならびに前記ト
ランスファーチューブの前記シェルの形成を可能にする
のに充分な内壁を有する金型を用意し、前記構造体を前
記金型内に配置して、前記構造体の外面壁領域と前記金
型の前記内壁との間に、前記シェル形成用粒子状材料を
受容するための空間を形成し、前記構造体と前記金型の
内壁との間の前記空間内に前記シェル形成用粒子状材料
を沈着させて、自由に沈着した粒子状材料の物体を形成
しくこのシェル形成用粒子状材料は前記シェルを形成す
るのに充分な量で沈着させる）、得られたアセンブリを
、前記シェル形成用材料が焼結して前記トランスファー
チューブを生成する温度に加熱する。なお、前記焼結は
、前記アセンブリに対して重大な悪影響を及ぼすことの
ない雰囲気または部分的真空中で実施し、前記金型は前
記トランスファーチューブに重大な悪影響を及ぼすこと
がなく、前記加熱エレメントの前記巻回部は電気的特徴
として前記高密度管をその使用温度の３００℃以内の温
度に予熱・維持するのに充分な電気抵抗と表面積を育し
ている。

シェルを形成するのに使用する焼結可能なセラミック酸
化物粒子状材料、すなわちシェル形成用粉末はある範囲
の粒径をもつことができるが、所望の焼結シェルを生成
するサイズまたはサイズ分布（経験的に決定される）の
ものとするべきである。ひとつの態様では、シェル形成
用粉末が、通常約１５ミクロンから約４０ミクロンの範
囲のサイズを有する粗い粒子から成る。別の態様のシェ
ル形成用粉末は、通常約１ミクロンから約１００ミクロ
ンまでの範囲にサイズが分布している粒子、普通は細か
い粉末と粗い粉末の混合物がら成る。

細かい粉末、すなわち約１０ミクロン未満のサイズを宵
する粉末のみでは低密度シェルを生成するのに有用では
ない。

シェル形成用粉末の組成は、望まれる個々の低密度シェ
ルに大いに依存して広範囲に変化させることができる。

高密度管の外面壁に直接接合した所望のシェルが生成す
るような組成のものとするべきである。たとえば、セラ
ミック酸化物粉末単独から成っていてもよいし、あるい
はセラミック酸化物粉末に、それに応じて経験的に決定
される焼結剤を充分な量で混合した混合物から成ってい
てもよい。通常、シェル形成用粉末は、アルミナ、ベリ
リア、マグネシア、アルミン酸マグネシウム、マグネシ
アとアルミナからなるアルミン酸マグネシウム形成性組
成物、ムライト、アルミナとシリカからなるムライト形
成性組成物、イツトリア、ジルコニア、およびこれらの
混合物より成る群の中から選択される。焼結可能なジル
コニア粒子状材料は業界でよく知られているように安定
剤を含んでいるであろう。

本発明の方法を実施する際には、本発明のトランスファ
ーチューブの生成に適したサイズと形状の金型を準備す
る。一般に、金型は対立する２つの端部、すなわち閉鎖
端部と開放端部とを有している。金型は、一方の端で閉
じ反対の端が開いた中空のシリンダーの形態であること
が多い。金型の壁の長さは、少なくとも、所望のシェル
が形成できる程度に充分な長さとするべきである。ひと
つの態様では、金型の壁に加熱エレメントの端部が壁を
通って外に突き出られるくらいには少な（とも充分な２
つの穴が開いている。

金型は、本発明のプロセス中または得られるトランスフ
ァーチューブに対して重大な悪影響を及ぼすべきではな
い。少なくとも成形面（好ましくは金型全体）は、トラ
ンスファーチューブを形成するのに使用するセラミック
酸化物成分に対して化学的にほとんど不活性である。成
形面はトランスファーチューブを形成するのに使用する
セラミック酸化物成分が接着してはならない。成形面は
窒化ホウ素からなるのが好ましく、金型全体が窒化ホウ
素からなるとさらに好ましい。金型が加熱エレメントに
対して化学的に不活性でない場合には、それらの直接の
接触があってはならない。そのような場合には、加熱エ
レメントと金型との間の接触を防ぐために、多結晶質の
セラミック酸化物のスリーブをその端部に配置して端部
を金型から絶縁すると共にその支えともすることができ
る。

金型はこのセラミック酸化物スリーブに対して化学的に
ほとんど不活性でなければならず、このスリーブは多結
晶質のアルミナから成るのが好ましい。

第７図は、本発明のトランスファーチューブを製造する
のに有用な好ましいアセンブリを示している。構造体１
０１は、高密度管１０２、加熱エレメントワイヤ１０３
および外面壁１１０上に直接段けら゛れたセラミック酸
化物粒子のコーティング１０４から成り、底の端部１０
６が閉じ、上側の端部１０７が開いた金型１０５内の中
央に置かれている。シェル形成用粉末１０８が構造体１
０１と金型１０５の成形壁１０９との間の空間内に配置
されている。加熱エレメントは螺旋状に巻いた部分１１
１と端部１１２および１１３とから成る。セラミック酸
化物スリーブ１００および１０３が端部１１２および１
１３の一部を覆っており、金型の切れ込みに支えられて
いる。

固体の窒化ホウ詣管材料が市販されており、第７図に示
した金型と類似の金型を構築するのに使用することがで
きる。たとえば、市販の窒化ホウ素管を通常の方法で機
械加工することにより中空管とし、窒化ホウ素のスラブ
を使用して底の部分１０６を形成することができる。し
かし、市販の窒化ホウ素片は酸化ホウ素を含んでいるこ
とが多く、焼結中にシェル形成用粉末に粘着してトラン
スファーチューブの生成を妨げる他の物質を含むことも
ある。したがって、市販の窒化ホウ素片は、成形面への
粘着の原因となる物質を充分に除去するため、使用前に
ベーキングするのが好ましい。

通常、約０．２トルの減圧巾約１９００℃の温度で約１
時間窒化ホウ素片をベーキングすれば、所望の非粘着性
の成形面を生成するのに充分である。

一般に本発明のプロセスを実施するには、ひとつの態様
の場合高密度管と加熱エレメントで構成される構造体を
、その外面壁領域上にシェルがほぼ均一に形成されるよ
うにして金型のほぼ中央に置く。別の態様の構造体は、
高密度管と加熱エレメント、そして加熱エレメントの右
同部および高密度管の外壁の上にあるポリマーのコーテ
ィングから成る。またさらに別の態様のＩ＋Ｙｊ造体は
、高密度管と加熱エレメント、そして加熱エレメントの
右同部および高密度管の外壁上にある接合用セラミック
酸化物粒子のコーティングから成る。構造体の外面壁領
域と金型の内壁の間の空間にシェル形成用粉末を沈着さ
せて、焼結の間に制限なく縮んで金型の内面から離れる
ような粉末が充分に沈着した物体を製造する。シェル形
成用粉末は、構造体の外面壁領域を包囲してそれと直接
接触し、かつ金型の内壁と直接接触するように金型内の
空間に静かに入れる。通常、シェル形成用粉末はその空
間を完全にまたはほぼ全部占めるように充填する。粉末
に圧縮力を加える必要はない。もし金型内の粉末に圧縮
力をかけ、後にその力を取去ると、圧縮された粉末はは
ねかえるものもあるが、互いに物理的に接合したままで
残るものもあり、その結果粉末体中に裂は目が形成され
、これを焼結すると有害な亀裂をも７た焼結体が生ずる
か、あるいは島の形態である。対照的に本発明のシェル
は、亀裂をもたない、または極めて有害な亀裂をもたな
い、すなわち構造体の外面壁領域を露出させる亀裂をも
たない完全な物体である。したがって、本発明のプロセ
スでは、金型内で得られる粉末体が本発明の連続なシェ
ルの生成を妨げる裂は目をもたないように金型に充填す
る。

得られたアセンブリ（−例を第７図に示す）は、モリブ
デン製の炉などのような通常の焼結炉に入れることがで
き、そこでシェル形成用の粉末を焼結させると本発明の
トランスファーチューブが生成する。本発明のトランス
ファーチューブの作成の際接合用のセラミック酸化物の
粒子があればその粒子も焼結するであろう。特に、加熱
エレメントを正規の位置に保つために接合用セラミック
酸化物粒子のコーティングを使用した場合このコーティ
ングは、その粒子が接している高密度管の外面壁に直接
接合されるようになると共に、シェルに直接接合される
ようになるであろう。また、互いに接している接合用セ
ラミック酸化物粒子も互いに直接結合するであろう。焼
結は、このプロセスまたは得られるトランスファーチュ
ーブに重大な悪影響を及ぼすことのない雰囲気中で行な
われる。この焼結雰囲気は窒化ホウ素に対して非酸化性
であるのが好ましい。有用な気体雰囲気の代表例はアル
ゴンなどのような希ガスである。通常、この気体状焼結
雰囲気はほぼ大気圧以下である。

一般に圧力の範囲は大気圧以下がら約０．１トルまでで
ある。

焼結を実施する温度と時間は経験的に決定されるが、シ
ェル形成用粉末を緻密化すなわち焼結させて所望の低密
度のシェルを生成させるようなものである。一般に、焼
結温度は約１０００℃から約１９００℃までの範囲であ
り、約１６００℃から約１８５０℃までの範囲であるこ
とが多く、個々の焼結温度は焼結する個々の材料に大き
く依有する。通常焼結は１時間以内に完了する。一般に
、シェル形成用粉末は実質的に異方的に焼結する。

すなわち、通常は半径方向には大幅に収縮するが長手方
向には重大な収縮はない。

ｉりられた焼結構造体、すなわちトランスファーチュー
ブは重大な悪影響をもたない速度で冷却する。すなわち
、トランスファーチューブの亀裂発生を防ぐ速度で冷却
すべきである。トランスファーチューブは炉冷してもよ
い。一般に、焼結を実施したのと同じ雰囲気または減圧
中で冷却する。

通常はほぼ室温で、すなわち約１５〜約３０℃で冷却す
る。

第８図に、第７図のアセンブリを焼結した後のアセンブ
リを示す。第８図に示したトランスファーチューブ２０
１は、高密度管２０２、加熱エレメント２０３、多結晶
質のセラミック酸化物コーティング２０４、および低密
度シェル２０５から成る。加熱エレメントは巻回部２０
６と端部２０７および２０ｇから成る。セラミック酸化
物スリーブ２００および２０３がワイヤ端部２０７およ
び２０８の一部に嵌められている。スリーブ２００およ
び２０３の一方の端部はシェル２０５の内部にあってこ
のシェルに直接接合している。巻回部２０６は高密度管
２０２の外壁２０９に直接接している。コーティング２
０４は巻回部２０８を覆っており、外壁２０９に直接接
合している。シェル２０５はコーティング２０４に直接
接合されており、またコーティング２０４の気孔率に大
きく依有するが壁２０９にも直接接合されている。

第８図に示されているように、金型２０７の成形壁２１
０とシェル２０５との間で結合または粘着は起こってい
ない。

本発明のトランスファーチューブにおいては、高密度管
と加熱エレメントの巻回部から成り、その外面壁領域上
に接合用セラミック酸化物の多結晶質コーティングを含
んでいてもよい構造体は、低密度シェルにより囲まれて
いる。一般に、この低密度シェルおよび接合用セラミッ
ク酸化物の多結晶質コーティングは、熱膨張係数が高密
度管の熱膨張係数の±２５％以内であり、±１０％以内
または±５％以内が好ましい。低密度シェルおよび接合
用セラミック酸化物の多結晶質コーティングの熱膨張係
数は、高密度管の熱膨張係数と同じであるかまたはあま
り大きく異なっていないのが最も好ましい。

低密度シェルの熱伝導率は、高密度管の熱伝導率よりか
なり低いのが常であり、得られるトランスファーチュー
ブの用途に大きく依有する。このシェルの熱伝導率は経
験的に決定されるが、高密度管の壁の内外で極めて有害
な高い熱勾配が生じるのを防止す条ように充分低い。一
般に、本発明のシェルは、高密度管が砕けてまたはひど
く砕けてその断片が通過する金属中へ入るのを防ぐ。こ
のシェルは、その熱伝導率が低く、しかも高密度管に直
接接合されているか、または接合用セラミック酸化物の
多結晶質コーティングに直接接合されこのコーティング
が高密度管に直接接合されているか、または多結晶質コ
ーティングおよびそのコーティングの気孔率に応じて高
密度管の壁に直接接合されているために、高密度管の壁
を挟んだ熱勾配を物理的に充分低下させるので、本発明
のトランスファーチューブが溶融金属の移送に有用なも
のとなる。このシェルと高密度管および／または接合用
セラミック酸化物の多結晶質コーティングとの直接接合
によって、高密度管の拘束が容易になると共に、高密度
管に対する有益な二軸圧縮応力の伝達が容易になる。熱
勾配は高密度管には極めて有害であるが、低密度シェル
はその弾性率が低く靭性が高いのであまりその影響を受
けない。一般に、シェルの熱伝導率は高密度管の熱伝導
率より約１０〜約９０％低いか、約２０〜約５０％低い
。

また、接合用セラミック酸化物粒子の焼結によって生じ
た多結晶質のコーティングの熱伝導率も高密度管の熱伝
導率より低い。この多結晶質コーティングの熱伝導率は
、高密度管内に形成される所望の熱勾配をシェルによっ
て維持するのに重大な悪影響をもっていてはならない。

一般に、そのような多結晶質コーティングの熱伝導率は
高密度管の熱伝導率より約１０〜約９０％低いか、約２
０〜約５０％低い。接合用セラミック酸化物材料の多結
晶質コーティングの熱伝導率はシェルの熱伝導率とあま
り大きく違わないのが好ましい。

低密度シェルは、トランスファーチューブの特定の用途
に大いに左右され経験的に決定されるある密度をもって
いる。一般に所与の化学組成の低密度シェルでは、その
気孔の容積が大きくなると熱伝導率は低下する。低密度
シェルの密度は通常その理論密度の約４０〜約８０％の
範囲であり、約５０〜約７０％、または約６０〜約６５
％の範囲であることが多い。低密度シェル中の気孔は相
互に連結している。

この低密度シェルの粒度は、望まれる気孔率に大きく依
存して変えることができる。多くの場合、シェルの粒度
は最初の出発粒子のサイズと大きく異なることがないか
、または２０％以上異なることがない。粒子は通常約５
〜約１００ミクロンまたは約１０〜約９０ミクロンの範
囲で分布したサイズを宵していることができる。一般に
、シェルの平均粒度は約１０〜約８０ミクロン、または
約１０〜約７０ミクロンの範囲である。

低密度シェルの形状は広範囲に亘って変えることができ
る。この低密度シェルは、そのトランスファーチューブ
の個々の用途に大いに依存し、経験的に決定されるある
最小の壁厚をもっている。

その最小の壁厚は、溶融金属がその中を通過するときに
高密度管に与える悪影響または重大な悪影響を防止する
のに充分なものとすべきである。−般に、シェルの最小
壁厚は約１ｍｍである。この低密度シェルの最大壁厚は
所望の程度に大きくすることができる。一般に、この低
密度シェルの壁厚は約１〜約１００ｍｍ、または約２〜
約５０ｍｍ、または約３〜約１０關の範囲である。

低密度シェルは一体構造である。通常、これは高密度管
の外面の壁を覆って、そのほとんどの部分が露出されな
いようにする。たとえば、所望により、高密度管の一端
または両端を露出したままにしておいて、得られたトラ
ンスファーチューブを必要に応じて特定のデバイスに固
定することができる。低密度シェルが高密度管の外面壁
の全部またはほとんど全部を露出させないでおくのが好
ましい。

低密度シェルはセラミック酸化物材料で構成され、その
組成はトランスファーチューブの個々の用途に大きく依
存して変えることができ、経験的に決定される。

低密度シェルは、アルミナ、ベリリア、マグネシア、ア
ルミン酸マグネシウム、ムライト、イツトリア、ジルコ
ニアおよびこれらの混合物より成る群の中から選択され
たセラミック酸化物材料で構成されるのが好ましい。こ
のジルコニアは、−般に立方晶組織または立方晶、単斜
晶および正方晶組織の組合せから成る安定化ジルコニア
である。

接合用セラミック酸化物粒子から形成される多結晶質の
焼結コーティングの密度は使用するその種の粒子の特定
の量に大いに依存して広範囲に変化させることができる
。通常この多結晶質コーティングの密度はその理論密度
の約３０〜約８０％の範囲であり、約５０〜約７０％の
範囲であることが多い。この多結晶質コーティング中の
気孔は相互に連結している。この多結晶質のコーティン
グの気孔の程度に応じて、シェル部分は、多結晶質コー
ティングに直接接合されるのに加えて、加熱エレメント
の巻回部に直接接合され得、さらに高密度管の外面壁に
直接接合され得る。

一般に、この接合用酸化物材料の多結晶質コーティング
の粒度は出発材料の接合用酸化物粒子のサイズと大きく
異なることがないかまたは２０％より大きく異なること
がない。このコーティングの厚みは通常、約１００ミク
ロンから加熱エレメントの厚みの約２倍以下までの範囲
であり、すなわち最大の厚みは約１５００ミクロンであ
る。この多結晶質コーティングの厚みは加熱エレメント
の厚みとほぼ同じであるのが好ましい。好ましい多結晶
質コーティングは、アルミナ、ベリリア、マグネシア、
アルミン酸マグネシウム、ムライト、イツトリア、ジル
コニア、これらの混合物、ならびにこれと、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、シリカおよびこれらの混合物
より成る群の中から選択されたものとの反応生成物より
成る群の中から選択されたセラミック酸化物材料で構成
される。

一般に、この反応生成物はコーティングの約５重量％未
満である。

また、ひとつの態様では、本発明のトランスファーチュ
ーブはそのシェル内部に２つの多結晶質セラミック酸化
物スリーブの少なくとも一方の端部を含んでおり、この
スリーブは各々加熱エレメントの各ワイヤ端部の一部を
包囲している。各スリーブのシェル内部の部分はこのシ
ェルに直接接合されている。このスリーブはシェルを構
成することができるセラミック酸化物のいずれからも成
ることができ、本発明のプロセス中でシェルに直接接合
されるようになることができなければならない。このス
リーブは、アルミナ、ベリリア、マグネシア、アルミン
酸マグネシウム、ムライト、イツトリア、ジルコニアこ
れらの混合物よりなる群の中から選択されるセラミック
酸化物材料であるのが好ましい。好ましいスリーブはそ
れが接合するシェルと同じ組成である。スリーブはアル
ミナから成るのが最も好ましい。また、ひとつの態様で
は、ワイヤ端部を包囲するスリーブがシェルを貫通して
高密度管まで伸びている。

本発明のトランスファーチューブは、溶融金属、特に合
金または超合金の移送に有用な一体型である。本発明の
トランスファーチューブは、約５００〜１９００℃未満
、または１０００℃以上で１９００℃未満、または約り
１００℃〜約１８００℃、または約り３００℃〜約１６
００℃の範囲の温度の溶融した金属、合金または超合金
の移送に特に有用である。通常、本発明のトランスファ
ーチューブの高密度管要素は、その加熱エレメントによ
り、その中を通過する溶融金属の温度の約３００℃以内
の温度に予熱する。そうしないと、このトランスファー
チューブの高密度管要素に亀裂が発生することがある。

本発明のトランスファーチューブは、その中を通過する
溶融した金属、金属合金または超合金になんら重大で有
害な作用も及ぼさない。高密度管要素は、その中を通過
する溶融した金属、金属合金または超合金に対して化学
的に不活性であるかまたは実質的に化学的に不活性であ
る。

一般に、本発明のトランスファーチューブは使用温度で
寸法的に安定であるかまたは実質的に寸法安定である。

本発明のトランスファーチューブの要素はいずれもこの
トランスファーチューブの使用温度で収縮しないかまた
はいかなる重大な程度にも収縮しないのが好ましい。

本発明では、溶融金属の移送に有用なトランスファーチ
ューブを直接製造することが可能である。

しかし、このトランスファーチューブは所望であれば、
所要の仕様に合うように従来の方法で機械加工すること
ができる。

本発明のトランスファーチューブは、特に製鋼業におい
てインゴットの鋳込み（キャスティング）に有用である
。

以下の実施例で本発明をさらに例示する。以下の実施例
では、特に断わらない限り次の手順に従った。

モリブデンヒーターを備えた抵抗炉を使用した。

焼結と冷却はほぼ大気圧のアルゴン屯で実施した。

焼結したトランスファーチューブはほぼ室温、すなわち
約１５℃から約３０℃までの温度まで炉冷した。

標準的な技術を使用してトランスファーチューブの特性
を評価した。

実施例１ 市販されている多結晶質アルミナの高密度中空円筒管を
使用した。この管の密度は理論密度の約９９％であり、
平均粒度は約２０ミクロンであった。この管は円筒形で
あり、その内部には、ずっと同じ断面積を有して伸びる
円筒形通路が貫通していた。この管の内径は約５四ｍ、
壁厚は約１韻、外径は約７１１Ｉ！１、そして長さは約
５４ａ＋ｍであった。

シェル形成用粉末は、約２５ミクロンの平均サイズを有
する研磨剤グレードのアルミナ粒子から成っていた。

窒化ホウ素の金型を構築した。すなわち、約２５關の直
径を有する市販の固体窒化ホウ素ロッドを通常の方法で
機械加工して、円筒形通路がほとんど同じ断面積で貫通
している中空管を作成した。

この窒化ホウ素中空管は内径が約１９ｍｍ、壁厚が約３
１１１１であった。その壁の一方の端に、それぞれスリ
ーブに通したリード線を支えられるように２つの切り欠
きを別々に付けた。市販の固体窒化ホウ素の別のロッド
を機械加工して、周辺にフランジの付いたほぼ平らな部
品を形成し、これを前の中空管の一方の端部に嵌めて、
一方が閉じもう一方が開いた金型を作成した。

この金型を約０．１トルの真空中で１時間１９００℃に
加熱した後室温まで炉冷した。金型の重量損失は６％で
あった。この加熱処理の目的は、アルミナ粒子を金型の
壁に付着させる原因となり得るＢ２Ｏ３を窒化ホウ素か
ら除くことである。

モリ（Ｈｏｌｙ）　ＨＴという商標で販売されている太
さが約０．５＋ｍ（２０ミル）の市販モリブデン線を使
用して加熱エレメントを形成した。この線を外径が約６
１１１ｍのスチール製マンドレルの回りにきつく巻き付
けて２つの端部が伸び出している巻線部を作成した。加
熱エレメントのこうして巻き付けた部分は第１図に示し
たような壁と摩擦係合が可能な程度に充分な弾性をもっ
ていた。この加熱エレメントの巻線部は互いにほとんど
均一な間隔をもって離れたおよそ４０個のコイルからな
っていた。この加熱エレメントの末端部と巻線部とは第
１図に示したように離れていた。各線の末端部分の一部
に多結晶質のアルミナスリーブを被せた。

次に、得られた高密度管とアルミナスリーブ付の加熱エ
レメントとからなる構造体を、窒化ホウ素金型のほぼ中
央に入れた。モリブデン線のスリーブを被せた部分は金
型の切り欠き上に支えた。

金型の長さは高密度管の長さよりやや短く、高密度管は
その一部が金型から突出ていた。加熱エレメントの巻線
部は高密度管のほぼ全長に沿って金型の頂部まで、すな
わち金型の上面の少し下まで伸びていた。この構造体の
外側の壁面と金型の内壁との間の空間にシェル形成用ア
ルミナ粉末を穏やかに振盪しながら入れてその空間を満
たした。

金型内のアルミナ粉末は、構造体の外側の壁面および金
型の内面と直接接している充分に沈着した粉末体であっ
た。

得られたアセンブリを炉内に直立して、すなわち金型の
開放端部を炉内雰囲気に露出させて入れ、３０℃／分で
加熱し、１８００℃に１０分間保った後室温まで炉冷し
た。

このアセンブリを検査したところ、アルミナは金型の内
面に粘着していなかった。金型から取出した後、高密度
管の突出た部分を切取ってトランスファーチューブとし
た。

得られた一体型トランスファーチューブを第４図に示す
。これは高密度管、加熱エレメント、低密度シェルおよ
びアルミナスリーブから構成されていた。シェルは加熱
エレメントの巻線部と直接接しており、高密度管の外側
の壁面に直接接合されていた。その結果、加熱エレメン
トの巻線部も高密度管の外壁もまったく露出されていな
かった。

シェルは全体として亀裂をもっていなかった。アルミナ
粉末は半径方向に約１０％収縮し、長平方向にはほとん
ど収縮しなかったことが明らかになる。充分に沈着した
アルミナ粉末が窒化ホウ素面から離れていったために、
その粉末は亀裂を起こすことなく実質的に異方性の収縮
有することが可能であった。シェルは厚さが約３雄であ
り、平均粒度は約２５ミクロン程度に見えた。

別の実験からこのシェルの密度は理論の約６０％である
ことが分かった。このシェル内の気孔は互いに連結して
いた。

加熱エレメントの末端部分は両方とも、電気アタッチメ
ントｍに充分な塁がトランスファーチューブから伸び出
ていた。

実施例２ 本実施例では、以下に記載する点を除くと実施例１に開
示したのと同じ材料、同じ方法を使用して、第５図に示
したトランスファーチューブを製造した。

高密度管と加熱エレメントから成る構造体は実施例１に
開示したのと同じ方法で製造した。

アランダム（ＡｌｕｎｄｕＩＩｌ）　Ｅ　Ａ　１３９と
いう商標で販売されている接合用セラミック酸化物粉末
を使用した。この粉末は、小量基準で、約９９％の溶融
アルミナ、０．　７％のシリカ、０．１％の酸化カルシ
ウム、０．１％の酸化鉄、および０．　３％の酸化ナト
リウムから成っていた。この粉末の粒度は約１ミクロン
から約１２５ミクロンまでの範囲であり、平均粒度は約
７０〜８０ミクロンの範囲であった。

この接合用粉末を水と一緒に掻き混ぜてスラリーを作成
した。このスラリーはその約５０容量％が粉末であった
。このスラリーを加熱エレメントのを線部上と高密度管
の外側壁面上にブラシで塗った後空気中で乾燥させた。

得られた接合用セラミック酸化物粒子のコーティングは
モリブデン線の太さとほぼ同じ厚さであり、これによっ
て巻き付けた加熱エレメントのコイル間の間隔が確実に
保たれ、また加熱エレメントの巻線部と末端部との間の
接触が防がれた。このコートされた構造体は第２図に示
しである。各線の末端部の一部に多結晶質のアルミナス
リーブを被せた。

実施例１に開示したのとほとんど同じ方法で窒化ホウ素
金型を製造した。

次いで、コートされた構造体を第７図に示されているよ
うにして窒化ホウ素金型内のほぼ中央に入れて、コート
された高密度管の一部だけが金型から突出るようにした
。スリーブを被せた線の部分は金型の切り欠き上に支え
た。この構造体の外側の壁面と金型の内壁との間の空間
にシェル形成用アルミナ粉末を穏やかに振虚しながら入
れてその空間を満たした。得られたアセンブリを炉内に
入れ、実施例１に記載のようにして焼結を行なった。

焼結後このアセンブリ（第８図に示す）を検査したとこ
ろ、アルミナは金型の内面に粘着していなかった。金型
から取出した後、コートされた高密度管の突出た部分を
切取ってトランスファーチューブとした。

得られた一体型トランスファーチューブは高密度管、加
熱エレメント、接合用セラミック酸化物材料の多孔質で
多結晶質のコーティング、低密度シェルおよびアルミナ
スリーブから１１Ｍ成されていた。

顕微ｆｅｊ、検査によると、接合用材料の多結晶質コー
ティングは加熱エレメントの巻線部と直接接しており、
かつ高密度管の外側の壁面とシェルに直接接合されてい
た。また、このコーティングは多孔質であるためにシェ
ルの一部は高密度管の外側の壁面にも直接接合されてい
たようである。

シェルは全体として亀裂をもっていなかった。

このシェルにより、加熱エレメントの巻線部も高密度管
の外壁もまったく露出されていなかった。

アルミナ粉末は半径方向に約１０％収縮し、長平方向に
はほとんど収縮しなかったことが明らかになる。充分に
沈着したアルミナ粉末が窒化ホウ素面から離れていった
ために、その粉末は亀裂を起こすことなく実質的に異方
性の収縮有することが可能であった。シェルは厚さが約
３ＩＩ１１であり、平均粒度は約２５ミクロン程度のよ
うであった。

別の実験からこのシェルの密度は理論の約６０％である
ことが分かった。このシェル内の気孔は互いに連結して
いた。

加熱エレメントの末端部分は両方とも、電気アタッチメ
ント用に充分な量がトランスファーチューブから伸び出
ていた。

実施例３ 本実施例では、以下に述べる以外は実施例１と２で開示
した方法とほぼ同様にして、第６図に示されているトラ
ンスファーチューブを製造した。

本実施例では、市販の多結晶質アルミナの高密度中空円
筒管を３個使用した。各々の管の密度は理論密度の約９
９％であり、平均粒度は約２０ミクロンであった。各々
の管は円筒形であり、その内部には、ずっと同じ断面積
ををして伸びる円筒形の通路が貫通していた。

第３図の３１で示される最も直径の大きい管は、内径が
約６．５ａｍ、壁厚が約１．５１、外径が約９＋ｕ、そ
して長さが約３０關であった。

第二の管３２は、内径が約５關、壁厚が約０゜７ｍｍ、
外径が約６．２５ｍｍ＋、そして長さが約１０順であっ
た。

第三の管３３は、内径が約３龍、壁厚が約０゜５■、外
径が約４■、そして長さが約３０關であった。

第３図に示されているように、管３２の一端を管３１の
一端の内部に摩擦で係合させてジヨイント３４を形成し
、管３３の一端を管３２の一端の内部に摩擦で係合させ
てジヨイント３５を形成した。これらのジヨイントの長
さは約３〜４ｍｍであった。実施例１に開示した接合用
粉末約２部を水と混合してセメントペーストを形成した
。このペーストをジヨイント３４と３５の外回りに塗布
し、空気中で乾爆した。得られた乾燥セメントはこれら
のジヨイントを正規の位置に維持するのに充分であった
。

実施例１に開示したモリブデン線を使用して加熱エレメ
ントを形成した。この線を二重にして、管３３の露出し
ている長さのほぼ全体に沿ってその管の外面の壁上に直
接巻き付けて、第３図に示したような二重螺旋の形態の
加熱エレメントの巻線部を作成した。次に、このモリブ
デン線の端部３９を管３３上の巻線部から延長して残り
の線を巻き付は続け、管３２と３１の露出している長さ
のほぼ全体に沿ってそれらの管の上に巻線部を形成して
一重の螺旋形の巻線部を作成した。次に、この線の端部
４０を管３１上の巻線部から延長した。管３３上の加熱
エレメントの巻線部は約１４巻の間隔をもったコイルか
ら成り、管３２上では間隔をもった約６巻のコイルから
成り、管３１上では約１６巻の間隔をもったコイルから
成っていた。

実施例２に開示したのと同様にして接合用酸化物粉末の
スラリーを形成し、加熱エレメントの巻線部上と管３１
．３２．３３の露出している外壁上にブラシで塗って空
気中で乾燥した。この接合用粒子の乾燥したコーティン
グはその厚さがモリブデン線の太さとほぼ同じであり、
加熱エレメントの巻線部のコイル間の間隔を確保した。

このコートされた構造体を第３図に示す。

実施例１に開示したのとほぼ同様にして窒化ホウ素金型
を製造した。この金型の内径は約１９１１Ｉ１１であっ
た。金型の壁に２つの穴を開けて多結晶質のアルミナス
リーブを被せたモリブデン線端部の一部を入れた。

コートされた構造体を金型内のほぼ中央に入れて、スリ
ーブを被せた線の末端部分３９と４０は金型の穴によっ
て支持した。この構造体の外側の壁面と金型の内壁との
間の空間に、実施例１に開示したのと同じシェル形成用
アルミナ粉末を穏やかに振盪しながら入れてその空間を
満たした。得られたアセンブリを炉内に入れ、実施例１
に記載のようにして焼結を行なった。

焼結後このアセンブリを検査したところ、アルミナは金
型の内面に粘着していなかった。

得られた一体型トランスファーチューブは高密度管、加
熱エレメント、接合用セラミック酸化物材料の多孔質で
多結晶質のコーティング、低密度シェルおよびアルミナ
スリーブから構成されていた。

顕微鏡検査によると、接合用材料の多結晶質コーティン
グは加熱エレメントの巻線部と直接接しており、かつ高
密度管の外側の壁面とシェルに直接接合されていた。ま
た、このコーティングは多孔質であるためにシェルの一
部は高密度管の外側の壁面にも直接接合されているよう
であった。

シェルは総じて亀裂をもっていなかった。このシェルは
、加熱エレメントの巻線部も高密度管の外壁もまったく
露出させていなかった。

アルミナ粉末は半径方向に約１０％収縮し、長平方向に
はほとんど収縮しなかったことが明らかになる。充分に
沈着したアルミナ粉末が窒化ホウ素面から離れていった
ために、その粉末は亀裂を起こすことなく実質的に異方
性の収縮有することが可能であった。このシェルの厚さ
はトランスファーチューブの一方の端で約５．５ｍｍ、
反対の端で約８１１Ｉ１１であった。

実施例４ これは模擬実施例である。

実施例３で製造したトランスファーチューブを、その入
口側端部を上にし、出口側端部を下にして、適切な手段
により縦に支える。

加熱エレメントの末端部分を電源に接続する。

この加熱エレメントを充分な電流が流れ、加熱エレメン
トの巻線部の量と分布は、その中を通過する溶融金属の
温度１６００℃の３００℃以内に高密度管要素を予熱・
維持するのに充分なものである。

１６００℃の温度で溶融した超合金を熱い高密度管要素
の中を流下させる。この液体金属をるつぼに入れ、凝固
させてインゴットにする。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のトランスファーチューブを作成する
ために低密度シェルを形成する前の構造体のひとつの具
体例の側面図である。この構造体は、高密度中空管と連
続で細長い加熱エレメントとで構成されており、加熱エ
レメントの巻回部は高密度管の壁上に単一の螺旋の形態
で巻かれている。 第２図は、低密度シェルを形成する前の構造体の別の具
体例の側面図である。この構造体は、高密度中空管、連
続で細長い加熱エレメント、および加熱エレメントの巻
回部を高密度管の壁上で正規の位置に保つのに使用され
るセラミック酸化物粒子の接合用コーティングで構成さ
れている。 第３図は、低密度シェルを形成する前の構造体のさらに
別の具体例の側面図である。この構造体は、摩擦係合に
より互いに一部が嵌合している３つの高密度管、連続な
加熱エレメントで構成されており、最も直径の小さい管
、すなわち底の管上の加熱エレメントの巻回部は二重螺
旋の形態であり、上側の２つの管では一重螺旋の形態で
ある。 また、加熱エレメントの巻回部は接合用のセラミック酸
化物粒子のコーティングによって正規の位置に固定され
ている。 第４図は、第１図の構造体から形成された本発明のトラ
ンスファーチューブのひとつの具体例の断面図である。 第５図は、第２図の構造体から形成された本発明のトラ
ンスファーチューブの別の具体例の断面図である。 第６図は、第３図の構造体から形成された本発明のトラ
ンスファーチューブのさらに別の具体例の断面図である
。 第７図は、第５図に示した本発明のトランスファーチュ
ーブを製造するのに有用な加工処理を実施するのに有用
なアセンブリのひとつの具体例の断面図である。 第８図は、焼結を実施して第５図に示した本発明のトラ
ンスファーチューブを製造した後の第７図のアセンブリ
を示す。 １．２０．３０，１０１・・・構造体、２．２１．３１
．３２．３３．５１．６２．８２．８３．８４．１０２
．２０２・・・高密度セラミック酸化物管、４．２２．
３６．１０３．２０３・・・加熱エレメント（ワイヤ）
、２３．３７・・・セラミック酸化物粒子の接合用コー
ティング、５０，５５．６１．６６．８１．８８．１０
０，１０３．２００，２０３・・・多結晶質セラミック
酸化物スリーブ、６ｏ、７２．９７．２０５・・・低密
度セラミック酸化物シェル、７１．９５．１０４．２０
４−、焼結多結晶質コーティング、１０５・・・金型、
１０８・・・シェル形成用粉末、２０１・・・トランス
ファーチューブ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）高密度中空管、連続で細長い加熱エレメント、お
   よび理論の約８０％の最大密度を有する多結晶質シェル
   からなっており、前記加熱エレメントは加熱巻回部と２
   つの端部からなり、前記巻回部は前記高密度管の外面壁
   と直接接触しており、前記端部は少なくとも充分な部分
   が電気アタッチメント用に露出しており、前記シェルは
   前記加熱エレメントの前記巻回部と前記高密度管の外面
   壁とを包囲してその実質的な部分を露出させない、溶融
   金属の移送に有用な一体型トランスファーチューブの製
   造方法であって、 理論密度の少なくとも約９０％の密度を有し、セラミッ
   ク酸化物からなる高密度多結晶質中空管を準備し、 ７００℃より高くてしかも前記トランスファーチューブ
   の使用温度より少なくとも２００℃高い融点を有する金
   属または金属合金からなる連続で細長い加熱エレメント
   を準備し、前記高密度管と前記加熱エレメントからなり
   、前記加熱エレメントの前記巻回部が前記高密度管の前
   記壁と直接接触し、かつ前記端部が前記トランスファー
   チューブから充分に伸延してその電気アタッチメントと
   して充分な部分を露出させている構造体を形成し、 焼結して前記シェルを形成する粒子状セラミック酸化物
   材料を用意し、 閉鎖端部および開放端部ならびに前記トランスファーチ
   ューブの前記シェルの形成を可能にするのに充分な内壁
   を有する金型を用意し、 前記構造体を前記金型内に配置して、前記構造体の外面
   壁領域と前記金型の前記内壁との間に、前記シェル形成
   用粒子状材料を受容するための空間を形成し、 前記構造体と前記金型の内壁との間の前記空間内に前記
   シェル形成用粒子状材料を沈着させて、充分に沈着した
   粒子状材料の物体を形成し（このシェル形成用粒子状材
   料は前記シェルを形成するのに充分な量で沈着させる）
   、 得られたアセンブリを、前記シェル形成用材料が焼結し
   て前記トランスファーチューブを生成する温度に加熱す
   ることからなっており、 前記焼結は、前記アセンブリに対してなんらかの有害な
   影響を及ぼすことのない雰囲気または部分的真空中で実
   施し、前記金型は前記トランスファーチューブになんら
   かの有害な影響を及ぼすことがなく、前記加熱エレメン
   トの前記巻回部は電気的特徴として前記高密度管をその
   使用温度の３００℃以内の温度に予熱・維持するのに充
   分な電気抵抗と表面積を有している、前記方法。 （２）前記高密度管が、アルミナ、ベリリア、マグネシ
   ア、アルミン酸マグネシウム、ムライト、イットリア、
   ジルコニア、およびこれらの混合物より成る群の中から
   選択されるセラミック酸化物材料で構成されている、請
   求項１記載の方法。 （３）前記シェルが、アルミナ、ベリリア、マグネシア
   、アルミン酸マグネシウム、ムライト、イットリア、ジ
   ルコニア、およびこれらの混合物より成る群の中から選
   択されるセラミック酸化物材料で構成されている、請求
   項１記載の方法。 （４）セラミック酸化物スリーブが前記加熱エレメント
   の各端部の一部を包囲していて、この端部が金型に接触
   するのを防いでいる、請求項１記載の方法。 （５）前記高密度管がその理論密度の約９０〜約１００
   ％の範囲の密度を有している、請求項１記載の方法。 （６）前記高密度管と前記シェルがアルミナで構成され
   ている、請求項１記載の方法。 （７）前記金型が窒化ホウ素で構成されている、請求項
   １記載の方法。 （８）前記加熱エレメントが、クロム、イリジウム、モ
   リブデン、ニッケル、オスミウム、パラジウム、白金、
   ロジウム、ルテニウム、タンタル、タングステンおよび
   これらの合金より成る群の中から選択されるもので構成
   されている、請求項１記載の方法。 （９）前記焼結温度が約１０００〜約１９００℃の範囲
   である、請求項１記載の方法。 （１０）高密度中空管、連続で細長い加熱エレメント、
   多結晶質セラミック酸化物コーティング、および理論の
   約８０％の最大密度を有する多結晶質シェルからなって
   おり、前記加熱エレメントは加熱巻回部と２つの端部か
   らなり、前記巻回部は前記高密度管の外面壁と直接接触
   しており、前記端部は少なくとも充分な部分が電気アタ
   ッチメント用に露出しており、前記多結晶質コーティン
   グは前記加熱エレメントの前記巻回部と直接接触してお
   りかつ前記高密度管の外面壁に直接接合されており、前
   記シェルは前記多結晶質コーティングに直接接合されて
   いる、溶融金属の移送に有用な一体型トランスファーチ
   ューブの製造方法であって、 理論密度の少なくとも約９０％の密度を有し、セラミッ
   ク酸化物からなる高密度多結晶質中空管を準備し、 ７００℃より高くてしかも前記トランスファーチューブ
   の使用温度より少なくとも２００℃高い融点を有する金
   属または金属合金からなる連続で細長い加熱エレメント
   を準備し、前記高密度管と前記加熱エレメントからなり
   、前記加熱エレメントの前記巻回部が前記高密度管の前
   記壁と直接接触し、かつ前記端部が前記電気アタッチメ
   ント用に充分伸延している構造体を形成し、 前記加熱エレメントの前記巻回部上および前記高密度管
   の外面壁上に接合用セラミック酸化物粒子のスラリーを
   付着させ、 付着した前記スラリーを乾燥して、前記加熱エレメント
   の前記巻回部を所定の位置に維持する前記接合用セラミ
   ック酸化物粒子のコーティングを形成して被覆された構
   造体を生成し、 焼結して前記シェルを形成する粒子状セラミック酸化物
   材料を用意し、 閉鎖端部および開放端部ならびに前記トランスファーチ
   ューブの前記シェルの形成を可能にするのに充分な内壁
   を有する金型を用意し、 前記被覆構造体を前記金型内に配置して、前記被覆構造
   体の外面壁領域と前記金型の前記内壁との間に、前記シ
   ェル形成用粒子状材料を受容するための空間を形成し、 前記被覆構造体と前記金型の内壁との間の前記空間内に
   前記シェル形成用粒子状材料を沈着させて、充分に沈着
   した粒子状材料の物体を形成し（このシェル形成用粒子
   状材料は前記シェルを形成するのに充分な量で沈着させ
   る）、 得られたアセンブリを、前記シェル形成用材料が焼結し
   て前記トランスファーチューブを生成する焼結温度に加
   熱することからなっており、前記焼結温度で、前記接合
   用セラミック酸化物粒子は焼結して前記多結晶質コーテ
   ィングを形成し、前記焼結は、前記アセンブリに対して
   なんらかの有害な影響を及ぼすことのない雰囲気または
   部分的真空中で実施し、前記金型は前記トランスファー
   チューブになんらかの有害な影響を及ぼすことがなく、
   前記加熱エレメントの前記巻回部は電気的特徴として前
   記高密度管をその使用温度の３００℃以内の温度に予熱
   ・維持するのに充分な電気抵抗と表面積を有している、
   前記方法。（１１）前記高密度管が、アルミナ、ベリリ
   ア、マグネシア、アルミン酸マグネシウム、ムライト、
   イットリア、ジルコニア、およびこれらの混合物より成
   る群の中から選択されるセラミック酸化物材料で構成さ
   れている、請求項１０記載の方法。 （１２）前記シェルが、アルミナ、ベリリア、マグネシ
   ア、アルミン酸マグネシウム、ムライト、イットリア、
   ジルコニア、およびこれらの混合物より成る群の中から
   選択されるセラミック酸化物材料で構成されている、請
   求項１０記載の方法。 （１３）セラミック酸化物スリーブが前記加熱エレメン
   トの各端部の一部を包囲していて、この端部が金型に接
   触するのを防いでいる、請求項１０記載の方法。 （１４）前記高密度管がその理論密度の約９０〜約１０
   ０％の範囲の密度を有している、請求項１０記載の方法
   。 （１５）前記高密度管と前記シェルがアルミナで構成さ
   れている、請求項１０記載の方法。 （１６）前記金型が窒化ホウ素で構成されている、請求
   項１０記載の方法。 （１７）前記焼結温度が約１０００〜約１９００℃の範
   囲である、請求項１０記載の方法。 （１８）前記多結晶質コーティングの約９５重量％より
   多くが、アルミナ、ベリリア、マグネシア、アルミン酸
   マグネシウム、ムライト、イットリア、ジルコニア、お
   よびこれらの混合物より成る群の中から選択されるもの
   で構成されている、請求項１０記載の方法。（１９）前
   記加熱エレメントが、クロム、イリジウム、モリブデン
   、ニッケル、オスミウム、パラジウム、白金、ロジウム
   、ルテニウム、タンタル、タングステンおよびこれらの
   合金より成る群の中から選択されるもので構成されてい
   る、請求項１０記載の方法。 （２０）中空の高密度管、低密度のシェル、および、加
   熱巻回部と２つの端部からなる連続で細長い加熱エレメ
   ントからなる、溶融金属の移送に有用な一体型トランス
   ファーチューブであって、前記加熱エレメントの前記巻
   回部は前記高密度管の外面壁と直接接触しており、前記
   シェルは前記加熱エレメントの前記巻回部と前記高密度
   管の外面壁とを包囲していてその実質的な部分を露出さ
   せることがなく、前記シェルは前記加熱エレメントの前
   記巻回部と直接接触しており、かつ高密度管の前記外面
   壁に直接接合されており、前記加熱エレメントの前記端
   部は少なくとも充分な部分が電気アタッチメント用に露
   出しており、前記加熱エレメントの前記加熱巻回部は電
   気的特徴として前記高密度管を前記トランスファーチュ
   ーブの使用温度の３００℃以内の温度に予熱・維持する
   のに充分な電気抵抗と表面積を有しており、前記加熱エ
   レメントは７００℃より高くてしかも前記トランスファ
   ーチューブの使用温度より少なくとも２００℃高い融点
   を有する金属または金属合金で構成されており、前記高
   密度管および低密度シェルは多結晶質のセラミック酸化
   物材料で構成されており、前記高密度管はその理論密度
   の少なくとも約９０％の密度を有しており、前記高密度
   管は少なくとも溶融金属がその中を移送されるのに充分
   な断面積の通路がその長さ全体に亘って伸びており、前
   記低密度シェルの密度はその理論密度の約４０％から約
   ８０％までの範囲であり、前記低密度シェルは少なくと
   も溶融金属がその中を移送されるのに充分な熱伝導率を
   有しており、前記低密度シェルは前記高密度管の熱伝導
   率より少なくとも約１０％低い熱伝導率を有しており、
   前記低密度シェルの熱膨張係数は前記高密度管の熱膨張
   係数の約±２５％以内である、前記トランスファーチュ
   ーブ。 （２１）前記高密度管が、アルミナ、ベリリア、マグネ
   シア、アルミン酸マグネシウム、ムライト、イットリア
   、ジルコニア、およびこれらの混合物より成る群の中か
   ら選択されるセラミック酸化物材料で構成されている、
   請求項２０記載のトランスファーチューブ。（２２）前
   記シェルが、アルミナ、ベリリア、マグネシア、アルミ
   ン酸マグネシウム、ムライト、イットリア、ジルコニア
   、およびこれらの混合物より成る群の中から選択される
   セラミック酸化物材料で構成されている、請求項２０記
   載のトランスファーチューブ。 （２３）前記高密度管と前記シェルがアルミナで構成さ
   れている、請求項２０記載のトランスファーチューブ。 （２４）前記加熱エレメントの各端部の一部がセラミッ
   ク酸化物スリーブにより包囲されており、前記各スリー
   ブの少なくとも一方の端部が前記シェル内にあってこの
   シェルに直接接合されている、請求項２０記載のトラン
   スファーチューブ。 （２５）前記高密度管が約０．１２５ミリメートルの最
   小壁厚を有している、請求項２０記載のトランスファー
   チューブ。 （２６）前記シェルが約１ミリメートルの最小壁厚を有
   している、請求項２０記載のトランスファーチューブ。 （２７）前記高密度管および通路が実質的に円筒形であ
   る、請求項２０記載のトランスファーチューブ。 （２８）前記シェルの熱膨張係数が高密度管の熱膨張係
   数と実質的に同じである、請求項２０記載のトランスフ
   ァーチューブ。 （２９）前記加熱エレメントが、クロム、イリジウム、
   モリブデン、ニッケル、オスミウム、パラジウム、白金
   、ロジウム、ルテニウム、タンタル、タングステンおよ
   びこれらの合金より成る群の中から選択される金属で構
   成されている、請求項２０記載のトランスファーチュー
   ブ。 （３０）中空の高密度管、巻回部と２つの端部からなる
   連続な加熱エレメント、接合用コーティング、および、
   単一の連続な低密度シェルからなる、溶融金属の移送に
   有用な一体型トランスファーチューブであって、前記高
   密度管、接合用コーティングおよび低密度シェルは多結
   晶質のセラミック酸化物材料で構成されており、前記高
   密度管はその理論密度の少なくとも約９０％の密度を有
   しており、前記高密度管は少なくとも溶融金属がその中
   を移送されるのに充分な断面積の通路がその長さ全体に
   亘って伸びており、前記低密度シェルの密度はその理論
   密度の約４０％から約８０％までの範囲であり、前記低
   密度シェルは前記高密度管の熱伝導率より少なくとも約
   １０％低い熱伝導率を有しており、前記低密度シェルお
   よび前記接合用コーティングの熱膨張係数は前記高密度
   管の熱膨張係数の約±２５％以内であり、前記加熱エレ
   メントの前記巻回部は前記高密度管の外面壁と直接接触
   しており、前記接合用コーティングは前記加熱エレメン
   トの前記巻回部と直接接触しており、かつ前記高密度管
   の外面壁に直接接合されており、前記シェルは前記接合
   用コーティングに直接接合されており、前記シェルは前
   記加熱エレメントの巻回部と前記高密度管の外面壁との
   実質的な部分を露出させることがなく、前記加熱エレメ
   ントの前記端部は少なくとも充分な部分が電気アタッチ
   メント用に露出しており、前記加熱エレメントは７００
   ℃より高くてしかも前記トランスファーチューブの使用
   温度より少なくとも２００℃高い融点を有する金属また
   は金属合金で構成されており、前記加熱エレメントの前
   記巻回部は電気的特徴として前記高密度管を前記トラン
   スファーチューブの使用温度の３００℃以内の温度に予
   熱・維持するのに充分な電気抵抗と表面積を有している
   、前記トランスファーチューブ。 （３１）前記高密度管が、アルミナ、ベリリア、マグネ
   シア、アルミン酸マグネシウム、ムライト、イットリア
   、ジルコニア、およびこれらの混合物より成る群の中か
   ら選択されるセラミック酸化物材料で構成されている、
   請求項３０記載のトランスファーチューブ。（３２）前
   記シェルが、アルミナ、ベリリア、マグネシア、アルミ
   ン酸マグネシウム、ムライト、イットリア、ジルコニア
   、およびこれらの混合物より成る群の中から選択される
   セラミック酸化物材料で構成されている、請求項３０記
   載のトランスファーチューブ。 （３３）前記シェルと前記高密度管がアルミナで構成さ
   れている、請求項３０記載のトランスファーチューブ。 （３４）前記シェルが前記高密度管の外面壁にも直接接
   合されている、請求項３０記載のトランスファーチュー
   ブ。 （３５）前記高密度管が約０．１２５ミリメートルの最
   小壁厚を有している、請求項３０記載のトランスファー
   チューブ。 （３６）前記シェルが約１ミリメートルの最小壁厚を有
   している、請求項３０記載のトランスファーチューブ。 （３７）前記加熱エレメントの各端部の一部がセラミッ
   ク酸化物スリーブにより包囲されており、前記各スリー
   ブの少なくとも一方の端部が前記シェル内にあってこの
   シェルに直接接合されている、請求項３０記載のトラン
   スファーチューブ。 （３８）前記シェルの熱膨張係数が高密度管の熱膨張係
   数と実質的に同じである、請求項３０記載のトランスフ
   ァーチューブ。 （３９）前記接合用コーティングの約９５重量％より多
   くが、アルミナ、ベリリア、マグネシア、アルミン酸マ
   グネシウム、ムライト、イットリア、ジルコニア、およ
   びこれらの混合物より成る群の中から選択されるセラミ
   ック酸化物材料で構成されている、請求項３０記載のト
   ランスファーチューブ。 （４０）前記加熱エレメントが、クロム、イリジウム、
   モリブデン、ニッケル、オスミウム、パラジウム、ロジ
   ウム、ルテニウム、タンタル、タングステンおよびこれ
   らの合金より成る群の中から選択される金属で構成され
   ている、請求項３０記載のトランスファーチューブ。