JPH03124459A - 電極とその形成方法 - Google Patents
電極とその形成方法Info
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- JPH03124459A JPH03124459A JP26435589A JP26435589A JPH03124459A JP H03124459 A JPH03124459 A JP H03124459A JP 26435589 A JP26435589 A JP 26435589A JP 26435589 A JP26435589 A JP 26435589A JP H03124459 A JPH03124459 A JP H03124459A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電極とその形成方法に関するものであるＯ
従来の技術
従来は、金属をイオン化し、有機化合物と配位結合させ
た有機金属と有機溶剤からなるメタロオルガニックペー
ストを、スクリーン印刷等の方法を用いて基板上に成膜
し、その後加熱することにより、有機成分を加熱分解さ
せ、ち密な金属薄膜を形成した後、フォトリソ−エツチ
ングして電極を形成するものであった。
た有機金属と有機溶剤からなるメタロオルガニックペー
ストを、スクリーン印刷等の方法を用いて基板上に成膜
し、その後加熱することにより、有機成分を加熱分解さ
せ、ち密な金属薄膜を形成した後、フォトリソ−エツチ
ングして電極を形成するものであった。
発明が解決しようとする課題
第３図に半導体４の実装方法を示す。図において１は基
板、２はその上面の電極、４は半導体、３はそのバンプ
である。従来の技術による成膜方法においては、電極２
の表面がなめらかすぎるので、半導体の実装時、そのバ
ンプ３がすべりやすくなり、この結果として半導体装の
信頼性が低下するものであった。そこでメタロオルガニ
ックペースト中にガラスフリットを混入させることによ
り表面を粗面化することが考えられるが、その場合ガラ
スフリットにより以後のフォトリソ−エツチングにおけ
るエツチング性が悪くなり、サイドエッチ量の違いによ
り電極の太さが不均一になってしまうと云う問題があっ
た。そこで本発明は半導体装の信頼性を高めるとともに
、エツチング性の低下も防止することを目的とするもの
である。
板、２はその上面の電極、４は半導体、３はそのバンプ
である。従来の技術による成膜方法においては、電極２
の表面がなめらかすぎるので、半導体の実装時、そのバ
ンプ３がすべりやすくなり、この結果として半導体装の
信頼性が低下するものであった。そこでメタロオルガニ
ックペースト中にガラスフリットを混入させることによ
り表面を粗面化することが考えられるが、その場合ガラ
スフリットにより以後のフォトリソ−エツチングにおけ
るエツチング性が悪くなり、サイドエッチ量の違いによ
り電極の太さが不均一になってしまうと云う問題があっ
た。そこで本発明は半導体装の信頼性を高めるとともに
、エツチング性の低下も防止することを目的とするもの
である。
課題を解決するための手段
以上の課題を解決するために、本発明は、メタロオルガ
ニックペースト中に金属粉末を混入させるものである。
ニックペースト中に金属粉末を混入させるものである。
作用
以上の方法で成膜した場合、電極膜中には金属粉末によ
る凸部が出来て表面が粗面となり、半導体装置の実装時
における信頼性が向上する。またガラスフリットを含ま
ないのでエツチング性の低下もないものとなる。
る凸部が出来て表面が粗面となり、半導体装置の実装時
における信頼性が向上する。またガラスフリットを含ま
ないのでエツチング性の低下もないものとなる。
実施例
以下に本発明の一実施例全第１図、第２図を用いて説明
する。尚、本実施例は、金のメタロオルガニックペース
ト中に金粉を混入したものである。
する。尚、本実施例は、金のメタロオルガニックペース
ト中に金粉を混入したものである。
まず、市販のメタロオルガニック金ペースト（通常金含
有率は１６〜２５％、本実施例においては金含有率１８
％のもの全屈いる）に対し、粒径０．１μｍ以下にそろ
えたほぼ球状の金粉末を、メタロオルガニック金ペース
ト１００ｙにつき、１０ノの割合で混入する。尚、この
混入量は必要とする面粗度に応じ６〜１８ｙの中のどの
割合で決めてもよい。
有率は１６〜２５％、本実施例においては金含有率１８
％のもの全屈いる）に対し、粒径０．１μｍ以下にそろ
えたほぼ球状の金粉末を、メタロオルガニック金ペース
ト１００ｙにつき、１０ノの割合で混入する。尚、この
混入量は必要とする面粗度に応じ６〜１８ｙの中のどの
割合で決めてもよい。
次に、この混合ペースト中に例えばテルピネオールなど
の有機溶剤を、スパチュラもしくはヘラで攪はんしなが
ら、粘度が１０２〜１０３ｏ、ｓになるまで滴下する。
の有機溶剤を、スパチュラもしくはヘラで攪はんしなが
ら、粘度が１０２〜１０３ｏ、ｓになるまで滴下する。
このとき、スパチュラもしくはヘラで容器にこすりつけ
ぬ様に注意しながら充分攪はんさせる。これは、金粉末
同士がこすられてフレーク状の大きな粒子に成長するの
を防ぐためである。
ぬ様に注意しながら充分攪はんさせる。これは、金粉末
同士がこすられてフレーク状の大きな粒子に成長するの
を防ぐためである。
次に、このペーストラスクリーン印刷により、基板１上
に塗布した後、ピーク１２０℃前後の温度で１２〜１５
分間乾燥させた後、金の融点以下で、基板１の種類に応
じた焼成温度、例えばグレーズドアルミナ基板であれば
ピーク８００〜８３０℃程度でトータル４５〜６０分焼
成する。その後もう一度スクリーン印刷により、基板１
上にこのペーストを塗布する。このとき、スキージ−の
移動方向を一層目とは逆にした方が、膜厚のバラツキが
小さくなり効果的である。その後、前述と同様な方法で
乾燥・焼成を行う。すると、第２図の如く金薄膜５け、
金属粉末６間のすきまに還元された金が充填され、ち密
でかつ表面が粗面となる。
に塗布した後、ピーク１２０℃前後の温度で１２〜１５
分間乾燥させた後、金の融点以下で、基板１の種類に応
じた焼成温度、例えばグレーズドアルミナ基板であれば
ピーク８００〜８３０℃程度でトータル４５〜６０分焼
成する。その後もう一度スクリーン印刷により、基板１
上にこのペーストを塗布する。このとき、スキージ−の
移動方向を一層目とは逆にした方が、膜厚のバラツキが
小さくなり効果的である。その後、前述と同様な方法で
乾燥・焼成を行う。すると、第２図の如く金薄膜５け、
金属粉末６間のすきまに還元された金が充填され、ち密
でかつ表面が粗面となる。
また、さらに膜厚を厚くしたい時は、もう−層前述と同
様な方法で構成すればよい。
様な方法で構成すればよい。
尚、本実施例においては、印刷−乾燥一焼成一印刷一乾
燥一焼成という工法を用いたが、−層目の焼成工程を省
略してもよい。
燥一焼成という工法を用いたが、−層目の焼成工程を省
略してもよい。
次ニ、フォトリソ用レジストをロールコータ−を用いて
塗布し、露光・現像した後、ヨウ素ヨウ化カリウムをエ
ッチャントとしてエツチングを行う。−このとき、脱脂
綿などで表面をこすりながら、エッチオフ後２５秒経過
するまでエツチングを続ける。次に５％の水酸化ナトリ
ウム溶液を用いてレジストを剥離する。
塗布し、露光・現像した後、ヨウ素ヨウ化カリウムをエ
ッチャントとしてエツチングを行う。−このとき、脱脂
綿などで表面をこすりながら、エッチオフ後２５秒経過
するまでエツチングを続ける。次に５％の水酸化ナトリ
ウム溶液を用いてレジストを剥離する。
尚、本ペースト中に例えばバナジウムなどの異種有機金
属を混入すると、基板１への接着強度が向上し、より効
果的である。そしてこのようにして形成された電極７上
に半導体４を実装するのである。
属を混入すると、基板１への接着強度が向上し、より効
果的である。そしてこのようにして形成された電極７上
に半導体４を実装するのである。
発明の効果
以上のように、メタロオルガニックペースト中に金属粉
末を混入させることにより、電極表面が粗面となり、半
導体装時における信頼性が向上した。
末を混入させることにより、電極表面が粗面となり、半
導体装時における信頼性が向上した。
また、ガラスフリフト成分がペースト中に含まれないた
め、エツチングの精度が向上した。
め、エツチングの精度が向上した。
また、−回の焼成厚みが大きくなり、電極の配線抵抗を
低下させることが出来た。
低下させることが出来た。
第１図は本発明の一実施例の正面図、第２図は要部拡大
断面図、第３図は従来例の正面図である。 １・・・・・・基板、４・・・・・・半導体、５・・・
・・・金薄膜、６・・・・・・金粉末、７・・・・・・
電極。
断面図、第３図は従来例の正面図である。 １・・・・・・基板、４・・・・・・半導体、５・・・
・・・金薄膜、６・・・・・・金粉末、７・・・・・・
電極。
Claims (2)
- （１）金属製薄膜中に金属粉末を混入した電極。
- （２）メタロオルガニックペースト中に金属粉末を混入
し、この混入体を用いて成膜し、その後加熱することに
よって、有機成分を熱分解させる電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26435589A JPH03124459A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 電極とその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26435589A JPH03124459A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 電極とその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124459A true JPH03124459A (ja) | 1991-05-28 |
Family
ID=17402005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26435589A Pending JPH03124459A (ja) | 1989-10-11 | 1989-10-11 | 電極とその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03124459A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102616035A (zh) * | 2012-04-06 | 2012-08-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种提高电子浆料可印性的方法 |
-
1989
- 1989-10-11 JP JP26435589A patent/JPH03124459A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102616035A (zh) * | 2012-04-06 | 2012-08-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种提高电子浆料可印性的方法 |
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