JPH03123078A - 焦電型赤外線固体撮像装置 - Google Patents
焦電型赤外線固体撮像装置Info
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- JPH03123078A JPH03123078A JP1260784A JP26078489A JPH03123078A JP H03123078 A JPH03123078 A JP H03123078A JP 1260784 A JP1260784 A JP 1260784A JP 26078489 A JP26078489 A JP 26078489A JP H03123078 A JPH03123078 A JP H03123078A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は物体の温度分布を２次元の映像として表示させ
るための焦電型赤外線固体撮像装置に関するものであム 従来の技術 赤外線を検出するセンサとして、従来より赤外線を熱に
変換する焦電材料を用いるものが知られている。このセ
ンサは冷却不眠感度波長の均一体 といった特徴のため
広く利用されている。このセンサの２次元化について、
光学走正 電子走査、自己走査方式のものが既に種々考
案されている。
るための焦電型赤外線固体撮像装置に関するものであム 従来の技術 赤外線を検出するセンサとして、従来より赤外線を熱に
変換する焦電材料を用いるものが知られている。このセ
ンサは冷却不眠感度波長の均一体 といった特徴のため
広く利用されている。このセンサの２次元化について、
光学走正 電子走査、自己走査方式のものが既に種々考
案されている。
先に本発明者らは特願昭６３−２８０７９２号において
、例えばＸ方向に配列したｍ個の焦電型単位センサを直
列接続してラインセンサを構成しこのラインセンサをＹ
方向にｎ本配列しｍｘｎ個の画素を形成する２次元赤外
線センサを提案し九第３図（上 この素子の断面構造を
示している、各単位センサはＰｂＴｉ０ｓ（以下、ＰＴ
と略す）やＰ ｂ ＋−ｘ Ｌ ａ ＸＴ ｉ Ｉ−Ｘ
／４０８ （以下、ＰＬＴと略す）等の材料からなり、
３μｍ程度の膜厚を有する焦電簿膜１３と、その表面
及び裏面に設けられた金属電極１４、１５から構成され
ている。また焦電薄膜１３ ＋１ 熱伝導係数の小さ
いセンサ保持膜１６により、支持基板１７に接続されて
おり、前記支持基板１７への熱拡散による信号の低下を
防止している。
、例えばＸ方向に配列したｍ個の焦電型単位センサを直
列接続してラインセンサを構成しこのラインセンサをＹ
方向にｎ本配列しｍｘｎ個の画素を形成する２次元赤外
線センサを提案し九第３図（上 この素子の断面構造を
示している、各単位センサはＰｂＴｉ０ｓ（以下、ＰＴ
と略す）やＰ ｂ ＋−ｘ Ｌ ａ ＸＴ ｉ Ｉ−Ｘ
／４０８ （以下、ＰＬＴと略す）等の材料からなり、
３μｍ程度の膜厚を有する焦電簿膜１３と、その表面
及び裏面に設けられた金属電極１４、１５から構成され
ている。また焦電薄膜１３ ＋１ 熱伝導係数の小さ
いセンサ保持膜１６により、支持基板１７に接続されて
おり、前記支持基板１７への熱拡散による信号の低下を
防止している。
これらの構造は例えばＭｇＯ基板上に各々の膜を順次形
成した後、ＭｇＯを反対の面からエツチング除去するこ
とにより得られる。
成した後、ＭｇＯを反対の面からエツチング除去するこ
とにより得られる。
発明が解決しようとする課題
前記したセンサ保持膜１６（よ 一般にポリイミドを主
成分とする有機物薄膜が用いられていた、基板の周辺部
だけを残して素子部の基板をエツチングにより除去する
工程において、焦電薄膜周辺部から中央部に向けてクラ
ックが発生し 焦電薄膜の表面に形成されている各電極
に断線が発生するという問題があっ九 これＣよ 焦電薄膜と有機物薄膜との応力の違いによっ
て発生する。すなわち、焦電薄膜は形成時の温度が６０
０℃程度必要であるた八 膜中に大きな圧縮応力を生じ
ている。また焦電薄膜を支持しているポリイミドを主成
分とする有機物薄膜Ｌイミド化のために３００℃以上で
熱処理しており、熱処理前の膜厚の約半分に収縮して、
同様に圧縮応力を生じる。基板のエツチング工程前では
基板によって膜が支持され 焦電薄膜及び有機物薄膜
の圧縮応力が抑制されていた、基板をエツチング除去後
法 各々の膜の応力が異なるため各々の膜に力が働き、
焦電薄膜中に存在する欠陥等のためにクラックが生じる
のである。
成分とする有機物薄膜が用いられていた、基板の周辺部
だけを残して素子部の基板をエツチングにより除去する
工程において、焦電薄膜周辺部から中央部に向けてクラ
ックが発生し 焦電薄膜の表面に形成されている各電極
に断線が発生するという問題があっ九 これＣよ 焦電薄膜と有機物薄膜との応力の違いによっ
て発生する。すなわち、焦電薄膜は形成時の温度が６０
０℃程度必要であるた八 膜中に大きな圧縮応力を生じ
ている。また焦電薄膜を支持しているポリイミドを主成
分とする有機物薄膜Ｌイミド化のために３００℃以上で
熱処理しており、熱処理前の膜厚の約半分に収縮して、
同様に圧縮応力を生じる。基板のエツチング工程前では
基板によって膜が支持され 焦電薄膜及び有機物薄膜
の圧縮応力が抑制されていた、基板をエツチング除去後
法 各々の膜の応力が異なるため各々の膜に力が働き、
焦電薄膜中に存在する欠陥等のためにクラックが生じる
のである。
また ポリイミドの圧縮応力を小さくすれ（′Ｌ膜にた
わみが発生し 物体から発する赤外線を各センサ素子が
均一に読みとることが出来ないため信号に乱れが生シ感
度が低下するという課題があっに 課題を解決するための手段 本発明の焦電型赤外線固体撮像装置（よ 焦電薄膜の一
方の表面に二次元に配列された第１の電極薄膜群と、前
記焦電薄膜の他方の表面に前記第１の電極薄膜群と対向
して設けらｋ１列を構成する各単位センサが電気的に直
列でかつ隣接する単位センサ同士が逆起電力となるよう
に配線された第２の電極薄膜群と、前記焦電薄膜および
前記第２の電極薄膜群上に設けられ 支持基板に接続さ
れたセンサ保持膜とで構成されている焦電型赤外線固体
撮像装置において、前記焦電薄膜の少なくとも一方の表
面上で前記第１および第２の電極薄膜群の周辺部に第３
の電極薄膜群を設けた構造力＼もしくはセンサ保持膜上
に焦電薄膜と対向して焦電薄膜の平面投影面積と同一面
積形状を有する無機絶縁体薄膜を設けた構造を特徴とし
ている。
わみが発生し 物体から発する赤外線を各センサ素子が
均一に読みとることが出来ないため信号に乱れが生シ感
度が低下するという課題があっに 課題を解決するための手段 本発明の焦電型赤外線固体撮像装置（よ 焦電薄膜の一
方の表面に二次元に配列された第１の電極薄膜群と、前
記焦電薄膜の他方の表面に前記第１の電極薄膜群と対向
して設けらｋ１列を構成する各単位センサが電気的に直
列でかつ隣接する単位センサ同士が逆起電力となるよう
に配線された第２の電極薄膜群と、前記焦電薄膜および
前記第２の電極薄膜群上に設けられ 支持基板に接続さ
れたセンサ保持膜とで構成されている焦電型赤外線固体
撮像装置において、前記焦電薄膜の少なくとも一方の表
面上で前記第１および第２の電極薄膜群の周辺部に第３
の電極薄膜群を設けた構造力＼もしくはセンサ保持膜上
に焦電薄膜と対向して焦電薄膜の平面投影面積と同一面
積形状を有する無機絶縁体薄膜を設けた構造を特徴とし
ている。
作用
本発明の焦電型赤外線固体撮像装置によれば有機物薄膜
の圧縮応力を増してたわみの発生を抑制した場合に発生
するクラックを、以下述べる２つの作用の何れかで防止
できる。
の圧縮応力を増してたわみの発生を抑制した場合に発生
するクラックを、以下述べる２つの作用の何れかで防止
できる。
（イ）特にクラックが集中する焦電薄膜の周辺部に設け
た新たな第３の電極薄膜群がクラックを抑制するた八
電極の断線を極力防止することができる。
た新たな第３の電極薄膜群がクラックを抑制するた八
電極の断線を極力防止することができる。
（ロ）焦電薄膜のたわみ防止のためセンサ保持膜の圧縮
応力を増したとき、センサ保持膜の周辺部の圧縮応力の
作用で焦電薄膜にクラックを発生させる張力を、無機絶
縁体薄膜が抑制するた八重極の断線を極力防止すること
ができる。
応力を増したとき、センサ保持膜の周辺部の圧縮応力の
作用で焦電薄膜にクラックを発生させる張力を、無機絶
縁体薄膜が抑制するた八重極の断線を極力防止すること
ができる。
実施例
以下、本発明の具体的実施例を添付図面に基づいて説明
する。
する。
実施例１
第１図（イ）は本発明の焦電型赤外線固体撮像装置の一
実施例を示す断面図であり、第１図（ロ）に示したＡ−
Ｂ線で切断した図である。
実施例を示す断面図であり、第１図（ロ）に示したＡ−
Ｂ線で切断した図である。
１は表面に白金などの金属及びＰｂＴｉ０ｓ（ＰＴ）や
Ｐ ｂ＋−ｘＬ ａｘＴ ｉ ＋−ｘｚａＯｓ （Ｐ
ＬＴ）等の焦電材料からなる薄膜を、エピタキシャル成
長できるＭｇＯ等の支持基板である。その表面に所定の
１．’ｊ膜を形成後、例えば熱燐酸により前記支持基板
ｌ中のセンサ形成領域はエツチング除去される。
Ｐ ｂ＋−ｘＬ ａｘＴ ｉ ＋−ｘｚａＯｓ （Ｐ
ＬＴ）等の焦電材料からなる薄膜を、エピタキシャル成
長できるＭｇＯ等の支持基板である。その表面に所定の
１．’ｊ膜を形成後、例えば熱燐酸により前記支持基板
ｌ中のセンサ形成領域はエツチング除去される。
２は前記支持基板ｌ上に形成した１０００人程度０膜厚
を有する白金等の金属層からなる第１の電極薄膜群であ
る。その形状（よ 例えばＸ方向にｍ個の焦電型単位セ
ンサの第１の電極薄膜群２を接続したラインを構成し
このラインをＹ方向にｒ１本配列しｍｘｎ個の画素を構
成するものである。
を有する白金等の金属層からなる第１の電極薄膜群であ
る。その形状（よ 例えばＸ方向にｍ個の焦電型単位セ
ンサの第１の電極薄膜群２を接続したラインを構成し
このラインをＹ方向にｒ１本配列しｍｘｎ個の画素を構
成するものである。
このときに第１の電極薄膜群２の周辺部へ 本発明の第
３の電極薄膜群３を、第１の電極と同一の材料で構成す
る。
３の電極薄膜群３を、第１の電極と同一の材料で構成す
る。
４は支持基板１、第１の電極薄膜群２及賦 第３の電極
薄膜群３の上に形成した 数μｍの膜厚を有するＰ ｂ
Ｔ ｉ Ｏｓ （ＰＴ） ！、 Ｐ ｂ＋−Ｌ ａ
ｘＴｌｌ−×・４０ｓ （ＰＬＴ）等からなる焦電薄
膜で、赤外線吸収による温度変化を電気信号に変換して
検出する赤外線センサとして作用すａ ５は前記単位センサ上に形成した５００人程０の膜厚を
有するＮｉＣｒ等の金属層からなる第２の電極薄膜群で
ある。その形状は 前記第１の電極薄膜群２、前記第２
の電極薄膜群４、前記焦電薄膜３とで構成される前記単
位センサがＸ方向にｍ個直列接続してラインセンサを構
成し このラインセンサをＹ方向にｎ本配列しｍｘｎ個
の画素を形成する２次元赤外線センサとなるようにする
。
薄膜群３の上に形成した 数μｍの膜厚を有するＰ ｂ
Ｔ ｉ Ｏｓ （ＰＴ） ！、 Ｐ ｂ＋−Ｌ ａ
ｘＴｌｌ−×・４０ｓ （ＰＬＴ）等からなる焦電薄
膜で、赤外線吸収による温度変化を電気信号に変換して
検出する赤外線センサとして作用すａ ５は前記単位センサ上に形成した５００人程０の膜厚を
有するＮｉＣｒ等の金属層からなる第２の電極薄膜群で
ある。その形状は 前記第１の電極薄膜群２、前記第２
の電極薄膜群４、前記焦電薄膜３とで構成される前記単
位センサがＸ方向にｍ個直列接続してラインセンサを構
成し このラインセンサをＹ方向にｎ本配列しｍｘｎ個
の画素を形成する２次元赤外線センサとなるようにする
。
６は前記第２の電極薄膜５上でかつ前記焦電薄膜４より
も広面積に形成した５μｍ程度の膜厚を有するポリイミ
ドを主成分とする有機物薄膜からなるセンサ保持膜であ
る。これは例えば 周知の感光性ポリイミド樹脂をスピ
ンコードによす全面に塗布し 紫外線により露光現像し
てパターニングした後、熱処理することにより形成でき
る。
も広面積に形成した５μｍ程度の膜厚を有するポリイミ
ドを主成分とする有機物薄膜からなるセンサ保持膜であ
る。これは例えば 周知の感光性ポリイミド樹脂をスピ
ンコードによす全面に塗布し 紫外線により露光現像し
てパターニングした後、熱処理することにより形成でき
る。
通常支持基板ｌをエツチング除去するさいに（よ焦電薄
膜４の周辺部の膜厚が最も薄く欠陥も多いた敦 クラッ
クが集中的に発生する力丈 周辺部に設けた第３の電極
薄膜群によって、クラックが効果的に抑制されるた敢
第１あるいは第２の電極薄膜群のクラックによる断線を
阻止することができる。
膜４の周辺部の膜厚が最も薄く欠陥も多いた敦 クラッ
クが集中的に発生する力丈 周辺部に設けた第３の電極
薄膜群によって、クラックが効果的に抑制されるた敢
第１あるいは第２の電極薄膜群のクラックによる断線を
阻止することができる。
前述した例において（主 第３の電極薄膜群を第１の電
極薄膜群と同一材料同一工程により構成した例を示した
パ 第３の電極薄膜群は全く新しく第１あるいは第２の
電極薄膜群の周辺部に形成してもよｌ、％ また第２
の電極薄膜群と同一材料同一］工程により構成すれば
製造工程を簡略化することができる。
極薄膜群と同一材料同一工程により構成した例を示した
パ 第３の電極薄膜群は全く新しく第１あるいは第２の
電極薄膜群の周辺部に形成してもよｌ、％ また第２
の電極薄膜群と同一材料同一］工程により構成すれば
製造工程を簡略化することができる。
実施例２
第２図は本発明の焦電型赤外線固体撮像装置の別の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
ずなわｔ＞ＭｇＯ等の支持基板７、１０００人程度０膜
厚を有する白金等の金属層からなる第１の電極薄膜群８
、Ｐ ｂＴ ｉ Ｏａ （ＰＴ）やＰｂ＋−×ＬａｘＴ
ｉ ＋−×−ｇｏｓ （ＰＬＴ）等の材料からなる３
μｍ程度の膜厚を有する焦電薄膜９、ＮｉＣｒ等の金属
層からなる５００人程０の膜厚を有する第２の電極薄膜
群ＩＯ、ポリイミドを主成分とする杓機物薄膜からなる
センサ保持膜ＩＩおよび、センサ保持膜１１上に焦電薄
膜９に対向して焦電薄膜９と同一平面投影面積形状を有
する無機絶縁体薄膜１２から構成されている。
厚を有する白金等の金属層からなる第１の電極薄膜群８
、Ｐ ｂＴ ｉ Ｏａ （ＰＴ）やＰｂ＋−×ＬａｘＴ
ｉ ＋−×−ｇｏｓ （ＰＬＴ）等の材料からなる３
μｍ程度の膜厚を有する焦電薄膜９、ＮｉＣｒ等の金属
層からなる５００人程０の膜厚を有する第２の電極薄膜
群ＩＯ、ポリイミドを主成分とする杓機物薄膜からなる
センサ保持膜ＩＩおよび、センサ保持膜１１上に焦電薄
膜９に対向して焦電薄膜９と同一平面投影面積形状を有
する無機絶縁体薄膜１２から構成されている。
この無機絶縁体薄膜１２は例えｌ戯 Ｔａ＊Ｏｓ、９−
１〇−
Ａ ］ ｅｏｓ等の材料からなり３μｍ程度の膜厚を有
していも 本発明の実施例２の構成によれ（戴 センサ保持膜１１
の圧縮応力を増して、膜のたわみを防止しようとしたと
き周辺部が支持基板により固定されているので、前記セ
ンサ保持膜１．１の周辺部のみの圧縮応力のた八 焦電
薄膜９が内側へ収縮しようとする圧縮応力に対し外側へ
引っ張る力が強化されるた八 焦電薄膜９中にクラック
が発生しやすくなるのに対して、無機絶縁体薄膜１２に
より焦電薄膜９が支持されるので、クラックの発生を抑
えることができる。
していも 本発明の実施例２の構成によれ（戴 センサ保持膜１１
の圧縮応力を増して、膜のたわみを防止しようとしたと
き周辺部が支持基板により固定されているので、前記セ
ンサ保持膜１．１の周辺部のみの圧縮応力のた八 焦電
薄膜９が内側へ収縮しようとする圧縮応力に対し外側へ
引っ張る力が強化されるた八 焦電薄膜９中にクラック
が発生しやすくなるのに対して、無機絶縁体薄膜１２に
より焦電薄膜９が支持されるので、クラックの発生を抑
えることができる。
また 無機絶縁体薄膜１２の圧縮応力を焦電薄膜９の圧
縮応力に比べて大きくすることにより、よりクラックの
発生を抑えることができ、特に本発明の効果が顕著とな
り、たわヘ クラックのほとんどないセンサを得ること
ができる。
縮応力に比べて大きくすることにより、よりクラックの
発生を抑えることができ、特に本発明の効果が顕著とな
り、たわヘ クラックのほとんどないセンサを得ること
ができる。
また 前記センサ保持膜１１がポリイミドを主成分とす
る有機物薄膜からなり、前記無機絶縁体薄膜１２がスパ
ッタ法により形成されれば セン１ す保持膜が製造過程で劣化することもなく、圧縮応力を
大きくすることができるた敢 特に本発明の効果が顕著
である。
る有機物薄膜からなり、前記無機絶縁体薄膜１２がスパ
ッタ法により形成されれば セン１ す保持膜が製造過程で劣化することもなく、圧縮応力を
大きくすることができるた敢 特に本発明の効果が顕著
である。
発明の効果
本発明（友 焦電薄膜の一方の表面に二次元に配列され
た第１の電極薄膜群と、前記焦電薄膜の他方の表面に前
記第１の電極薄膜群と対向して設けら１１，１列を構成
する各単位センサが電気的に直列でかつ隣接する単位セ
ンサ同士が逆起電力となるように配線された第２の電極
薄膜群と、前記焦電薄膜および前記第２の電極薄膜群上
に設けられ支持基板に接続されたセンサ保持膜とで構成
されている焦電型赤外線固体撮像装置において、前記焦
電薄膜の少なくとも一方の表面上で前記第１および第２
の電極薄膜群の周辺部に第３の電極薄膜群を設けた構造
力＼ もしくはセンサ保持膜上に焦電薄膜と対向して焦
電薄膜の平面投影面積と同一面積形状を有する無機絶縁
体薄膜を設けた構造の焦電型赤外線固体撮像装置である
た八 素子のクラック及び膜のたわみを防止でき、高感
度 高群２− 像度の赤外線固体撮像装置を容易に得ることができ、産
業上の利用価値は高（℃
た第１の電極薄膜群と、前記焦電薄膜の他方の表面に前
記第１の電極薄膜群と対向して設けら１１，１列を構成
する各単位センサが電気的に直列でかつ隣接する単位セ
ンサ同士が逆起電力となるように配線された第２の電極
薄膜群と、前記焦電薄膜および前記第２の電極薄膜群上
に設けられ支持基板に接続されたセンサ保持膜とで構成
されている焦電型赤外線固体撮像装置において、前記焦
電薄膜の少なくとも一方の表面上で前記第１および第２
の電極薄膜群の周辺部に第３の電極薄膜群を設けた構造
力＼ もしくはセンサ保持膜上に焦電薄膜と対向して焦
電薄膜の平面投影面積と同一面積形状を有する無機絶縁
体薄膜を設けた構造の焦電型赤外線固体撮像装置である
た八 素子のクラック及び膜のたわみを防止でき、高感
度 高群２− 像度の赤外線固体撮像装置を容易に得ることができ、産
業上の利用価値は高（℃
第１図（イ）は本発明の焦電型赤外線固体撮像装置の構
造の一実施例を示す断面医 第１図（ロ）は第１図（イ
）に示した実施例の平面は 第２図撮像装置の従来例を
示す断面図であも １、７、１７・・・支持基板 ２、８・・・第１の電極
薄膜珠 ３・・・第３の電極薄膜猟 ４．９、１３・・
・焦電薄ｌＬ５、 ｌＯ・・・第２の電極薄膜猟 ６、
１１１１６・・・センサ保持風１２・・・無機絶縁体薄
膜 １４・・・金属電機１５・・・金属電機
造の一実施例を示す断面医 第１図（ロ）は第１図（イ
）に示した実施例の平面は 第２図撮像装置の従来例を
示す断面図であも １、７、１７・・・支持基板 ２、８・・・第１の電極
薄膜珠 ３・・・第３の電極薄膜猟 ４．９、１３・・
・焦電薄ｌＬ５、 ｌＯ・・・第２の電極薄膜猟 ６、
１１１１６・・・センサ保持風１２・・・無機絶縁体薄
膜 １４・・・金属電機１５・・・金属電機
Claims (5)
- （１）焦電薄膜の一方の表面に二次元に配列された第１
の電極薄膜群と、前記焦電薄膜の他方の表面に前記第１
の電極薄膜群と対向して設けられ１列を構成する各単位
センサが電気的に直列でかつ隣接する単位センサ同士が
逆起電力となるように配線された第２の電極薄膜群と、
前記焦電薄膜および前記第２の電極薄膜群上に設けられ
支持基板に接続されたセンサ保持膜とで構成されている
焦電型赤外線固体撮像装置において、前記焦電薄膜の少
なくとも一方の表面上で前記第１および第２の電極薄膜
群の周辺部に第３の電極薄膜群を設けたことを特徴とす
る焦電型赤外線固体撮像装置 - （２）第３の電極薄膜群が第１または、第２の電極薄膜
群と同一の材料から成ることを特徴とする請求項１記載
の焦電型赤外線固体撮像装置 - （３）焦電薄膜の一方の表面に二次元に配列された第１
の電極薄膜群と、前記焦電薄膜の他方の表面に前記第１
の電極薄膜群と対向して設けられ１列を構成する各単位
センサが電気的に直列でかつ隣接する単位センサ同士が
逆起電力となるように配線された第２の電極薄膜群と、
前記焦電薄膜および前記第２の電極薄膜群上に設けられ
支持基板に接続されたセンサ保持膜とで構成されている
焦電型赤外線固体撮像装置において、前記センサ保持膜
上に前記焦電薄膜と対向して前記焦電薄膜の平面投影面
積と同一面積形状を有する無機絶縁体薄膜を設けたこと
を特徴とする焦電型赤外線固体撮像装置 - （４）無機絶縁体薄膜の圧縮応力、センサ保持膜の圧縮
応力に比べて大きいことを特徴とする請求項３記載の焦
電型赤外線固体撮像装置 - （５）センサ保持膜がポリイミドを主成分とする有機物
薄膜からなり、無機絶縁体薄膜がスパッタ法により形成
されたことを特徴とする請求項３もしくは４何れかに記
載の焦電型赤外線固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260784A JP2890528B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 焦電型赤外線固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1260784A JP2890528B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 焦電型赤外線固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123078A true JPH03123078A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2890528B2 JP2890528B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=17352687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1260784A Expired - Fee Related JP2890528B2 (ja) | 1989-10-05 | 1989-10-05 | 焦電型赤外線固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890528B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000062028A3 (en) * | 1999-04-09 | 2002-05-10 | Spectraprobe Ltd | Improvements in, or relating to, infra-red detection |
| CN114659542A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-06-24 | 森霸传感科技股份有限公司 | 一种薄膜传感器及其制备方法 |
-
1989
- 1989-10-05 JP JP1260784A patent/JP2890528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000062028A3 (en) * | 1999-04-09 | 2002-05-10 | Spectraprobe Ltd | Improvements in, or relating to, infra-red detection |
| US6818892B1 (en) | 1999-04-09 | 2004-11-16 | Spectraprobe Limited | System and method for infra-red detection |
| CN114659542A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-06-24 | 森霸传感科技股份有限公司 | 一种薄膜传感器及其制备方法 |
| CN114659542B (zh) * | 2022-02-24 | 2023-12-05 | 森霸传感科技股份有限公司 | 一种薄膜传感器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2890528B2 (ja) | 1999-05-17 |
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