JPH03122955A - X線管用回転陽極ターゲット - Google Patents
X線管用回転陽極ターゲットInfo
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- JPH03122955A JPH03122955A JP26170889A JP26170889A JPH03122955A JP H03122955 A JPH03122955 A JP H03122955A JP 26170889 A JP26170889 A JP 26170889A JP 26170889 A JP26170889 A JP 26170889A JP H03122955 A JPH03122955 A JP H03122955A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用骨釘〕
本発明は、医療機器等に用いるX線管用回転陽極ターゲ
ットに関する。
ットに関する。
X線管はタングステン等の陽極ターゲットに電子線を照
射してX線を発生させる真空管であり、陽極ターゲット
として現在では回転軸の先端に取り付けて回転させる円
盤状の回転陽極ターゲットが主に使われている。
射してX線を発生させる真空管であり、陽極ターゲット
として現在では回転軸の先端に取り付けて回転させる円
盤状の回転陽極ターゲットが主に使われている。
かかるX線管用回転陽極ターゲットは、モリブデンから
なる円盤状の基体の電子線照射面にタングステン又はタ
ングステン−レニウム合金(通常はRe 26 wt%
以下)からなるターゲット層を設けたものであったが、
近年の医療機器の急激な進歩により更に高出力化が要望
されていた。
なる円盤状の基体の電子線照射面にタングステン又はタ
ングステン−レニウム合金(通常はRe 26 wt%
以下)からなるターゲット層を設けたものであったが、
近年の医療機器の急激な進歩により更に高出力化が要望
されていた。
この要望に対して、モリブデンよりも比重が小さいグラ
ファイトで基体を作製することにより、大径で高速回転
でき、高出力化が可能な回転陽極ターゲットが、特公昭
62−58105号公報及び特開昭59−8252号公
報等に提案されている。
ファイトで基体を作製することにより、大径で高速回転
でき、高出力化が可能な回転陽極ターゲットが、特公昭
62−58105号公報及び特開昭59−8252号公
報等に提案されている。
これらの軽量なグラファイトを基体とする従来の回転陽
極ターゲットは、第4図に示す如く、中心に回転軸を挿
着する中心孔2を設けたグラファイトからなる円盤状の
基体1と、この基体lの電子線照射表面(中心孔2と同
心のリング状)に設けたタングステン又はタングステン
−レニウム合金のターゲット層3を具え、更にグラファ
イトとタングステンの反応を防ぐためにレニウム、白金
、オスミウム等の炭化物を生成しない金属からなる中間
層4を基体1とターゲット層3の間に設けである。
極ターゲットは、第4図に示す如く、中心に回転軸を挿
着する中心孔2を設けたグラファイトからなる円盤状の
基体1と、この基体lの電子線照射表面(中心孔2と同
心のリング状)に設けたタングステン又はタングステン
−レニウム合金のターゲット層3を具え、更にグラファ
イトとタングステンの反応を防ぐためにレニウム、白金
、オスミウム等の炭化物を生成しない金属からなる中間
層4を基体1とターゲット層3の間に設けである。
しかしながら、かかる従来のxa’を用回転陽極ターゲ
ットでは、中間層4及びターゲット層3が形成されてい
る部分以外の基体1の表面は露出しているので、高出力
化のために例えば10000 rpm程度の高速で回転
すると露出した基体表面からグラファイトが微細な粉末
となって飛散し、X線管中を浮遊して周囲の真空管のガ
ラス壁に付着し、異常放電を起こすなどX線管の特性を
劣化させる原因となりやすかった。又、X線管の動作中
に電子線が照射されるターゲット層3は約1500 C
’(7)高温に加熱されるので、レニウム等の中間層4
が薄い場合には、基体1のグラファイトとターゲット層
3のタングステンが高温で反応して炭化タングステンを
形成し、ターゲット層3が脆く且つ剥離しやすくなる欠
点があった。
ットでは、中間層4及びターゲット層3が形成されてい
る部分以外の基体1の表面は露出しているので、高出力
化のために例えば10000 rpm程度の高速で回転
すると露出した基体表面からグラファイトが微細な粉末
となって飛散し、X線管中を浮遊して周囲の真空管のガ
ラス壁に付着し、異常放電を起こすなどX線管の特性を
劣化させる原因となりやすかった。又、X線管の動作中
に電子線が照射されるターゲット層3は約1500 C
’(7)高温に加熱されるので、レニウム等の中間層4
が薄い場合には、基体1のグラファイトとターゲット層
3のタングステンが高温で反応して炭化タングステンを
形成し、ターゲット層3が脆く且つ剥離しやすくなる欠
点があった。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明はかかる従来の事情に鑑み、グラファイトを基体
とするX線管用回転陽極ターゲットにおいて、基体から
のグラファイトの飛散を防止し、及び/又は中間層の薄
い場合でもグラファイトとタングステンの反応による炭
化タングステンの生成を抑制することを目的とする。
とするX線管用回転陽極ターゲットにおいて、基体から
のグラファイトの飛散を防止し、及び/又は中間層の薄
い場合でもグラファイトとタングステンの反応による炭
化タングステンの生成を抑制することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明ではグラファイトから
なる基体の電子線照射面にターゲット層を有するX線管
用回転陽極ターゲットにおいて、基体の表面上に直接施
された炭化珪素からなる基体被覆層を設けたことを特徴
とする。
なる基体の電子線照射面にターゲット層を有するX線管
用回転陽極ターゲットにおいて、基体の表面上に直接施
された炭化珪素からなる基体被覆層を設けたことを特徴
とする。
本発明では、X線管用回転陽極ターゲットのグラファイ
トからなる基体表面の必要個所に、優れた耐熱性と化学
的安定性を有する炭化珪素の基体被覆層を直接形成する
。
トからなる基体表面の必要個所に、優れた耐熱性と化学
的安定性を有する炭化珪素の基体被覆層を直接形成する
。
例えば、第2図に示すように、基体1のターゲット層3
に覆われた部分の表面上に炭化珪素の基体被覆層5を形
成した場合、基体1のグラファイトと中間層4との間に
炭化珪素の基体被覆層5が介在するので、レニウム等の
中間層4が薄くても基体lのグラファイトとターゲット
層3のタングステンとの反応を抑制出来る。従ってこの
場合には、脆い炭化タングステンの生成が抑制されるの
で、ターゲット層3の剥離を防止でき回転陽極ターゲッ
トの実用寿命を従来よりも長くすることが可能である。
に覆われた部分の表面上に炭化珪素の基体被覆層5を形
成した場合、基体1のグラファイトと中間層4との間に
炭化珪素の基体被覆層5が介在するので、レニウム等の
中間層4が薄くても基体lのグラファイトとターゲット
層3のタングステンとの反応を抑制出来る。従ってこの
場合には、脆い炭化タングステンの生成が抑制されるの
で、ターゲット層3の剥離を防止でき回転陽極ターゲッ
トの実用寿命を従来よりも長くすることが可能である。
又、第3図に示すように、基体1のターゲット層3に覆
われていない部分の表面上に炭化珪素の基体被覆層5を
形成した場合には、基体lのグラファイトが全て覆われ
露出部分が無くなるので、回転陽極ターゲットが高速で
回転してもグラファイトが微細な粉末となって飛散しな
い。従って、X線管中にグラファイト粉末が浮遊するこ
とが無くなり、使用中におけるXaWの特性劣化を防止
できる。
われていない部分の表面上に炭化珪素の基体被覆層5を
形成した場合には、基体lのグラファイトが全て覆われ
露出部分が無くなるので、回転陽極ターゲットが高速で
回転してもグラファイトが微細な粉末となって飛散しな
い。従って、X線管中にグラファイト粉末が浮遊するこ
とが無くなり、使用中におけるXaWの特性劣化を防止
できる。
第1図の如く、基体1の全表面上に炭化珪素の基体被覆
層5を形成すれば、上記した炭化タングステンの生成を
抑制する作用と、グラファイト粉末の飛散を防止する作
用の両方を兼ね備えた回転陽極ターゲットが得られる。
層5を形成すれば、上記した炭化タングステンの生成を
抑制する作用と、グラファイト粉末の飛散を防止する作
用の両方を兼ね備えた回転陽極ターゲットが得られる。
尚、第1図では基体lの中心孔2の内面にも基体被覆層
5が形成しであるが、使用状態では中心孔2内に回転軸
が挿着されるので、中心孔2の内面には必ずしも基体被
覆層5を形成しなくても良い。
5が形成しであるが、使用状態では中心孔2内に回転軸
が挿着されるので、中心孔2の内面には必ずしも基体被
覆層5を形成しなくても良い。
炭化珪素の基体被覆層5を形成する方法は、中間層4や
ターゲット層3と同様に、蒸着法、スパッタリング法、
化学気相蒸着(cvD)法、物理気相蒸着(PVD)法
等の公知の方法を使用できるが、密着力に優れ又角部等
にも付き回り良く付着できるOVD法が好ましい。
ターゲット層3と同様に、蒸着法、スパッタリング法、
化学気相蒸着(cvD)法、物理気相蒸着(PVD)法
等の公知の方法を使用できるが、密着力に優れ又角部等
にも付き回り良く付着できるOVD法が好ましい。
又、基体被覆層5の膜厚は500x以上5ms+以下が
好ましい。この膜厚がsoo X未満では連続的な形成
が困難なためピンホール等の被覆されない部分が残りや
すく、5闘を超えると膜が厚くなりすぎ亀裂が発生しや
すくなるからである。
好ましい。この膜厚がsoo X未満では連続的な形成
が困難なためピンホール等の被覆されない部分が残りや
すく、5闘を超えると膜が厚くなりすぎ亀裂が発生しや
すくなるからである。
本発明の一具体例として、第1図に示すX線管用回転陽
極ターゲットを下記の如く製造した。
極ターゲットを下記の如く製造した。
高密度の等方性グラファイトからなる基体1の全表面上
に51at とOHを用いたOVD法により膜厚2μ
mのSiGからなる基体波NM5を直接形成した。次に
、基体被覆層5を形成した基体1の電子線照射面に、R
eF6とH2を用いたOVD法により膜厚10μmのR
eからなる中間層4を形成し、更にこの中間層4の上に
WF とReF 及びHを用いたOVD法によつ膜厚
100μmのW−5%Reからなるターゲット層3を形
成した。
に51at とOHを用いたOVD法により膜厚2μ
mのSiGからなる基体波NM5を直接形成した。次に
、基体被覆層5を形成した基体1の電子線照射面に、R
eF6とH2を用いたOVD法により膜厚10μmのR
eからなる中間層4を形成し、更にこの中間層4の上に
WF とReF 及びHを用いたOVD法によつ膜厚
100μmのW−5%Reからなるターゲット層3を形
成した。
得られた回転陽極ターゲットを組み込んだX線管を作製
し、回転数10000 rpmで回転させながら、10
0KVの電子線を照射してX線を発生させたところ、グ
ラファイト粉末の飛散が抑制され、10000時間使用
しても特性の劣化を招くこ゛とがなかった。
し、回転数10000 rpmで回転させながら、10
0KVの電子線を照射してX線を発生させたところ、グ
ラファイト粉末の飛散が抑制され、10000時間使用
しても特性の劣化を招くこ゛とがなかった。
その後、X線管から回転陽極ターゲットを取り外して観
察したが、WCの形成によるターゲット層の剥離は全く
みられなかった。
察したが、WCの形成によるターゲット層の剥離は全く
みられなかった。
比較のために、SiOからなる基体被覆層5を形成しな
い以外は上記と同様にして回転陽極ターゲットを製造し
、これを組み込んだX線管を上記と同様の条件で使用し
たところ、使用中に特性の劣化、即ち周囲のガラス壁へ
のグラフアイ)付着がみられ、ターゲット層も一部剥離
していた。
い以外は上記と同様にして回転陽極ターゲットを製造し
、これを組み込んだX線管を上記と同様の条件で使用し
たところ、使用中に特性の劣化、即ち周囲のガラス壁へ
のグラフアイ)付着がみられ、ターゲット層も一部剥離
していた。
本発明により、炭化珪素からなる基体被覆層を設けたX
線管用回転陽極ターゲットでは、基体からのグラファイ
トの飛散が防止されて使用中のX線管の特性劣化がなく
なり、中間層が薄い場合でモ脆い炭化タングステンの生
成が抑制されてターゲット層の剥離を防止できるので実
用寿命を長くすることが出来る。
線管用回転陽極ターゲットでは、基体からのグラファイ
トの飛散が防止されて使用中のX線管の特性劣化がなく
なり、中間層が薄い場合でモ脆い炭化タングステンの生
成が抑制されてターゲット層の剥離を防止できるので実
用寿命を長くすることが出来る。
従って、本発明によるX線管用回転陽極ターゲットは、
X線管の特性劣化がなく長寿命であると同時に、軽量且
つ大径であって、高速回転が可能であるから、高出力を
必要とする医療機器等に好適である。
X線管の特性劣化がなく長寿命であると同時に、軽量且
つ大径であって、高速回転が可能であるから、高出力を
必要とする医療機器等に好適である。
第1図は本発明のX線管用回転陽極ターゲットの一具体
例の断面図であり、第2図及び第3図は別の具体例の断
面図、及び第4図は従来のX線管用回転陽極ターゲット
の断面図である。 1・・基体 2・・中心孔 3・・ターゲット層 4・・中間層 5・・基体被覆層
例の断面図であり、第2図及び第3図は別の具体例の断
面図、及び第4図は従来のX線管用回転陽極ターゲット
の断面図である。 1・・基体 2・・中心孔 3・・ターゲット層 4・・中間層 5・・基体被覆層
Claims (1)
- (1)グラファイトからなる基体の電子線照射面にター
ゲット層を有するX線管用回転陽極ターゲットにおいて
、基体の表面上に直接施された炭化珪素からなる基体被
覆層を設けたことを特徴とするX線管用回転陽極ターゲ
ット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26170889A JPH03122955A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | X線管用回転陽極ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26170889A JPH03122955A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | X線管用回転陽極ターゲット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03122955A true JPH03122955A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17365605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26170889A Pending JPH03122955A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | X線管用回転陽極ターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03122955A (ja) |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP26170889A patent/JPH03122955A/ja active Pending
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