JPH03120607A - 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッド用基板 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッド用基板Info
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- JPH03120607A JPH03120607A JP25766489A JP25766489A JPH03120607A JP H03120607 A JPH03120607 A JP H03120607A JP 25766489 A JP25766489 A JP 25766489A JP 25766489 A JP25766489 A JP 25766489A JP H03120607 A JPH03120607 A JP H03120607A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＶＴＲ等の磁気記録再生装置に用いる薄膜磁
気ヘッド及び薄膜磁気ヘッド用基板に関する。
気ヘッド及び薄膜磁気ヘッド用基板に関する。
従来の薄膜磁気ヘッドは、非磁性基板としてＭユ０９Ｎ
ｉＯの焼結し九セラミック基板を用いていた。
ｉＯの焼結し九セラミック基板を用いていた。
この基板は、熱膨張係数ａ：１４０Ｘ１０−’／℃であ
シ、基板上に形成するＣｏ系非晶質合金［１（ａ＃ １
２０ Ｘ １０ ／ Ｃ）やｓｉＯ，膜（ａ”：、
１０ Ｘ １ ｏ−７／℃）、Ｍｇ０−ｓ、ｏ、ＩＩＥ
（ａ＃８０Ｘ１０ ／Ｃ）Ｋ比較して大きく、熱プロ
セスを経るととくよシ熱応力が蓄積し、プロセス歩留を
下げる要因となりていた。
シ、基板上に形成するＣｏ系非晶質合金［１（ａ＃ １
２０ Ｘ １０ ／ Ｃ）やｓｉＯ，膜（ａ”：、
１０ Ｘ １ ｏ−７／℃）、Ｍｇ０−ｓ、ｏ、ＩＩＥ
（ａ＃８０Ｘ１０ ／Ｃ）Ｋ比較して大きく、熱プロ
セスを経るととくよシ熱応力が蓄積し、プロセス歩留を
下げる要因となりていた。
また、ＶＴＲ等の磁気テープ走行では、摩耗が速く摩耗
寿命が短くなる傾向があうた。
寿命が短くなる傾向があうた。
この種の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば特開昭６０−
２５８７１８号公報に記載されているものが挙げられる
。
２５８７１８号公報に記載されているものが挙げられる
。
上記従来技術においては、形成する薄膜層と基板の熱膨
張係数のマツチング及び磁気テープ走行時における摩耗
寿命に関して充分な配慮がなされていなかった。
張係数のマツチング及び磁気テープ走行時における摩耗
寿命に関して充分な配慮がなされていなかった。
本発明は、プロセス歩留が高く、かつ磁気テープとの当
接が良好で、摩耗寿命が長いＶ’ｌ’Ｒ等の磁気記録再
壺装置に用いる薄膜磁気ヘッド用基板及び薄膜磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
接が良好で、摩耗寿命が長いＶ’ｌ’Ｒ等の磁気記録再
壺装置に用いる薄膜磁気ヘッド用基板及び薄膜磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
上記目的は、形成する薄膜層の熱膨張係数ａＫ近い値を
示し、硬度が大きく、耐摩耗性に優れたＩＩ Ｆ、２
Ｊ非磁性基板を用い、かつ基板上に形成するＣｏ系非晶
質合金膜と該基板間において熱プロセスを経たときに生
じる拡散の問題を、該基板と該Ｃｏ系非晶質合金膜間に
応力緩和及び拡散防止の機能を有する非磁性薄膜を形成
することによシ達成される。
示し、硬度が大きく、耐摩耗性に優れたＩＩ Ｆ、２
Ｊ非磁性基板を用い、かつ基板上に形成するＣｏ系非晶
質合金膜と該基板間において熱プロセスを経たときに生
じる拡散の問題を、該基板と該Ｃｏ系非晶質合金膜間に
応力緩和及び拡散防止の機能を有する非磁性薄膜を形成
することによシ達成される。
薄膜磁気ヘッドとして形成する主たる薄膜は、Ｃｏ系非
晶質合金膜で、熱膨張係数ａが約１２０Ｘ１０／Ｃであ
夛、これに対してａ−１１，２０３基板のａは、１１５
Ｘ １０−７／ Ｃで、はぼ等しい値となっておシ、
熱応力は従来に比較して低減される。
晶質合金膜で、熱膨張係数ａが約１２０Ｘ１０／Ｃであ
夛、これに対してａ−１１，２０３基板のａは、１１５
Ｘ １０−７／ Ｃで、はぼ等しい値となっておシ、
熱応力は従来に比較して低減される。
また、＆ Ｆｓ２０！基板に直接Ｃｏ系非晶質合金膜
を形成し、磁気特性向上の丸めの熱処理を施した場合に
生じる、ａ −Ｆ ＊ ２０ 纒基板とＣｏ、系非晶質
合金の拡散は、該ａ −？ 、 ２０８基板上に１応力
緩和及び拡散防止の機能を有する（ＭｇＯ）。
を形成し、磁気特性向上の丸めの熱処理を施した場合に
生じる、ａ −Ｆ ＊ ２０ 纒基板とＣｏ、系非晶質
合金の拡散は、該ａ −？ 、 ２０８基板上に１応力
緩和及び拡散防止の機能を有する（ＭｇＯ）。
（８，０２）１−Ｘ（ｘ＝０．４〜０． ７５ ）膜或
はＡｌ２Ｏ、膜と、Ｃｒ膜或はＴａ膜を組み合わせた拡
散防止膜とすることにより解決できる。
はＡｌ２Ｏ、膜と、Ｃｒ膜或はＴａ膜を組み合わせた拡
散防止膜とすることにより解決できる。
更に、該ａ −Ｆ ６２０３基板はビッカース硬度が９
Ｃｏ程度と大きく、従来基板に比較して磁気テープ走行
における耐摩耗性が向上し、特に少なくともｒ−Ｆ、２
０！ｌ・系磁性粉が塗布された磁気テープに対しては磁
気テープとの摩擦係数が小さくな９、安定した磁気テー
プ・ヘッド当接が得られる。
Ｃｏ程度と大きく、従来基板に比較して磁気テープ走行
における耐摩耗性が向上し、特に少なくともｒ−Ｆ、２
０！ｌ・系磁性粉が塗布された磁気テープに対しては磁
気テープとの摩擦係数が小さくな９、安定した磁気テー
プ・ヘッド当接が得られる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッド用基板の第１０実
施例を示す断面図であって、１はａ−Ｆ、、Ｏｓ非ａ性
基版、・２はＣｏ系非晶質合金膜（コノ実施例ではＣ（
Ｉ Ｎ ｂＺ ｒ＊ Ｃ（１！’ ＠ Ｚ ｙ ＊ Ｃ
。
施例を示す断面図であって、１はａ−Ｆ、、Ｏｓ非ａ性
基版、・２はＣｏ系非晶質合金膜（コノ実施例ではＣ（
Ｉ Ｎ ｂＺ ｒ＊ Ｃ（１！’ ＠ Ｚ ｙ ＊ Ｃ
。
Ｈ，Ｚ、？、を用いた）″、 ３は、３ａが第１の非磁
性膜、ｓｂが第２の非磁性膜、Ｓｏが第３の非磁性膜の
５層構造からなる拡散防止膜で番る。
性膜、ｓｂが第２の非磁性膜、Ｓｏが第３の非磁性膜の
５層構造からなる拡散防止膜で番る。
こζで、Ｓ畠、３ｏとしてはＣ１又はＴａ膜をスパッタ
リング法によシ・１Ｃｏ〜１Ｃｏ０Ａの膜厚に形成し、
５ｂとしてはスパッタリング法或は真空蒸着法によシ（
ＭｇＯ）ｘ（８ｉ ０２）１−ｘ〔宜＝α４〜ａ７５〕
膜をａ５〜３μｍの膜厚に形成する。
リング法によシ・１Ｃｏ〜１Ｃｏ０Ａの膜厚に形成し、
５ｂとしてはスパッタリング法或は真空蒸着法によシ（
ＭｇＯ）ｘ（８ｉ ０２）１−ｘ〔宜＝α４〜ａ７５〕
膜をａ５〜３μｍの膜厚に形成する。
上記Ｓ ｍ 、 ’５ ｏＯｃ、又はＴａ膜は融点が高
い材料であ〕、拡散防止の機能と共に、基板と薄膜の接
着強度の向上に効果がある６ 一方、５ｂの（Ｍ、 Ｏ）ｘ （８ｉ （ｈ ）、−＊
ＣＸ＝α４〜１１７５）膜は熱膨張係数ｍ＝８０〜１Ｃ
ｏＸ１０／Ｃであシ、” −’ ＠ ２０１Ｊ非磁性基
板１ Ｏａ ＃ １１５ Ｘ １０ ／ Ｃ１及びＣ
ｏ系非晶質合金膜２のａ＃ １２０ Ｘ １０ ／
℃に近く、ビッカース硬度５Ｃｏ程度となっておシ、０
．３〜５μｍの膜厚で応力緩和と拡散防止の機能を有す
ると共に、磁気テープとの摩擦係数が低く、安定したテ
ープ・ヘッド当接に適している。
い材料であ〕、拡散防止の機能と共に、基板と薄膜の接
着強度の向上に効果がある６ 一方、５ｂの（Ｍ、 Ｏ）ｘ （８ｉ （ｈ ）、−＊
ＣＸ＝α４〜１１７５）膜は熱膨張係数ｍ＝８０〜１Ｃ
ｏＸ１０／Ｃであシ、” −’ ＠ ２０１Ｊ非磁性基
板１ Ｏａ ＃ １１５ Ｘ １０ ／ Ｃ１及びＣ
ｏ系非晶質合金膜２のａ＃ １２０ Ｘ １０ ／
℃に近く、ビッカース硬度５Ｃｏ程度となっておシ、０
．３〜５μｍの膜厚で応力緩和と拡散防止の機能を有す
ると共に、磁気テープとの摩擦係数が低く、安定したテ
ープ・ヘッド当接に適している。
この様に構成した薄膜磁気ヘッド用基板を、該Ｃｏ系非
晶質合金膜の磁気特性を高めるため１７（４Ｃｏ〜５Ｃ
ｏ℃の磁場中熱処理を行ったところ、該Ｃｏ系非晶質合
金膜の磁気特性が向上し、劣化することがないことを確
認した。
晶質合金膜の磁気特性を高めるため１７（４Ｃｏ〜５Ｃ
ｏ℃の磁場中熱処理を行ったところ、該Ｃｏ系非晶質合
金膜の磁気特性が向上し、劣化することがないことを確
認した。
第４図は”＊２０Ｂ基板１上Ｋｉｉ接Ｃｏ系非晶質合金
膜２を形成し、熱処理をした場合の拡散を示す説明図で
あって、上記と同様の熱処理を施すと、膜厚１〜５ｓｒ
ａの拡散層５が生じ、この拡散層５は硬磁性（磁石）を
示し、合金膜２の磁気特性に悪影響を及ぼすと共に、磁
気ヘッドにした場合には、信号が記録された磁気テープ
を走行させた場合に、信号を徐々に消す、いわゆる減磁
を示し、薄膜磁気ヘッド用基板としては適さない。
膜２を形成し、熱処理をした場合の拡散を示す説明図で
あって、上記と同様の熱処理を施すと、膜厚１〜５ｓｒ
ａの拡散層５が生じ、この拡散層５は硬磁性（磁石）を
示し、合金膜２の磁気特性に悪影響を及ぼすと共に、磁
気ヘッドにした場合には、信号が記録された磁気テープ
を走行させた場合に、信号を徐々に消す、いわゆる減磁
を示し、薄膜磁気ヘッド用基板としては適さない。
第２図及び第５図は本発明による薄膜磁気ヘッド用基板
の第２及び第３の実施例を示す断面図であって、第２の
実施例では、第１の実施例での拡散防止膜３０３層を、
３ａを除いて５ｂ＊Ｓｏの２層構成としたもので、基板
１と第２の非磁性膜３ｂとの接着強度が若干下がるが、
他の効果は全く第１の実施例と同じである。
の第２及び第３の実施例を示す断面図であって、第２の
実施例では、第１の実施例での拡散防止膜３０３層を、
３ａを除いて５ｂ＊Ｓｏの２層構成としたもので、基板
１と第２の非磁性膜３ｂとの接着強度が若干下がるが、
他の効果は全く第１の実施例と同じである。
同様に３ｂのみの非磁性膜においても同様の効果が得ら
れる。
れる。
第３図の第３の実施例は％ Ｃ（ｌ系非晶質合金膜２
ａ ｍ ２ ｂ ＊ ２ ｏと絶縁膜４ａ、４ｂとで多
層膜としたもので、高周波特性を向上させる場合に用い
られ、この場合においても第１及び第２の実施例とほぼ
同様の効果を得ることができる。
ａ ｍ ２ ｂ ＊ ２ ｏと絶縁膜４ａ、４ｂとで多
層膜としたもので、高周波特性を向上させる場合に用い
られ、この場合においても第１及び第２の実施例とほぼ
同様の効果を得ることができる。
第５図は薄膜磁気ヘッド用基板を用いた薄膜磁気ヘッド
の一実施例であって、薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面を
示す図である。
の一実施例であって、薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面を
示す図である。
ａ −Ｆ 、 ２０ ｓ 非磁性基板１に図示した様な
円弧上の溝を設け、該基板上に１層〜３層構成の拡散防
止膜３、Ｃｏ系非晶質合金膜２を形成し、薄膜プロセス
によ〕所定の形状にエツチングした後、Ｍ、０−８ｉＯ
等からなる非磁性膜７ａ、７ｂ。
円弧上の溝を設け、該基板上に１層〜３層構成の拡散防
止膜３、Ｃｏ系非晶質合金膜２を形成し、薄膜プロセス
によ〕所定の形状にエツチングした後、Ｍ、０−８ｉＯ
等からなる非磁性膜７ａ、７ｂ。
薄膜コイル（図を省略）、ギャップ材６、磁気コアを形
成するＣｏ系非晶質合金膜８及び保１ｉ！ＩＸ９を所定
の形状に積層して、薄膜磁気ヘッドが得られる。
成するＣｏ系非晶質合金膜８及び保１ｉ！ＩＸ９を所定
の形状に積層して、薄膜磁気ヘッドが得られる。
第６図は薄膜磁気ヘッドの他の実施例であって、薄膜磁
気ヘッドのテープ摺動面を示す図である。
気ヘッドのテープ摺動面を示す図である。
ａ −Ｆ 、 ２０５非磁性基板１に図示し九様な突起
部を機械加工等によｐ形成し、該基板上に拡散防止膜３
及びＣｏ系非晶質合金膜２を積層し、ギャップ部６を平
担化ラップした後、図に示す様に互いにギャップ部で対
になる様に突き合わせ、低融点ガラス１０によってギャ
ップボンディングを行りて、薄膜磁気ヘッドが得られる
。
部を機械加工等によｐ形成し、該基板上に拡散防止膜３
及びＣｏ系非晶質合金膜２を積層し、ギャップ部６を平
担化ラップした後、図に示す様に互いにギャップ部で対
になる様に突き合わせ、低融点ガラス１０によってギャ
ップボンディングを行りて、薄膜磁気ヘッドが得られる
。
ガラスボンディング時に、合金膜２と低融点ガラス１０
の拡散が生じる場合は、拡散防止ｌＩ５を合金層２上に
形成しておく。
の拡散が生じる場合は、拡散防止ｌＩ５を合金層２上に
形成しておく。
第７図は薄膜磁気ヘッドの更に他の実施例であって、薄
膜磁気ヘッドのテープ摺動面を示す図である。
膜磁気ヘッドのテープ摺動面を示す図である。
第１図に示した基板１，２．５上に、更にａ −’ａ！
０！非磁性基板１を低融点ガラス１ｏによシ熱圧着ボン
ディングする。更忙、ギャップ部６となる部分から該基
板を機械加工等により切り離し所定の形状に整形した後
、ギャップ部で対となる様に向い合わせ、低融点ガラス
１０で更にギャップボンディングを行って、薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。
０！非磁性基板１を低融点ガラス１ｏによシ熱圧着ボン
ディングする。更忙、ギャップ部６となる部分から該基
板を機械加工等により切り離し所定の形状に整形した後
、ギャップ部で対となる様に向い合わせ、低融点ガラス
１０で更にギャップボンディングを行って、薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。
以上の薄膜磁気ヘッドでは、ａ −Ｆ 、２０５非磁性
基板１、拡散防止膜３及びＣｏ系非晶質合金膜２の構成
となっていることによシ、熱プロセスに対して安定して
お）、かつ摩耗寿命が充分にとれ、磁気テープとの安定
当接が可能となる。
基板１、拡散防止膜３及びＣｏ系非晶質合金膜２の構成
となっていることによシ、熱プロセスに対して安定して
お）、かつ摩耗寿命が充分にとれ、磁気テープとの安定
当接が可能となる。
以上説明したように、本発明によれば、形成する主なる
薄膜層の熱膨張係数ａに近い値を示し、かつ硬度が大き
く対摩耗性に優れた”−Ｆｍ２０ｓ非磁性基板を用い、
かつ基板上に直接形成した時に生じる該基板とＣｏ系非
晶質合金膜との拡散の問題を、応力緩和及び拡散防止の
機能を有する（ＭｇＯ）ｘ（８１Ｇ２）１−ｘ（ｘｘａ
４〜ａｙｓ）膜或は＾１２０３膜と、ｃｒ［或はＴａ膜
を組み合わせた拡散防止膜とすることにより、プロセス
歩留が高くかり磁気テープとの轟接が嵐好で摩耗寿命が
長く、上記従来技術の問題点を除いて、優れた機能のＶ
テ３等の磁気記録再生装置に用いる薄膜磁気ヘッド及び
薄膜磁気ヘッド用基板を提供することができる。
薄膜層の熱膨張係数ａに近い値を示し、かつ硬度が大き
く対摩耗性に優れた”−Ｆｍ２０ｓ非磁性基板を用い、
かつ基板上に直接形成した時に生じる該基板とＣｏ系非
晶質合金膜との拡散の問題を、応力緩和及び拡散防止の
機能を有する（ＭｇＯ）ｘ（８１Ｇ２）１−ｘ（ｘｘａ
４〜ａｙｓ）膜或は＾１２０３膜と、ｃｒ［或はＴａ膜
を組み合わせた拡散防止膜とすることにより、プロセス
歩留が高くかり磁気テープとの轟接が嵐好で摩耗寿命が
長く、上記従来技術の問題点を除いて、優れた機能のＶ
テ３等の磁気記録再生装置に用いる薄膜磁気ヘッド及び
薄膜磁気ヘッド用基板を提供することができる。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッド用基板の第１の実
施例を示す断面図、＠２図及び第３図は本発明による薄
膜磁気ヘッド用基板の第２及び第３の実施例を示す断面
図、！ｓ４図はＡ−Ｆｓ２０！基板１上に直接Ｃｏ系非
晶質合金膜２を形成し、熱処理をした場合の拡散を示す
説明図、第５図、第６図及び第７図は薄膜磁気ヘッド用
基板を用いた薄膜磁気ヘッドの各実施例でありて、薄膜
磁気ヘッドのテープ摺動面を示す図である。 符号の説明 １・・・・・・ａ−Ｐ・２０！非磁性基板、２・・・・
・・Ｃｏ系非晶質合金膜、 ３・・・・・・拡散防止膜。 ４・・・・・・拡散層。 第１０ 凧５［２Ｉ 第２図 第４（２１
施例を示す断面図、＠２図及び第３図は本発明による薄
膜磁気ヘッド用基板の第２及び第３の実施例を示す断面
図、！ｓ４図はＡ−Ｆｓ２０！基板１上に直接Ｃｏ系非
晶質合金膜２を形成し、熱処理をした場合の拡散を示す
説明図、第５図、第６図及び第７図は薄膜磁気ヘッド用
基板を用いた薄膜磁気ヘッドの各実施例でありて、薄膜
磁気ヘッドのテープ摺動面を示す図である。 符号の説明 １・・・・・・ａ−Ｐ・２０！非磁性基板、２・・・・
・・Ｃｏ系非晶質合金膜、 ３・・・・・・拡散防止膜。 ４・・・・・・拡散層。 第１０ 凧５［２Ｉ 第２図 第４（２１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ａ−Ｆｅ＿２Ｏ＿３非磁性基板上に拡散防止用の非
磁性薄膜を形成し、更に該非磁性薄膜上に軟磁性薄膜を
形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用基板。 ２、請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用基板において、前
記軟磁性薄膜がＣｏ系非晶質合金膜、或は絶縁膜を挾ん
だ多層構造のＣｏ系非晶質合金膜を用いたことを特徴と
する薄膜磁気ヘッド用基板。 ３、請求項１及び２記載の薄膜磁気ヘッド用基板におい
て、前記非磁性薄膜を、第１の非磁性薄膜としてＣｒ膜
又はＴａ膜、第２の非磁性薄膜として（ＭｇＯ）＿ｘ（
ＳｉＯ＿２）＿１＿−＿ｘ〔ｘ＝０．４〜０．７５〕膜
又はＡｌ＿２Ｏ＿３膜、第３の非磁性薄膜としてＣｒ膜
又はＴａ膜を順次積層した構成としたことを特徴とする
薄膜磁気ヘッド用基板。 ４、請求項１及び２記載の薄膜磁気ヘッド用基板におい
て、前記非磁性薄膜が、第１の非磁性薄膜として（Ｍｇ
Ｏ）＿ｘ（ＳｉＯ＿２）＿１＿−＿ｘ〔ｘ＝０．４〜０
．７５〕膜又はＡｌ＿２Ｏ＿３膜、第２の非磁性薄膜と
してＣｒ膜又はＴａ膜を用いたことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド用基板。 ５、請求項１及び２記載の薄膜磁気ヘッド用基板におい
て、前記非磁性薄膜として（ＭｇＯ）＿ｘ（ＳｉＯ＿２
）＿１＿−＿ｘ〔ｘ＝０．４〜０．７５〕膜又はＡｌ＿
２Ｏ＿３膜を用いたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用
基板。 ６、ａ−Ｆｅ＿２Ｏ＿３非磁性基板上に拡散防止用の非
磁性薄膜を形成し、更に該非磁性薄膜上に軟磁性薄膜を
形成した薄膜磁気ヘッド用基板の薄膜を所定の形状に加
工した後、絶縁膜、コイル用導電膜、軟磁性薄膜を所定
の形状に積層形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25766489A JPH03120607A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッド用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25766489A JPH03120607A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッド用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120607A true JPH03120607A (ja) | 1991-05-22 |
Family
ID=17309387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25766489A Pending JPH03120607A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッド用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120607A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537278A (en) * | 1991-12-02 | 1996-07-16 | Japan Energy Corporation | Thin film laminate magnetic head with reaction prevention layers |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP25766489A patent/JPH03120607A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537278A (en) * | 1991-12-02 | 1996-07-16 | Japan Energy Corporation | Thin film laminate magnetic head with reaction prevention layers |
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