JPH03120030U - - Google Patents
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- JPH03120030U JPH03120030U JP2869490U JP2869490U JPH03120030U JP H03120030 U JPH03120030 U JP H03120030U JP 2869490 U JP2869490 U JP 2869490U JP 2869490 U JP2869490 U JP 2869490U JP H03120030 U JPH03120030 U JP H03120030U
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- JP
- Japan
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- tube
- reaction tube
- raw material
- holder
- material gas
- Prior art date
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- Pending
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- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Description
第1図は本考案における一実施例の化学気相成
長装置の反応管の断面図、第2図は従来の化学気
相成長装置の反応管の断面図である。 1A……外側反応管、1B……内側反応管、2
……小孔、4……シリコンウエーハ(被膜形成体
)、5……ホルダー、6……給気管、7……排気
管、8……原料ガス。
長装置の反応管の断面図、第2図は従来の化学気
相成長装置の反応管の断面図である。 1A……外側反応管、1B……内側反応管、2
……小孔、4……シリコンウエーハ(被膜形成体
)、5……ホルダー、6……給気管、7……排気
管、8……原料ガス。
Claims (1)
- 一端に原料ガスを供給するための給気管を備え
、他端に前記原料ガスが反応して生成された排ガ
スを排気するための排気管を備えた筒状の外側反
応管と、この外側反応管の中に配置され、一端が
閉塞され他端が前記排気管に連通するとともにそ
の周面に管壁を貫通する複数個の小孔が設けられ
た筒状の内側反応管と、この内側反応管の中に配
置され、被膜形成体を支持するホルダーとよりな
ることを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2869490U JPH03120030U (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2869490U JPH03120030U (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03120030U true JPH03120030U (ja) | 1991-12-10 |
Family
ID=31531487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2869490U Pending JPH03120030U (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03120030U (ja) |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP2869490U patent/JPH03120030U/ja active Pending