JPH02104629U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02104629U JPH02104629U JP1376489U JP1376489U JPH02104629U JP H02104629 U JPH02104629 U JP H02104629U JP 1376489 U JP1376489 U JP 1376489U JP 1376489 U JP1376489 U JP 1376489U JP H02104629 U JPH02104629 U JP H02104629U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- reduced pressure
- vapor phase
- phase growth
- pressure vapor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第1図は本考案によるLPCVD装置の一実施
例を示す断面図、第2図は従来のLPCVD装置
を示す断面図である。 1,1a,1b,1c……第1の反応管、2…
…第2の反応管、3……ガス供給孔、4……加熱
炉、5……排気孔、6……排気ポンプ、7……ウ
エハー、8……ウエハー支持台。
例を示す断面図、第2図は従来のLPCVD装置
を示す断面図である。 1,1a,1b,1c……第1の反応管、2…
…第2の反応管、3……ガス供給孔、4……加熱
炉、5……排気孔、6……排気ポンプ、7……ウ
エハー、8……ウエハー支持台。
Claims (1)
- 内部にウエハーを収容可能な第1の反応管と、
該第1の反応管を収容するようにその外側に設け
られた第2の反応管とを有する減圧気相成長装置
において、第1の反応管を長手方向に複数個に分
割したことを特徴とする減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1376489U JPH02104629U (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1376489U JPH02104629U (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02104629U true JPH02104629U (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=31224355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1376489U Pending JPH02104629U (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02104629U (ja) |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP1376489U patent/JPH02104629U/ja active Pending