JPH03119770A - ランプ - Google Patents
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- JPH03119770A JPH03119770A JP1256172A JP25617289A JPH03119770A JP H03119770 A JPH03119770 A JP H03119770A JP 1256172 A JP1256172 A JP 1256172A JP 25617289 A JP25617289 A JP 25617289A JP H03119770 A JPH03119770 A JP H03119770A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、−窪みに複数の発光ダイオードを設置してな
るヒートシンク型の発光モジュール、及びそれを用いた
ランプに関する。
るヒートシンク型の発光モジュール、及びそれを用いた
ランプに関する。
従来の技術
従来、発光ダイオードを樹脂モールドしてなるLEDラ
ンプを、回路パターンを設けたガラス・エポキシ基板上
に多数連結してなる発光体が知られていた。かかる発光
体は、デイスプレィや照明装置等の種々の発光装置分野
で使用されている。
ンプを、回路パターンを設けたガラス・エポキシ基板上
に多数連結してなる発光体が知られていた。かかる発光
体は、デイスプレィや照明装置等の種々の発光装置分野
で使用されている。
しかし、LEDランプの形成等その製造効率に劣り、ま
た放熱性に乏しくて蓄熱によるLEDランプの破壊を予
防するために電流を小さくする必要があり、光度に劣る
難点があった。
た放熱性に乏しくて蓄熱によるLEDランプの破壊を予
防するために電流を小さくする必要があり、光度に劣る
難点があった。
発明が解決しようとする課題
前記の難点を克服するものとしてヒートシンク型の発光
体が提案されている。これは、絶縁金属基板に窪みを設
け、その窪みに発光ダイオードを設置して発光体を形成
したものであり、絶縁金属基板に基づ(良好な放熱性に
基づいて蓄熱を抑制できる結果、発光ダイオードに高電
流を流すことが可能になり、光度を高めることができる
。
体が提案されている。これは、絶縁金属基板に窪みを設
け、その窪みに発光ダイオードを設置して発光体を形成
したものであり、絶縁金属基板に基づ(良好な放熱性に
基づいて蓄熱を抑制できる結果、発光ダイオードに高電
流を流すことが可能になり、光度を高めることができる
。
前記したヒートシンク型発光体のこれまでの形態は、絶
縁金属基板に多数の窪みを設け、その各窪みにlの発光
ダイオードを設置した1カツプ1チツプ型のものであり
、光度に優れる小型ランプが得難い問題点があった。ま
た、混色を形成させるべく異色の発光ダイオードを組合
せた場合、その色調が悪くなる難点もあった。
縁金属基板に多数の窪みを設け、その各窪みにlの発光
ダイオードを設置した1カツプ1チツプ型のものであり
、光度に優れる小型ランプが得難い問題点があった。ま
た、混色を形成させるべく異色の発光ダイオードを組合
せた場合、その色調が悪くなる難点もあった。
課題を解決するための手段
本発明は、1カツプマルチチツプ型として前記の課題を
克服したものである。
克服したものである。
すなわち本発明は、窪みを有する絶縁金属基板と、その
絶縁金属基板の絶縁層上に窪みに対応させて形成した回
路パターンと、その窪み内に設けた回路パターン上に通
電可能に設置された異種又は同種の複数の発光ダイオー
ドからなることを特徴とする発光モジュール、及び 前記の発光モジュールにおける絶縁金属基板の両端部を
折曲げて溝形とし、その折曲げ両端部にコネクタを発光
ダイオードと通電可能に付設してなると共に、絶縁金属
基板の窪みに対応させてレンズ層を設けたことを特徴と
するランプを提供するものである。
絶縁金属基板の絶縁層上に窪みに対応させて形成した回
路パターンと、その窪み内に設けた回路パターン上に通
電可能に設置された異種又は同種の複数の発光ダイオー
ドからなることを特徴とする発光モジュール、及び 前記の発光モジュールにおける絶縁金属基板の両端部を
折曲げて溝形とし、その折曲げ両端部にコネクタを発光
ダイオードと通電可能に付設してなると共に、絶縁金属
基板の窪みに対応させてレンズ層を設けたことを特徴と
するランプを提供するものである。
作用
−窪み内に複数の発光ダイオードを設置する方式により
、光度の向上化によるランプの小型化、光色の混合調整
、ないし色f/J#I御が可能になる。
、光度の向上化によるランプの小型化、光色の混合調整
、ないし色f/J#I御が可能になる。
実施例
第1図、第2図に本発明の発光モジュールを例示した。
1が窪み13を有する絶縁金属基板、2が回路パターン
、3がボンディングワイヤ4を介して通電可能とした発
光ダイオードである。
、3がボンディングワイヤ4を介して通電可能とした発
光ダイオードである。
絶縁金属基板1はアルミニウム、銅、鉄、ステンレス、
ニッケルの如き金属、ないし合金などからなる金属基板
11に、エポキシ系樹脂、ガラス繊維入りエポキシ系樹
脂、ポリオレフィンないし架橋ポリオレフィン、ポリイ
ミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート、ア
クリル系樹脂の如き絶縁性材料からなる絶縁層12を設
けてなる。窪み13は例えば、絶縁金属基板を絞り加工
することにより形成することができ、その形成は回路パ
ターン2を形成した絶縁金属基板に対して行う方式が製
造効率の点より有利である。形成する窪みの形態は、例
えば逆台形や半楕円球形など適宜に決定してよく、窪み
の深さは発光ダイオードの厚さの1.2〜15倍が一般
的であるが、これに限定されない。発光ダイオードを設
置するために絶縁金属基板に設ける窪み13の数やその
配置は、目的とする発光体に応じ適宜に決定してよい。
ニッケルの如き金属、ないし合金などからなる金属基板
11に、エポキシ系樹脂、ガラス繊維入りエポキシ系樹
脂、ポリオレフィンないし架橋ポリオレフィン、ポリイ
ミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート、ア
クリル系樹脂の如き絶縁性材料からなる絶縁層12を設
けてなる。窪み13は例えば、絶縁金属基板を絞り加工
することにより形成することができ、その形成は回路パ
ターン2を形成した絶縁金属基板に対して行う方式が製
造効率の点より有利である。形成する窪みの形態は、例
えば逆台形や半楕円球形など適宜に決定してよく、窪み
の深さは発光ダイオードの厚さの1.2〜15倍が一般
的であるが、これに限定されない。発光ダイオードを設
置するために絶縁金属基板に設ける窪み13の数やその
配置は、目的とする発光体に応じ適宜に決定してよい。
回路パターン2の形成は、例えば銅、金、ニッケル、ア
ルミニウムの如き金属、ないし合金からなる導電層を絶
縁金属基板の絶縁層12の上に設け、その導電層をパタ
ーンエツチング処理する方式などにより行うことができ
る。形成する回路パターンは、例えば図示した如く発光
ダイオード設置部21、ワイヤボンディング部22等、
絶縁金属基板1に設けた窪み13に設置した複数の発光
ダイオード3に所定の通電を達成するパターンである。
ルミニウムの如き金属、ないし合金からなる導電層を絶
縁金属基板の絶縁層12の上に設け、その導電層をパタ
ーンエツチング処理する方式などにより行うことができ
る。形成する回路パターンは、例えば図示した如く発光
ダイオード設置部21、ワイヤボンディング部22等、
絶縁金属基板1に設けた窪み13に設置した複数の発光
ダイオード3に所定の通電を達成するパターンである。
その場合、発光ダイオード3を設置する窪み13の側壁
部にも金属や合金からなる導電層を設けることにより、
第2図の矢印の如く光の反射面として機能させることが
できる。かがる反射面は必要に応じ光沢研磨や、ニッケ
ル、金、クロムなどによる光沢メツキを施して反射率の
向上がはかられる。なお反射面は必要に応じ設けるもの
で、前記方式に代えて例えば光反射性のワニス層やペイ
ント層、白色レジスト層、金属蒸着層などを別途に設け
てもよい。
部にも金属や合金からなる導電層を設けることにより、
第2図の矢印の如く光の反射面として機能させることが
できる。かがる反射面は必要に応じ光沢研磨や、ニッケ
ル、金、クロムなどによる光沢メツキを施して反射率の
向上がはかられる。なお反射面は必要に応じ設けるもの
で、前記方式に代えて例えば光反射性のワニス層やペイ
ント層、白色レジスト層、金属蒸着層などを別途に設け
てもよい。
発光ダイオード3は、絶縁金属基板の−窪みに対し2個
以上の複数が設置される。同じ窪みに設置する複数の発
光ダイオードの組合せは、同種のものであってもよいし
、異種のものであってもよい。異色物の組合せとするこ
とにより発光色を混合でき、光色を混合調整することが
できる。窪み13に設置される各発光ダイオード3は、
その裏面の電極部が回路パターン2と通電するよう銀ペ
ーストの如き導電性接着剤を介して接着固定される。か
つ発光ダイオード3の表面の電極部がボンディングワイ
ヤ4を介し、隣接の回路パターンと通電可能に接続され
る。
以上の複数が設置される。同じ窪みに設置する複数の発
光ダイオードの組合せは、同種のものであってもよいし
、異種のものであってもよい。異色物の組合せとするこ
とにより発光色を混合でき、光色を混合調整することが
できる。窪み13に設置される各発光ダイオード3は、
その裏面の電極部が回路パターン2と通電するよう銀ペ
ーストの如き導電性接着剤を介して接着固定される。か
つ発光ダイオード3の表面の電極部がボンディングワイ
ヤ4を介し、隣接の回路パターンと通電可能に接続され
る。
第3図に例示の如く、回路パターンと発光ダイオードを
発色光ごとに系統化することにより、前記の光色混合を
利用して光度制御による色制御が可能になる。すなわち
第3図の実施例においては、回路パターン23.24と
発光ダイオード31の組合せラインと、回路パターン2
5.26と異色の発光ダイオード320組合せラインと
、回路パターン27.28とさらに異色の発光ダイオー
ド33の組合せラインの3系統に通電ラインが区分され
ており、それぞれ異なった色に発光する発光ダイオード
31.32.33の光度を各通電ラインの電流調節で制
御することができ、これにより光色混合における色成分
の強さを制御できて、色を変化させることができる。な
お、第3図の実施例では各通電ラインに3個の発光ダイ
オード31(32,33)を用いており、それらを設置
する窪み内における回路パターンの発光ダイオード設置
部24 (26,28)が発光ダイオード31ごとに分
断されていて、それを回路パターン上に設置された発光
ダイオード31の表面電極部を介してボンディングワイ
ヤ4により隣接の回路パターン部分に接続することによ
り、通電が達成されるように形成されている。
発色光ごとに系統化することにより、前記の光色混合を
利用して光度制御による色制御が可能になる。すなわち
第3図の実施例においては、回路パターン23.24と
発光ダイオード31の組合せラインと、回路パターン2
5.26と異色の発光ダイオード320組合せラインと
、回路パターン27.28とさらに異色の発光ダイオー
ド33の組合せラインの3系統に通電ラインが区分され
ており、それぞれ異なった色に発光する発光ダイオード
31.32.33の光度を各通電ラインの電流調節で制
御することができ、これにより光色混合における色成分
の強さを制御できて、色を変化させることができる。な
お、第3図の実施例では各通電ラインに3個の発光ダイ
オード31(32,33)を用いており、それらを設置
する窪み内における回路パターンの発光ダイオード設置
部24 (26,28)が発光ダイオード31ごとに分
断されていて、それを回路パターン上に設置された発光
ダイオード31の表面電極部を介してボンディングワイ
ヤ4により隣接の回路パターン部分に接続することによ
り、通電が達成されるように形成されている。
本発明の1カツプマルチチツプ型の発光モジュールは、
例えばそれを単独で用いたり、複数を適宜に配置するな
どして看板等の発光表示装置、車載用ストップランプ等
の照明装置など、種々の目的の発光体を形成するための
発光モジュールとして適用することができる。
例えばそれを単独で用いたり、複数を適宜に配置するな
どして看板等の発光表示装置、車載用ストップランプ等
の照明装置など、種々の目的の発光体を形成するための
発光モジュールとして適用することができる。
第4図にランプ9としたものを例示した。これは1カツ
プマルチチツプ型の発光モジュールにおける絶縁金属基
板1の両端部14.15を折曲げて溝形とし、その折曲
げ両端部にコネクタ7.8を発光ダイオード3と通電可
能に付設してなり、かつ絶縁金属基板1の窪み13に対
応させてレンズN6を設けてなる。
プマルチチツプ型の発光モジュールにおける絶縁金属基
板1の両端部14.15を折曲げて溝形とし、その折曲
げ両端部にコネクタ7.8を発光ダイオード3と通電可
能に付設してなり、かつ絶縁金属基板1の窪み13に対
応させてレンズN6を設けてなる。
レンズ層6は凸レンズとする方式が一般的であるが、凹
レンズとしてもよい。レンズ層は通例、透明な樹脂で形
成される。用いる樹脂はエボ牛シ樹脂、ポリカーボネー
ト、アクリル系樹脂の如き硬質樹脂が好ましいが、これ
に限定されない。レンズ層の形成は例えば、絶縁金属基
板の窪みに対応するようレンズ部を注形方式等により形
成した樹脂板を、絶縁金属基板に適宜な透明接着剤を介
して接着する方式などにより行うことができる。
レンズとしてもよい。レンズ層は通例、透明な樹脂で形
成される。用いる樹脂はエボ牛シ樹脂、ポリカーボネー
ト、アクリル系樹脂の如き硬質樹脂が好ましいが、これ
に限定されない。レンズ層の形成は例えば、絶縁金属基
板の窪みに対応するようレンズ部を注形方式等により形
成した樹脂板を、絶縁金属基板に適宜な透明接着剤を介
して接着する方式などにより行うことができる。
その際、絶縁金属基板1とレンズ層6の間に内部コート
層5を設けてもよい。内部コート層の形成には例えば、
シリコーン樹脂、ポリ−4−メチルペンテン、ウレタン
樹脂、アクリル系樹脂、ポリオレフィン、ゴム系ポリマ
などの透明な軟質樹脂、就中ヤング率が30kg/la
f以下の層を形成する樹脂が好ましく用いられる。また
光度の点よりは、レンズ層6よりも屈折率の小さい樹脂
で内部コート層を形成することが有利である。内部コー
ト層は、絶縁金属基板1の全面に形成してもよいし、発
光ダイオード3とこれに接続されたポンディングワイヤ
4をカバーする程度に部分的に形成してもよい。内部コ
ート層の形成は例えば、樹脂液を塗工、ないし注形する
方式などにより行うことができる。
層5を設けてもよい。内部コート層の形成には例えば、
シリコーン樹脂、ポリ−4−メチルペンテン、ウレタン
樹脂、アクリル系樹脂、ポリオレフィン、ゴム系ポリマ
などの透明な軟質樹脂、就中ヤング率が30kg/la
f以下の層を形成する樹脂が好ましく用いられる。また
光度の点よりは、レンズ層6よりも屈折率の小さい樹脂
で内部コート層を形成することが有利である。内部コー
ト層は、絶縁金属基板1の全面に形成してもよいし、発
光ダイオード3とこれに接続されたポンディングワイヤ
4をカバーする程度に部分的に形成してもよい。内部コ
ート層の形成は例えば、樹脂液を塗工、ないし注形する
方式などにより行うことができる。
第5図に、折曲げ両端部に付設したオス型のコネクタ7
(8)を示した。絶縁金属基板1の窪み13内に設置し
た発光ダイオード3との通電は、絶縁金属基板1上に設
けた回路パターンの端末部29と、コネクタ7の端子7
1を電気的に接続することにより達成されている。なお
、72はオス型コネクタ7に対応するメス型コネクタで
ある。
(8)を示した。絶縁金属基板1の窪み13内に設置し
た発光ダイオード3との通電は、絶縁金属基板1上に設
けた回路パターンの端末部29と、コネクタ7の端子7
1を電気的に接続することにより達成されている。なお
、72はオス型コネクタ7に対応するメス型コネクタで
ある。
本発明のランプは、通例のランプ、ないし電灯などとし
てのほか、発光表示装置や照明装置などの種々の発光体
を形成するための発光点、ないし発光点群として用いる
ことができる。
てのほか、発光表示装置や照明装置などの種々の発光体
を形成するための発光点、ないし発光点群として用いる
ことができる。
第6図に発光表示装置を例示した。これは、前記した実
施例のランプ9を多数配列したランプ板91と、ランプ
9のコネクタ7の端子71に対応するメス型コネクタ7
2を多数配列した取付は板92からなる。適宜な本体に
取付けた取付は板92に、例えば複数のランプ9を所定
の色違いパターンが形成されるよう配置してなるものな
どからなるランプ板91を装着して、目的とする表示を
達成するものである。
施例のランプ9を多数配列したランプ板91と、ランプ
9のコネクタ7の端子71に対応するメス型コネクタ7
2を多数配列した取付は板92からなる。適宜な本体に
取付けた取付は板92に、例えば複数のランプ9を所定
の色違いパターンが形成されるよう配置してなるものな
どからなるランプ板91を装着して、目的とする表示を
達成するものである。
発明の効果
本発明の発光モジュールによれば、ヒートシンク型によ
る高光度な発光の達成に加えて、−窪みに複数の発光ダ
イオードを設置したことに基づき、より光度に優れ、か
つ小型のランプを形成することができる。また、異色発
光ダイオードの光色の混合や、色制御をすることができ
、発光ダイオードの固有色では実現できない光色を創成
することができる。
る高光度な発光の達成に加えて、−窪みに複数の発光ダ
イオードを設置したことに基づき、より光度に優れ、か
つ小型のランプを形成することができる。また、異色発
光ダイオードの光色の混合や、色制御をすることができ
、発光ダイオードの固有色では実現できない光色を創成
することができる。
さらに本発明のランプによれば、前記の特長に加えて、
コネクタを介し容易に取付け、取外しすることができ、
所望の表示装置等を簡単に、かつ効率よく形成すること
ができる。
コネクタを介し容易に取付け、取外しすることができ、
所望の表示装置等を簡単に、かつ効率よく形成すること
ができる。
第1図は発光モジュール例の平面図、第2図はその側面
断面図、第3図は他の発光モジュール例の説明平面図、
第4図はランプ例の側面断面図、第5図はランプに取付
けたコネクタの説明図、第6図はランプを用いて形成し
た発光表示装置の説明図である。 1:絶縁金属基板 11:金属基板 12:絶縁層 13:窪み 14.15:折曲げ部 2:回路パターン 21.24,26.28: 発光ダイオード設置部 22:ワイヤボンディング部 3.31,32,33 : 発光ダイオード 4:ボンディングワイヤ 6:レンズ層 7.8:コネクタ 9:ランプ
断面図、第3図は他の発光モジュール例の説明平面図、
第4図はランプ例の側面断面図、第5図はランプに取付
けたコネクタの説明図、第6図はランプを用いて形成し
た発光表示装置の説明図である。 1:絶縁金属基板 11:金属基板 12:絶縁層 13:窪み 14.15:折曲げ部 2:回路パターン 21.24,26.28: 発光ダイオード設置部 22:ワイヤボンディング部 3.31,32,33 : 発光ダイオード 4:ボンディングワイヤ 6:レンズ層 7.8:コネクタ 9:ランプ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、窪みを有する絶縁金属基板と、その絶縁金属基板の
絶縁層上に窪みに対応させて形成した回路パターンと、
その窪み内に設けた回路パターン上に通電可能に設置さ
れた複数の発光ダイオードからなることを特徴とする発
光モジュール。 2、窪み内の複数の発光ダイオードが異色物の組合せか
らなる請求項1に記載の発光モジュール。 3、請求項1に記載の発光モジュールにおける絶縁金属
基板の両端部を折曲げて溝形とし、その折曲げ両端部に
コネクタを発光ダイオードと通電可能に付設してなると
共に、絶縁金属基板の窪みに対応させてレンズ層を設け
たことを特徴とするランプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25617289A JP2896905B2 (ja) | 1989-09-30 | 1989-09-30 | ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25617289A JP2896905B2 (ja) | 1989-09-30 | 1989-09-30 | ランプ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03119770A true JPH03119770A (ja) | 1991-05-22 |
JP2896905B2 JP2896905B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=17288912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25617289A Expired - Lifetime JP2896905B2 (ja) | 1989-09-30 | 1989-09-30 | ランプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2896905B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2361581A (en) * | 2000-04-20 | 2001-10-24 | Lite On Electronics Inc | A light emitting diode device |
JP2001332769A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオード照明具 |
JP2001332768A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオード照明具 |
JP2003069081A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2006344694A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Fujikura Ltd | 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
JP2007088092A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
US7866853B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-01-11 | Fujikura Ltd. | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light |
JP2013235878A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Ibiden Co Ltd | 電子部品実装基板、ケースユニット、及び電子部品実装基板の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-30 JP JP25617289A patent/JP2896905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2361581A (en) * | 2000-04-20 | 2001-10-24 | Lite On Electronics Inc | A light emitting diode device |
JP2001332769A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオード照明具 |
JP2001332768A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 発光ダイオード照明具 |
JP2003069081A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
US7866853B2 (en) | 2004-11-19 | 2011-01-11 | Fujikura Ltd. | Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light |
JP2006344694A (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Fujikura Ltd | 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
JP4628877B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2011-02-09 | 株式会社フジクラ | 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
JP2007088092A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP4556815B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2010-10-06 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
JP2013235878A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Ibiden Co Ltd | 電子部品実装基板、ケースユニット、及び電子部品実装基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2896905B2 (ja) | 1999-05-31 |
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