JPH03119322A - 消去可能な光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は消去可能な光記録媒体に関し、特に光ディスク
、光カード、光テープなどの光記録媒体で書き換え可能
型に関する。

［従来の技術と課題］ 近年、レーザ技術の進歩によりレーザ光により情報の書
き込み、読み出し、消去を行う光記録媒体の研究が活発
に行われている。ところで、記録の機構としては、■光
の光子を利用するフォトンモード型（前者）、■光を熱
として利用するヒートモード型（後者）とがある。

前者は、高感度かつ高速な光記録媒体として注目され、
スピロピラン［特開昭６１−１７０３７号、ｍ　５０回
日本化学会春季年会予稿集１．　　ｐ２５９（８５）　
］フルギド、インジゴ［特開昭１３１−１２８２４４号
、Ｊｃｌ＋ｅｍ　　Ｓａｃ、　Ｐｅｒｋｉｎ　Ｔｒａｎ
ｓ、　１．１９７（８１）、２，３４１（８１）　］及
びジアリルエテン系（特開昭６３−２４２４５号）など
のフォトクロミック材料からなる光記録媒体が提案され
ている。しかし、上記特徴を有している反面、書き込み
、読み出しともにフォトクロミック反応を用いるために
逆フォトクロミック反応を起こしたり、書き込み時は副
反応を起こしたり、再生光に対する耐光性が小さいため
、発色状態の安定性及び繰返し性が良くない。また、光
記録媒体の保存性が悪い等光記録媒体としての信頼性等
に大きな問題があるため、多くの研究が進められている
が、実用段階にはほど遠い。

後者のヒートモード型光記録媒体は、記録光を記録層上
に照射した際局所的に融解、蒸発、熱変形、熱転移等を
生じさせ、その時の光学的な変化により記録、再生を行
う方法である。こうした光記録媒体として、従来より°
ファラデー効果、カー効果の様な磁気光学効果を用いる
磁気光学材料でＴｂ　Ｆｅ、　Ｇｄ　Ｆｅ、　Ｔｂ　Ｆ
ｅ、　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ等からなる光磁気記録媒体、更
にこの媒体は高速オーバーライドが難しい事からＯｖｓ
ｈｌｂｓｋｙ等によるＴｅに代表されるカルコゲン元素
からなるＴｅＯｘ　、　Ｔｅ−Ｇｅ　、　Ｔｅ−Ｇ、ｅ
−Ｓｂ　、　Ｔｅ−Ｇｅ−３ｂ−Ｔｊ！の無機系光記録
媒体が従来から提案されている。

しかし、こうした無機系材料からなる光記録媒体は、有
害材料を用いて多種金属化合物をスパッタ法等により製
造する為、媒体の安定性が低く、信頼性が高く無毒で安
価な光記録媒体が得にくい。

更に、媒体特性において記録感度が低く記録状態の安定
性と高速消去性、オーバーライド性能とにおいて、満足
されていない。そこで、簡便な製法でかつ無毒でありか
つ低コストで更に媒体としての信頼性及び高速、高感度
化可能な媒体が要望されている。

この欠点を解決する為に有機高分子材料からなる光記録
媒体が無毒性、低コスト及び感度等の点から優れている
事より活発に研究され始めている。

この光記録媒体としては先のフォトクロミック材料や熱
可塑性ポリマーと近赤外吸収色素を用いてピット形成−
平坦イヒの繰返しによる記録（特開昭５８−４８２４５
号）及びポリマーブレンドの相分離等がある。しかし、
これらは、感度が悪いとともに繰返しが良くない。また
、相転移を記録原理として液晶材料を用いた光記録媒体
で高分子液晶を一対の電極間に封入したセル構造からな
る方法（Ｐｏｌｙｍ　　Ｃｏｍｍｕｍ、２４，３６４．
１９８３．特開昭５９−１０９３０号、特開昭８０−１
／４８２３号、特開昭８０−１６６４８１号）が知られ
ているが、この方法では電極を必要とし媒体構成が複雑
であり、またＳ／Ｎ比及び速度的に問題がある。また、
高分子液晶については、ＭＯｅｒＯＩＯＩｅｃｕｌｅｓ
、１７．１００４〜１００９．１９８４．Ａｄｖａｎｃ
ｅｄ　１ｎ　　Ｐｏ１ｙｓｅｒ、５９．３７．１９８４
で紹介されている液晶ポリマーを利用しく光散乱のドメ
イン層と光照射によって発生した熱により等方層にして
固定化する方法で主鎖型液晶ポリマー（特開昭６１−２
８００４号、特開昭８２−１７５９３９号）、側鎖型液
晶ポリｖ−（Ｇｅｒｍａｎｙ、　Ｏｆｔｎ　Ｄ　Ｅ　３
５００８８８　Ａ　ｌ）を応用するシステム又は更に吸
収体を含有させたもの（特開昭５８−１２５２４７号）
、また側鎖型液晶ポリマーの側鎖に光吸収体都市手色素
化合物を導人差せたもの（Ｍａｋｒ。

ｓｏｌ、ｃｈｅｍ、１８８．１３５５−１３６８（１９
８７）　）が提案されている。

しかし、記録感度、コントラスト、ａ返し性及び記録保
存性において満足できる光記録媒体ではなく、応答性の
点において光記録媒体として実用するに至っていない。

また、この応答性の改善法として液晶と光反応の関係を
利用したりオトロビック液晶層を有するポリへブチドの
側鎖にアゾベンゼンなどのフォトクロミック分子を結合
させたり、また混合させて先具性を利用したりする方法
（特開昭６３−９８８５２号）が提案されている。しか
し、この方法では、記録媒体としてのコントラスト。

繰返し性及びメモリの保存性において工業的に利用され
る半導体波長に比べて短波長に感度を有しているという
事から実用上難しい問題がたくさんあり、いまだ満足で
きる記録、消去可能な光記録媒体が得られていない。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、記録、再生
及び消去について十分な性能を有するとともに、コント
ラスト、応答性の向上、及びメモリ保存性の向上を実現
しえる消去可能な光記録媒体を提供することを目的とす
る。

［課題を解決するための手段と作用］ 本発明は、支持体と、この支持体上に設けられた記録層
とを具備し、前記記録層は液晶性高分子を含有し、かつ
低分子液晶化合物を液晶性高分子に対して重量比１／２
０〜１／２含有することを特徴とする消去可能な光記録
媒体である。

本発明において、液晶基と色素化合物との間に働く相互
作用は、以下に列挙する通りである。

■側鎖の規則性 マトリックスポリマー主鎖のα−へソックスの剛直性に
より液晶基は立体規則性がある程度付与されており、熱
処理条件によっては配向状態になっていると考えられる
。この配向性によって液晶基間には色素分子が入込めず
、液晶基外にはじき出され、ミクロ相分離状態を生じる
。そして、液晶基は異なった熱処理条件下ではランダム
な状態となり、色素化合物は液晶基間に入り込み易くな
る。

■相溶性 色素化合物と液晶基の極性、立体構造、成膜時の溶媒の
種類等により２者の相溶性が変化し、この相溶性を変化
させることにより２者の相溶、ミクロ相分離状態の変換
効率、変換速度、変換条件を制御することができる。

■π電子雲相互作用 液晶基と色素化合物にベンゼン環等のπ電子雲を有する
置換基を持たせた場合、２者間のπ電子雲に重なりが生
じ、電子的な結合が生じ、これによっても相溶、ミクロ
相分離状態を制御することができる。

■クーロン力 液晶基と色素化合物がイオン化、電離、分極が招じてい
る場合、それに応じたクーロン力が生じる。これも液晶
基と色素化合物との相互作用として働く。

■水素結合 側鎖基と液晶化合物にカルボニル、アミノ基、エーテル
、フルオル基等の置換基を導入することにより水素結合
が生じ易くなり、相互作用として働く。

■液晶基間の空間構造 例えば液晶基に大きくその分子形状、大きさ、長さの異
なる置換基を交互あるいはランダムに導入した場合、側
鎖基間に一種の空間構造が生じ、この空間に包接化合物
のホスト・ゲスト現象と同様に色素を取り込み易くなる
。そして、ポリグルタメート誘導体の場合、α−へソッ
クス主鎖の剛直性により側鎖基間の空間構造は比較的安
定に存在している。

■ガラス転位点、融点 色素（１，合物のガラス転位点、融点と側鎖基が自由運
動を開始する温度（ガラス転位点）が異なる場合、双方
が溶解した温度から冷却した時にガラス転位点、融点の
違いによって一方の分子がより早く析出してくる。これ
により、相溶、ミクロ相分離状態を制御することができ
る。

■その他 結晶化度、ファンデルワールス力を利用する事もできる
。

以上、側鎖基と色素化合物との相互作用の種類について
詳述したが、この各々の相互作用を高速。

高感度、高ＣＮ比、オーバーライド可能という目的のた
めに最適化し、更に上記■の側鎖の規則性を高め高ＣＮ
比、高速、繰り返し安定性の向上の為に低分子液晶化合
物を複合し、特性を向上させた。

上記低分子液晶化合物は、−船釣に剛直なコア部分とフ
レキシブルなサイド部分をもつ高い配向能を有する分子
である。この高い配向能を利用することにより、上記■
の側鎖基の規則性を高める事ができた。また、低分子液
晶化合物を複合する記録膜を等吉相転位点以上に加熱し
、そこから徐冷することにより低分子液晶化合物が配向
し、この配向が側鎖基の配向を助長し、色素分子とのミ
クロ相分離がより効率良く生じる。逆に急冷することに
より、低分子液晶化合物が配向せずに等吉相のまま固定
化される。従って、コントラスト。

繰り返し安定性の向上に効果がある。また、応答速度、
感度の点から低分子液晶分子はネマチック相を示すもの
が良く、等吉相転位温度が６０〜１５０℃にあるものが
望ましい。

上記低分子液晶化合物としては、下記構造式のものが挙
げられる。

Ｍ 但し、Ａ、、Ａ２として Ｂとして、＋、　　−Ｃｏｏ−、−Ｎ−Ｎ−、−Ｃ１ｌ
−Ｃ１ｔ−−Ｃ１ｈ　　−ＣＨｌ２　−　　、　−Ｎ−
Ｎ−・、　　−ＣＩ−Ｎ−、−０ＣＯ−。

−Ｎ−ＣＨｌ−が挙げられる。

ＴＩとして、ＣＨｌ　　（ＣＨ２）　　−、ＣｌＩ２−
ＣＨ（Ｃ）ｈ　）ｎ−ＣＨ）　　（ＣＬ’　）　−０−
、Ｃ１／２＝ＣＩ（（Ｃｌｂ　）　−ＣＨｌ　ＣＨ２０
（ＣＩ２　ＣＨ２＋−，ｌｏ（ＣＨｚ　）　５ＩＯ（Ｃ
Ｈｚ　”ｔ−ｓ　Ｏ−が挙げられる。　但し、ｎ−０〜
１５．　　ｍ−０〜５．１〜０〜１８である。

Ｉ２として、 −（ＣＨ２）　−ＣＨ３、−０＋ＣＨ２）　、　ＣＨｉ
　、　−ＣＮ　。

−ＮＯｚ　、　−ＣＨｌ　、　　−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ）
　）　Ｃ２Ｈｓ　。

−Ｆ、　−Ｂｒ　、　−１，−Ｎ−ＣＩ−ＣＨ（ＣＨ３
）■が′勤′Ｌ３叔６゜ Ｍとして、−ＣＨｌ　＊　−Ｃｆｌ　、−Ｐ、−Ｂｒ　
ｅ　　−ＮＯ２１−ＮＯ２、−ＣＮ　、　−０１／が挙
げられる。

上記の構造の中で好ましい構造例は、下記に示す通りで
ある。

ＣＭ、（（、）ｌ、）、−く【〒１ｃＮ　　　　　　ｎ
＝１〜７ＣＨ，（ＣＨ剖防公０Ｃ）１５ｎ＝１〜７ＣＭ
、（ＣＩｌｏｏｏｃｏｏ−＠）−ｃＮＣＬｌａ（Ｃ１切
４羽Ｃ００−（Ｅ＞ＣＮｎ＝２〜１／ ｎ二１〜７ ＣＨａ（ｃｌ−１，）６ＣＮ ｃｌ−＋、（ｃＨＬ）。％ｃｏｏ−（〒匡〉トｏｃト＋
、　　　　　ｎ＝　１　〜７Ｃ１／，（ＣＩ＋□）、、
００Ｃ，Ｈ＝ＣＨ（（巨りΣ一つＣＩ。

ＣＩ−ら（ＣＨ，）、７ｏＯＮ＝Ｎ−く（巨三〉←ｏｃ
）ｌ、　　　　　　　　　ｎ＝１〜７Ｃ）ｌ、（ＣＨｚ
）、０＠Ｃ００ＧＣＨｚＣＨ（ＣＨ３）ＣａＨｙ　　　
　　ｎ＝ｔ　〜ｕＣＨ３（ＣＨｚ）、７０＠ＣＯＯ＠Ｎ
　ＣＨｉＣＨＣＨＪ）＠　ｎ＝１〜１／ｎ＝１〜７ ｎ＝２〜１／ 以上構成を示したが、これに限定されない。上記低分子
液晶化合物を複合する割合としては、マトリクスポリマ
ーに対して重量比１／５０〜１／２、特に１／２０〜１
／５が好ましい。ここで、１／５０未満の場合液晶とし
ての特性を生かしきれず、１／２を越えると逆に立体陣
“害となって側鎖基と色素化合物の相互作用を阻害して
しまう。

本発明に係る液晶性高分子としては、下記一般式（１）
で示される表される側鎖型液晶高分子、一般式（２）で
表される主鎖型液晶高分子が挙げられる。

η＝Ａ−Ｂ−Ｃ で、Ａはス４−サ部、Ｂはメソゲン部、Ｃは末端基、又
、スイーサ部Ａは（イー（ロ）で表わされ、（イ）は（
ヒＣＨ２÷１　、　←ＣＨ２）。−〇÷石　、　÷０÷
ＣＨ２八−テｉ　ｎ＝Ｏｎ＝０−１２ｌ〜５ ＣＨｌ なお、上記（イ）は任意のものを１つ以上選択できる。

一方、上記メソゲン部Ｂはａ　−ｂ　−ａ’と表され、
夫々次の群から選択される。

であり、側鎖部Ｙ、は液晶性を示す側鎖部であり、詳細
な構造は 群ａ、ａ’； ＮＯ□。

ＮＨ２ ｎ＝ｌ〜３ 群ｂ； ｔ　　−ＣｌピＮ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−ＣａＣ
− −ＣＨ＝ＣＨ−、−０−Ｃ− １ −ｃｉｉ＝ｃ　− ＝ＣＨ＝ＣＨ− Ｈｇ− −Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− 一〇− ＮＨ− ＋（−ＣＨ２）７゜ ＝ＣＨ２−ＮＨ− −ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ− １ −ＣＨ＝Ｎ−ＮＨ− −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ− 群諷、ａ′； 群ｂ； −ＮＨ（ＣＨ２）　ｎＮＨ− −Ｏ＋ａＨ２’）７．　ｏ− −Ｃｏｏ（ＣＨ２）　ｎ０ＯＣ−。

−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ− １ （但し、 ｎ　＝　１〜６） なお、 前記メソダン部は上述の他、 下記に示すも のでもよい。

群； 群； 前記床端基Ｃは以下の群よυ選択できる。

−ＯＲ−Ｒ、−ＣＯＯＲ’、−００ＣＲ、−００ＣＯＲ
。

−ＣＮ　、　−ＣＬ　、　−ＮＯ２、−ＣＯＲ、−Ｃｌ
＜Ｈ−ＣＯＯＲ、−Ｈ−Ｆ　　＃　　−Ｂｒ　　＊　　
−１＋　　−Ｎ＝Ｃ＊−Ｎ＝＝Ｃ−ｏｒ　　−Ｎ＝Ｃ＝
Ｓ　　ｒ末端基Ｃ； −Ｎ５　＠　−Ｒ’　　＊　−ＯＨ＊　−ＯＲ’　＋　
−０ＣＯＲ’　＋　−ＣＯＲ’−ＣＯＯＲ’　、　−Ｃ
Ｘ＝ＣＹ−ＣＯＯＲ、−ＮＲ２，−ＮＨＲ、−ＮＲ２−
ＮＨＣＨＯ、−ＮＨＣＱＲ、−８Ｒ、−ＣＯ８Ｒ、−〇
〇〇ＳＲ。

−ＨｇＣＬ　ｔ　−ＨｇＯＣＯＣＨ３ｔ　−０ＣＦ３　
＋　−”５ｌ−０−（Ｃ）１２）ｎＯＲ、−ＣＨ２ＣＨ
２０Ｈ＊−ＣＨ＝ＣＨ−ＧＯＯＲ、−（０−ＣＨ２−Ｃ
Ｈ２）　ｎ０ＣＨ５＃　　れ＝１〜３−（−Ａ−Ｂ−Ｃ
Ｈ「Ｈに−Ｂ′−〇升Ｔ（２）で、Ａはスペーサ部、Ｂ
はメソゲン部、Ｃは末端基、又、スペーサ部Ａは（イ）
　−（＋＝）で表わされ、（イ）は＋ＣＨ２−）−、ｅ
　＋−（ＧＨｚ）ｎ−０＋ｍ　ｓ　（−０−（−ＣＨ２
几九。

ｎ＝ｏ〜１２　、ｍ−１〜５ −ｚ−（ｃｉｉ２）ｎ−ＣＨ−（ＣＨ２）　ｌ２−ｎＨ
ＣＨ３ れ＝０〜１／゜ ＣＨ。

なお、上記（イ）は任意のものを１つ以上選択できる。

一方、上記メソケ°ン部Ｂｌｄａ−ｂ−ａ’と表され、
夫々次の群から選択される。

群ａ、ν； ＮＯ２゜ Ｈ２ れ＝１〜３ 群ｂ； −２−Ｃ夏（零”Ｎ−、−Ｎ＝ＣＩＩ−、−Ｎ＝Ｎ−−
ＣミＣ− −ＣＩＩ＝ＣＩ！− ０−Ｃ− １ −Ｃ，Ｃ− −ＣＩ夏＝Ｃ１／− Ｈｇ− −Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− ０− ＮＨ− ＋　ＣＨ２ｈ −Ｃ１／２−ＮＨ− −ＣＨ−Ｃ１ｌ−Ｃ，− １ −ＣＩ（−Ｎ−Ｎｌｌ− −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ− 群　、ａｌ； １ −ＮＨ（Ｃ１（２）　ｎＮ１／− 一〇−←ｃｎ２）−，５ｏ− −■０（Ｃ１２）ｎＯＯＣ−。

Ｃ−５− １ Ｓ−０ −Ｃ−８＠− １ −Ｎ＝Ｎ−ＣＨ＝ＣＩＩ−Ｎ＝Ｎ− −Ｃ１／＝ＣＨ−Ｃ−Ｃ１／＝ＣＨ− １ （但し、 ｎ＝１〜６） なお、 前記メンケ°ン部は上述の他、 下記に示すも のでもよい。

前記床端基Ｃは以下の群よシ選択できる。

−ＯＲ−Ｒ−ＣＯＯＲ’　、　　−〇ＯＣＲ、−００Ｃ
ＯＲ。

−ＣＮ・、　−ＣＬ　、−ＮＯ２，−ＣＯＲ、−ＣＨ−
ＣＨ−Ｃ０ＯＲ、−Ｈ。

−Ｆ　　ｅ　　−Ｂｒ　　　−１、−Ｎ＝Ｃ＊　　−Ｎ
−Ｃ＝Ｏｒ　　−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ　　＊−Ｎ３＃　−Ｒ’　
　ｌ　−ＯＨｌ　−ＯＲ’　ｌ　−０ＣＯＲ’　ｌ　−
ＣＱＲ’−ＣＯＯｒＬ’　　、　　−ＣＸ＝ＣＹ−ＣＯ
ＯＲ、−ＮＲ２、−ＮＨＲ、−ＮＲ２゜−ＮＩＩＣＩＩ
Ｏ、−ＮＨＣＯｒｔ　　、−８Ｒ、−ＣＯ８Ｉｔ　　、
−０ＣＯ８Ｒ。

−ＨｇＣｔｙ　　−１／ｇ０ＣＯＣＨ５ｖ　　−０ＣＦ
３　　−Ｒ，１−Ｏ−（ＣＨ２）ｎｏｒｔ　Ｉ　−ＣＨ
２ＣＨ２０Ｈ＋−ＣＨ＝Ｃｌｌ−Ｃ０ＯＲ、−（０−Ｃ
ＩＩ２−ＣＨ２几０ＣＨ５ｓ　ｎ　＝　１〜３既述した
式（１）の側鎖基Ｙ２には（未）置換の単または多環化
合物及び炭素数１〜１Ｂのアルキルアリール基よりなる
。構造例は下記に示す通りである。

但し、ｐｍＱ〜ａ、Ｒ−Ｃ、Ｈ２−＋１．　　Ｈ，ＣＩ
Ｉ　。

Ｆ−Ｂ　ｒ＋　　Ｉ　、ＯＨＩＯＣ＠　ｋ＋＋＋　００
　ＣＣｑＨ２ｍ＋ｔ、　　ＮＯｘ　ＮＲ２（Ｑ　−１〜
８）−Ｚ−（ｃＨ２）ｎ−ｃｏ−（ｃｕｚ）ｔ２−、Ｉ
　　　　ｎ＝０〜１／゜Ｈ５ 上記したＹｌ及びＹ２の構造例は一例であって、本発明
の基本原理にかなる構造のものであれば上記の限りでは
ない。

既述した一般式＜１）において、Ω十ｍは５〜１ｏｏｏ
ｏｏであり、Ｎ／ｍはＩｌｏ、０１以上であるが、好ま
しくはＩＩ　十ｍ−１０〜３００　、Ｄ　／ｍ　−１／
０，０５〜１／０．９である一０Ｙ１及びＹ２の構造に
もよるが、Ｊ７＋ｍが１０未満では融点、ガラス転位点
が下がりまた薄膜形成能が悪くなる。、ｌｌ＋ｍが３０
０を越えると、溶融時の粘度が高くなり、側鎖基と色素
化合物との相互作用に悪影響を及ぼす可能性がある。ま
た、９７ｍが１／０．０５未満では、色素化合物の混合
比によよるが、側鎖基Ｙ２と色素化合物との相互作用が
小さすぎ、コントラストが低下する可能性がある。９７
ｍが１／０．９を超えると、側鎖基Ｙ、の影響が小さく
なり、可逆性、コントラストが低下する可能性がある。

上記側鎖型高分子液晶共重合体化合物の具体例は、後掲
する第１表に示す通りである。こうした化合物は、室温
下で全て固相であり、従来のようにセルに封入する必要
はない。又、これらの液晶の転位温度は感度及び耐久性
の点から４０〜３５０℃好ましくは６０〜２５０℃が望
ましい。ここで、転位温度が４０℃より低（なると耐久
性が悪くなり、３５０℃を超えると応答性（感度）が悪
くなる。上記化合物は単独で用いてもよいし、あるいは
２種以上を混合してもよい。

上記色素化合物としては、レーザ発振波長に大きな光吸
収能を有する化合物であればよく、−船釣な色素でシア
ニン系色素、メロシアニン系色素。

キノン系色素、（ナフト）フタロシニン系色素。

アゾ系色素等が挙げられる。その中でポリマーマトリッ
クス中に取り込み易く相溶する事が必要である。特に平
面性または棒状構造を有していることが好ましく、ポリ
マーマトリックス中の側鎖基及び低分子液晶化合物との
相溶性が良好である方がよい。その結果、シアニン系色
素、メロシニン系色素、アゾ系色素等が好ましい。色素
の液晶性高分子に対する複合比は重量比１／５０〜１／
２好ましくは１／２０〜１／５が良い。これは、１／５
０未満では感度が劣り、１／２を超えると繰り返し性等
の耐久性の点で劣るからである。

本発明に係る光記録媒体を構成する要素として、上記低
分子液晶、ＷＪＣ晶性高分子１色素の３種類を用い、薄
膜を形成させて媒体の記録層とさせるが、成膜方法とし
てはスピンロート法、キャスト、ドクターブレード１．
ディッピング、ローラーが用いられるが、スピンコード
法による成膜が均一な薄膜を形成する点で有利である。

また、スピンコード法に用いられる溶媒としてはクロロ
ホルム、ジクロロエタン、四塩化炭素、パークレン等の
ハロゲン系溶媒、ＭＥＫ、アセトン等のケトン系溶媒が
良好で、成膜時の膜状態を制御するためにトルエン、ヘ
キサン、酢酸エチレン、プリルアルコールなつどを少量
添加しても良い。更に、ハロゲン系溶媒、ケトン系溶媒
も単独もしくは２種以上の混合でも良い。

スピンコード法により成膜する支持体としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂。

エポキシ樹脂、ポリオルフィン樹脂が用いられ、記録再
生方式によって基板上にグループと呼ばれる溝を設けた
ものでも良い。そして、支持体の耐溶剤性を工場するた
めアクリル系ＵＶ硬化樹脂。

ポリイミド、ポリアミド、５ｉｎ２．ＳｔＯ等のアンダ
ーコートを形成しても良い。また、アンダーコートの種
類によって記録層とのぬれ性、アンカリング等の界面状
態が変化し、これを改良することにより記録媒体として
の特性を向上させることが可能である。記録再生をレー
ザ光の反射変化で読み取る方法の場合、記録層自体にも
ある程度の反射率が有り、記録再生可能であるが、記録
層の上に反射層を積層すると反射率も上がり、感度。

ＣＮ比等の特性も向上する。上記反射層の材料としては
、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ−Ｃｏ、ナフトフタロシアニ
ン系等が使用される。又、上述したように記録層との界
面状態が記録特性に大きく影響してくるので、記録層と
反射層との間にアクリン系ＵＶ硬化樹脂、ナフタロシニ
ン系色素、５１０２等のオーバーコート層を設けても良
い。第１図及び第２図はその構成例を示すものであり、
図中の１は支持体、２はアンダーコート層、３は記録層
、４はオーバーコート層、５は反射層を示す。

なお、上記構成図は一例であって、これらに限定される
ものではない。

次に、記録・再生方法として、反射率の変化を読み取る
方法について詳述する。レーザ発振波長に吸収のある色
素−によりレーザ光で記録層が加熱され、ボ゛リマーマ
トリックス低分子液晶の融点以上になると、ポリマー側
鎖６色素、低分子液晶の運動が加速され、ランダムに入
り乱れた相溶状態になる。ここで急冷を行いポリマー低
分子液晶の融点以下に冷却すると、このランダム相溶状
態がそのまま固定される。また、徐冷を行うと、ポリマ
ー側鎖が徐々に配列をはじめ、低分子液晶の配向もこれ
に助長し、高い配向が生じる。その結果、側鎖間に入り
込んでいた色素が側鎖間外に除外され、ミクロ相分離状
態が生じる。これにより、色素の会合が急冷時よりも多
く起こり、色素の分光特性が変化する。読み取りは、レ
ーザのパワーを書き込み時よりも下げてその反射率の強
弱を測定し、記録信号とする。媒体の初期状態を一定に
するためにアニールを行なえば、より信号の質の高い媒
体となる。

以上、本発明では色素の会合、解離を可逆的に行なわせ
るためにマトリクスポリマーとして液晶性高分子を用い
るとともに、更に応答性をたかめるために低分子液晶を
光吸収色素とともに添加した記録層を採用した。この低
分子液晶を添加することによって液晶性高分子中の液晶
基の配列能が高まり、可逆性が高まるとともんい各種の
相互作用を調整し、更には可塑剤的に働き応答速度が向
上する。

以下、本発明の実施例について説明する。

［実施例１］ 液晶性高分子（後掲する第１表■）３０重量部低分子液
晶（後掲する第２表■）　　　３重量部光吸収色素（後
掲する第２表■）　　　３重量部クロロホルム（溶媒）
　　　　　　　１０００重量部以上の材料を十分に均一
に混合して得た溶液をスピンコード法によって表面に厚
み２０ＯＡのＳｉＯを蒸着した溝付きエポキシ基板（支
持体）に塗布し、厚み約！１００ＯＡの薄膜（記録層）
を得た。次に、この薄膜上に厚み２００Ａの５ｉＯ（ｔ
−バーコード層）、厚み５０００ＡのＡ１層（反射層）
を形成して光記録媒体を形成した。

こうした光記録媒体に対して線速３　ｍ　／　ｓで発振
波長８３００■のＬＤレーザーを直径１μに集光し、強
度４ｍＷ、周波数ＩＭＨｚで照射したところ、反射率は
４１％から５９％へ変化し、その時のＣ／Ｎ比は４５ｄ
Ｂであった。

更にこの記録媒体に対して長径５μｍ、半径１μｍの楕
円型に集光して強度２．５ｍＷで連続照射したところ、
反射率は４０％に低下し元の信号レベルに戻すことがで
きた。また、その際の消去比は一２１ｄＢであった。更
に、この記録／消去を１０００回繰り返しても劣化は認
められなかった。結果は、後掲する第４表に示す通りで
ある。

［実施例２〜５及び比較例１．２］ 用いた液晶性高分子、低分子液晶、光吸収性色素、溶媒
及び基板、アンダーコート層、保護層。

反射層等の材料と、その記録特性については、第４表に
示す通りである。

第１表 ゼ檜 第２表 第３表 第１表 （前頁に続く） 県 １４ ｎ＝４６８ ５１８３表 （前頁に続く） ［発明の効果］ 以上詳述した如く本発明によれば、記録、再生及び消去
について十分な性能を有するとともに、コントラスト、
応答性の向上、及びメモリ保存性の向上を実現しえる消
去可能な光記録媒体を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は夫々本発明に係る消去可能な光記録
媒体の説明図である。 １・・・支持体、２・・・アンダーコート層、３・・・
記録層、４・・・オーバーコート層、５・・・反射層。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）、支持体と、この支持体上に設けられた記録層と
   を具備し、前記記録層は液晶性高分子を含有し、かつ低
   分子液晶化合物を液晶性高分子に対して重量比１／２０
   〜１／２含有することを特徴とする消去可能な光記録媒
   体。
2. （２）、前記記録層が光吸収性色素を液晶性高分子に対
   して重量比５／１００〜１／５含有する請求項１記載の
   消去可能な光記録媒体。
3. （３）、前記液晶性高分子が主鎖型高分子液晶である請
   求項１あるいは請求項２記載の消去可能な光記録媒体。
4. （４）、前記液晶性高分子が側鎖型高分子である請求項
   １あるいは請求項２記載の消去可能な光記録媒体。