JPH03118519A

JPH03118519A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH03118519A
Application number: JP25523189A
Authority: JP
Inventors: Naoki Kikuchi; 直樹菊地; Shinji Hasegawa; 真二長谷川; Yoshio Hanada; 花田　良雄
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-10-02
Filing date: 1989-10-02
Publication date: 1991-05-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は長時間同じパターンの表示を行わせても焼き付
かないようにした単純マトリクス方式板じれネマチック
形液晶表示素子に関する。

［従来の技術］従来のマトリクス方式液晶表示素子では、ガラス基板を
成るべく有効に使用するために、ガラス基板の大きさに
対して、有効表示領域を成るべく広くとるのが通例であ
り（実開昭５５−４４３３号公報）、表示に使用しない
ダミー電極を設けたりしたものは無かった。

［発明が解決しようとする課題］しかし、上記のような従来の技術により製作された単純
マトリクス方式液晶表示素子では、表示のために電圧を
印加することにより、配向膜や液晶中のイオン性不純物
が移動し、イオン性不純物が集中した場所では、しきい
値電圧が低下するという点について考慮されておらず、
同一パターンを長時間点灯し続けた場合、選択部と非選
択部では印加電圧が違うので、イオン性不純物の移動速
度が異なり、点灯パターンに沿った形にイオン性不純物
が集まり、その部分のしきい値電圧が違って来るために
、パターンが焼き付いたようになり、表示パターンを切
り替えても其の前に長時間表示させていたパターンが残
ってしまうという問題が生じていた。

本発明は長時間同一パターンを表示しても上記のような
パターン焼き付き現象が現われないようにした単純マト
リクス方式液晶表示素子を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するために本発明においては、ネマチッ
ク液晶を挾んで対向する上下ガラス基板の内面に、それ
ぞれ順次、透明電極、配向膜を形成させ、配向膜面をラ
ビングして液晶分子配向機能を持たせた単純マトリクス
方式液晶表示素子において、ラビングをベクトルと見做
して上下両基板配向膜のラビングを合成したとき、上下
基板上で、それぞれ表示領域の、上記合成ベクトルの向
きと逆の側に隣接する部分に、製造後表示に無関係なダ
ミー電極を設け、また、液晶セル外周封着部の上記合成
ベクトルに平行な両辺夫々から表示領域と上記隣接部分
の境界に沿ってセル内部へ堤防状に突出し端部間が開口
した封着部を設け、更に、液晶セルに液晶封入後、先ず
上記ダミー電極と表示領域の全電極に、実使用時とほぼ
同じ周波数及び電圧で所定時間以上通電したのち、上下
基板上のダミー電極は短絡し、表示領域の電極のみを外
部睡動回路に接続して通常の如く使用することにした。

［作用］通常の単純マトリクス方式液晶表示素子では、初期には
、配向膜面や液晶中の前記イオン性不純物は、液晶セル
内各部にほぼ均一に分布しているものと考えられる。し
かし、この液晶表示素子の電極に電圧を印加すると、イ
オン性不純物は移動を始める。移動の方向や速さは、印
加する電圧の周波数や電圧値によって異なるが、通常、
実使用条件では、上下基板配向膜ラビングの合成ベクト
ルの向きと逆方向に移動する。また、液晶分子は、基板
電極への印加電圧によって速さは異なるが、ラビングの
合成ベクトルと逆方向にのみ移動する。

しかし、液晶分子の移動速度はイオン性不純物の移動速
度に比べて極めて遅く、液晶の対流によりイオン性不純
物が逆戻りすることは殆どない。以上の事実は本発明者
等が多数の実験により発見したところである。

従って、前記のように構成した本発明に係る液晶表示素
子のダミー電極と表示領域の全電極とに、実使用時とほ
ぼ同じ周波数及び電圧で所定時間以上通電すれば、イオ
ン性不純物は、上下基板配向膜ラビングの合成ベクトル
の向きと逆方向に移動してダミー電極領域の端部に滞留
する。多少逆戻りしても、表示領域と隣接部分（ダミー
電極領域）との境界に沿って突出した堤防状封着部に阻
止されて表示領域には戻って来ない。結局、実使用時と
ほぼ同じ電圧でダミー電極を含め全電極に十分長い所定
時間以上連続して通電すれば、イオン性不純物はすべて
ダミー電極領域の端部側に移動して其処に滞留し１表示
領域内には全く無くなる。

［実施例］第１図は本発明一実施例の断面図、第２図は同実施例の
平面図を示す。下ガラス基板１には、走査電極２とダミ
ー電極３を形成し、その上に配向膜４を形成しである。

上ガラス基板５には、信号電極６とダミー電極７を形成
し、その上に配向膜８を形成しである。これら上、下基
板５．１をシール材９で貼り合わせた間に挾まれて、ネ
マチック液晶１０が封入されている。下基板ラビング方
向１１、上基板ラビング方向１２は、第２図に示す如く
である。初期的には、配向膜面や液晶中のイオン性不純
物は基板面内でほぼ均一に分布している。このような状
態のところに、基板の電極に電圧を印加すると、イオン
性不純物は移動を始める。移動の方向や速さは周波数お
よび電圧値によって異なるが、実駆動条件ではラビング
の合成べクトルと逆方向に移動する。従って、ダミー電
極領域１４と表示領域１３の全電極に、実用時とほぼ同
じ条件で電圧を印加することにより、イオン性不純物は
上下基板配向膜ラビングの合成ベクトルと逆方向に移動
し、ダミー電極領域の端部１５で移動を停止し、そこに
溜る。また、液晶分子は、電極印加電圧によって速さは
変化するが、方向はラビングの合成ベクトルと逆方向だ
けに移動する。

しかし、液晶分子の移動は、イオン性不純物の移動に比
べて極めて遅く、液晶の対流によりイオン性不純物が逆
戻りするようなことは殆ど無い。多少逆戻りするとして
も、表示領域１３の端に、外周シール材９から出ている
上下の突起１６．１７にトラップされて、表示領域１３
には戻って来ない。従って、実肛動とほぼ同じ電圧で長
時間通電することにより、面内のイオン性不純物はすべ
てダミー電極領域の端部１５に溜り、表示領域１３には
全く無くなる。このようになってから、ダミー電極３と
７を短絡して、実用状態では、表示領域１３の電極だけ
を駆動することにすれば、イオン性不純物はダミー電極
領域の端部１５に溜ったままとなるため、同一パターン
を長時間点灯しても、イオン性不純物の局部的集中によ
り、パターンの形状に、しきい値電圧むらが生じて現わ
れる焼き付は現象は起こらない。

［発明の効果］以上説明したように本発明によれば、表示領域内のイオ
ン性不純物をなくすことができるので、同一パターンを
長時間継続して点灯したときに、イオン性不純物の局部
的集中によって生ずるパターン焼き付けを防止すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明一実施例の断面図、第２図は同実施例の
平面図である。１・・下ガラス基板、　２・・・走査電極、　３・・下
基板ダミー電極、　４・・・下基板配向膜、　５・・・
上ガラス基板、　６・・・信号電極、　７・・上基板ダ
ミー電極、　８・・・上基板配向膜、　９・・・シール
材、１０気ネマチツク液晶、　　１１・・・下基板ラビ
ング方向、　　１２・・・上基板ラビング方向、　　１
３・・・表示領域、　１４・・・ダミー電極領域、　１
５・・・ダミー電極領域の端部、　１６．１７・・・シ
ール材による上、下の突起。

Claims

【特許請求の範囲】

１．ネマチック液晶を挾んで対向する上下ガラス基板の
内面に、それぞれ順次、透明電極、配向膜を形成させ、
配向膜面をラビングして液晶分子配向機能を持たせた単
純マトリクス方式液晶表示素子において、ラビングをベ
クトルと見做して上下両基板配向膜のラビングを合成し
たとき、上下基板上で、それぞれ表示領域の、上記合成
ベクトルの向きと逆の側に隣接する部分に、製造後表示
に無関係なダミー電極を設け、また、液晶セル外周封着
部の上記合成ベクトルに平行な両辺夫々から表示領域と
上記隣接部分の境界に沿ってセル内部へ堤防状に突出し
端部間が開口した封着部を設け、更に、液晶セルに液晶
封入後、上記ダミー電極と表示領域の全電極に、実使用
時とほぼ同じ周波数及び電圧で所定時間以上通電したの
ち、上下基板上のダミー電極は短絡し、表示領域の電極
のみを外部駆動回路に接続して使用するようにしたこと
を特徴とする液晶表示素子。