JPH0311783A - 面入出力双安定半導体レーザおよび半導体レーザアレイ - Google Patents
面入出力双安定半導体レーザおよび半導体レーザアレイInfo
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- JPH0311783A JPH0311783A JP1145468A JP14546889A JPH0311783A JP H0311783 A JPH0311783 A JP H0311783A JP 1145468 A JP1145468 A JP 1145468A JP 14546889 A JP14546889 A JP 14546889A JP H0311783 A JPH0311783 A JP H0311783A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/026—Optical bistable devices based on laser effects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（＋） 発明の属する技術分野
本発明は、並列光信号処理システムの基本構成デバイス
であるスイッチ・メモリ機能を備えた（２次元）面入出
力双安定半導体レーザおよび２次元半導体レーザアレイ
に関するものである。
であるスイッチ・メモリ機能を備えた（２次元）面入出
力双安定半導体レーザおよび２次元半導体レーザアレイ
に関するものである。
（２）従来技術
従来、タンデム電極型双安定半導体レーザは、単に単体
の半導体レーザの電極を分割した構成であるので、半導
体レーザの端面ば、へき開面を使用していた。
の半導体レーザの電極を分割した構成であるので、半導
体レーザの端面ば、へき開面を使用していた。
第３図は従来例を示すものであり、１はｎ −ＩｎＰ基
板、２はｎ−１ｎＰクラッド層、３はｕ ＩｎＧａ八
ｓＰへ性層、４はｐ−１ｎＰクラッド層、５はｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓ Ｐキャップ層、７はｎ−電極、８はｐ−電極
、９はゲイン領域Ｉ、１０はゲイン領域■、１１は可飽
和吸収領域、１５は出力光である。この断面図に示す如
く、双安定レーザの制御用注入光は、レーザ端面に垂直
に横から注入しなければならず、かつ、レーザの出力光
と他端面から横に取り出すものであったため、並列光信
号処理システムに必要な多数の２次元アレイ化は不可能
であった。
板、２はｎ−１ｎＰクラッド層、３はｕ ＩｎＧａ八
ｓＰへ性層、４はｐ−１ｎＰクラッド層、５はｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓ Ｐキャップ層、７はｎ−電極、８はｐ−電極
、９はゲイン領域Ｉ、１０はゲイン領域■、１１は可飽
和吸収領域、１５は出力光である。この断面図に示す如
く、双安定レーザの制御用注入光は、レーザ端面に垂直
に横から注入しなければならず、かつ、レーザの出力光
と他端面から横に取り出すものであったため、並列光信
号処理システムに必要な多数の２次元アレイ化は不可能
であった。
（３）発明の目的
本発明は、このような欠点を鑑みてなされたもので、そ
の目的は、ドライエツチング等の方法によって、斜反射
鏡を伴ったレーザ端面を形成し、斜反射鏡に、注入光お
よび出力光を反射させて、デバイス表面方向からの光の
入出力を可能とし、多数の双安定レーザのモノリシック
な２次元アレイ化によって、並列光信号処理システムに
不可欠の光信号処理の同時並列化を可能とした面入出力
双安定半導体レーザを提供することにある。
の目的は、ドライエツチング等の方法によって、斜反射
鏡を伴ったレーザ端面を形成し、斜反射鏡に、注入光お
よび出力光を反射させて、デバイス表面方向からの光の
入出力を可能とし、多数の双安定レーザのモノリシック
な２次元アレイ化によって、並列光信号処理システムに
不可欠の光信号処理の同時並列化を可能とした面入出力
双安定半導体レーザを提供することにある。
（４）発明の構成と特徴
この目的を達成するために、本発明による面入出力双安
定半導体レーザと半導体レーザアレイは次のような構成
を有している。
定半導体レーザと半導体レーザアレイは次のような構成
を有している。
■ストライブ状の電流注入活性領域と高抵抗の電流狭窄
層とが設けられ、かつ２つのレーザ端面を有している埋
込構造半導体レーザ構造をもち、前記ストライプ状の電
流注入活性領域が利得領域と可飽和吸収領域とに分割さ
れているタンデム電極型双安定半導体レーザにおいて、
前記レーザ端面ばストライプ状の電流注入活性領域とｐ
−ｎ接合平面に対して垂直に形成され、かつ該レーザ端
面の近傍にはｐ−ｎ接合平面に対して４０゜〜６０°傾
けた斜反射鏡が形成され、レーザの出力光を該斜反射鏡
に反射せしめてｐｎ接合平面に対してほぼ垂直な方向に
取り出すことを可能とし、かつ双安定レーザを制御する
ｐ−ｎ接合平面に対してほぼ垂直な方向の外部からの注
入制御光を該斜反射鏡に反射せしめて前記ストライプ状
の電流注入活性領域に前記レーザ端面から注入せしめ得
ることを可能とし゛たことを特徴とする画人出力双安定
半導体レーザ。
層とが設けられ、かつ２つのレーザ端面を有している埋
込構造半導体レーザ構造をもち、前記ストライプ状の電
流注入活性領域が利得領域と可飽和吸収領域とに分割さ
れているタンデム電極型双安定半導体レーザにおいて、
前記レーザ端面ばストライプ状の電流注入活性領域とｐ
−ｎ接合平面に対して垂直に形成され、かつ該レーザ端
面の近傍にはｐ−ｎ接合平面に対して４０゜〜６０°傾
けた斜反射鏡が形成され、レーザの出力光を該斜反射鏡
に反射せしめてｐｎ接合平面に対してほぼ垂直な方向に
取り出すことを可能とし、かつ双安定レーザを制御する
ｐ−ｎ接合平面に対してほぼ垂直な方向の外部からの注
入制御光を該斜反射鏡に反射せしめて前記ストライプ状
の電流注入活性領域に前記レーザ端面から注入せしめ得
ることを可能とし゛たことを特徴とする画人出力双安定
半導体レーザ。
■面入出力のための斜反射鏡に、高反射膜を形成したこ
とを特徴とする第１項記載の面入出力双安定半導体レー
ザ。
とを特徴とする第１項記載の面入出力双安定半導体レー
ザ。
■第１項又は第２項記載の面入出力双安定半導体レーザ
が、同一基板上に、２次元アレイ状に、モノリシックに
多数配置されたことを特徴とする半導体レーザアレイ。
が、同一基板上に、２次元アレイ状に、モノリシックに
多数配置されたことを特徴とする半導体レーザアレイ。
本発明は、ドライエツチング等の方法によって、双安定
半導体レーザの垂直端面とその近傍に斜反射鏡を形成す
ることにより、デバイス表面方向からの光の入力および
表面方向への光の出力を可能としたことにより、双安定
半導体レーザのモノリシンクな２次元アレイ化を可能と
したことを主要な特徴とする。従来の双安定半導体レー
ザは、へき開面をレーザ端面としていたので、単体の双
安定レーザもしくは、１次元レーザアレイのみであった
。双安定半導体レーザの２次元アレイ化によって、始め
て、多数のモノリシック集積化が可能となり、並列光信
号処理システムの同時並列光信号処理が１チツプで、実
現できるようになった。
半導体レーザの垂直端面とその近傍に斜反射鏡を形成す
ることにより、デバイス表面方向からの光の入力および
表面方向への光の出力を可能としたことにより、双安定
半導体レーザのモノリシンクな２次元アレイ化を可能と
したことを主要な特徴とする。従来の双安定半導体レー
ザは、へき開面をレーザ端面としていたので、単体の双
安定レーザもしくは、１次元レーザアレイのみであった
。双安定半導体レーザの２次元アレイ化によって、始め
て、多数のモノリシック集積化が可能となり、並列光信
号処理システムの同時並列光信号処理が１チツプで、実
現できるようになった。
（実施例）
第１図は本発明の第１の実施例の面入出力双安定半導体
レーザを説明する斜視図である。図には示していないが
、電極の分離を完全に行うため、電極分離帯１６のキャ
ップ層５は、エツチング等で除いである。ｌはｎ−Ｉｎ
Ｐ基板、２はｎ−１ｎＰクラッド層、３はｕ −１ｎＧ
ａＡｓ Ｐ活性層、４はｐ ＩｎＰクラッド層、５は
ｐ −１ｎＧａＡｓ Ｐキャップ層、６はＳｌ（Ｓｅｍ
ｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ）−１ｎＰ高抵抗層、７はｎ
−電極、８はＰ−電極、９はゲイン領域■、１０はゲイ
ン領域■、１１は可飽和吸収領域、１２は垂直レーザ端
面、１３は高反射膜付斜反射面、１４は注入光（制御光
）、１５は出力光、１６は電極分離帯である。
レーザを説明する斜視図である。図には示していないが
、電極の分離を完全に行うため、電極分離帯１６のキャ
ップ層５は、エツチング等で除いである。ｌはｎ−Ｉｎ
Ｐ基板、２はｎ−１ｎＰクラッド層、３はｕ −１ｎＧ
ａＡｓ Ｐ活性層、４はｐ ＩｎＰクラッド層、５は
ｐ −１ｎＧａＡｓ Ｐキャップ層、６はＳｌ（Ｓｅｍ
ｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ）−１ｎＰ高抵抗層、７はｎ
−電極、８はＰ−電極、９はゲイン領域■、１０はゲイ
ン領域■、１１は可飽和吸収領域、１２は垂直レーザ端
面、１３は高反射膜付斜反射面、１４は注入光（制御光
）、１５は出力光、１６は電極分離帯である。
これを動作させるには、ｌＯのゲイン領域■に所定の一
定電流を流し、９のゲイン領域■の電流を上げていく、
可飽和吸収領域１１の吸収は、最初のうちは大きいから
、双安定レーザはなかなか発振しないが、９のゲイン領
域１ＯＥＬ光が、可飽和吸収領域１１に注入され、その
強度が一定のレベルに達すると、可飽和吸収領域１１の
可飽和吸収体が飽和し、吸収係数がＥＬ注大光の強度が
増すにつれて、急激に減少し、双安定レーザは発振し、
ＯＮ状態に遷移する（ターンオン）。また、発振状態の
双安定レーザにおいて、内部の光強度は、大きいから、
可飽和吸収領域１１の可飽和吸収体の吸収係数は飽和し
て小さくなり、この状態から徐々に、９のゲイン領域１
の注入電流を下げていくと、前記のＯＦＦ→ＯＮ遷移の
電流値より下げてもまだ、双安定レーザは発振を続け、
さらに、ＩＯのゲイン領域■の電流を下げていくと、内
部の光強度はさらに下がる。内部の光の強度があるレベ
ルまで下がると、可飽和吸収領域１１の可飽和吸収体の
吸収係数が象、激に上がり、双安定レーザは発振を停止
し、ＯＮ→ＯＦＦ ｉ！！移がおこる（ターンオフ）。
定電流を流し、９のゲイン領域■の電流を上げていく、
可飽和吸収領域１１の吸収は、最初のうちは大きいから
、双安定レーザはなかなか発振しないが、９のゲイン領
域１ＯＥＬ光が、可飽和吸収領域１１に注入され、その
強度が一定のレベルに達すると、可飽和吸収領域１１の
可飽和吸収体が飽和し、吸収係数がＥＬ注大光の強度が
増すにつれて、急激に減少し、双安定レーザは発振し、
ＯＮ状態に遷移する（ターンオン）。また、発振状態の
双安定レーザにおいて、内部の光強度は、大きいから、
可飽和吸収領域１１の可飽和吸収体の吸収係数は飽和し
て小さくなり、この状態から徐々に、９のゲイン領域１
の注入電流を下げていくと、前記のＯＦＦ→ＯＮ遷移の
電流値より下げてもまだ、双安定レーザは発振を続け、
さらに、ＩＯのゲイン領域■の電流を下げていくと、内
部の光強度はさらに下がる。内部の光の強度があるレベ
ルまで下がると、可飽和吸収領域１１の可飽和吸収体の
吸収係数が象、激に上がり、双安定レーザは発振を停止
し、ＯＮ→ＯＦＦ ｉ！！移がおこる（ターンオフ）。
これが双安定レーザにおいてヒステリシス現象がおこる
理由である。
理由である。
ヒステリシスの遷移中、すなわち０ＦＦ−＋ＯＮの９の
ゲイン領域■の電流値とＯＮ→０旺の９のゲイン領域■
の電流の値の差、および遷移電流値（９のゲイン領域１
の電流値）そのものも、１０のゲイン領域■の電流によ
って制御できる。可飽和吸収領域１１の電流によっても
、もちろん遷移電流および遷移中は制御できるが、可飽
和吸収領域１１の電流は、主に遷移スピードを速くする
ようにすなわち高速動作可能なるように調節せられる。
ゲイン領域■の電流値とＯＮ→０旺の９のゲイン領域■
の電流の値の差、および遷移電流値（９のゲイン領域１
の電流値）そのものも、１０のゲイン領域■の電流によ
って制御できる。可飽和吸収領域１１の電流によっても
、もちろん遷移電流および遷移中は制御できるが、可飽
和吸収領域１１の電流は、主に遷移スピードを速くする
ようにすなわち高速動作可能なるように調節せられる。
双安定半導体０Ｎ−ＯＦＦの制御は、９のゲイン領域Ｉ
の電流をターンオフ・ターンオンの中間の領域に設定し
ておき（もちろん１０のゲイン領域■および吸収領域の
電流にも依存する）、プラスあるいはマイナスの電流パ
ルスによっても行えるが、光の注入によってもおこすこ
とができる（光制御）、すなわち、９のゲイン領域Ｉの
電流値をターンオフ・ターンオンの中間の状態に設定し
、ＯＦＦ状態の双安定レーザにトリガ光を、ゲイン領域
■に注入すると、ターンオンし、またＯＮ状態の双安定
レーザに発振光より長波長の強めの注入光を１０のゲイ
ン領域Ｈに注入すると、その注入光が増幅され、かつキ
ャリアが消費され、発振光での利得低下、すなわち光ク
エンチングが起こり、ターンオフする。
の電流をターンオフ・ターンオンの中間の領域に設定し
ておき（もちろん１０のゲイン領域■および吸収領域の
電流にも依存する）、プラスあるいはマイナスの電流パ
ルスによっても行えるが、光の注入によってもおこすこ
とができる（光制御）、すなわち、９のゲイン領域Ｉの
電流値をターンオフ・ターンオンの中間の状態に設定し
、ＯＦＦ状態の双安定レーザにトリガ光を、ゲイン領域
■に注入すると、ターンオンし、またＯＮ状態の双安定
レーザに発振光より長波長の強めの注入光を１０のゲイ
ン領域Ｈに注入すると、その注入光が増幅され、かつキ
ャリアが消費され、発振光での利得低下、すなわち光ク
エンチングが起こり、ターンオフする。
光クエンチングを起こすには、光の波長と、強度を適切
に選ぶ必要がある。一般には、ターンオンに、光トリガ
、ターンオフにはマイナス極性の電流パルスを用いるの
が通例である。
に選ぶ必要がある。一般には、ターンオンに、光トリガ
、ターンオフにはマイナス極性の電流パルスを用いるの
が通例である。
斜反射鏡はｐ−ｎ接合面に対して４０’〜６０°傾けて
形成されている。この斜反射鏡の存在により、本発明の
双安定レーザの光制御はデバイスの表面方向からの注入
光によって行わせ、かつ出力光もデバイスの表面方向に
取り出すことが可能である利点がある。
形成されている。この斜反射鏡の存在により、本発明の
双安定レーザの光制御はデバイスの表面方向からの注入
光によって行わせ、かつ出力光もデバイスの表面方向に
取り出すことが可能である利点がある。
第２図は本発明の第２の実施例の２次元画人出力双安定
半導体レーザアレイの主要部を示す斜視図である。ｌは
ｎ−１ｎＰ基板、３はｕ −ＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、
７はｎ−電極、８はｐ−電極、９はゲイン領域■、１０
はゲイン領域■、１１は可飽和吸収領域、１２は垂直レ
ーザ端面、１３は高反射膜付斜反射面、１４は注入光（
制御光）、１５は出力光である。
半導体レーザアレイの主要部を示す斜視図である。ｌは
ｎ−１ｎＰ基板、３はｕ −ＩｎＧａＡｓ Ｐ活性層、
７はｎ−電極、８はｐ−電極、９はゲイン領域■、１０
はゲイン領域■、１１は可飽和吸収領域、１２は垂直レ
ーザ端面、１３は高反射膜付斜反射面、１４は注入光（
制御光）、１５は出力光である。
図面の簡単化のため、本発明に直接関係のないものが省
略して描かれているが、特にここで強調しておきたいの
は、図示を省略しである配線パターンは、絶縁膜を介し
て多層配線とし、各々の独立に電流設定・制御ができる
ようになっていることである。斜反射鏡の存在により光
の画人出力が可能となっているので、同一基板に、モノ
リシックに２次元アレイ状に多数配置することができる
。
略して描かれているが、特にここで強調しておきたいの
は、図示を省略しである配線パターンは、絶縁膜を介し
て多層配線とし、各々の独立に電流設定・制御ができる
ようになっていることである。斜反射鏡の存在により光
の画人出力が可能となっているので、同一基板に、モノ
リシックに２次元アレイ状に多数配置することができる
。
そのため、並列光信号処理システムに、不可欠の光信号
処理の同時並列化を可能とする利点がある。
処理の同時並列化を可能とする利点がある。
なお、本実施例には、タンデム電極双安定半導体レーザ
として、電極３分割型をあげたが、この３分割型に限ら
れるわけでなく、２分割型あるいは多分割型も同様に実
現可能である。
として、電極３分割型をあげたが、この３分割型に限ら
れるわけでなく、２分割型あるいは多分割型も同様に実
現可能である。
また、レーザ構造の埋込み構造も、高抵抗埋込みに限ら
れるわけではない。
れるわけではない。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の面人出力双安定半導体レ
ーザは、斜反射鏡の存在により、表面方向からの光の入
力、出力が可能であるから、同一基板上に、２次元アレ
イとして多数集積できる利点がある。また、この２次元
面入出力双安定半導体レーザアレイは、個々のレーザが
独立でかつスイッチ・メモリ機能を有しているので、光
神経回路網等の並列光信号処理システムの基本構成デバ
イスとして、光の同時並列処理に欠かせないものである
。
ーザは、斜反射鏡の存在により、表面方向からの光の入
力、出力が可能であるから、同一基板上に、２次元アレ
イとして多数集積できる利点がある。また、この２次元
面入出力双安定半導体レーザアレイは、個々のレーザが
独立でかつスイッチ・メモリ機能を有しているので、光
神経回路網等の並列光信号処理システムの基本構成デバ
イスとして、光の同時並列処理に欠かせないものである
。
第１図は本発明の第１の実施例の面人出力双安定半導体
レーザを示す斜視図、第２図は本発明の第２の実施例の
２次元量大出力双安定半導体レーザアレイを示す斜視図
、第３図は従来の双安定半導体レーザを示す斜視図であ
る。 ｔ・・・ｎ−１ｎＰ基板、 ２−ｎ−１ｎＰクランド
層、３−＝ ｕ −１ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、 ４−ｐ
−１ｎＰクラッド層、 ５−＝ ｐ −１ｎＧａＡｓ
Ｐキャｙプ層、 ６・・・５ｌ−１ｎＰ高抵抗層、
７・・・ｎ−電極、８・・・ｐ−電極、 ９・・・ゲ
イン領域Ｉ、 １０・・・ゲイン領域■、 １１・・・
可飽和吸収領域、 １２・・・垂直レーザ端面、 １３
・・・高反射膜付反射鏡、１４・・・注入光（制御光）
、 １５・・・出力光、１６・・・電極分離帯。
レーザを示す斜視図、第２図は本発明の第２の実施例の
２次元量大出力双安定半導体レーザアレイを示す斜視図
、第３図は従来の双安定半導体レーザを示す斜視図であ
る。 ｔ・・・ｎ−１ｎＰ基板、 ２−ｎ−１ｎＰクランド
層、３−＝ ｕ −１ｎＧａＡｓ Ｐ活性層、 ４−ｐ
−１ｎＰクラッド層、 ５−＝ ｐ −１ｎＧａＡｓ
Ｐキャｙプ層、 ６・・・５ｌ−１ｎＰ高抵抗層、
７・・・ｎ−電極、８・・・ｐ−電極、 ９・・・ゲ
イン領域Ｉ、 １０・・・ゲイン領域■、 １１・・・
可飽和吸収領域、 １２・・・垂直レーザ端面、 １３
・・・高反射膜付反射鏡、１４・・・注入光（制御光）
、 １５・・・出力光、１６・・・電極分離帯。
Claims (3)
- （１）ストライプ状の電流注入活性領域と高抵抗の電流
狭窄層とが設けられ、かつ２つのレーザ端面を有してい
る埋込構造半導体レーザ構造をもち、前記ストライプ状
の電流注入活性領域が利得領域と可飽和吸収領域とに分
割されているタンデム電極型双安定半導体レーザにおい
て、前記レーザ端面はストライプ状の電流注入活性領域
とｐ−ｎ接合平面に対して垂直に形成され、かつ該レー
ザ端面の近傍にはｐ−ｎ接合平面に対して４０゜〜６０
゜傾けた斜反射鏡が形成され、レーザの出力光を該斜反
射鏡に反射せしめてｐ−ｎ接合平面に対してほぼ垂直な
方向に取り出すことを可能とし、かつ双安定レーザを制
御するｐ−ｎ接合平面に対してほぼ垂直な方向の外部か
らの注入制御光を該斜反射鏡に反射せしめて前記ストラ
イプ状の電流注入活性領域に前記レーザ端面から注入せ
しめ得ることを可能としたことを特徴とする面入出力双
安定半導体レーザ。 - （２）面入出力のための斜反射鏡に、高反射膜を形成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の面入出
力双安定半導体レーザ。 - （３）特許請求の範囲第１項又は第２項記載の面入出力
双安定半導体レーザが、同一基板上に、２次元アレイ状
に、モノリシックに多数配置されたことを特徴とする半
導体レーザアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145468A JPH0311783A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 面入出力双安定半導体レーザおよび半導体レーザアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145468A JPH0311783A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 面入出力双安定半導体レーザおよび半導体レーザアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311783A true JPH0311783A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15385939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1145468A Pending JPH0311783A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 面入出力双安定半導体レーザおよび半導体レーザアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311783A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660467A1 (de) * | 1993-12-22 | 1995-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US5448536A (en) * | 1992-06-16 | 1995-09-05 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording device having an optical head capable of generating a circularly polarized light beam |
| KR100448066B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2004-09-10 | 현대자동차주식회사 | 진동방지기능을 갖는 자동차의 도어 체커 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51139786A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser |
| JPS6079786A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Nec Corp | 双安定レ−ザ |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1145468A patent/JPH0311783A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51139786A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser |
| JPS6079786A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Nec Corp | 双安定レ−ザ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5448536A (en) * | 1992-06-16 | 1995-09-05 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording device having an optical head capable of generating a circularly polarized light beam |
| EP0660467A1 (de) * | 1993-12-22 | 1995-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US5875205A (en) * | 1993-12-22 | 1999-02-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic component and method for the manufacture thereof |
| KR100448066B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2004-09-10 | 현대자동차주식회사 | 진동방지기능을 갖는 자동차의 도어 체커 |
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