JPH03116951A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH03116951A JPH03116951A JP25595389A JP25595389A JPH03116951A JP H03116951 A JPH03116951 A JP H03116951A JP 25595389 A JP25595389 A JP 25595389A JP 25595389 A JP25595389 A JP 25595389A JP H03116951 A JPH03116951 A JP H03116951A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
この発明は、高温下での機械強度および耐湿性に優れた
樹脂組成物により封止された半導体装置に関するもので
ある。
樹脂組成物により封止された半導体装置に関するもので
ある。
トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、外部環
境の保護の観点および素子のハンドリングを可能にする
観点から、プラスチックパッケージ等により封止され半
導体装置化されている。この種のパッケージの代表例と
しては、デュアルインラインパッケージ(DIP)があ
る。このDIPは、ピン挿入型のものであり、実装基板
に対してピンを挿入することにより半導体装置を取り付
けるようになっている。
境の保護の観点および素子のハンドリングを可能にする
観点から、プラスチックパッケージ等により封止され半
導体装置化されている。この種のパッケージの代表例と
しては、デュアルインラインパッケージ(DIP)があ
る。このDIPは、ピン挿入型のものであり、実装基板
に対してピンを挿入することにより半導体装置を取り付
けるようになっている。
最近は、LSIチップ等の半導体装置の高集積化と高速
化が進んでおり、加えて電子装置を小形で高機能にする
要求から、実装の高密度化が進んでいる。このような観
点からDIPのようなビン挿入型のパッケージに代えて
、表面実装用パッケージか主流になってきている。この
種のパッケージを用いた半導体装置においては、平面的
にビンを取り出し、これを実装基板表面に直接半田等に
よって固定するようになっている。このような表面実装
型半導体装置は、平面的にビンが取り出せるようになっ
ており、薄い、軽い、小さいという利点を備えている。
化が進んでおり、加えて電子装置を小形で高機能にする
要求から、実装の高密度化が進んでいる。このような観
点からDIPのようなビン挿入型のパッケージに代えて
、表面実装用パッケージか主流になってきている。この
種のパッケージを用いた半導体装置においては、平面的
にビンを取り出し、これを実装基板表面に直接半田等に
よって固定するようになっている。このような表面実装
型半導体装置は、平面的にビンが取り出せるようになっ
ており、薄い、軽い、小さいという利点を備えている。
したがって、実装基板に対する占有面積が小さくてすみ
、さらに基板に対する両面実装も可能であるという長所
をも有している。
、さらに基板に対する両面実装も可能であるという長所
をも有している。
ところが、上記のような表面実装型用パッケージを用い
た半導体装置において表面実装前にパッケージ自体が吸
湿している場合には、半田実装時に水分の蒸気圧によっ
て、パッケージにクラックが生じるという問題がある。
た半導体装置において表面実装前にパッケージ自体が吸
湿している場合には、半田実装時に水分の蒸気圧によっ
て、パッケージにクラックが生じるという問題がある。
すなわち、第1図に示すような表面実装型半導体装置に
おいて、水分は矢印Aのように封止樹脂1を通って、ま
たリードフレーム2と樹脂1との隙間を通ってパッケー
ジ3内に浸入し、主としてリードフレーム2のダイボン
ドパッド4の裏面に滞溜する。そして、ペーパーフェー
ズソルダリング等の半田表面実装を行う際に、上記滞溜
水分が、上記半田実装における加熱により気化し、その
蒸気圧により、第2図に示すようにグイボンドパッド4
の裏面の樹脂部分を下方に押しやり、そこに空隙5をつ
くると同時にパッケージ3にクラック6を生しさせる。
おいて、水分は矢印Aのように封止樹脂1を通って、ま
たリードフレーム2と樹脂1との隙間を通ってパッケー
ジ3内に浸入し、主としてリードフレーム2のダイボン
ドパッド4の裏面に滞溜する。そして、ペーパーフェー
ズソルダリング等の半田表面実装を行う際に、上記滞溜
水分が、上記半田実装における加熱により気化し、その
蒸気圧により、第2図に示すようにグイボンドパッド4
の裏面の樹脂部分を下方に押しやり、そこに空隙5をつ
くると同時にパッケージ3にクラック6を生しさせる。
第1図および第2図において、7は半導体素子、8はワ
イヤーボンディングである。
イヤーボンディングである。
このような問題に対する解決策として、半導体素子をパ
ッケージで封止した後、得られる半導体装置全体を密封
し、表面実装の直前に開封して使用する方法や、表面実
装の直前に上記半導体装置を100°Cで24時間乾燥
させ、その後半田実装を行うという方法が提案され、す
でに実施されている。しかしながら、このような前処理
方法によれば、製造工程が長くなる上、手間がかかると
いう問題がある。
ッケージで封止した後、得られる半導体装置全体を密封
し、表面実装の直前に開封して使用する方法や、表面実
装の直前に上記半導体装置を100°Cで24時間乾燥
させ、その後半田実装を行うという方法が提案され、す
でに実施されている。しかしながら、このような前処理
方法によれば、製造工程が長くなる上、手間がかかると
いう問題がある。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、電
子機器への実装に際して前処理を要することなく、しか
も半田実装時の加熱に耐えうる低応力性に優れた半導体
装置の提供をその目的とする。
子機器への実装に際して前処理を要することなく、しか
も半田実装時の加熱に耐えうる低応力性に優れた半導体
装置の提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
エポキシ樹脂からなる主剤成分と、少なくとも一部が一
般式(1)で表されるフェノール樹脂からなる硬化剤成
分とを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子
を封止するという構成をとる。
エポキシ樹脂からなる主剤成分と、少なくとも一部が一
般式(1)で表されるフェノール樹脂からなる硬化剤成
分とを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子
を封止するという構成をとる。
11)1
〔作用〕
パッケージクラックの発生を防止する方法としては、■
封止樹脂に対する吸湿を抑制する、■ダイボンドパッド
の裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との間の接着
力を高める、■封止樹脂自体の強度を高めるの三つの方
法が考えられる。すなわち、この発明は、主として上記
■の方法にもとづき高い吸湿性を大幅に低減させ、エポ
キシ樹脂組成物系封止樹脂に対する吸湿を抑制させるよ
うにすることにより、パッケージ自体の耐湿性の向上を
意図するものである。そのため、上記一般式(I)で表
される特殊なフェノール樹脂を用いるものであり、それ
により、半田実装におけるような高温下(215〜26
0″C)での封止樹脂の耐パッケージクラック性の大幅
な向上を実現できる。
封止樹脂に対する吸湿を抑制する、■ダイボンドパッド
の裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との間の接着
力を高める、■封止樹脂自体の強度を高めるの三つの方
法が考えられる。すなわち、この発明は、主として上記
■の方法にもとづき高い吸湿性を大幅に低減させ、エポ
キシ樹脂組成物系封止樹脂に対する吸湿を抑制させるよ
うにすることにより、パッケージ自体の耐湿性の向上を
意図するものである。そのため、上記一般式(I)で表
される特殊なフェノール樹脂を用いるものであり、それ
により、半田実装におけるような高温下(215〜26
0″C)での封止樹脂の耐パッケージクラック性の大幅
な向上を実現できる。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
からなる主剤成分(A成分)と、全部もしくは一部が前
記一般式(I)で表される特殊なフェノール樹脂からな
る硬化剤成分(B成分)とを用いて得られるものであっ
て、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状
になっている。
からなる主剤成分(A成分)と、全部もしくは一部が前
記一般式(I)で表される特殊なフェノール樹脂からな
る硬化剤成分(B成分)とを用いて得られるものであっ
て、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット状
になっている。
上記A成分のエポキシ樹脂からなる主剤としては、タレ
ゾールノボラック型、フェノールノボラック型およびビ
スフェノールA型エポキシ樹脂等の各種エポキシ樹脂が
あげられる。これら樹脂のなかでも、特に融点が室温を
超えており、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状
を呈するものを用いることが好結果をもたらす。例えば
、ノボラック型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ
当量150〜250.軟化点50〜130°Cのものが
用いられ、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂として
は、エポキシ当量180〜210.軟化点60〜110
°Cのものが一般に用いられる。
ゾールノボラック型、フェノールノボラック型およびビ
スフェノールA型エポキシ樹脂等の各種エポキシ樹脂が
あげられる。これら樹脂のなかでも、特に融点が室温を
超えており、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状
を呈するものを用いることが好結果をもたらす。例えば
、ノボラック型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ
当量150〜250.軟化点50〜130°Cのものが
用いられ、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂として
は、エポキシ当量180〜210.軟化点60〜110
°Cのものが一般に用いられる。
また、下記の式(n)で表される4、4′−ビス(グリ
シジルオキシ)−3,3’ −ジアリルビフェニル等の
ビフェニルタイプのエポキシ樹脂を用いると一層効果的
である。
シジルオキシ)−3,3’ −ジアリルビフェニル等の
ビフェニルタイプのエポキシ樹脂を用いると一層効果的
である。
上記B成分の硬化剤は、A成分のエポキシ樹脂からなる
主剤の硬化剤として作用するものであり、硬化剤成分の
全部もしくは一部に下記の一般式(I)で表される特殊
なフェノール樹脂を用いたものである。
主剤の硬化剤として作用するものであり、硬化剤成分の
全部もしくは一部に下記の一般式(I)で表される特殊
なフェノール樹脂を用いたものである。
そして、上記一般式(1)で表される特殊なフェノール
樹脂は、例えば、α、α′−ジメトキシーp−キシレン
とフェノール化合物との反応により得ることができる。
樹脂は、例えば、α、α′−ジメトキシーp−キシレン
とフェノール化合物との反応により得ることができる。
このような分子構造において、−OH基を有するフェニ
ル環に炭素数1ないし4の炭化水素置換基を付加するこ
とにより撥水性を有するようになる。そして、上記特殊
なフェノール樹脂は、それ自体で硬化剤成分を構成して
もよいし、それ以外の通常用いられているフェノール樹
脂と併用しても差し支えはない。前者の場合には、B成
分の全部が上記一般式(1)の特殊なフェノール樹脂で
構成され、後者の場合はB成分の一部が上記一般式(1
)の特殊なフェノール樹脂で構成されることとなる。上
記通常用いられるフェノール樹脂としては、フェノール
ノボラッククレゾールノボラック等があげられる。これ
らノボラック樹脂は、軟化点が50〜110°C1水酸
基当量が70〜150のものを用いることが好ましい。
ル環に炭素数1ないし4の炭化水素置換基を付加するこ
とにより撥水性を有するようになる。そして、上記特殊
なフェノール樹脂は、それ自体で硬化剤成分を構成して
もよいし、それ以外の通常用いられているフェノール樹
脂と併用しても差し支えはない。前者の場合には、B成
分の全部が上記一般式(1)の特殊なフェノール樹脂で
構成され、後者の場合はB成分の一部が上記一般式(1
)の特殊なフェノール樹脂で構成されることとなる。上
記通常用いられるフェノール樹脂としては、フェノール
ノボラッククレゾールノボラック等があげられる。これ
らノボラック樹脂は、軟化点が50〜110°C1水酸
基当量が70〜150のものを用いることが好ましい。
上記一般式(1)で表される特殊なフェノール樹脂と、
このような通常のフェノール樹脂とを併用する場合にお
ける両者の割合は、前者100重量部(以下1部」と略
す)に対して後者0〜100部の範囲内に設定すること
が効果の点で好ましい。
このような通常のフェノール樹脂とを併用する場合にお
ける両者の割合は、前者100重量部(以下1部」と略
す)に対して後者0〜100部の範囲内に設定すること
が効果の点で好ましい。
上記エポキシ樹脂からなる主剤成分(A成分)と硬化剤
成分(B成分)との配合比は、上記A成分中のエポキシ
基1当量当たりB成分中の水酸基が0.5〜2.0当量
となるように配合することが好適である。より好適なの
は0.8〜1.2当量である。
成分(B成分)との配合比は、上記A成分中のエポキシ
基1当量当たりB成分中の水酸基が0.5〜2.0当量
となるように配合することが好適である。より好適なの
は0.8〜1.2当量である。
また、一般に、上記A成分であるエポキシ樹脂からなる
主剤およびB成分である硬化剤成分とともに無機質充填
剤が用いられる。上記無機質充填剤としては、通常、シ
リカが用いられる。これ以外に、結晶性および溶融性フ
ィラーはもちろんのこと、酸化アルミニウム、酸化ベリ
リウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等の充填剤を使用する
ことができる。このような無機質充填剤としては、最大
粒径50μm以下、平均粒径2〜15μmの破砕フィラ
ーと、最大粒径100μm以下、平均粒径10〜25μ
mの球状フィラーとを併用することが効果の点が好まし
い。このように両者を併用することにより、従来の封止
樹脂に比較して、約4倍の強度を得ることができると同
時に、エポキシ樹脂組成物に対して優れた流動性を付与
させるようになる。この無機質充填剤の含有量は、エポ
キシ樹脂組成物全体の70〜80重量%の範囲内に設定
することが好適である。
主剤およびB成分である硬化剤成分とともに無機質充填
剤が用いられる。上記無機質充填剤としては、通常、シ
リカが用いられる。これ以外に、結晶性および溶融性フ
ィラーはもちろんのこと、酸化アルミニウム、酸化ベリ
リウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等の充填剤を使用する
ことができる。このような無機質充填剤としては、最大
粒径50μm以下、平均粒径2〜15μmの破砕フィラ
ーと、最大粒径100μm以下、平均粒径10〜25μ
mの球状フィラーとを併用することが効果の点が好まし
い。このように両者を併用することにより、従来の封止
樹脂に比較して、約4倍の強度を得ることができると同
時に、エポキシ樹脂組成物に対して優れた流動性を付与
させるようになる。この無機質充填剤の含有量は、エポ
キシ樹脂組成物全体の70〜80重量%の範囲内に設定
することが好適である。
なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には、必要
に応じて上記A成分、B成分および無機質充填剤以外に
難燃化剤、カップリング剤、硬化促進剤、ワックス等が
用いられる。
に応じて上記A成分、B成分および無機質充填剤以外に
難燃化剤、カップリング剤、硬化促進剤、ワックス等が
用いられる。
上記難燃化剤としては、ノボラック型ブロム化エポキシ
もしくはビスA型エポキシ、三酸化アンチモンおよび五
酸化アンチモン等の化合物を適宜単独でもしくは併せて
使用することが行われる。
もしくはビスA型エポキシ、三酸化アンチモンおよび五
酸化アンチモン等の化合物を適宜単独でもしくは併せて
使用することが行われる。
上記カップリング剤としては、グリシジルエーテルタイ
プ、アミンタイプ、チオシアンタイプ。
プ、アミンタイプ、チオシアンタイプ。
ウレアタイプ等のメトキシないしはエトキシシランが、
適宜に単独でもしくは併せて用いられる。
適宜に単独でもしくは併せて用いられる。
その使用方法は、充填剤に対して、トライブレンドした
り、もしくは予備加熱反応したり、さらには有機成分原
料に対する予備混合等自由に使用される。
り、もしくは予備加熱反応したり、さらには有機成分原
料に対する予備混合等自由に使用される。
上記硬化促進剤としては、アミン系、リン系。
ホウ素系等の硬化促進剤があげられ、単独でもしくは併
せて用いられる。
せて用いられる。
上記ワックスとしては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステ
ル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、単独
でもしくは併せて使用される。
ル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、単独
でもしくは併せて使用される。
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えばつ
ぎのようにして製造することができる。
ぎのようにして製造することができる。
すなわち、上記の成分原料を適宜配合し予備混合した後
、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で混練
して溶融混合し、これを室温に冷却した後、公知の手段
によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工
程により製造することができる。
、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で混練
して溶融混合し、これを室温に冷却した後、公知の手段
によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工
程により製造することができる。
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は、特に限定するものではなく、通常のトランスフ
ァー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。
封止は、特に限定するものではなく、通常のトランスフ
ァー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。
このようにして得られる半導体装置は、エポキシ樹脂組
成物中に含まれる前記−形式(I)の特殊なフェノール
樹脂の作用により、封止樹脂の吸湿量が従来のものの7
〜8割も減少するため、半田実装に際してもパッケージ
クラック等が生じることがない。
成物中に含まれる前記−形式(I)の特殊なフェノール
樹脂の作用により、封止樹脂の吸湿量が従来のものの7
〜8割も減少するため、半田実装に際してもパッケージ
クラック等が生じることがない。
以上のように、この発明の半導体装置は、上記のような
特殊なフェノール樹脂を含有する特殊なエポキシ樹脂組
成物を用いて半導体素子を封止して構成されているため
、半田実装におけるような過酷な条件下においてもパッ
ケージクラックを生ずることがない。特に、上記特殊な
エポキシ樹脂組成物による封止により、8ピン以上、特
に16ピン以上もしくはチップの長辺が4胴以上の大形
の半導体装置において上記のような高信頼度が得られる
ようになるのであり、これが大きな特徴である。
特殊なフェノール樹脂を含有する特殊なエポキシ樹脂組
成物を用いて半導体素子を封止して構成されているため
、半田実装におけるような過酷な条件下においてもパッ
ケージクラックを生ずることがない。特に、上記特殊な
エポキシ樹脂組成物による封止により、8ピン以上、特
に16ピン以上もしくはチップの長辺が4胴以上の大形
の半導体装置において上記のような高信頼度が得られる
ようになるのであり、これが大きな特徴である。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
まず、実施例および比較例で使用する原料を下記に示す
。
。
(エポキシ樹脂からなる主剤成分)
A:クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量
195.軟化点80°C9n=4) (硬化剤成分) B:フにノールノボラック C:前記−形式(1)においてRが水素であるフェノー
ル化合物(n=15) D:前記−形式(I)においてRがメチル基であるフェ
ノール化合物(n=15) E:前記−形式(1)においてRがtert−″″ブチ
ル基あるフェノール化合物(n=10)(無機質充填剤
) F:溶融性シリカ(形状=破砕型) 最大粒径50μm、平均粒径=15μmG:溶融性シリ
カ(形状−球状型) 最大粒径100μm、平均粒径=25μm(難燃化剤) H二ノボラック型ブロム化エポキシ に三酸化二アンチモン (硬化促進剤) J:2−メチルイミダゾール (離型剤) K:ポリエチレン系ワックス (添加剤) Lニトリメトキシシラングリシジルエーテル〔実施例1
〜4、比較例1,2〕 つぎに、下記の第1表に示す原料を同表に示す割合で配
合し、ミキシングロール機にかけて100°Cで10分
間混練し、シート状樹脂組成物を作製した。ついで、上
記シート状樹脂組成物を粉砕し、目的とする粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を得た。
195.軟化点80°C9n=4) (硬化剤成分) B:フにノールノボラック C:前記−形式(1)においてRが水素であるフェノー
ル化合物(n=15) D:前記−形式(I)においてRがメチル基であるフェ
ノール化合物(n=15) E:前記−形式(1)においてRがtert−″″ブチ
ル基あるフェノール化合物(n=10)(無機質充填剤
) F:溶融性シリカ(形状=破砕型) 最大粒径50μm、平均粒径=15μmG:溶融性シリ
カ(形状−球状型) 最大粒径100μm、平均粒径=25μm(難燃化剤) H二ノボラック型ブロム化エポキシ に三酸化二アンチモン (硬化促進剤) J:2−メチルイミダゾール (離型剤) K:ポリエチレン系ワックス (添加剤) Lニトリメトキシシラングリシジルエーテル〔実施例1
〜4、比較例1,2〕 つぎに、下記の第1表に示す原料を同表に示す割合で配
合し、ミキシングロール機にかけて100°Cで10分
間混練し、シート状樹脂組成物を作製した。ついで、上
記シート状樹脂組成物を粉砕し、目的とする粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を得た。
(以下余白)
上記実施例1〜4および比較例1,2で得られた粉末状
のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフ
ァー成形でモールドすることにより半導体装置を作製し
た。上記半導体装置は、80ビン四方向フラツトパツケ
ージ(QFP)(20mmx14mmx厚み2.25m
m)で6. OX 6. Ommのチップを有するもの
である。
のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフ
ァー成形でモールドすることにより半導体装置を作製し
た。上記半導体装置は、80ビン四方向フラツトパツケ
ージ(QFP)(20mmx14mmx厚み2.25m
m)で6. OX 6. Ommのチップを有するもの
である。
このようにして得られた半導体装置について、85°C
/85%RH下で72時間吸湿後、260°Cで10秒
間半田浸漬したときのパッケージクシツクの発生数を測
定し下記の第2表に示した。また、エポキシ樹脂組成物
の硬化物のガラス転移温度(Tg)をTMA (The
rmal Mechanical analysis)
により測定し、250°Cにおける曲げ強度をJIS−
に−6911にもとづく曲げ試験により測定評価した。
/85%RH下で72時間吸湿後、260°Cで10秒
間半田浸漬したときのパッケージクシツクの発生数を測
定し下記の第2表に示した。また、エポキシ樹脂組成物
の硬化物のガラス転移温度(Tg)をTMA (The
rmal Mechanical analysis)
により測定し、250°Cにおける曲げ強度をJIS−
に−6911にもとづく曲げ試験により測定評価した。
さらに、直径50鵬で厚み1mmのタブレットを作製し
、これの85°C/85%RH下で300時間後の吸水
率を測定した。これらの結果を第2表に併せて示した。
、これの85°C/85%RH下で300時間後の吸水
率を測定した。これらの結果を第2表に併せて示した。
(余 白 )
第2表の結果から、比較例1品はガラス転移温度は高い
が、吸水率が高く半導体装置の全てにパッケージクラッ
クが生じた。また、比較例2品もガラス転移温度は高い
が、吸水率が冑く半数の半導体装置にパッケージクラッ
クが生じた。これに対して、実施測高はガラス転移温度
2曲げ強度とも高い値を有し、しかも吸水率も低い。さ
らに、パッケージクラックが全く生じていない。このこ
とから、実施測高は耐湿信頬性、耐熱信頼性等の緒特性
に優れていることがわかる。
が、吸水率が高く半導体装置の全てにパッケージクラッ
クが生じた。また、比較例2品もガラス転移温度は高い
が、吸水率が冑く半数の半導体装置にパッケージクラッ
クが生じた。これに対して、実施測高はガラス転移温度
2曲げ強度とも高い値を有し、しかも吸水率も低い。さ
らに、パッケージクラックが全く生じていない。このこ
とから、実施測高は耐湿信頬性、耐熱信頼性等の緒特性
に優れていることがわかる。
第1図および第2図は従来の半導体装置のパッケージク
ラック発生状況を説明する縦断面図である。
ラック発生状況を説明する縦断面図である。
Claims (2)
- (1)エポキシ樹脂からなる主剤成分と、少なくとも一
部が一般式( I )で表されるフェノール樹脂からなる
硬化剤成分とを含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半
導体素子を封止してなる半導体装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔上記式( I )において、Rは炭素数1ないし4の炭
化水素置換基であり、nは10〜15の整数である。〕 - (2)エポキシ樹脂からなる主剤成分と、少なくとも一
部が一般式( I )で表されるフェノール樹脂からなる
硬化剤成分とを含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔上記式( I )において、Rは炭素数1ないし4の炭
化水素置換基であり、nは10〜15の整数である。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25595389A JPH03116951A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25595389A JPH03116951A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03116951A true JPH03116951A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17285873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25595389A Pending JPH03116951A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03116951A (ja) |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25595389A patent/JPH03116951A/ja active Pending
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