JPH03111575A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH03111575A JPH03111575A JP15714490A JP15714490A JPH03111575A JP H03111575 A JPH03111575 A JP H03111575A JP 15714490 A JP15714490 A JP 15714490A JP 15714490 A JP15714490 A JP 15714490A JP H03111575 A JPH03111575 A JP H03111575A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、真空処理室内に回転機構を有する真空処理装
置に関する。
置に関する。
(従来の技術)
この種の真空処理装置として、蒸着装置、イオンブレー
ティング装置又はCVD装置等を挙げることができる。
ティング装置又はCVD装置等を挙げることができる。
この種の装置では、被処理体の膜付けを均一に行う等の
ため、被処理体を真空処理室内部にて回転するようにし
ている。
ため、被処理体を真空処理室内部にて回転するようにし
ている。
蒸着装置を例に挙げれば、容器底面側に設けた蒸着源を
加熱し、その上側の被処理体に対して蒸着物を直進させ
て蒸着を行っている。従って、被処理体の全ての面に蒸
着処理を実施するためには、被処理体又は蒸着源を相対
的に回転駆動することが不可欠となっている。
加熱し、その上側の被処理体に対して蒸着物を直進させ
て蒸着を行っている。従って、被処理体の全ての面に蒸
着処理を実施するためには、被処理体又は蒸着源を相対
的に回転駆動することが不可欠となっている。
さらに、処理のスループットを上げるためには、−度に
複数の被処理体を処理するバッチ処理が有効であり、被
処理体を回転支持する軸の多軸化が進む傾向にあり、さ
らには各軸を自転すると共に公転する必要も生ずる。
複数の被処理体を処理するバッチ処理が有効であり、被
処理体を回転支持する軸の多軸化が進む傾向にあり、さ
らには各軸を自転すると共に公転する必要も生ずる。
このように、真空処理室内部に配置される回転機構はよ
り複雑化する傾向にある。
り複雑化する傾向にある。
(発明が解決しようとする課題)
上記のような真空処理室では、その処理を行うに際して
処理室内部を真空引きする必要があり、バッチ処理が終
了した被処理体を交換する度に、真空処理室内部を所定
真空度に設定するための立ち上げ時間が必要となってい
る。そして、この真空引きの立ち上げ時間は、上述した
回転機構が複雑化するにつれ長時間化する恐れがある。
処理室内部を真空引きする必要があり、バッチ処理が終
了した被処理体を交換する度に、真空処理室内部を所定
真空度に設定するための立ち上げ時間が必要となってい
る。そして、この真空引きの立ち上げ時間は、上述した
回転機構が複雑化するにつれ長時間化する恐れがある。
すなわち、多数枚のバッチ処理をするために真空室容量
が大型化した場合には、この真空容器に合わせて高性能
の真空ポンプを配置すれば良いが、回転機構の複雑化に
より、この回転機構周囲の被排気部が迷路状に複雑化し
、このような迷路に沿って真空引きした場合には効率の
良い真空引きが実現できない。特に、この種の装置では
回転機構が反応生成物等によって汚染されることを防止
するために、被処理体が配置される部屋とは保護カバー
などによって仕切られることがあり、被排気部の迷路化
がより促進されることになる。このため、特に回転機構
付近の被排気部が所定真空度に達するまでの立ち上げ時
間を長く要していた。
が大型化した場合には、この真空容器に合わせて高性能
の真空ポンプを配置すれば良いが、回転機構の複雑化に
より、この回転機構周囲の被排気部が迷路状に複雑化し
、このような迷路に沿って真空引きした場合には効率の
良い真空引きが実現できない。特に、この種の装置では
回転機構が反応生成物等によって汚染されることを防止
するために、被処理体が配置される部屋とは保護カバー
などによって仕切られることがあり、被排気部の迷路化
がより促進されることになる。このため、特に回転機構
付近の被排気部が所定真空度に達するまでの立ち上げ時
間を長く要していた。
そこで1本発明の目的とするところは、真空処理室内部
に回転機構を有し、たとえこの回転機構が複雑化しても
、この複雑化した回転機構付近の複雑経路の被排気部の
真空引きを効率良〈実施し、もって処理終了後の真空引
き立ち上げ時間を短縮することで装置の稼動率を高め、
スループットを向上することができる真空処理装置を提
供することにある。
に回転機構を有し、たとえこの回転機構が複雑化しても
、この複雑化した回転機構付近の複雑経路の被排気部の
真空引きを効率良〈実施し、もって処理終了後の真空引
き立ち上げ時間を短縮することで装置の稼動率を高め、
スループットを向上することができる真空処理装置を提
供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は、真空ポートを介して真空引き可能な真空処理
容器内に、被回転駆動部を回転駆動する回転機構を配置
して成る真空処理装置において、上記真空処理容器の回
転機構付近に連結耐直され、この回転機構付近の複雑な
連通経路の被排気部を真空引きする予備真空ポートを設
けた構成としている。
容器内に、被回転駆動部を回転駆動する回転機構を配置
して成る真空処理装置において、上記真空処理容器の回
転機構付近に連結耐直され、この回転機構付近の複雑な
連通経路の被排気部を真空引きする予備真空ポートを設
けた構成としている。
(作用)
上記構成によれば、真空処理室の大部分の領域は従来通
りメインの真空ポートを介して真空弓きすることになる
が、他の領域すなわち回転機構付近の複雑な被排気部に
ついては、その近傍に配設した予備真空ポートを介して
真空引きを実現できる。この際、回転機構付近の被排気
部は、メインの真空ポートまでの排気経路距離よりも予
備真空ポートまでの排気経路距離が大幅に短くなるため
、効率の良い排気を実現でき、真空処理室全域を所定真
空度に設定するための立ち上げ時間を大幅に短縮できる
。
りメインの真空ポートを介して真空弓きすることになる
が、他の領域すなわち回転機構付近の複雑な被排気部に
ついては、その近傍に配設した予備真空ポートを介して
真空引きを実現できる。この際、回転機構付近の被排気
部は、メインの真空ポートまでの排気経路距離よりも予
備真空ポートまでの排気経路距離が大幅に短くなるため
、効率の良い排気を実現でき、真空処理室全域を所定真
空度に設定するための立ち上げ時間を大幅に短縮できる
。
(実施例)
以下1本発明を工業用蒸着装置に適用した一実施例につ
いて、図面を参照して具体的に説明する。
いて、図面を参照して具体的に説明する。
この蒸着装置は、第4図に示すように、背面側に後述す
る排気系及び回転機構系を有する筐体IOを有し、この
筐体10に対してレール12.12を介して図示矢印A
方向に移動可能なチャンバー14が設けられている。そ
して、このチャンバー14の内部空間が蒸着処理室14
aとして構成される。 この蒸着処理室14aの底面側
には、蒸着物質を収容したポート(図示せず)が配置さ
れ、さらにこのポートを加熱するための加熱源が配置さ
れている。
る排気系及び回転機構系を有する筐体IOを有し、この
筐体10に対してレール12.12を介して図示矢印A
方向に移動可能なチャンバー14が設けられている。そ
して、このチャンバー14の内部空間が蒸着処理室14
aとして構成される。 この蒸着処理室14aの底面側
には、蒸着物質を収容したポート(図示せず)が配置さ
れ、さらにこのポートを加熱するための加熱源が配置さ
れている。
前記筐体10には円板状のベースプレート16が設けら
れ、このベースプレート16の上側領域には例えば直径
500+mのメイン真空ポート18が配置されている。
れ、このベースプレート16の上側領域には例えば直径
500+mのメイン真空ポート18が配置されている。
そして、チャンバー14の端面がベースプレート16に
当接された後に、上記メイン真空ポート18を介してチ
ャンバ−14内部を真空引き可能としている。
当接された後に、上記メイン真空ポート18を介してチ
ャンバ−14内部を真空引き可能としている。
前記ベースプレート16の下側領域の左右にはフランジ
55.55が設けられている。この各フランジ55には
1例えば2〜20本の被蒸着物支持軸20が配置され、
この各被蒸着物支持軸20を一体的に同図の矢印B方向
に公転駆動可能とし、かつ、各被蒸着物支持軸20を同
図の矢印C方向に自転駆動可能としている。尚、前記被
蒸着物支持軸20は、例えば直径20〜200+amで
あり、長さ1〜4mで構成され、例えば長さ10〜50
c+mの被蒸着物を1本の被蒸着物支持軸20に2〜4
0個挿入支持可能であり、2〜20本の被蒸着物支持軸
20を2組配置したこの蒸着装置では、1度の処理8〜
1600個の被蒸着物をバッチ処理可能としている6 」二記蒸着処理室Lia内での蒸着処理は以下の手順で
実施される。まず、蒸着処理室14a内部を分子流領域
例えばI X 10−’Torr程度に真空引きしてお
き、被蒸着物支持軸20の下方に配置したボート内の蒸
着物質などを200℃〜600℃に加熱する。そうする
と、直進して被蒸着物表面に付着することになる。二九
を、被蒸着物を公転、自転駆動しながら行うことで、被
蒸着物のドラム表面に均一な蒸着膜を形成することが可
能となる。なお、被処理体である被蒸着物自体を例えば
50〜300℃程度に加熱し、より均一な膜付けと膜質
の向上を図ることも可能である。
55.55が設けられている。この各フランジ55には
1例えば2〜20本の被蒸着物支持軸20が配置され、
この各被蒸着物支持軸20を一体的に同図の矢印B方向
に公転駆動可能とし、かつ、各被蒸着物支持軸20を同
図の矢印C方向に自転駆動可能としている。尚、前記被
蒸着物支持軸20は、例えば直径20〜200+amで
あり、長さ1〜4mで構成され、例えば長さ10〜50
c+mの被蒸着物を1本の被蒸着物支持軸20に2〜4
0個挿入支持可能であり、2〜20本の被蒸着物支持軸
20を2組配置したこの蒸着装置では、1度の処理8〜
1600個の被蒸着物をバッチ処理可能としている6 」二記蒸着処理室Lia内での蒸着処理は以下の手順で
実施される。まず、蒸着処理室14a内部を分子流領域
例えばI X 10−’Torr程度に真空引きしてお
き、被蒸着物支持軸20の下方に配置したボート内の蒸
着物質などを200℃〜600℃に加熱する。そうする
と、直進して被蒸着物表面に付着することになる。二九
を、被蒸着物を公転、自転駆動しながら行うことで、被
蒸着物のドラム表面に均一な蒸着膜を形成することが可
能となる。なお、被処理体である被蒸着物自体を例えば
50〜300℃程度に加熱し、より均一な膜付けと膜質
の向上を図ることも可能である。
次に、前記筐体10の背面側に配置され、前記被蒸着物
支持軸20を公転駆動し、かつ自転駆動するための回転
機構及びその周辺の被排気部の排気系について、第1図
、第2図を参照して説明する。
支持軸20を公転駆動し、かつ自転駆動するための回転
機構及びその周辺の被排気部の排気系について、第1図
、第2図を参照して説明する。
この回転機構を固定するために、筒状のハウジング22
が設けられ、このハウジング22は前記ベースプレート
16にねじ止め固定され、かつ、前記フランジ55をそ
の開口端側に固定している。このハウジング22の周面
上の1、箇所には排気孔22aが形成され、この排気孔
22aに予備真空ボート24のフランジがねじ止め固定
されている。主、この予備真空ボート24の内径は、例
えば100mmとなっている。
が設けられ、このハウジング22は前記ベースプレート
16にねじ止め固定され、かつ、前記フランジ55をそ
の開口端側に固定している。このハウジング22の周面
上の1、箇所には排気孔22aが形成され、この排気孔
22aに予備真空ボート24のフランジがねじ止め固定
されている。主、この予備真空ボート24の内径は、例
えば100mmとなっている。
このハウジング22内部には、公転駆動用筒体26が配
置されている。この公転駆動用筒体26の周面には、そ
の外壁より内壁に貫通する連通孔26aが多数形成され
ている。そして、この公転駆動用筒体26は、前記ハウ
ジング22に対して公転用ベアリング28を介して回転
自在に支持されており、かつ。
置されている。この公転駆動用筒体26の周面には、そ
の外壁より内壁に貫通する連通孔26aが多数形成され
ている。そして、この公転駆動用筒体26は、前記ハウ
ジング22に対して公転用ベアリング28を介して回転
自在に支持されており、かつ。
公転軸27をその一端側に固着している。また、前記ハ
ウジング22と公転駆動用筒体26との間には、例えば
磁性流体やエラストマー等を充填することで構成される
公転部シール材30が配置され、第1図において公転部
シール材30よりも上方領域が真空領域として確保され
るようになっている。
ウジング22と公転駆動用筒体26との間には、例えば
磁性流体やエラストマー等を充填することで構成される
公転部シール材30が配置され、第1図において公転部
シール材30よりも上方領域が真空領域として確保され
るようになっている。
前記公転駆動用筒体26には、自転軸支持用筒体32が
固着されている。この自転軸支持用筒体32は、第4図
に示す2〜20本の被蒸着物支持軸20に対応して、第
2図に示すように前記公転駆動用筒体26の円周方向に
沿って等間隔にて2〜20カ所に配置されている。この
各自転軸支持用筒体32の内部には、自転軸34が挿通
支持され、その一端は前記被蒸着物支持軸20にねじ止
め固定されている。この自転軸34は、前記自転軸支持
用筒体32に対して自転用ベアリング36を介して回転
可能に支持されており、かつ、磁性流体やエラストマー
等の自転部シール材38により第1図の下側領域にて真
空シールされている。
固着されている。この自転軸支持用筒体32は、第4図
に示す2〜20本の被蒸着物支持軸20に対応して、第
2図に示すように前記公転駆動用筒体26の円周方向に
沿って等間隔にて2〜20カ所に配置されている。この
各自転軸支持用筒体32の内部には、自転軸34が挿通
支持され、その一端は前記被蒸着物支持軸20にねじ止
め固定されている。この自転軸34は、前記自転軸支持
用筒体32に対して自転用ベアリング36を介して回転
可能に支持されており、かつ、磁性流体やエラストマー
等の自転部シール材38により第1図の下側領域にて真
空シールされている。
上記回転機構がフランジ55よりチャンバー14側に突
出する領域では、蒸着物の回り込みによってこれらが汚
染される可能性がある。そこで、本実施例装置では第1
図に示すような汚染保護カバーを設けている。第1の汚
染保護カバー40は、自転軸34及び自転軸支持用筒体
32の周面とフランジ55の表面を覆うものであり、特
に、自転用ベアリング36を蒸着物から保護するための
ものである。第2の汚染保護カバー42は、前記第1の
汚染保護カバー40の外側を覆い、さらにその汚染保護
領域を被蒸着物支持軸20と自転軸34の連結部付近ま
で拡大したものである。第3の汚染保護カバー44は、
前記フランジ55の表面付近にて重合配置される前記第
1.第2の保護カバー40.42を覆い、かつ、フラン
ジ55とハウジング22との連結部及びハウジング22
とベースプレート16の連結部とを覆うように配置され
ている。これら各種保護カバー40.42゜44は、各
保護領域を確保できるように適宜ねじ止め固定されてい
る。
出する領域では、蒸着物の回り込みによってこれらが汚
染される可能性がある。そこで、本実施例装置では第1
図に示すような汚染保護カバーを設けている。第1の汚
染保護カバー40は、自転軸34及び自転軸支持用筒体
32の周面とフランジ55の表面を覆うものであり、特
に、自転用ベアリング36を蒸着物から保護するための
ものである。第2の汚染保護カバー42は、前記第1の
汚染保護カバー40の外側を覆い、さらにその汚染保護
領域を被蒸着物支持軸20と自転軸34の連結部付近ま
で拡大したものである。第3の汚染保護カバー44は、
前記フランジ55の表面付近にて重合配置される前記第
1.第2の保護カバー40.42を覆い、かつ、フラン
ジ55とハウジング22との連結部及びハウジング22
とベースプレート16の連結部とを覆うように配置され
ている。これら各種保護カバー40.42゜44は、各
保護領域を確保できるように適宜ねじ止め固定されてい
る。
本実施例装置では、ベースプレート16にチャンバー1
4が密着することでチャンバー14内に形成される蒸着
処理室14aを真空引きすることはもちろんであるが、
フランジ55の背面側も前記蒸着室14aに連通してい
るので、 このフランジ55の背面側の被排気部をも真
空引きする必要がある。このフランジ55の背面側の被
排気部について説明すると、ハウジング22と公転駆動
用筒体26との間に被排気部50が形成され、かつ、こ
の被排気部50と前記公転駆動用筒体26の連通孔26
aを介して連通され、前記公転駆動用筒体26内部に形
成される被排気部52が存在する。
4が密着することでチャンバー14内に形成される蒸着
処理室14aを真空引きすることはもちろんであるが、
フランジ55の背面側も前記蒸着室14aに連通してい
るので、 このフランジ55の背面側の被排気部をも真
空引きする必要がある。このフランジ55の背面側の被
排気部について説明すると、ハウジング22と公転駆動
用筒体26との間に被排気部50が形成され、かつ、こ
の被排気部50と前記公転駆動用筒体26の連通孔26
aを介して連通され、前記公転駆動用筒体26内部に形
成される被排気部52が存在する。
また、保護カバー内の被排気部58は、フランジ55の
継目領域を介して、前記ハウジング22の内側の被排気
部50に連通している。また、保護カバー内部に存在す
る前記被排気部58は、保護カバー40゜42、44の
合せ目を介して蒸着処理室14a内の被排気部に連通し
ている。
継目領域を介して、前記ハウジング22の内側の被排気
部50に連通している。また、保護カバー内部に存在す
る前記被排気部58は、保護カバー40゜42、44の
合せ目を介して蒸着処理室14a内の被排気部に連通し
ている。
上述したように、回転機構付近に形成される各種被排気
部50〜58は、複雑な迷路状をなしており、これら各
被排気部をメイン真空ポート18のみによって真空引き
すると、チャンバー14を開放した後の大気圧状態から
、チャンバー14を閉鎖した後にlX1f)’″’ T
orr程度の真空度に到達するまでの荒引きの立上がり
時間が極めて増大してしまう。
部50〜58は、複雑な迷路状をなしており、これら各
被排気部をメイン真空ポート18のみによって真空引き
すると、チャンバー14を開放した後の大気圧状態から
、チャンバー14を閉鎖した後にlX1f)’″’ T
orr程度の真空度に到達するまでの荒引きの立上がり
時間が極めて増大してしまう。
そこで、本実施例装置では、前記ハウジング22の周面
に形成した排気孔22aに前記予備真空ボート24を連
結し、この迷路状の被排気部の近傍にて真空引きを可能
としている。また、公転駆動用筒体26の周面に、前記
予備真空ボート24までの排気経路距離を短くするため
の前記連通孔26aを形成している。
に形成した排気孔22aに前記予備真空ボート24を連
結し、この迷路状の被排気部の近傍にて真空引きを可能
としている。また、公転駆動用筒体26の周面に、前記
予備真空ボート24までの排気経路距離を短くするため
の前記連通孔26aを形成している。
次に、前記メイン真空ポート18及び2つの予備真空ボ
ート24(2つのフランジ55に対応している)を介し
ての排気系の構成について第3図を参照して説明する。
ート24(2つのフランジ55に対応している)を介し
ての排気系の構成について第3図を参照して説明する。
前記メイン真空ポート18には、内径500mmの主排
気管60が連結されている。この主排気管60の配管経
路途中には、第1のバルブVl、主ポンプとしての拡散
ポンプDP、第2のバルブv2がそれぞれ接続され、そ
の末端側にロータリポンプRPがそれぞれ連結されてい
る。さらに、前記主排気管60の第1のバルブ■1の前
段側と第2のバルブv2の後段側とをバイパスして連結
するように荒引き排気管62が配置されている。この荒
引き排気管62は例えば内径150mmにて構成され、
その配管途中には第3のバルブv3及びメカニカルブ
ースターポンプMBPがそれぞれ連結されている。また
、前記メカニカルブースターポンプMBPのバイパス経
路としてのバイパス管64が連結され、このバイパス管
64途中には第4のバルブv4が連結されている。
気管60が連結されている。この主排気管60の配管経
路途中には、第1のバルブVl、主ポンプとしての拡散
ポンプDP、第2のバルブv2がそれぞれ接続され、そ
の末端側にロータリポンプRPがそれぞれ連結されてい
る。さらに、前記主排気管60の第1のバルブ■1の前
段側と第2のバルブv2の後段側とをバイパスして連結
するように荒引き排気管62が配置されている。この荒
引き排気管62は例えば内径150mmにて構成され、
その配管途中には第3のバルブv3及びメカニカルブ
ースターポンプMBPがそれぞれ連結されている。また
、前記メカニカルブースターポンプMBPのバイパス経
路としてのバイパス管64が連結され、このバイパス管
64途中には第4のバルブv4が連結されている。
そして、チャンバ−14内部の蒸着処理室14a内部を
大気圧状態より約10Torr程度の真空度にするため
の荒引きは、第3.第4のバルブV3.V4のみをオー
プンとし、第3図に示す排気経路R3に沿って真空引き
を行う、この理由は、約10Torr以上の圧力状態に
てメカニカルブースターポンプMBPを使用すると、こ
れが破損してしまう可能性が高いからである。蒸着処理
室14を約10TorrよりI X 10−’Torr
程度まで荒引きする際には、第3のバルブv3のみをオ
ープンとし、メカニカルブースターポンプMBPを使用
しての排気経路R2に沿って真空引きを行う。そして、
前記蒸着処理室14aをI X 10−’Torr以下
の高真空度とするためには、第1.第2のバルブVl、
V2のみをオープンとし、同図に示す排気経路R1に沿
って真空引きを行う。
大気圧状態より約10Torr程度の真空度にするため
の荒引きは、第3.第4のバルブV3.V4のみをオー
プンとし、第3図に示す排気経路R3に沿って真空引き
を行う、この理由は、約10Torr以上の圧力状態に
てメカニカルブースターポンプMBPを使用すると、こ
れが破損してしまう可能性が高いからである。蒸着処理
室14を約10TorrよりI X 10−’Torr
程度まで荒引きする際には、第3のバルブv3のみをオ
ープンとし、メカニカルブースターポンプMBPを使用
しての排気経路R2に沿って真空引きを行う。そして、
前記蒸着処理室14aをI X 10−’Torr以下
の高真空度とするためには、第1.第2のバルブVl、
V2のみをオープンとし、同図に示す排気経路R1に沿
って真空引きを行う。
一方、蒸着処理室14aでの蒸着処理が終了し。
チャンバー14を開放する以前に、チャンバ−14内部
での圧力状態を大気圧とする必要がある。そこで、前記
主排気管60途中にはリーク管66が連結され、クリー
ンエリア70内部に配置された前記リーク管66の開口
端にはフィルター72が配置され、かつ、そのリーク管
66途中には第5のバルブ■5が接続されている。そし
て、クリーンエリア70内部の空気をリーク経路R4に
沿ってチャンバ−14内部に供給可能としている。
での圧力状態を大気圧とする必要がある。そこで、前記
主排気管60途中にはリーク管66が連結され、クリー
ンエリア70内部に配置された前記リーク管66の開口
端にはフィルター72が配置され、かつ、そのリーク管
66途中には第5のバルブ■5が接続されている。そし
て、クリーンエリア70内部の空気をリーク経路R4に
沿ってチャンバ−14内部に供給可能としている。
本実施例装置では、2つの予備真空ボート24が配置さ
れているので、予備ポート排気管68の一端が上記各予
備真空ボート24に連結され、その他端側は前記主排気
管60に接続されている。そして、この予備ボート排気
管68途中に第6のバルブ■6を接続している。この第
6のバルブ■6は、チャンバ−14内部を荒引き、高真
空引きする際にオープンとされ、チャンバ−14内部を
大気圧状態とする際にはクローズとされる。尚、チャン
バ−14内部にて蒸着処理が開始された際にこのバルブ
v6をクローズとして、蒸着物が回転機構付近に回り込
むことを低減するようにしてもよい。
れているので、予備ポート排気管68の一端が上記各予
備真空ボート24に連結され、その他端側は前記主排気
管60に接続されている。そして、この予備ボート排気
管68途中に第6のバルブ■6を接続している。この第
6のバルブ■6は、チャンバ−14内部を荒引き、高真
空引きする際にオープンとされ、チャンバ−14内部を
大気圧状態とする際にはクローズとされる。尚、チャン
バ−14内部にて蒸着処理が開始された際にこのバルブ
v6をクローズとして、蒸着物が回転機構付近に回り込
むことを低減するようにしてもよい。
次に、作用について説明する。
このバッチ処理は下記の手順に従って実行される。
チャンバー14の閉鎖→チャンバー14内部の荒引き→
チャンバー14内部の高真空引き→蒸着源の加熱→蒸着
プロセス→冷却→チャンバー14内部へのり−ク→チャ
ンバー14の開放→被蒸着物の交換上記のように、この
蒸着処理装置では1パツチ処理毎にチャンバー14を開
放して被蒸着物の交換を行い、その後チャンバー14を
閉鎖後に大気圧から所定真空度に達するまでの荒引きを
行わなければならない。そして、従来は、チャンバ−1
4内部が所定真空度に達するまでの真空引き立上げ時間
が長く、バッチ処理のスループットが大幅に低下してい
た。この理由は、フランジ55背面側の回転機構周囲の
被排気部をも、メイン真空ポート18のみによって真空
引きしなければならなかったからである。
チャンバー14内部の高真空引き→蒸着源の加熱→蒸着
プロセス→冷却→チャンバー14内部へのり−ク→チャ
ンバー14の開放→被蒸着物の交換上記のように、この
蒸着処理装置では1パツチ処理毎にチャンバー14を開
放して被蒸着物の交換を行い、その後チャンバー14を
閉鎖後に大気圧から所定真空度に達するまでの荒引きを
行わなければならない。そして、従来は、チャンバ−1
4内部が所定真空度に達するまでの真空引き立上げ時間
が長く、バッチ処理のスループットが大幅に低下してい
た。この理由は、フランジ55背面側の回転機構周囲の
被排気部をも、メイン真空ポート18のみによって真空
引きしなければならなかったからである。
本実施例装置では、この複雑な迷路状の被排気部を有す
る回転機構部周辺の真空引きを、主に予備真空ポート2
4を介して行っている。特に、ハウジング22と公転駆
動用筒体26との間の被排気部5o、及びこの被排気部
50と公転駆動用筒体26の連通孔26aを介して連通
される公転駆動用筒体26内部の被排気部52が、予備
真空ポート24によって効率よく真空引き可能となるの
で、この領域の真空引きを速かに実施することが可能と
なる。また、各汚染保護カバー40.42.44内部の
被排気部58は、フランジ55内部を介して前記被排気
部5oに連通されているので、この汚染保護カバー内の
前記被排気部58の真空引きを、メイン真空ボート18
と併せて前記予備真空ポート24を介して真空引きでき
るので、荒引き時間を短縮することが可能となる。
る回転機構部周辺の真空引きを、主に予備真空ポート2
4を介して行っている。特に、ハウジング22と公転駆
動用筒体26との間の被排気部5o、及びこの被排気部
50と公転駆動用筒体26の連通孔26aを介して連通
される公転駆動用筒体26内部の被排気部52が、予備
真空ポート24によって効率よく真空引き可能となるの
で、この領域の真空引きを速かに実施することが可能と
なる。また、各汚染保護カバー40.42.44内部の
被排気部58は、フランジ55内部を介して前記被排気
部5oに連通されているので、この汚染保護カバー内の
前記被排気部58の真空引きを、メイン真空ボート18
と併せて前記予備真空ポート24を介して真空引きでき
るので、荒引き時間を短縮することが可能となる。
もし、このような迷路状の被排気部50〜58全域を、
メイン真空ボート18を介してのみ実施すれば、汚染保
護カバー40.42.44の合せ目を介して真空引きし
なければ成らず、著しく効率の悪い排気とならざるを得
ない、特に、蒸着物の回り込みをより低減するためには
、汚染保護カバー40.42.44間のクリアランスを
狭くする必要があるので、よす効率の悪い排気となって
しまう。
メイン真空ボート18を介してのみ実施すれば、汚染保
護カバー40.42.44の合せ目を介して真空引きし
なければ成らず、著しく効率の悪い排気とならざるを得
ない、特に、蒸着物の回り込みをより低減するためには
、汚染保護カバー40.42.44間のクリアランスを
狭くする必要があるので、よす効率の悪い排気となって
しまう。
このように、予備真空ポート24を配設して真空引きを
実施することにより、例えば10m3の容量を有するチ
ャンバ−14内部及び回転機構付近の被排気部IXI〇
−” Torrに真空引きするのに要した時間を5程度
度に短縮でき、従来この数倍以上の時間を要していたも
のと比較すれば、各バッチ処理毎の立ち上げ時間を大幅
に短縮できたことが理解される。
実施することにより、例えば10m3の容量を有するチ
ャンバ−14内部及び回転機構付近の被排気部IXI〇
−” Torrに真空引きするのに要した時間を5程度
度に短縮でき、従来この数倍以上の時間を要していたも
のと比較すれば、各バッチ処理毎の立ち上げ時間を大幅
に短縮できたことが理解される。
特に、本実施例装置のように1つのフランジ55に2〜
20本もの被蒸着物支持軸20を支持し、これを自転及
び公転駆動する場合には、この自転、公転駆動のための
複雑な機構により被排気部の連通経路が複雑な迷路形状
となってしまう、今後は。
20本もの被蒸着物支持軸20を支持し、これを自転及
び公転駆動する場合には、この自転、公転駆動のための
複雑な機構により被排気部の連通経路が複雑な迷路形状
となってしまう、今後は。
スループットの向上のためにさらに多軸化が進むので、
この種の回転機構付近の被排気部の真空引きに要する時
間が増大するものと予想される。このため、特にチャン
バ−14内部の真空引きを行うためのメイン真空ポート
18以外に、この多軸化した回転機構部周囲の真空引き
をになう予備真空ポート24を配設する効果はますます
増大するものと予想される。
この種の回転機構付近の被排気部の真空引きに要する時
間が増大するものと予想される。このため、特にチャン
バ−14内部の真空引きを行うためのメイン真空ポート
18以外に、この多軸化した回転機構部周囲の真空引き
をになう予備真空ポート24を配設する効果はますます
増大するものと予想される。
尚1本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施可能である。
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施可能である。
上記実施例では本発明を蒸着処理装置に適用したもので
あったが1本発明は真空処理室内部にて回転機構を有す
る他の種々の真空処理装置に適用できる。この種の装置
としては、被処理体を真空処理室内部にて回転駆動する
機構を有するイオンブレーティング装置あるいはCVD
装置等を挙げることができる。
あったが1本発明は真空処理室内部にて回転機構を有す
る他の種々の真空処理装置に適用できる。この種の装置
としては、被処理体を真空処理室内部にて回転駆動する
機構を有するイオンブレーティング装置あるいはCVD
装置等を挙げることができる。
また、@伝機構としては被回転駆動体を自転及び公転駆
動するものに限らず、そのいずれか一方の回転駆動を行
うものであってもよく、また被回転駆動物としては被処
理体に限らず、真空処理室内部に配置される電極等であ
ってもよい。
動するものに限らず、そのいずれか一方の回転駆動を行
うものであってもよく、また被回転駆動物としては被処
理体に限らず、真空処理室内部に配置される電極等であ
ってもよい。
以上説明したように本発明によれば、回転駆動部を有す
る真空処理室の真空引きを行うに際して、複雑な迷路形
状を形成する回転機構部付近の被排気部を、予備真空ポ
ートを介して真空引きすることができるので、真空処理
室内部を所定真空度に設定するための真空引き立上がり
時間を大幅に短縮でき、この結果処理するスループット
を向上することが可能となる。
る真空処理室の真空引きを行うに際して、複雑な迷路形
状を形成する回転機構部付近の被排気部を、予備真空ポ
ートを介して真空引きすることができるので、真空処理
室内部を所定真空度に設定するための真空引き立上がり
時間を大幅に短縮でき、この結果処理するスループット
を向上することが可能となる。
第1図は、本発明を適用した蒸着装置の回転機構部及び
その排気系を説明するための概略断面図、第2図は、被
処理体の公転駆動部及び自動駆動部の横断面図、第3図
はメイン真空ボート及び予備真空ポートの排気経路を説
明するための概略説明図、第4図は、蒸着装置の外観構
成を説明するための概略斜視図である。 14・・・チャンバー 14a・・・真空処理室(蒸着処理室)。 18・・・メイン真空ボート、 20・・・被蒸着物支
持軸、24・・・予備真空ポート、 26a・・・連
通孔、27・・・公転軸、 34・・・自転
軸。 40、42.44・・・汚染保護カバー50〜58・・
・被排気部。 60・・・主排気管、 68・・・予備ポート排気管。
その排気系を説明するための概略断面図、第2図は、被
処理体の公転駆動部及び自動駆動部の横断面図、第3図
はメイン真空ボート及び予備真空ポートの排気経路を説
明するための概略説明図、第4図は、蒸着装置の外観構
成を説明するための概略斜視図である。 14・・・チャンバー 14a・・・真空処理室(蒸着処理室)。 18・・・メイン真空ボート、 20・・・被蒸着物支
持軸、24・・・予備真空ポート、 26a・・・連
通孔、27・・・公転軸、 34・・・自転
軸。 40、42.44・・・汚染保護カバー50〜58・・
・被排気部。 60・・・主排気管、 68・・・予備ポート排気管。
Claims (2)
- (1)真空ポートを介して真空引き可能な真空処理容器
内に、被回転駆動部を回転駆動する回転機構を配置して
成る真空処理装置において、上記真空処理容器の回転機
構付近に連結配置され、この回転機構付近の複雑な連通
経路の被排気部を真空引きする予備真空ポートを設けた
ことを特徴とする真空処理装置。 - (2)回転機構付近の被排気部を仕切る壁面に、上記予
備真空ポートへの排気経路距離を短くする連通孔を形成
した請求項(1)に記載の真空処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-158502 | 1989-06-20 | ||
JP15850289 | 1989-06-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03111575A true JPH03111575A (ja) | 1991-05-13 |
JP2971525B2 JP2971525B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=15673140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2157144A Expired - Fee Related JP2971525B2 (ja) | 1989-06-20 | 1990-06-15 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2971525B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006502452A (ja) * | 2002-08-15 | 2006-01-19 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 光ファイバ・コイルの湿分遮断シーリング |
JP2007094163A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sato Corp | ラベル |
WO2010019218A3 (en) * | 2008-08-11 | 2010-06-10 | Veeco Instruments Inc. | Electrical contacts for use with vacuum deposition sources |
US9062369B2 (en) | 2009-03-25 | 2015-06-23 | Veeco Instruments, Inc. | Deposition of high vapor pressure materials |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2157144A patent/JP2971525B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006502452A (ja) * | 2002-08-15 | 2006-01-19 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 光ファイバ・コイルの湿分遮断シーリング |
JP2007094163A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sato Corp | ラベル |
JP4675201B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-04-20 | 株式会社サトー | ラベル |
WO2010019218A3 (en) * | 2008-08-11 | 2010-06-10 | Veeco Instruments Inc. | Electrical contacts for use with vacuum deposition sources |
US8871027B2 (en) | 2008-08-11 | 2014-10-28 | Veeco Instruments Inc. | Electrical contacts for use with vacuum deposition sources |
US9062369B2 (en) | 2009-03-25 | 2015-06-23 | Veeco Instruments, Inc. | Deposition of high vapor pressure materials |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2971525B2 (ja) | 1999-11-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |