JPH0311113B2 - - Google Patents
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- JPH0311113B2 JPH0311113B2 JP59212667A JP21266784A JPH0311113B2 JP H0311113 B2 JPH0311113 B2 JP H0311113B2 JP 59212667 A JP59212667 A JP 59212667A JP 21266784 A JP21266784 A JP 21266784A JP H0311113 B2 JPH0311113 B2 JP H0311113B2
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 77
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
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-
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/0385—Shape
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光3原色を同時に発振できるホロー
陰極型金属イオンレーザに関し、特に、発振開始
までの立ち上りを良くし、また金属溜のレーザ活
性用金属(金属イオン発生材料)を長時間にわた
り有効に蒸気化して利用するとともに、ホロー陰
極内で生じたスパツタリング生成物を陰極外に放
出し、絶えず陰極内面をクリーニングし、そのレ
ーザ出力光の安定化とレーザ管の長寿命化を可能
としたホロー陰極型金属イオンレーザに関する。
陰極型金属イオンレーザに関し、特に、発振開始
までの立ち上りを良くし、また金属溜のレーザ活
性用金属(金属イオン発生材料)を長時間にわた
り有効に蒸気化して利用するとともに、ホロー陰
極内で生じたスパツタリング生成物を陰極外に放
出し、絶えず陰極内面をクリーニングし、そのレ
ーザ出力光の安定化とレーザ管の長寿命化を可能
としたホロー陰極型金属イオンレーザに関する。
従来の技術
近年、ホロー陰極放電を用いた金属イオンレー
ザが種々提案されている。この種のレーザは、そ
の励起の強さから多色発振が可能で、現在のとこ
ろたとえばHe−Cdイオンレーザでは12本の発振
線が観測されており、その中には光3原色の赤・
青・緑が含まれているが、いまだ実用の域に達し
ていない。
ザが種々提案されている。この種のレーザは、そ
の励起の強さから多色発振が可能で、現在のとこ
ろたとえばHe−Cdイオンレーザでは12本の発振
線が観測されており、その中には光3原色の赤・
青・緑が含まれているが、いまだ実用の域に達し
ていない。
本発明が解決しようとする問題点
その原因としては、ホロー陰極材料が放電によ
つてスパツタリングし、その金属が再び陰極内面
に蓄積するとき、局部的にボアの内径を狭めた
り、電気絶縁物の表面に付着して、その電気特性
を劣化させることにある。
つてスパツタリングし、その金属が再び陰極内面
に蓄積するとき、局部的にボアの内径を狭めた
り、電気絶縁物の表面に付着して、その電気特性
を劣化させることにある。
また今までの多くの提案のように、金属溜を陰
極電極内の一部の空間に組み込むと、電極と金属
溜の焼き出しを別々に行なうことができず、金属
溜の中からレーザ活性用金属の蒸気が生じ、充分
に電極をクリーニングすることができない。さら
にレーザ出力を増すために、放電電流を増加する
と、金属溜の温度も上昇し、その蒸気圧を最適に
保つことがむずかしい。また構造上、ホロー陰極
材の厚みが大きく複雑な構造で熱容量が大きい
と、レーザ発振動作までの立ち上りに時間がかか
り、実用上好ましくないなどの多くの問題点があ
る。
極電極内の一部の空間に組み込むと、電極と金属
溜の焼き出しを別々に行なうことができず、金属
溜の中からレーザ活性用金属の蒸気が生じ、充分
に電極をクリーニングすることができない。さら
にレーザ出力を増すために、放電電流を増加する
と、金属溜の温度も上昇し、その蒸気圧を最適に
保つことがむずかしい。また構造上、ホロー陰極
材の厚みが大きく複雑な構造で熱容量が大きい
と、レーザ発振動作までの立ち上りに時間がかか
り、実用上好ましくないなどの多くの問題点があ
る。
発明の目的
この発明は、上記の問題点を鑑みなされたもの
で、放電によつて発生したスパツタ生成物をホロ
ー陰極外に蓄積させ、陰極ボア内に、最適な圧力
の金属蒸気を送り込むことができ、金属蒸気が陽
極に付着せず、単純な構造ながら長時間にわたつ
て安定なレーザ動作が確保できるホロー陰極型金
属イオンレーザを提供することを目的とする。
で、放電によつて発生したスパツタ生成物をホロ
ー陰極外に蓄積させ、陰極ボア内に、最適な圧力
の金属蒸気を送り込むことができ、金属蒸気が陽
極に付着せず、単純な構造ながら長時間にわたつ
て安定なレーザ動作が確保できるホロー陰極型金
属イオンレーザを提供することを目的とする。
発明の要旨
したがつて、この目的を達成するためにこの発
明は、特許請求の範囲に記載のホロー陰極型金属
イオンレーザを要旨としている。
明は、特許請求の範囲に記載のホロー陰極型金属
イオンレーザを要旨としている。
問題点を解決するための手段
第1図と第2図を参照する。
導電性パイプのホロー陰極3の側面には金属蒸
気を送り込む複数の穴4が設けられている。
気を送り込む複数の穴4が設けられている。
ガス(実施例ではHeガス)を封入した外囲器
(実施例ではレーザ管1)には、レーザ活性用金
属(実施例ではCd)を収容する複数の金属溜7
が設けられている。各金属溜7は各穴4に対応し
て配置され、各穴4の付近には陽極(実施例では
主陽極5)と陽極の放電空間11が配置されてい
る。
(実施例ではレーザ管1)には、レーザ活性用金
属(実施例ではCd)を収容する複数の金属溜7
が設けられている。各金属溜7は各穴4に対応し
て配置され、各穴4の付近には陽極(実施例では
主陽極5)と陽極の放電空間11が配置されてい
る。
各金属溜7と放電空間11は外部より追加的に
加熱可能となつている。(実施例ではヒータ9を
用いている) 陽極と放電空間11は次のようなことが達成で
きるように配置されている。つまり金属溜7と放
電空間11の加熱により金属蒸気を生じさせて、
放電空間11における各陽極の陽光柱放電による
電気泳動効果により、金属蒸気を各金属溜7から
各穴4を通してホロー陰極3内に送り込むように
陽極5と放電空間11が配置されている。
加熱可能となつている。(実施例ではヒータ9を
用いている) 陽極と放電空間11は次のようなことが達成で
きるように配置されている。つまり金属溜7と放
電空間11の加熱により金属蒸気を生じさせて、
放電空間11における各陽極の陽光柱放電による
電気泳動効果により、金属蒸気を各金属溜7から
各穴4を通してホロー陰極3内に送り込むように
陽極5と放電空間11が配置されている。
作 用
放電によつて発生するスパツタ生成膜12をホ
ロー陰極3の外に蓄積させ、金属蒸気は、ヒータ
9による外部からの加熱により温度制御して、陰
極ボア3aに対して放電空間11の陽光柱放電の
電気泳動効果によつて最適の蒸気圧で送り込むこ
とができ、長い時間にわたつて安定なレーザ動作
が確保できる。
ロー陰極3の外に蓄積させ、金属蒸気は、ヒータ
9による外部からの加熱により温度制御して、陰
極ボア3aに対して放電空間11の陽光柱放電の
電気泳動効果によつて最適の蒸気圧で送り込むこ
とができ、長い時間にわたつて安定なレーザ動作
が確保できる。
実施例
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図は本発明に係る金属イオンレーザの第1
の実施例を示す断面図、第2図は同レーザの要部
拡大断面図である。
の実施例を示す断面図、第2図は同レーザの要部
拡大断面図である。
これらの図において1は、Heガスを封入した
レーザ管、2はブリユースタ窓、3はホロー陰
極、4はホロー陰極3の側面の穴、5はレーザ活
性媒質励起用の主陽極、6はブリユースタ窓2の
内面をよごさないように金属蒸気をとじこめるた
めの吹き返し放電用の補助陽極、7はレーザ活性
用金属8の金属溜、9はヒータ、10は保温材、
11は主陽極5の放電空間、12は付着したスパ
ツタ生成膜、13は補助陽極6の電気絶縁物製の
放電通路である。
レーザ管、2はブリユースタ窓、3はホロー陰
極、4はホロー陰極3の側面の穴、5はレーザ活
性媒質励起用の主陽極、6はブリユースタ窓2の
内面をよごさないように金属蒸気をとじこめるた
めの吹き返し放電用の補助陽極、7はレーザ活性
用金属8の金属溜、9はヒータ、10は保温材、
11は主陽極5の放電空間、12は付着したスパ
ツタ生成膜、13は補助陽極6の電気絶縁物製の
放電通路である。
レーザ管1は、たとえばパイレツクスガラス製
であり、ブリユースタ窓2は石英ガラス製であ
る。このレーザ管1の両端部1b,1cはその径
が大きくなつている。たとえばレーザ管1の細径
部1aの内径は、10.8mmで、両端部1b,1cの
内径は、20.0mm、そして細径部1aの外径は14.0
mmに設定してある。
であり、ブリユースタ窓2は石英ガラス製であ
る。このレーザ管1の両端部1b,1cはその径
が大きくなつている。たとえばレーザ管1の細径
部1aの内径は、10.8mmで、両端部1b,1cの
内径は、20.0mm、そして細径部1aの外径は14.0
mmに設定してある。
ホロー陰極3は、たとえばSUS304などの導電
性材料からなるパイプであり、寸法例をあげれば
外径10.0mm、内径4.0mm、軸方向長さ460mmに設定
してある。このホロー陰極3には、所定間隔をお
いて陰極ボア3aに通じる前記穴4が設けてあ
る。実施例では、主陽極5は13本設定され、補助
陽極6は2本であり、ともにたとえばタングステ
ン製である。
性材料からなるパイプであり、寸法例をあげれば
外径10.0mm、内径4.0mm、軸方向長さ460mmに設定
してある。このホロー陰極3には、所定間隔をお
いて陰極ボア3aに通じる前記穴4が設けてあ
る。実施例では、主陽極5は13本設定され、補助
陽極6は2本であり、ともにたとえばタングステ
ン製である。
レーザ活性用金属8は、たとえばCd金属が用
いられる、金属溜7は、絶縁材料たとえばガラス
あるいはセラミツク製である。主陽極5は金属溜
7から穴4付近に配設してある。金属溜7は、レ
ーザ管1の下側に所定間隔(たとえば30mmごと)
に下方に向けて設けられている。前記各穴4は、
この金属溜7の上方に位置されている。
いられる、金属溜7は、絶縁材料たとえばガラス
あるいはセラミツク製である。主陽極5は金属溜
7から穴4付近に配設してある。金属溜7は、レ
ーザ管1の下側に所定間隔(たとえば30mmごと)
に下方に向けて設けられている。前記各穴4は、
この金属溜7の上方に位置されている。
さらに、金属溜7内には、主陽極5の上端をと
りまくように絶縁性の円筒壁7aが設けてある。
この円筒壁7aは、穴4に対向している。20は
陰極給電部である。また、ヒータ9は、放電空間
11の金属溜7を加熱でき、Cd金属が294℃(Cd
蒸気圧Pcd=2.2×10-2Torr)の到達温度にでき
る加熱能力を有しており、図示しない電源と温度
制御装置に接続されている。
りまくように絶縁性の円筒壁7aが設けてある。
この円筒壁7aは、穴4に対向している。20は
陰極給電部である。また、ヒータ9は、放電空間
11の金属溜7を加熱でき、Cd金属が294℃(Cd
蒸気圧Pcd=2.2×10-2Torr)の到達温度にでき
る加熱能力を有しており、図示しない電源と温度
制御装置に接続されている。
さらに、各金属溜7内には、たとえば1gの
Cd金属が溜めてある。保温材10はたとえばガ
ラステープを数回巻いたものである。
Cd金属が溜めてある。保温材10はたとえばガ
ラステープを数回巻いたものである。
なお、主放電、吹き返し放電は、単一直流電源
にて行なう。
にて行なう。
次に、このような構成におけるレーザ動作につ
いて説明する。ここでは、レーザ活性用金属8と
してCd金属を用いたHe−Cdイオンレーザの場合
について説明する。
いて説明する。ここでは、レーザ活性用金属8と
してCd金属を用いたHe−Cdイオンレーザの場合
について説明する。
たとえばHeガス圧を8Torrに設定し、主陽極
5、補助陽極6およびホロー陰極3との間にそれ
ぞれ1KΩの安定化用抵抗を介して所要電圧(た
とえば600V)を印加すると、室温時において放
電電流は、980mA(各ピン当り60mA)である
が、十分蒸気圧が上がつて白色動作する時は660
mA(各ピン当り44mA)になる。その時のレー
ザ管1の到達温度は350℃である。放電させると、
ホロー陰極3の陰極ボア3a内には、負グロー放
電が、さらに放電空間11にはその陽光柱放電が
生ずる。
5、補助陽極6およびホロー陰極3との間にそれ
ぞれ1KΩの安定化用抵抗を介して所要電圧(た
とえば600V)を印加すると、室温時において放
電電流は、980mA(各ピン当り60mA)である
が、十分蒸気圧が上がつて白色動作する時は660
mA(各ピン当り44mA)になる。その時のレー
ザ管1の到達温度は350℃である。放電させると、
ホロー陰極3の陰極ボア3a内には、負グロー放
電が、さらに放電空間11にはその陽光柱放電が
生ずる。
放電開始と同時に金属溜7に巻いたヒータ9に
電流を流し加熱する。しばらくして金属溜7の中
のレーザ活性用金属8(Cd)が蒸気化する。こ
のCd蒸気は放電空間11に生じている陽光柱放
電内の電気泳動効果によつて、ホロー陰極3内に
生じている負グロー放電領域に送り込まれ、この
陰極ボア内で励起されたHe原子やHeイオンとCd
原子が相互作用して、Cdイオンのレベル間に反
転粒子分布を生じ、レーザ発振が開始する。
電流を流し加熱する。しばらくして金属溜7の中
のレーザ活性用金属8(Cd)が蒸気化する。こ
のCd蒸気は放電空間11に生じている陽光柱放
電内の電気泳動効果によつて、ホロー陰極3内に
生じている負グロー放電領域に送り込まれ、この
陰極ボア内で励起されたHe原子やHeイオンとCd
原子が相互作用して、Cdイオンのレベル間に反
転粒子分布を生じ、レーザ発振が開始する。
レーザ発振はまず青色(441.6nm)、次に緑色
(537.8nm)、最後に赤色(636.0nm)が加わり、
この光3原色が同時に揃つて白色光レーザとな
る。
(537.8nm)、最後に赤色(636.0nm)が加わり、
この光3原色が同時に揃つて白色光レーザとな
る。
放電中、ホロー陰極3の内面は、Heイオンや
Cdイオンによつてスパツタされ、そのスパツタ
生成物はホロー陰極3の側面の穴4を通して外部
に放出されて放電空間11の内壁にスパツタ生成
物膜12として付着するが、ホロー陰極3の外で
あるので放電状態には影響を与えない。
Cdイオンによつてスパツタされ、そのスパツタ
生成物はホロー陰極3の側面の穴4を通して外部
に放出されて放電空間11の内壁にスパツタ生成
物膜12として付着するが、ホロー陰極3の外で
あるので放電状態には影響を与えない。
レーザ動作を中止するときは、まず金属溜7の
ヒータ9の電流を切り、放電空間11と金属溜7
の温度をレーザ管1の中で一番低い状態にする
と、陰極ボア3a内のCd蒸気は、すべて元の金
属溜7に戻つてくる。その結果、陰極ボア3a内
はHeガスのみの放電となり、ホロー陰極3の内
面もHeイオンのスパツタリングによつてきれい
になる。このとき、ホロー陰極3はいまだ放電熱
によつて熱せられているため、その幅射熱で主陽
極5の先端部分は焼かれ、Cd膜の付着はなく電
気絶縁は保たれる。なお、ブリユースタ窓2へ
Cd蒸気の拡散を防ぐために、放電通路13内の
電気泳動効果によつて、その蒸気の吹き出しを抑
えている。
ヒータ9の電流を切り、放電空間11と金属溜7
の温度をレーザ管1の中で一番低い状態にする
と、陰極ボア3a内のCd蒸気は、すべて元の金
属溜7に戻つてくる。その結果、陰極ボア3a内
はHeガスのみの放電となり、ホロー陰極3の内
面もHeイオンのスパツタリングによつてきれい
になる。このとき、ホロー陰極3はいまだ放電熱
によつて熱せられているため、その幅射熱で主陽
極5の先端部分は焼かれ、Cd膜の付着はなく電
気絶縁は保たれる。なお、ブリユースタ窓2へ
Cd蒸気の拡散を防ぐために、放電通路13内の
電気泳動効果によつて、その蒸気の吹き出しを抑
えている。
第2図に示すように、主陽極5の先端は電気絶
縁物の前記円筒壁7aでおおわれ、放電が拡がる
ことを防ぐとともに、円筒壁7a内に生ずる陽光
柱放電によつて、その内面にCdやスパツタ生成
膜12が付着するのを防いでいる。なお、レーザ
動作の立上がり時間は、金属溜7の大きさや保温
材10の種類により変わる。
縁物の前記円筒壁7aでおおわれ、放電が拡がる
ことを防ぐとともに、円筒壁7a内に生ずる陽光
柱放電によつて、その内面にCdやスパツタ生成
膜12が付着するのを防いでいる。なお、レーザ
動作の立上がり時間は、金属溜7の大きさや保温
材10の種類により変わる。
第3図は、本発明の第2の実施例を示してお
り、レーザ管が熱によつてその管軸がそるのを防
ぐために、金属溜107をレーザ管101の左右
に交互に配置した場合の横断面図である。なお、
第1の実施例と同様の箇所には、同じ符号の記
す。この場合、左右で均等に膨張するので、レー
ザ管101は反らない。
り、レーザ管が熱によつてその管軸がそるのを防
ぐために、金属溜107をレーザ管101の左右
に交互に配置した場合の横断面図である。なお、
第1の実施例と同様の箇所には、同じ符号の記
す。この場合、左右で均等に膨張するので、レー
ザ管101は反らない。
ところで、第1と第2の実施例において、ホロ
ー陰極3の肉厚は、真直な光軸を得るために反る
ことのないように最大限3mm程度確保すると好ま
しいが、ホロー陰極3の加熱立上り時間を短くす
ることを考慮すると3mmより薄くした方がよい。
ー陰極3の肉厚は、真直な光軸を得るために反る
ことのないように最大限3mm程度確保すると好ま
しいが、ホロー陰極3の加熱立上り時間を短くす
ることを考慮すると3mmより薄くした方がよい。
ただ、あまり薄くしすぎると、穴4の周辺が加
熱してホロー陰極3の他の部分と穴4部分との間
に大きな温度勾配が生じて好ましくないので、こ
の点を踏まえてホロー陰極3の肉厚を決定する必
要がある。
熱してホロー陰極3の他の部分と穴4部分との間
に大きな温度勾配が生じて好ましくないので、こ
の点を踏まえてホロー陰極3の肉厚を決定する必
要がある。
上述したように、本発明に係るホロー陰極型金
属イオンレーザは、Heガスのスパツタリングに
よつてホロー陰極3の内面を絶えずきれい(クリ
ーニング)にしており、そのスパツタリング生成
物が陰極ボア3a内に蓄積することを防いでい
る。また、金属溜7の温度を外部より制御してレ
ーザ活性用金属8の蒸気圧を最適に設定し、その
蒸気圧はホロー陰極の温度とは独立に制御でき
る。なおレーザ動作を終了するときは、一度蒸発
させた金属蒸気をふたたび元の金属溜に回収で
き、レーザ活性用金属の拡散損失を極力抑えてい
る。
属イオンレーザは、Heガスのスパツタリングに
よつてホロー陰極3の内面を絶えずきれい(クリ
ーニング)にしており、そのスパツタリング生成
物が陰極ボア3a内に蓄積することを防いでい
る。また、金属溜7の温度を外部より制御してレ
ーザ活性用金属8の蒸気圧を最適に設定し、その
蒸気圧はホロー陰極の温度とは独立に制御でき
る。なおレーザ動作を終了するときは、一度蒸発
させた金属蒸気をふたたび元の金属溜に回収で
き、レーザ活性用金属の拡散損失を極力抑えてい
る。
また主陽極5は金属溜7の上部に設け両者を同
時に加熱し、更にはその先端部分を放電の電気動
泳動効果にさらして焼けるので、レーザ動作中も
その終了時もその先端部分に金属が付着汚染する
ことはなく、電気絶縁は保たれる。
時に加熱し、更にはその先端部分を放電の電気動
泳動効果にさらして焼けるので、レーザ動作中も
その終了時もその先端部分に金属が付着汚染する
ことはなく、電気絶縁は保たれる。
また、その材料の厚みをうすくして単に穴4を
設けるだけの構造なので、放電熱によつてすぐに
ホロー陰極3の温度が最適値に達することがで
き、レーザ発振までの所要時間は実用化されてい
る青色発光の陽光柱型He−Cdイオンレーザと同
程度である。
設けるだけの構造なので、放電熱によつてすぐに
ホロー陰極3の温度が最適値に達することがで
き、レーザ発振までの所要時間は実用化されてい
る青色発光の陽光柱型He−Cdイオンレーザと同
程度である。
なおホロー陰極型の場合は青以外に更に緑と赤
を発振させることができる。また構造上さらに立
ち上り時間を早めることも可能である。
を発振させることができる。また構造上さらに立
ち上り時間を早めることも可能である。
さらに、金属溜7をホロー陰極3の外で放電空
間の下に配置したため、レーザ管を組み立てた
後、陰極3と金属溜7に納めたレーザ活性用金属
8を別々に焼き出しすることができる。
間の下に配置したため、レーザ管を組み立てた
後、陰極3と金属溜7に納めたレーザ活性用金属
8を別々に焼き出しすることができる。
ところで、封入励起ガスはHeガスを用いるが、
金属溜7内に入れるレーザ活性用金属8として
は、Cdの他にZn、Te、Seなどが採用できる。
金属溜7内に入れるレーザ活性用金属8として
は、Cdの他にZn、Te、Seなどが採用できる。
発明の効果
以上説明したように、本発明に係るホロー陰極
型金属イオンレーザでは、スパツタ生成物はホロ
ー陰極外に蓄積させ、陰極ボア内に最適な蒸気圧
で金属蒸気を確実に送り込むことができ、ホロー
陰極に金属蒸気が付着せず、陽極にも金属蒸気が
付着しない。また動作中は、ホロー陰極内に電気
泳動効果を利用して、濃いCd蒸気密度を吹き溜
めることができる。しかもレーザ動作が終り、金
属溜と放電空間の追加的な加熱をやめると金属蒸
気はもとの金属溜にもどすことができる。したが
つて単純な構造でありながらレーザ活性用金属を
何度でも再利用でき長時間にわたり、光3原色の
安定なレーザ光が得られる従来にない優れた効果
がある。
型金属イオンレーザでは、スパツタ生成物はホロ
ー陰極外に蓄積させ、陰極ボア内に最適な蒸気圧
で金属蒸気を確実に送り込むことができ、ホロー
陰極に金属蒸気が付着せず、陽極にも金属蒸気が
付着しない。また動作中は、ホロー陰極内に電気
泳動効果を利用して、濃いCd蒸気密度を吹き溜
めることができる。しかもレーザ動作が終り、金
属溜と放電空間の追加的な加熱をやめると金属蒸
気はもとの金属溜にもどすことができる。したが
つて単純な構造でありながらレーザ活性用金属を
何度でも再利用でき長時間にわたり、光3原色の
安定なレーザ光が得られる従来にない優れた効果
がある。
第1図は本発明に係る金属イオンレーザの第1
の実施例で、金属溜をレーザ管の下側に配列した
ときの断面図、第2図は同レーザ管の要部拡大断
面図、第3図は金属溜をレーザ管の左右交互に配
置した第2の実施例の横断面図である。 1,101……レーザ管、2……ブリユースタ
窓、3……ホロー陰極、4……ホロー陰極の側面
の穴、5……主陽極、6……補助陽極、7,10
7……金属溜、8……レーザ活性用金属、9……
ヒータ、10……保温材、11……主陽極の放電
空間、12……スパツタ生成膜、13……補助陽
極の防電通路。
の実施例で、金属溜をレーザ管の下側に配列した
ときの断面図、第2図は同レーザ管の要部拡大断
面図、第3図は金属溜をレーザ管の左右交互に配
置した第2の実施例の横断面図である。 1,101……レーザ管、2……ブリユースタ
窓、3……ホロー陰極、4……ホロー陰極の側面
の穴、5……主陽極、6……補助陽極、7,10
7……金属溜、8……レーザ活性用金属、9……
ヒータ、10……保温材、11……主陽極の放電
空間、12……スパツタ生成膜、13……補助陽
極の防電通路。
Claims (1)
- 1 外囲器内にホロー陰極を配置し、ホロー陰極
内に金属蒸気を送り込んでホロー陰極内の負グロ
ー放電を用いてレーザ光を発生させるホロー陰極
型金属イオンレーザにおいて、導電性のパイプか
らなるホロー陰極の側面に金属蒸気を送り込む複
数の穴を設け、ガスを封入した外囲器にはレーザ
活性用金属を収容する複数の金属溜を設け、各金
属溜は各穴に対応して配置され、各金属溜と対応
する各穴の付近には陽極とこの陽極によつて発生
する放電空間を配置し、各金属溜と放電空間は外
部より追加的に加熱可能になつており、各金属溜
の加熱によりレーザ活性用金属から金属蒸気を生
じさせかつ各陽極の放電空間内の陽光柱放電によ
る電気泳動効果により、金属蒸気を各金属溜から
各穴を通してホロー陰極内に送り込めるように陽
極と放電空間が配置されている構成となることを
特徴とするホロー陰極型金属イオンレーザ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21266784A JPS6191981A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | ホロ−陰極型金属イオンレ−ザ |
DE8585306812T DE3581779D1 (de) | 1984-10-12 | 1985-09-25 | Metallionenlaser vom hohlkathodentyp. |
EP85306812A EP0178810B1 (en) | 1984-10-12 | 1985-09-25 | A hollow-cathode type metal ion laser |
CA000491713A CA1248211A (en) | 1984-10-12 | 1985-09-27 | Hollow-cathode type metal ion laser |
US07/244,592 US4821280A (en) | 1984-10-12 | 1988-09-13 | Hollow-cathode type metal ion laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21266784A JPS6191981A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | ホロ−陰極型金属イオンレ−ザ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21220285A Division JPS61172383A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ホロ−陰極型金属イオンレ−ザ光の発生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6191981A JPS6191981A (ja) | 1986-05-10 |
JPH0311113B2 true JPH0311113B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=16626405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21266784A Granted JPS6191981A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | ホロ−陰極型金属イオンレ−ザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6191981A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS498198A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21266784A patent/JPS6191981A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS498198A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6191981A (ja) | 1986-05-10 |
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